【課題】実装される表面実装部品の構造を設計変更することなく、表面実装部品からの熱を効率よく放熱することが可能な放熱部材を提供する。
【解決手段】このメタルベース基板（放熱部材）１２０は、アルミニウムから構成される板状の基材部１２１と、基材部１２１の上面上に絶縁層１２５を介して形成された導体層１２６と、導体層１２６の上面側に開口端を有し、導体層１２６および絶縁層１２５を貫通することにより基材部１２１に底面が形成された細長状の溝部１２７と、溝部１２７の底面および溝部１２７の内側面を覆うように被覆された銅メッキ層１２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】部品が傾いた状態でもはんだ厚を確保する粒子入りはんだ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属粒子１２を混ぜたはんだ材１１を溶融して撹拌した後、固めて圧延加工することよって形成する板はんだを製造するものであって、金属粒子の直径と添加量の決定に当たり、金属粒子１２の添加量に従って得られる距離実力がほぼ収束する、その値(Ｓ)に対応して添加量(Ｎ)を決定する工程と(S105)、距離実力(Ｓ)、粒子入りはんだの初期板はんだ厚(Ｔ)、四角形の短辺長さ(Ｌ)、および実験値より導出された一定の寿命を得るために必要な粒子入りはんだの保証はんだ厚(Ｂ)から、粒子入りはんだ１０の上に重ねられた上部品１２０の最大傾き時の形状を導出し(S106)、その傾き形状より、距離実力(Ｓ)における金属粒子の粒子径(Ｄ)を算出する工程(S107)とを有する粒子入りはんだの製造方法。 （もっと読む）

【課題】はんだ工程の温度管理によって、はんだ接合部におけるボイドの生成を抑えた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子１１と絶縁基板１３との間の素子下はんだ１２について行う第１はんだ工程と、絶縁基板１３とヒートシンク１５との間の基板下はんだ１４について行う第２はんだ工程を有し、素子下はんだ１２及び基板下はんだ１４は、すずからなるＳｎはんだであり、半導体素子１１には、電極層２２を挟んで密着層２１と酸化防止層２３とを備えた電極部２０が形成されたものであって、第１はんだ工程では、素子下はんだ１２のすずと電極層２２を構成する材料との合金層２５を形成する温度で加熱を行い、更にその第１はんだ工程と前記第２はんだ工程では、合金層２５を素子下はんだ１２中に分離させない温度で加熱を行うようにし半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発熱特性の異なる複数の半導体素子が実装される場合であっても、複数の半導体素子を効率よく冷却できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、配線基板１１と、配線基板１１の上に実装された複数の半導体素子１７と、複数の半導体素子１７の上に配置され、配線基板１７に対して水平方向に水を流すための冷却流路２２を備えた放熱板２１とを有する。複数の半導体素子１７は冷却流路２２に沿って配置されており、複数の半導体素子１７のうち、冷却流路２２の流入側には冷却流路２２の流出側に配置される半導体素子１７ａよりも発熱量が小さい半導体素子１７ｃが配置される。冷却流路２２の流入側に配置される半導体素子はメモリ素子であり、冷却流路２２の流出側に配置される半導体素子はロジック素子であるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】電子的構成素子から生じた熱をより良好かつ確実に放出することができ、さらに構成素子の寿命も延ばすことのできる回路支持体構造部を提供すること。
【解決手段】少なくとも１つの電子的構成素子（３）の下方で、連続した凹部（５）が回路支持体（２）内に設けられ、熱伝導材料からなるダイ（６）が接合領域（６ａ）の一方の端部と共に前記凹部（５）内へ挿入され、熱伝導性接着層（７）によって固定され、前記構成素子（３）と熱伝導的に接続され、さらに前記ダイ（６）はその他方側に連結領域（６ｂ）を有し、その断面は少なくとも部分的に前記回路支持体（２）内の凹部（５）よりも大きくなるように設計され、その端部は冷却体（８）と熱伝導的に接続されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】高充填率で接着剤に混入するのに適したフィラー構造、およびこれを用いた複合接着剤およびパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０は、半導体チップ１１と、ヒートシンク２１と、金属配線２３と、金属配線２３とヒートシンク２１との間に設けられた複合接着剤２６と、半田層１４とを備えている。複合接着剤２６は、接着剤Ｅに大径表面コートフィラーＣＦ１と、小径表面コートフィラーＣＦ２とを混入して構成されている。各表面コートフィラーＣＦ１，ＣＦ２は、無機絶縁性物質からなるフィラーＦと、フィラーＦの表面を覆う樹脂皮膜Ｌとからなり、全体の外形が実質的に球面体である。大径表面コートフィラーＣＦ１は、整列しており、大径表面コートフィラーＣＦ１同士の間隙に小径表面コートフィラーＣＦ２が入り込んでいて、高充填率でフィラーＦが充填されている。 （もっと読む）

