【課題】半導体装置の小型化が図れ、接合装置や治具等の自由度を向上する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１０とヒートシンク２０とからなるパワーエレクトロニクス用デバイスにおいて、ヒートシンク２０は、クロス部２２からフィン２１を林立させ、これらのフィン２１の先端面のみにペースト２５を臨ませて、半導体装置１０とヒートシンク２０とを合体する。そして、プレスパンチ３４で押圧しながら加熱焼結を行う。
【効果】フィン２１の先端面の面積和（ｓ１＋ｓ２＋・・・＋ｓ８）は十分に小さいため、押圧Ｐ２が小さくて済む。結果、樹脂ケース１５の剛性を下げることができ、樹脂ケース１５の薄肉化が可能となり、半導体装置１０の小型化及び軽量化が図れる。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂の樹脂バリの除去の工程、および高精度の形状公差を得るための工程を不要としても、両面放熱構造を得ると共に放熱部材について高精度の形状公差を得る。
【解決手段】第１、第２半導体チップ５、６と、各半導体チップ５、６の裏面５ａ、６ａに電気的および熱的に接続された第１放熱部材９と、各半導体チップ５、６の表面５ｂ、６ｂに電気的および熱的に接続された第２放熱部材１０と、各半導体チップ５、６、第１放熱部材９、第２放熱部材１０を封止したモールド樹脂１１とを備え、第１放熱部材９および第２放熱部材１０が半導体装置１の第１の面３および第２の面４の両方に露出するように第１放熱部材９および第２放熱部材１０がモールド樹脂１１で封止されている。 （もっと読む）

【課題】発熱素子により加熱されたヒートシンクからの熱が制御素子を搭載した第２リードフレームに伝播することを抑制することにより、スイッチング損失の少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】表面および裏面を含む少なくとも１組の第１および第２のリードフレームと、第１のリードフレーム１０の表面上に搭載された発熱素子１２と、第２のリードフレーム２０の表面上に搭載された、発熱素子より発熱量の少ない制御素子２２と、第１および第２のリードフレームの裏面に対向する放熱ブロック４４と、これらの表面に対向する上面３１と、第１および第２のリードフレームの裏面に対向する下面３３とを有する樹脂パッケージ３０とを備え、放熱ブロックは、第１のリードフレームおよび第２のリードフレームの間で、上面および下面に対して垂直な方向に延びる貫通孔を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】樹脂筐体から外部へ電極が伸びる電力用半導体装置において、簡易な方法で信頼性が高く、かつ、十分な放熱性を有する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】裏面に放熱板１８を有する基板２３と、該基板の裏面と反対の面である該基板の表面に固着された半導体素子２６と、該基板と該半導体素子とを該基板の裏面である放熱板が露出するように覆う樹脂筐体１０と、該樹脂筐体に一部が覆われ、かつ、ヒートシンクとねじ止めされる貫通穴１７を有する他の部分で該樹脂筐体外部へ伸びる固定板１６とを備える。そして、該貫通穴は該基板の裏面よりも該基板の表面側に位置する。 （もっと読む）

【課題】発熱部品の放熱は、金属板等からなる放熱板や、リード線から、個別に行われていたため、低背化や高放熱化が難しい場合があった。
【解決手段】１以上の平面部と、１以上の加工部２１からなる段差部と、を有する金属板２０と、この金属板２０上に設けた、熱硬化性樹脂と無機フィラーとを含むシート状の伝熱層１７と、からなる放熱板１８であって、前記伝熱層１７は、前記段差部に隣接した前記平面部に設けられ、かつ前記伝熱層１７の一部が前記段差部の一部以上も覆う放熱板１８とすることで、放熱板１８の上に実装するリード線１２を有する発熱部品１１の低背化実装と高放熱化が可能となり、プラズマテレビを初めとする機器の薄型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性を確保しながら容易かつ安価に構成することができ、信頼性が高いＢＧＡ型半導体装置を提供する。
【解決手段】凸部１０９を備える放熱板１０３を、可撓性かつ弾性を有するリリースシート１２１を吸着させた下金型１１８に凸部１０９を備えた面を上にして固定するとともに、半導体チップ１０１が搭載された配線基板１０５を、上金型１１７に半導体チップ１０１が取り付けられた面を下にした状態で吸着させ、放熱板１０３の上に封止樹脂１１０を投入して溶融し、上金型１１７と下金型１１８とを閉じてキャビティ内を減圧しながら封止樹脂１１０を圧縮する方法で、放熱板１０３の凸部１０９が半導体チップ１０１表面の電極端子１０２より内側の領域内に近接し、かつ、放熱板１０３の表面側が露出する状態で、封止樹脂１１０を固定する。 （もっと読む）

