【課題】絶縁性および放熱性のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板およびその製造方法ならびにそれを用いた発光素子の提供。
【解決手段】金属基板３３と、前記金属基板の表面に設けられる絶縁層３２とを有する絶縁基板であって、前記金属基板が、バルブ金属基板であり、前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、前記陽極酸化皮膜の空隙率が、３０％以下である絶縁基板。 （もっと読む）

【課題】絶縁信頼性の低下を抑制しつつ放熱性に優れた半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】上面側に半導体素子５０が搭載され該半導体素子５０が発する熱が伝達されるヒートスプレッダ３０を有し、該ヒートスプレッダ３０の下面側に無機フィラーを含む熱硬化性樹脂組成物で形成された絶縁シート１０を介して前記熱をモジュール外に放熱させるためのヒートシンク２０が接着されており、前記ヒートスプレッダ３０が前記ヒートシンク２０よりも小さく、該ヒートスプレッダ３０との接着面よりも外側に延出した状態で前記絶縁シート１０が前記ヒートシンク２０の上面に接着されている半導体モジュール１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワー半導体のベアチップを基板に実装したパワーモジュールの放熱性能を向上させることを目的とする。
【解決手段】パワーモジュール１０ａは、基板１２、基板１２の一面に設けられた導電性のパッド１４、基板１２の一面に実装されたパワー半導体１６、パッド１４とパワー半導体１６とを電気接続するワイヤ１８ａ、基板１２の一面から他面を貫くサーマルビア２０、基板１２よりも熱伝導率の高い部材よりなる熱伝導部２２ａ、および基板１２の他面側に設けられた放熱器２４を備える。 （もっと読む）