【課題】高充填率で接着剤に混入するのに適したフィラー構造、およびこれを用いた接着剤層およびパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０は、半導体チップ１１と、ヒートシンク２１と、金属配線２３と、金属配線２３とヒートシンク２１との間に設けられた絶縁性樹脂膜２６と、半田層１４とを備えている。絶縁性樹脂膜２６は、接着剤ＥにフィラーＦを混入して形成された第１の接着剤層２６ａと、第１の接着剤層２６ａの上面および下面の上に設けられた、実質的に接着剤のみからなる第２の接着剤層２６ｂとを有している。第２の接着剤層２６ｂにより、フィラーＦのために接着強度が比較的低い第１の接着剤層２６ａと被接着面との間の接着強度を高めている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の放熱効率を改善し、半導体レーザ素子の光出力の低下と熱的クロストークを改善した半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子１の基板側に接合されている第１のサブマウント２と、第１のサブマウント２の裏側に接合されている第１のヒートシンク７とを備えた半導体レーザ装置において、第２のサブマウント１０が第２のヒートシンク１２上に接合され、第２のサブマウント１０が半導体レーザ素子１上に接合され、第２のヒートシンク１２が第１のヒートシンク７上に接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップが半導体チップに与える熱応力を緩和する。
【解決手段】表面電極を形成した半導体チップ２をメタルキャップ１の平坦部に固着し、メタルキャップ１の側壁部を外部端子１３として兼用している。メタルキャップ１に、半導体チップ２を横切るようにスリット７を形成することによって、半導体チップ２とメタルキャップ１との固着領域を小さく分割し、それぞれの固着領域にかかる熱応力を小さくしている。これにより、それぞれの固着領域において剥離を防止でき、全体として信頼性を向上した小型の半導体装置が得られる。 （もっと読む）

半導体アセンブリは、ヒートシンクを有する第１のサブアセンブリを含む。はんだ材料が、ヒートシンクの第１の表面の露出部分に配置される。パワー半導体ダイが、ヒートシンクの第１の表面に配置され、はんだ材料によりヒートシンクに熱的に結合される。パッケージングパターンポリマー層が、第１の表面に対向するヒートシンクの第２の表面に配置され、ヒートシンクの内面部分を画定する。ヒートシンクの第２の表面の内面部分が半導体パッケージにより囲まれないように、第１のサブアセンブリ、はんだ材料、およびダイが内部に配置された半導体パッケージが提供される。 （もっと読む）

【課題】空気で冷却する半導体装置用熱放散構造に組み込んでも、多数のピン形フィンが容易に破断することがないように接合することが可能な半導体装置用ヒートスプレッダを提供する。
【解決手段】半導体装置用ヒートスプレッダ１は、板状部材１１の一方表面の上に接合された複数の柱状部材１２と、板状部材１１と柱状部材１２との間に形成された接合層１５とを備える。板状部材１１はアルミニウム１１１からなるマトリクスとマトリクス中に分散した炭化ケイ素粒子１１２を含む複合材料からなる。柱状部材１２はアルミニウムを含む材料からなる。板状部材１１の一方表面内にアルミニウムが存在する面積割合は３０％以上、炭化ケイ素粒子１１２の実効最大長さが、接合界面１４を板状部材１１の一方表面に投影したときに得られる投影平面の面積に対して等価な円の直径の１０％以下である。 （もっと読む）

