【課題】半導体素子と電極との接合部にＢｉ系金属間化合物を含有し、分散している接合構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】直径ＤのＢｉ球の周囲に厚みＬのＮｉをコーティングしたはんだボール２００を加熱された電極１０３上に載置し、はんだボール２００のＤとＬは、０．０２２≦Ｌ／Ｄ≦０．０３９の関係を有し、はんだボール２００が電極１０３上に濡れ拡がり、接合部１０４を形成した後、接合部１０４の上に半導体素子１０２を載置し、電極１０３と接合させた接合構造体１０７は、半導体素子１０２の発熱により接合部１０４が溶融することを防止する。 （もっと読む）

【課題】高放熱性、かつ高剛性であり、熱膨張差による反りや変形等を効果的に抑止して、これらに起因するはんだ層や半導体素子に生じ得るクラック等の損傷を抑止でき、もって高耐久なパワーモジュールを提供する。
【解決手段】少なくとも基板２と半導体素子１とからなる回路ユニット４が第１の冷却器１１の一側面に載置固定され、該一側面上に回路ユニット４を封止する封止樹脂体７が形成されてなるパワーモジュールにおいて、回路ユニット４の側方に第２の冷却器１２が配設され、第１の冷却器１１の前記一側面と熱連通している。 （もっと読む）