【課題】電子機器の設計及び取り付け作業が簡単で、発熱体の熱を効率的に外部に逃がす放熱構造体を提供する。
【解決手段】本放熱構造体は、複数の発熱体１１ａ及び１１ｂと、複数の発熱体を固定する基板１２と、発熱体に対向した位置にある放熱体１３と、発熱体、基板および放熱体に接する熱伝導性材料層１４とを備え、熱伝導性材料層１４は複数の発熱体１１ａ及び１１ｂの表面を被覆しており、熱伝導性材料層１４が、硬化性ビニル系重合体（Ｉ）と、熱伝導性充填材（ＩＩ）とを少なくとも含有する熱伝導性硬化性組成物を、複数の発熱体１１ａ及び１１ｂと基板１２と放熱体１３のいずれにも接触するように塗布した後硬化させた、熱伝導率０．９Ｗ／ｍＫ以上の材料よりなる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性と絶縁性とを高水準で兼ね備え、さらに、射出成形などのせん断下での加工においても熱伝導率の異方性が発現しにくい樹脂組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】導電性ナノフィラー（Ａ）、２種以上の樹脂（Ｂ）、および官能基を有する化合物（Ｃ）を含有する樹脂組成物であり、
該樹脂組成物は、前記２種以上の樹脂（Ｂ）のうちの導電性ナノフィラー（Ａ）との親和性が最も高い樹脂（Ｂ_ａｆｆ）により形成された分散相と、残りの１種以上の樹脂（Ｂ１）により形成された連続相とを備え、
前記分散相には前記導電性ナノフィラー（Ａ）が存在し、
前記樹脂組成物全体に対する前記分散相の割合をＸ（単位：容量％）、および全導電性ナノフィラー（Ａ）に対する前記分散相中に含まれる導電性ナノフィラー（Ａ_ｄｓｐ）の割合をＹ（単位：容量％）としたとき、Ｙが２０容量％以上であり、Ｙ／Ｘが１．２以上であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子からの熱を放熱させると共に、筐体への漏れ電流を抑制して電界放射を低減することが可能な電界放射低減構造を提供すること。
【解決手段】パワー半導体素子２及びこのパワー半導体素子２が実装される基板３を収容する筐体４を備え、この筐体４にパワー半導体素子２で発生した熱を伝熱し、筐体４を用いて放熱させる構成とする。また、パワー半導体素子２から筐体４へ漏れ電流が流れる経路に電気的に接続され、筐体４を介さずに漏れ電流をパワー半導体素子２へ循環させる導電部材１１を備える構成とし、漏れ電流を循環させることで、筐体４へ流れる電流を減少させる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性及び電気絶縁性に優れた熱伝導性シートを安定して与える熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】鱗片状窒化ホウ素及び粒子状フィラーを熱硬化性樹脂中に分散してなる熱硬化性樹脂組成物であって、前記鱗片状窒化ホウ素は、平均粒子径が５μｍ以上１５μｍ以下、最大粒子径が６０μｍ以下であり、前記粒子状フィラーは、平均粒子径が０．５μｍ以上６μｍ以下、最大粒子径が５０μｍ以下であり、且つ粒子径が２μｍ以下のものを２０体積％以上７０体積％以下含み、前記鱗片状窒化ホウ素と前記粒子状フィラーとの体積比が３０：７０〜７０：３０であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物とする。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板は、熱伝導性を高めるために無機フィラの含有量を増加した場合、伝熱層の表面が粗化しやすく、ここに埋め込んだリードフレームや配線基板との密着性が低下し、電気絶縁性に影響を与える可能性があった。
【解決手段】金属板１０８と、この金属板１０８上に設けられたシート状の、結晶性エポキシ樹脂を含む伝熱層１０２と、この伝熱層１０２に埋め込まれたリードフレーム１０３と、このリードフレーム１０３に、半田もしくは伝熱層のいずれか１つ以上からなる接続部１０９を介して固定された配線基板と、を有する放熱基板１０１であって、伝熱層１０２における前記無機フィラ１２５の含有率が、６６Ｖｏｌ％以上、９０Ｖｏｌ％以下であって、その表面の算術平均粗さＲａが３０００Å以下もしくは最大高さＲｙ１５０００Å以下のいずれか１つ以上である放熱基板１１とする。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板は、熱伝導性を高めるために無機フィラの含有量を増加した場合、伝熱層の表面が粗化しやすく、ここに埋め込んだリードフレームや配線基板との密着性が低下し、電気絶縁性に影響を与える可能性があった。
【解決手段】金属板１０７と、この金属板１０７上に設けられたシート状の、結晶性エポキシ樹脂を含む伝熱層１０２と、この伝熱層１０２に固定された、配線基板１０４と、リードフレーム１０３と、を有する放熱基板１０１であって、伝熱層１０２における無機フィラ１２６の含有率が、６６Ｖｏｌ％以上、９０Ｖｏｌ％以下であって、配線基板１０４と、リードフレーム１０３とは、１つ以上の接触部１０８を介して接触させることで、高精度位置決めと、優れた電気絶縁性を有する放熱基板１０１とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層中の空隙を抑え、耐熱性、寸法安定性に加え、熱伝導特性と電気絶縁性にも優れ且つ安定し、金属層との優れた接着性を有する金属−絶縁樹脂基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の金属−絶縁樹脂基板は、金属層上に、直接又は接着樹脂層を介して、絶縁層となる耐熱性樹脂層（Ａ）が設けられ、耐熱性樹脂層（Ａ）は、金属層側に設けられる絶縁層（ａ）と、絶縁層（ａ）に積層する絶縁層（ｂ）とを有し、絶縁層（ａ）は、平均粒子径が５μｍ以上の充填材（Ｆ１）を２０体積％以上含むとともに充填材（Ｆ１）に起因する突き出し形状部を有し、また、絶縁層（ｂ）は、前記突き出し形状部を埋没させていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子上にＳｉＣ製ダイオード素子を備える半導体モジュールにおいて、スイッチング素子上におけるＳｉＣ製ダイオード素子の配置を適正にして、ＳｉＣ製ダイオード素子の放熱経路を確保することにより、温度上昇を抑制した半導体モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉ製ＩＧＢＴ素子５と、Ｓｉ製ＩＧＢＴ素子５上の周辺部に設けられたＳｉＣ製ダイオード素子８と、Ｓｉ製ＩＧＢＴ素子５とＳｉＣ製ダイオード素子８との間に設けられた絶縁板６と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板は、熱伝導性を高めるために無機フィラの含有量を増加した場合、伝熱層の表面が粗化しやすく、ここに埋め込んだリードフレームや配線基板との密着性が低下し、電気絶縁性に影響を与える可能性があった。
【解決手段】金属板１０７と、この金属板１０７上に設けられたシート状の、結晶性エポキシ樹脂を含む伝熱層１０２と、この伝熱層１０２に固定された、配線基板１０４と、リードフレーム１０３と、を有する放熱基板１０１であって、伝熱層１０２における前記無機フィラ１２７の含有率が、６６Ｖｏｌ％以上、９０Ｖｏｌ％以下であって、配線基板１０４と、リードフレーム１０３とは、半田部１０８を介して接続させることで、高精度位置決めと、優れた放熱性を有する放熱基板１０１とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下を抑制しつつ作製に要する手間を削減しうる半導体装置と半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】平板状の半導体モジュール２，３と半導体モジュールを冷却するための平板状の冷却体４，５，６とが交互に積層されてなる積層モジュール１を有している半導体装置であって、積層モジュールの半導体モジュールと冷却体とが、液晶ポリマーがベースポリマーとして用いられてなるホットメルト接着剤によって接着されて積層されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高分子化合物マトリクス中における熱伝導性充填剤の比率を大幅に増加しなくても、従って高分子化合物マトリクス中における熱伝導性充填剤の比率を大幅に増加することによる粘着力が低下するの防止でき、粘着力を維持しながら高熱伝導性を有する電気絶縁性の熱伝導性シートを提供する。
【解決手段】少なくとも熱伝導性充填剤と粘着性を有する高分子化合物を含む熱伝導性シートにおいて、前記熱伝導性充填剤が、熱伝導性金属粒子を窒化ホウ素に対して5重量％〜20重量％担持させた金属粒子担持窒化ホウ素であり、前記熱伝導性充填剤と前記高分子化合物の重量比率が15部/85部〜40部/60部である熱伝導性シート。 （もっと読む）

