【課題】 半導体素子を一対の金属板にて挟んだものを樹脂で封止してなる半導体装置の製造方法において、モールド工程時における半導体素子の破壊を防止する。
【解決手段】 対向する一対の金属板２、３の間に半導体素子１を介在させ、それぞれの金属板２、３の内面２ａ、３ａと半導体素子１とを接続した部材１１０を、金型２００内に設置し、樹脂５を注入することにより部材１１０をモールドするようにした製造方法において、モールド工程では、一方の金属板２の外面２ｂと金型２００とを密着させるとともに、他方の金属板３の外面３ｂと金型２００との間に、注入される樹脂５が流動可能な大きさの隙間２３０を設けた状態で、樹脂５の注入を行って樹脂５を隙間２３０に充填し、しかる後、他方の金属板３の外面３ｂを被覆する樹脂５を除去し、当該外面３ｂを露出させる。 （もっと読む）

【課題】個別に冷却機能を調整可能で信頼性の高い電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスＡは、電気素子が形成されたチップ１１と、はんだ層１３と、ダイパッド１２と、リード１５と、ボンディングワイヤ１６と、絶縁板１７と、熱伝達部材１４とを備えている。伝達部材１４は、円板部１４ａと、円板部１４ａの裏面から下方に延びる複数の柱状部材１４ｂとからなる。柱状部材１４ｂの下端面は、冷却管３０に接触しており、電気素子内で発生した熱を外部に放出して、電気素子の温度上昇を抑制するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】両側ヒートシンク構造を有する半導体装置において、両ヒートシンクの放熱面を封止樹脂から露出させるにあたって放熱性の向上に適した状態を実現する。
【解決手段】発熱素子１０と、発熱素子１０の一側に設けられ発熱素子１０と熱的に接続された第１のヒートシンク３０と、発熱素子１０の他側に設けられ発熱素子１０と熱的に接続された第２のヒートシンク４０と、発熱素子１０、第１のヒートシンク３０および第２のヒートシンク４０を包み込むように封止する封止樹脂８０とを備える半導体装置１００において、第１のヒートシンク３０の放熱面３０ａおよび第２のヒートシンク４０の放熱面４０ａが、封止樹脂８０から露出しており、第１のヒートシンク３０の放熱面３０）と第２のヒートシンク４０の放熱面４０ａとの平行度が、０．２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの反り防止ヒートスプレッダを提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダは、厚さがほぼ一定の金属薄板からなり、少なくとも１つの開口部が形成されており、この開口部から接着剤または樹脂が浸出可能になる。このヒートスプレッダは、パッケージの構成要素（つまり、回路基板、ダイ、ヒートスプレッダ、および、補強枠）同士をしっかりと接着することによりパッケージを補強する。同時に、このヒートスプレッダはダイから生じた熱を放散する。またヒートスプレッダを配置しモールド樹脂を充填することによりヒートスプレッダをダイに簡単に装着することができる。モールド樹脂は、開口部を通って容易に流れ、ヒートスプレッダとダイとの隙間を充填する。また、該モールド樹脂は、隙間から開口部を通って抜ける空気を入れ替える。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップで発生する熱を半導体装置外に放熱するための、ヒートスプレッダを有する半導体装置では、ヒートスプレッダの面積が広く、ヒートスプレッダとこのヒートスプレッダに対応したランドとの間の半田が溶融したときに、半導体装置が移動し易く、半導体装置に位置決めが困難であった。
【解決手段】 ランドと接合されるヒートスプレッダの面に、ヒートスレッダの端部に到る溝を設け、半田が溶融したときの半導体装置の移動を溝によって阻止する。 （もっと読む）

熱伝導性金属層（２００）は、エポキシ又は他のダイ取り付け材料（１０６）を介して基板（１０４）に取り付けられる集積回路チップ（１０２）の裏面の上に形成される。金属層（２００）は、チップ（１０２）からの熱を、ダイ取り付け材料内に存在するボイド（１０９）の周りに伝導させることによって、熱放散を改善させる。金属層（２００）は、主金属層と、１つ又はそれ以上の障壁金属層と、チップへの金属接着性を改善させるための接着性金属層と、基板への任意の直接はんだ取り付けを可能にするためのはんだ層とを有する複合構造で構成され得る。
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本発明は、集積回路パッケージングおよびそれを製造する方法を提供する。この集積回路パッケージングは、基板、半導体ダイ、熱放散モジュールおよび保護層を含む。基板は、第一表面の上に形成される内側回路および第二表面の上に形成されて、内側回路に電気的に接続される外側回路を有する。半導体ダイは、複数の結合パッドが内側回路と接触するように、基板の第一表面上に搭載される。熱放散モジュールは、熱伝導デバイスを含み、そして、この熱伝導デバイスは、その平坦な端面を通して、半導体ダイの裏面と接触し、結合する。保護層は、半導体ダイがその間に封入されるように、基板の第一表面の一部および熱伝導デバイスの一部と接触する。 （もっと読む）