開示の一実施形態において、２つの金属面の間に形成されるはんだ接合内の空隙の形成を阻止するための本方法は、スリットはんだ層（２１４）を形成するために、はんだの層に少なくとも１本のスリット（２１８）を形成するステップ（４１０）と、２つの金属面の間に前記スリットはんだ層を配するステップ（４４０）と、前記はんだ接合を形成するために、前記スリットはんだ層を加熱するステップ（４５０）とを含み、前記少なくとも１つのスリットは、前記はんだ接合内の前記空隙の形成を阻止するための前記スリットはんだ層の脱気路を形成する。はんだ接合幅が重要である場合、本方法は、加熱（４５０）とともに外圧を加えるステップ（４５０）を含む。前記はんだ接合の形成中に生成されるフラックスガスを逃がす用意された脱出路を提供するために、前記脱気路が形成される。
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【課題】実使用中に半導体素子の中央部付近を起点に発生する接合層の熱劣化、亀裂を防止して、高いパワーサイクル耐性と信頼性の向上が図れるように改良した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属粒子ペーストを高温硬化させて形成した下地層８ａと、金属粒子ペーストを低温硬化させて形成した表面膜の金属粒子が低温金属ロウ材に分散吸収されて形成された高温化金属ロウ材の層８ｂで構成される接合層５で、半導体チップ３の裏側と銅配線パターン２ｂを接合することで、耐熱性およびパワーサイクル性に強い接合性を確保し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】熱性能の向上のためにフタをはんだ付けされた集積回路パッケージ
【解決手段】集積回路ダイは、回路面と該回路面の反対側の裏面とを含む。裏面に、バンプ下地金属が形成される。バンプ下地金属に、はんだの層が形成される。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールを対象に、従来の工法に比べて簡単，かつ短時間で半田接合する部材の表面に間隔保持用の突起を形成し、部材相互間を均一な厚さでリフロー半田接合できるように工法を改良した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の銅箔回路パターン１ｂに半導体チップ２を重ねて半田接合したモジュールを対象に、前記銅箔回路パターン１ｂの接合面域内にレーザ光を照射してその表面複数箇所に半田接合層の層厚に対応する凹凸状のクレータ（レーザ加工痕）を分散形成した上で、その接合面域にクリーム半田ないし板半田を挟んで絶縁基板に半導体チップを重ね合わせ、半田リフロー工程を経て絶縁基板／半導体チップの間を接合する。 （もっと読む）

【課題】厚さ方向の寸法精度を向上させることができる半導体素子のモジュール構造を提供する。
【解決手段】モジュール構造は、互いに対向する上部電極１０４０および下部電極１０３０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間に配置されたインバータ８２０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間に介在して上部電極１０４０および下部電極１０３０間に隙間を形成する櫛歯状の第一セラミックススペーサ１０１０および第二セラミックススペーサ１０２０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間の隙間を充填して櫛歯に入り込む封止樹脂１０５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと他の構成部材との半田による接合部の信頼性、および半導体チップ以外の構成部材同士の半田による接合部の信頼性を高めること。
【解決手段】溶融する前の半田接合層５の上に、溶融前の半田接合層５の厚さよりも小さいフィラーを配置した状態で加熱して半田接合層５を溶融し、溶けた半田接合層５内にフィラーが落ちこんだ状態で冷却して半田接合層５を固まらせる。これによって、ヒートシンク６と絶縁基板３とを接合する半田接合層５の厚さを所望の厚さとすることができる。また、フィラーがスペーサとなり、半田接合層５に発生する歪みを低減する。また、半導体チップとリードフレームとの半田による接合部、および絶縁基板３と半導体チップとの半田による接合部についても同様に、それらを互いに接合する半田接合層においてフィラーがスペーサとなり、歪みを低減する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子が搭載されたセラミック基板と放熱板との位置ずれを防止するとともに、セラミック基板と放熱板との熱抵抗を低減させたことにより放熱効果の向上を実現する。
【解決手段】回路パターン１２１，１２２が固着された高熱伝導性のセラミック基板１３の回路パターン１２１，１２２に電気的に接続するとともに、セラミック基板１３にＬＥＤ素子１１を接続する。セラミック基板１３は放熱板１４に形成した凹部１６に接着剤１７を介して嵌合する。これにより、ＬＥＤ素子１３の位置ずれを防止して光学特性の劣化を防止するとともに、セラミック基板１３と放熱板１４の熱抵抗の低減を図り放熱効果の向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】安価で汎用性があり、従来のＰｂ含有の高温系はんだの代替が可能になる新規な合金接合材を提供する。
【解決手段】第１金属被接合材１と第２金属被接合材２とを薄層接合材３を介して積層し積層体４を形成する。薄層接合材３は、ＴｅとＡｇとを主成分にし、Ｓｎ、ＺｎおよびＣｏからなる群から選択された１種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材、あるいはＴｅとＡｇとを主成分にし、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｐｔ、ＭｎおよびＦｅからなる群から選択された１種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材の例えばシートハンダである。この積層体４を３５０℃〜４５０℃の範囲の温度で加熱することによって、高耐熱性を有する接合層５を通して接合された接合体６が得られる。 （もっと読む）

【課題】回路基板の構造を簡素化しつつ、熱応力による反りやクラックの発生を防止するとともに、優れた放熱性能を得ること。
【解決手段】回路基板とヒートシンク１３をろう付けする際に、裏金属板１６の接合界面に離型剤１９を配置する。そして、回路基板と、ヒートシンク１３と、ろう材１７を積層した状態でろう材１７を溶融凝固させてろう付けを行う。離型剤１９により、裏金属板１６とヒートシンク１３には接合されない非接合領域が形成され、この非接合領域によって熱応力を緩和させることが可能となる。 （もっと読む）