【課題】放熱構造の組み立て時に、集積回路や基板上の他の電子部品に過大な負荷が掛かることを防止する。
【解決手段】放熱構造1は、集積回路4を下面に設けた基板3と、集積回路4に接する当接軸21を設けた放熱体2と、頭部70を有して基板3を放熱体2に取り付けるネジ7と、基板3と放熱体2の間に配備されて基板3を上向き付勢する下側バネ6と、ネジ7の頭部70と基板3の間にてネジ7に嵌まって、基板3を下向き付勢する上側バネ5とを具えている。放熱体2は、下側バネ6が嵌まる大径軸23と、上側バネ5が嵌まる小径軸24を一体に具えた支持軸20を具えている。ネジ7が放熱体2に螺合した状態で、上側バネ5の頭部70と小径軸24の上端面との間、及び基板3の下面と大径軸23の上端面との間には、隙間が設けられている。 （もっと読む）

【課題】低温〜高温間の冷熱サイクルで生じる熱応力を緩和して半導体素子の信頼性を向上させるようにする。
【解決手段】冷却器具１２を、冷却対象の半導体素子１４の面に対して交差する方向に立設される棒状の複数の熱吸収部材４０と、半導体素子１４が熱膨張しても複数の熱吸収部材４０の一端部の配置関係と他端部の配置関係とが対応し、かつ、複数の熱吸収部材４０の熱膨張によって熱吸収部材４０に対する応力が発生しないように設けられ、半導体素子１４の熱膨張率と対応する熱膨張率である材料で形成された支持部材４２であって、半導体素子１４の面に対して複数の熱吸収部材４０を位置決めするように熱吸収部材４０を支持する支持部材４２と、を含んで構成する。 （もっと読む）

【課題】両面空冷方式の半導体装置を備えるインバータ回路ユニットについて、半導体装置の構造を活用した位置決め機構の実施により、組立て性及び製品性能を確保する。
【解決手段】インバータ回路ユニット３０は、半導体装置１０を収納するとともに、内部に配置された複数個の第１のフィン１１２に対して送風される空気の取り入れ口である複数個の通風口３２ｂを側面に形成する通風路形成部材３２，３３を備える。通風路形成部材３２，３３は、隣り合う通風口３２ｂを仕切る仕切り部３２ａと、内壁面から突出する凸部であって主面に平行な方向Ｘの外方に本体部２２６よりも突き出る部分における基板部１１０間の隙間１１０ＣＬに嵌まる第１の凸部３８と、を有する。仕切り部３２ａは、半導体モジュール２２を挟む基板部１１０間を外側から覆うとともに、内壁面側に第１の凸部３８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】放熱部材１０を介して配線基板２０上に搭載される半導体チップ２、および半導体チップ２と配線基板２０を電気的に接続する複数のワイヤ（導電性部材）３が封止樹脂（封止体）４により封止する。また、放熱部材１０は、半導体チップ２を搭載するチップ搭載部１０ａと、チップ搭載部１０ａから配線基板２０の各角部に向かって導出され、さらに配線基板２０のチップ搭載面の反対側に位置する裏面側に引き出される放熱リード１０ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】空冷用ヒートシンクについて強度の向上と半導体モジュールからの発熱を一時的に蓄熱するヒートマス機能の向上とが図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０のヒートシンク１１は、半導体モジュール２２の主面２２１，２２２と熱的に結合される基板部１１０、及び主面２２１，２２２とは反対側に厚み方向に間隔をあけて列を形成するように基板部１１０からそれぞれ突出する複数個の第１のフィン１１２を有して構成され、半導体モジュール２２を挟む両側それぞれに配される。ヒートシンク１１は、厚み方向における両方の最外側に位置する第１のフィン１１２よりもさらに外側において基板部１１０から突出するフィンであって、第１のフィン１１２よりも厚み寸法が大きい肉厚部を有する第２のフィン１１３をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減と冷却効率の向上を両立させた冷却装置を提供する。
【解決手段】冷却装置は、電気部品１０と、冷却器２０と、電気部品１０および冷却器２０の間に設けられ、電気部品１０および冷却器２０の表面の凹凸を吸収するとしてのシリコングリス３０と、電気部品１０および冷却器２０の表面に密着するように設けられ、電気部品１０と冷却器２０との間の電気的絶縁性を確保する絶縁フィルム４０とを備える。 （もっと読む）