【課題】 ヒートシンクに電子部品を搭載し、これらをモールド樹脂で封止してなる電子装置において、放熱フィンを不要としつつ放熱フィンを用いた場合と同様の放熱性を確保可能な簡易で安価な構成を実現する。
【解決手段】 ヒートシンク１０と、ヒートシンク１０の一面１１に搭載されて固定された電子部品２０と、ヒートシンク１０および電子部品２０を封止するモールド樹脂６０とを備える電子装置１００において、ヒートシンク１０における一面１１と反対側の他面１２側の部位は、モールド樹脂６０から突出する突出部１３となっており、突出部１３の突出方向Ｙからヒートシンク１０の他面１２をみたとき、突出部１３の外周端部１３ａがモールド樹脂６０の外周端部６１からはみ出しており、突出部１３は、モールド樹脂６０よりもサイズが大きいものとなっている。 （もっと読む）

【課題】電極のサイズの縮小によって生じうる問題を解消する小さいダイ用のパッケージを提供する。
【解決手段】半導体デバイス、および第１のリードフレーム部および第２のリードフレーム部を有するリードフレームを備えている半導体パッケージである。各リードフレーム部は、複数のフィンガーおよびリードパッドを含み、各フィンガーは、半導体デバイスの対応する電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ヒートシンク、半導体チップおよびリードをモールド樹脂で包み込むように封止してなる半導体装置において、ヒートシンクとモールド樹脂との剥離を極力抑制する。
【解決手段】 ヒートシンク１０と、ヒートシンク１０の一面１１側に搭載されて固定された半導体チップとしてのＩＣチップ２０と、ＩＣチップ２０の周囲に配置されＩＣチップ２０と電気的に接続されたリードとしてのリードフレーム４０と、ＩＣチップ２０、ヒートシンク１０、リードフレーム４０を包み込むように封止するモールド樹脂６０とを備える半導体装置１００において、ヒートシンク１０の表面のうち一面１１および側面１３は、比表面積が１．３５以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの実装抵抗を低減する。
【解決手段】第１の金属部材（リード端子５，６）が、第１の貴金属を含む第１の金属体（Ａｕバンプ８）を介して、半導体素子（半導体チップ１）の第１の電極（ソース電極２）と接続され、かつ、第２の金属部材（ダイ端子７）が、第２の貴金属を含む第２の金属体（貴金属メッキ１４及びＡｇメッキ１５）を介して、第２の電極（裏面電極４）と接続される。半導体素子（半導体チップ１）を被覆する絶縁体（樹脂匡体１６）を有し、第１の金属部材（リード端子５，６）は、第１の電極（ソース電極２）との接合面の裏面側に露出部分を有し、第２の金属部材（ダイ端子７）は、前記第２の電極との接合面の裏面側に露出部分を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにヒートシンクを接続したものをモールド樹脂により封止してなる半導体実装体を備え、ヒートシンクの放熱面を冷媒で冷却するようにした半導体装置において、小型で簡素な冷却構成を実現する。
【解決手段】半導体チップ１１、１２、半導体チップ１１、１２と熱的に接続されたヒートシンク２０、３０、および、ヒートシンク２０、３０の放熱面２１、３１が露出するように半導体チップ１１、１２およびヒートシンク２０、３０を包み込むように封止するモールド樹脂５０を有する半導体実装体１を備え、放熱面２１、３１が冷媒により冷却されるようになっている半導体装置１００において、モールド樹脂５０の一部が貫通穴５３を構成しており、この貫通穴５３が、冷媒が流れる冷媒流路５３として構成されている。 （もっと読む）

半導体デバイスは、ヒートスプレッダ１１０の中央部１１０ａの下のリードフレーム１０３上に搭載されるチップ１０１を含む。ヒートスプレッダ１１０は、中央部１１０ａから外に及び下に向かってリードフレーム１０３の溝１０６内に伸びる位置決め部材１１０ｂを有する。封止材料１２０は、チップ１０１とヒートスプレッダ１１０との間の間隙を充填する。溝１０６で受け取られたストラップ１０５は、挿入される封止材料１２０の圧力に対して部材１１０ｂの先端１１１を保持する。
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本発明は、改善された熱導出を伴う送信モジュールである。移動無線用途向けの送信モジュールは多層のモジュールサブストレートを含む。このモジュールサブストレートは複数の金属化面とこれらの金属化面の間にある誘電層を有する。ここでは、金属化面を構造化することによって接続部が実現されている。モジュールサブストレート内またはモジュール上には少なくとも１つのＨＦフィルタまたは整合ネットワークが実現されている。モジュールサブストレートの下面には切り欠き部が設けられている。この切り欠き部内には、チップ構成素子がフリップチップ構成ではんだ付けされている。チップ構成素子の外部に向いている背面は、金属化部を有している。この金属化部は、外部の回路周辺部とチップ構成素子との良好な熱的接触接続を可能にする。
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