【課題】はんだボール及びはんだボイドの発生を抑制しつつ、放熱板に対する基板の位置精度が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層体１０と放熱板２０とはんだ層３０とを備える半導体装置を提供する。積層構造体は、第１主面１１ａに搭載された半導体素子１５と、基板の第２主面１１ｂに設けられ、基板１１の側面１１ｓから後退した導電層１３と、を有する。はんだ層は、基板の第２主面の側に設けられた放熱板と、導電層と、を接合する。放熱板は、放熱板の基板の側の基板対向面において、導電層に対向する接合領域２０ｒの周縁に沿って前記接合領域の外側に設けられた第１レジスト層２１ａを有する。第１レジスト層２１ａが、接合領域の互いに対向する４つの辺部にそれぞれに隣接する第１〜第４隣接部２２ａ〜２２ｄと、第１レジスト層が接合領域に隣接していない非隣接部２３と、が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールが短絡することを防止しながら、半導体基板の放熱性能を向上する技術を提供する。
【解決手段】 ＩＧＢＴが形成されている半導体基板１８と、半導体基板１８の第１の表面１８ａに形成されており、ＧＮＤ電位を有するエミッタ電極１８ｄと、半導体基板１８の第２の表面１８ｅに形成されており、ＧＮＤ電位よりも高い電位を有するコレクタ電極１８ｆと、コレクタ電極１８ｆと接合されている第２放熱板３０と、を備え、第２放熱板３０は、半導体基板１８の側面１８ｂに熱的に接触している側壁２６を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置使用時の発熱による基板の上下面の温度変化を抑制することによって、少なくとも基板の反りを低減でき、もって、基板と半導体パッケージとを接合する半田層の疲労破壊を効果的に抑制することのできる、半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子１、放熱性パッド３、および、これらを封止する封止樹脂体７とからなる半導体パッケージ１０が、基板８と半田層９３で接合されてなる半導体装置１００において、基板８のうち、少なくとも放熱性パッド３に対応する位置には、半導体パッケージ１０と対向する一方面８ａから他方面８ｂに延びる貫通孔８１が開設されており、貫通孔８１は、基板８に比して相対的に熱伝導率の高い熱伝導材で閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】良好な接続状態が実現できる半導体素子搭載部材及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子搭載部材は、半導体チップ４が搭載された表面実装パッケージである。表面実装パッケージは、半田８を介して実装面と接続される接続面６を有する。接続面６には、誘導面及び平行面が設けられる。平行面は、実装面に対して略平行である。誘導面は、実装面と平行面との距離以上、実装面から離れて設けられる。また、誘導面は、接続面６の外周に近づくに従い、より上方に位置するように延在する。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス部材と金属部材とを強固に接合することが可能なろう材およびこれを用いて接合され、放熱を繰り返しても短絡が発生しにくい放熱基体ならびにこの放熱基体の回路部材上に電子部品を搭載した電子装置を提供する。
【解決手段】 銅および錫を主成分とし、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の活性金属と、銀とを含み、銀の含有量が５質量％以上18質量％以下のろう材であることにより、活性金属と銅との結合によって発生する脆化を抑制することができるので、この脆化に伴う支持基板21と回路部材41および放熱部材42との接合強度の低下を防止することができる。また、支持基板21と回路部材41および放熱部材42との接合部における不要なはみ出しの少ない粘度のろう材とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線が保護膜に覆われた構造において、保護膜に発生するクラックがゲート配線に到達することを防止することにより、ゲート−エミッタ間のショート不良を防止する。
【解決手段】第１保護膜２５が表面電極１７およびゲート金属配線１８の間に配置されると共に、ゲート金属配線１８を覆っている。また、第２保護膜２６が第１保護膜２５の上に形成されている。この場合、第２保護膜２６は、第１保護膜２５のうちの少なくともはんだ２９に覆われる部分の上に形成されている。これにより、はんだ２９実装前に引っかき傷等によって第２保護膜２６にクラック３１が発生したとしても、当該クラック３１の進展を第１保護膜２５と第２保護膜２６との境界面で阻止することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造を容易化でき、装置を小型化でき、信頼性を高めることができる電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】モールド樹脂で封止され、該モールド樹脂から露出する放熱面を有する第一パワーモジュールと、モールド樹脂で封止され、該モールド樹脂から露出する放熱面を有する第二パワーモジュールと、該第一パワーモジュールの放熱面にはんだにより固着された第一冷却部と、該第二パワーモジュールの放熱面にはんだにより固着された第二冷却部とを備え、該第一冷却部と該第二冷却部は冷媒通路となる空隙を形成するように固着され冷却器を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発熱部品が熱的に接続されるベースプレート上に、冷却用流体への伝熱を行なう放熱フィンが設けられた熱交換器において、冷却用流体の流れの制御により優れた放熱効果を示し得る熱交換器を、少ない部品点数で構成し、コストを低減する。
【解決手段】 放熱フィンとして、基辺部分から複数の長板部分が櫛歯状に平行に立設されて、長板部分の間を冷却用流体通路としたものを用い、放熱ユニットの基辺部分をベースプレート表面に熱的に接続させ、ベースプレート上に、入口部から流入した冷却用流体の流れをベースプレートの板面と平行な面内で誘導する流体誘導手段を設け、冷却用流体を入口部から櫛型放熱ユニットに導き、その冷却用流体が櫛型放熱ユニット内の長板部分間の多数の空隙（冷却用流体通路）をほぼ均一に通過してから出口部に導かれるように、冷却用流体の流れを誘導する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成された金属熱インターフェース（ＰＭＴＩ）を含む集積回路パッケージの長期信頼性を改善するためのシステム及び方法を提供すること
【解決手段】 パターン形成された金属熱インターフェース（ＰＭＴＩ）を含む集積回路パッケージの長期信頼性を改善するためのシステム及び方法であって、この方法は、ヒートシンクを熱源に結合すること、熱源とヒートシンクとの間にＰＭＴＩ材料を準備すること、ＰＭＴＩが受けた荷重下でその位置から寸動することを妨げるために、圧縮された展性金属の部分的な封じ込め部を設けることを含む。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性が高く、容易に製造できる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置１００は、第１のリード２１に形成された第１のダイパッド部２１ａ上に載置され、表面上にゲート電極が形成された電力用半導体素子５０と、第２のリード２２に形成された第２のダイパッド部２２ａ上に載置され、表面上に複数のワイヤパッドが形成された第１の制御用半導体素子３０と、この第１の制御用半導体素子３０の表面積内に絶縁性材料７４を介して載置され、表面に複数のワイヤパッドが形成された第２の制御用半導体素子４０とを備え、電力用半導体素子５０と第２の制御用半導体素子４０とを金属線９４で電気的に直接接続したものである。 （もっと読む）