【課題】構造面からモールド樹脂の流動性の向上を図ることで、パッケージの薄型化を可能とした、半導体パッケージを提供する。
【解決手段】互いに対向する前記第１、第２リードフレーム１１ａ、１１ｂの内側であって、隣接する半導体チップＣ間に画成したモールド樹脂１６の流動路１５と、この流動路１５は、隣接する半導体チップＣ間における第１リードフレーム１１ａまたは第２リードフレーム１１ｂに、流動路１５の通路面積を拡張するための薄肉部１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】第１の基板上に搭載されたパワー素子と、その上に配置された第２の基板とを電気的に接続したものを、モールド樹脂により封止してなる電子装置において、電子装置の厚さを小型化するのに適した構成を実現する。
【解決手段】第１の基板１０と、第１の基板１０の一面に搭載されたパワー素子３０と、一面を第１の基板１０の一面およびパワー素子３０に対向させて配置された第２の基板２０とを備え、第２の基板２０の一面とパワー素子３０とは、導電性を有する導電性接着部材６０を介して直接接着されて電気的に接続されており、第１の基板１０、パワー素子３０、および第２の基板２０は、モールド樹脂５０により封止されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの上面の電極に接合された半田の端部に発生する応力を極力低減する。
【解決手段】本発明の半導体装置によれば、第１の金属板１３の上面における半田付け用電極の端部に対応する部位から金属ブロック１５の端部の内側に対応する部位まで凸部２２を設け、この凸部２２の上面と半導体チップ１２の下面との間の半田１６の膜厚を、第１の金属板１３の凸部２２以外の部分の上面と半導体チップ１２の下面との間の半田１６の膜厚よりも薄くするように構成したので、半導体チップ１２の上面の半田付け用電極に接合された半田１６の端部に発生する応力を極力低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電力変換を行う半導体装置において、低コスト・軽量化と小型化とを両立する。
【解決手段】第１冷却器１０の第１冷却面１１の上に第１絶縁層３０が配置され、該第１絶縁層３０の上に第１金属板５１と第２金属板５２とが離間して配置されている。そして、複数の半導体実装体６０それぞれは、第１金属板５１および第２金属板５２の上に配置されると共に第１放熱板６１が第１金属板５１に接触させられ、第２放熱板６２が第２金属板５２に接触させられている。これにより、第１放熱板６１は第１金属板５１および第１絶縁層３０を介して第１冷却面１１によって冷却されると共に、第２放熱板６２は第２金属板５２および第１絶縁層３０を介して第１冷却面１１によって冷却される。また、第１金属板５１が各第１放熱板６１に対する共通の配線とされ、第２金属板５２が各第２放熱板６２に対する共通の配線とされる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の少なくとも一部を封止する際に用いる液状樹脂の注入に要する時間を短縮することができ、半導体装置の製造工程数をも削減することができ、さらには樹脂封止後の半導体装置の反りをも低減することが可能となる半導体装置の製造方法および半導体製造装置ならびに信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】上金型２００の外側に設置され液状樹脂を注入可能なシリンジ１１から、金型３００のキャビティ内へ液状樹脂９を注入する。このとき、シリンジ１１の内部の圧力が、液状樹脂９の注入前の上記キャビティ内の圧力よりも大きくなるようシリンジ１１の内部を加圧する。液状樹脂９の注入後に金型３００を加熱して液状樹脂９を硬化させる。液状樹脂９の硬化後に、樹脂封止された半導体装置を金型３００から取り出す。 （もっと読む）