【課題】発熱量の大きな第１半導体チップの近傍にそれより発熱量の小さい第２半導体チップを配置する場合であっても、第１半導体チップの熱を十分に放熱できると共に、第１半導体チップからの熱の影響を受けることなく第２半導体チップの信頼性が確保される半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板１０と、配線基板１０に実装された第１半導体チップ２０と、その横方向の配線基板１０に実装された第２半導体チップ３０と、第１半導体チップ２０に接続され、第１半導体チップ２０上から第２半導体チップ３０の上方に延在して配置された第１放熱手段４０と、第２半導体チップ３０に接続され、第１放熱手段４０の下側から外側に、第１放熱手段４０に非接触の状態で延在して配置された第２放熱手段５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の中央部に生じる応力歪みを低減することができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 パワーモジュール１は絶縁基板２を有し、この絶縁基板２の上下面には配線層３，４がそれぞれ形成されている。配線層３の中央部には、半導体素子５がハンダ６により接合されている。配線層４には、ヒートシンク７がハンダ８により接合されている。絶縁基板２の中央部領域（半導体素子５の中央部に対応する領域）２ａの厚みは、絶縁基板２の周辺部領域（半導体素子５の中央部以外の部分に対応する領域）２ｂの厚みよりも薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの実装基板として樹脂基板を使用しても、チップ及び基板の間の高い接合信頼性と、チップの放熱性との両方を確保することができる半導体チップの基板実装構造を提供する。
【解決手段】パワーベアチップ４の実装基板として樹脂基板２を使用する。パワーベアチップ４と樹脂基板２との間に、金属板６を介装する。この金属板６は、基板２上のパワーベアチップ４ごとに切り分けることにより個片化する。また、これら金属板６は、電気的に同電位で電気接続する箇所であっても、それぞれ切り分けて個別化する。 （もっと読む）

【課題】電極間の沿面距離を確保し、小型化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１２と、半導体素子１２に接続される複数の金属板１３，１４と、各金属板１３，１４に各々接続される複数の端子部２３，２４とを、該金属板１３，１４の一部と端子部２３，２４の一部が各々露出するように封止部１５で封止し、各端子部２３，２４における封止部１５から露出するように突出した部分のうち封止部１５側となる基端側の部分を絶縁体２５で被覆する。 （もっと読む）

【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来普通の一般的なモジュール構成で、従来よりも安価で且つはんだ接合部の接合信頼性が確保可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板の両面に金属板を各々接合してなる回路基板Ｐと、一方の金属板の外面に第１はんだを介して接合される半導体素子と、他方の金属板の外面に第２はんだを介して接合される放熱用ベース板とを備えた半導体装置の製造に当たり、
両金属板Ｍ１，Ｍ２の板厚の和ｔ_M の、絶縁基板Ｃの板厚ｔ_C に対する比ａが、同種の鉛フリーはんだである各はんだＨ１，Ｈ２の温度ストレスに対する耐久性を確保し得る所定範囲に収まるようにして、回路基板Ｐを製造する工程と、回路基板Ｐの一方の金属板Ｍ１の外面に第１はんだＨ１を介して半導体Ｓ，Ｓ′を接合する処理と他方の金属板Ｍ２の外面に第２はんだＨ２を介してベース板Ｂを接合する処理とを同一の加熱条件で同時に実行する工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属支持板と冷却フィンの接合が高い機械的特性・放熱性が得られる配線基板冷却機構及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体チップや電子部品等の発熱体を搭載する配線基板と、前記配線基板を支持する金属支持板と、前記金属支持板に設けられ、前記発熱体が発生した熱を放熱する冷却フィンを有する冷却装置、ないし冷却ユニットを含む冷却機構が備わる配線基板冷却機構において、前記金属支持板と前記冷却フィンを接合する接合部位に介在する接合材料としての金属焼結体は１０〜１０００ｎｍの結晶粒からなる銀および／または銅を主体とし、かつ金属焼結体の内部粒界が酸化皮膜層を介さずに金属接合していることを特徴とする配線基板冷却機構および配線基板冷却機構の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の出力アップに伴う高放熱及び高信頼性の要求にこたえるモジュール構造を提供できる。
【解決手段】炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、ダイヤモンド及び黒鉛の中から選ばれる１種類以上からなり、気孔率が１０〜５０体積％である多孔体又は粉末成形体から、（１）特定の金属を含浸する工程及び（２）面方向の面積がパワー半導体素子の搭載面の面積に対し２〜１００倍、板厚がパワー半導体素子の厚さに対して１〜２０倍、表面粗さ（Ｒａ）が０．０１〜０．５μｍになるように加工する工程を経て金属基複合材料基板を作製し、前記金属基複合材料基板上にパワー半導体素子をロウ付け又ははんだ付けにより接合、或いは、銀ペーストにより接着することを特徴とするパワーモジュール部材およびその製造方法。 （もっと読む）