【課題】両面放熱型の半導体装置において、放熱板の平面サイズを増加させることなく、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１の表面側、裏面側にそれぞれ電気的および熱的に接合された放熱板２、３と、各放熱板２、３における半導体素子１とは反対側の面である放熱面２ｂ、３ｂに熱的に接合された冷却器９とを備える半導体装置１００において、それぞれの放熱板２、３のうち半導体素子１が投影された部位の放熱面２ｂ、３ｂは、当該放熱面２ｂ、３ｂに対向する冷却器９に向かって突出する凸部１０となっており、冷却器９のうち凸部１０に対向する部位は、凹部１１となっており、これら凸部１０と凹部１１とが嵌合しており、凸部１０と凹部１１との間には、これら両部１０、１１を電気的に絶縁する絶縁膜１２が設けられ、絶縁膜１２を介して凸部１０と凹部１１とが接触している。 （もっと読む）

【課題】絶縁信頼性の低下を抑制しつつ放熱性の向上が図られた半導体モジュールと、該半導体モジュールの製造方法を提供。
【解決手段】樹脂組成物が用いられてなる絶縁層１０が上面側に積層された金属シート２０と、上面側に半導体素子５０が搭載されているヒートスプレッダ３０とを有し、該ヒートスプレッダ３０の下面に前記絶縁層１０を介して前記金属シート２０が接着されており、該金属シート２０の下面を露出させ且つ上面側に前記半導体素子５０及び前記ヒートスプレッダ３０を覆う樹脂モールド９０が施されている半導体モジュール１であって、ヒートスプレッダ３０の下面よりも大面積な金属シート２０が用いられ、ヒートスプレッダ３０が接着されている箇所における絶縁層の厚みよりもその周囲の絶縁層の厚みの方が薄くなるように前記絶縁層１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型で放熱特性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】離間して配置された第１および第２電極リード１１、１２と、第１電極リード１１の第１の面１１ａに載置された半導体チップ１３と、第１電極リード１１の第１の面１１ａと対向する第２の面１１ｂ、および第２電極リード１２の第１の面１２ａと対向する第２の面１２ｂをそれぞれ露出させて、第１電極リード１１、第２電極リード１２および半導体チップ１３を封止する樹脂１４と、樹脂１４上に形成され、一方１５ａが樹脂１４の半導体チップ１３に対応する部位を貫通して半導体チップ１３に接続され、他方１５ｂが樹脂１４の第２電極リード１２に対応する部位を貫通して第２電極リード１２に接続された配線１５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも片面に電気配線を有し、発熱部品を実装した配線板において、放熱特性を向上させ、かつ、発熱素子１と第１金属層３の熱膨張率差が大きい場合にも、はんだ接続信頼性および金属層と樹脂絶縁層との密着性を向上させる。
【解決手段】厚み０．５mm以上の第１金属層３と、第２金属層５と、厚み１mm以上の第３金属層６がこの順に配置され、第１金属層３と第２金属層５が接続層４で一体的に金属接合され、第２金属層５と第３金属層７は樹脂絶縁層６で一体化されている。そして、第１金属層３の熱膨張率をα１、第２金属層５の熱膨張率をα２、第３金属層７の熱膨張率をα３としたとき、α１が１５ppm/℃以上であるときに、α１＜α２≦α３の関係になるように設定される。さらに、第２金属層５の厚みが第１金属層３の厚みの２０％以上であり、少なくとも前記発熱素子及び第１金属層を取り囲む樹脂封止体を備えている。 （もっと読む）

【課題】実装密度を向上することができ、かつ放熱特性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置１において、半導体チップ１０と、実装底面２０Ｂを有し、実装底面２０Ｂに対して垂直な高さ方向に延伸する一側面２０Ｃに半導体チップ１０をマウントし、一側面２０Ｃからそれに対向する他の一側面２０Ｄまでの厚みＴ２が半導体チップ１０の厚みＴ１に対して厚い放熱支柱２０と、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂ側の一側面２０Ｃに向かい合わせて配設され、半導体チップ１０に電気的に接続されたリード２１と、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂ及びリード２０の一部を露出させ、放熱支柱２０の実装底面２０Ｂ以外の部分、リード２１の一部以外の部分及び半導体チップ１０を覆う樹脂封止体４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップへのダメージを回避し、放熱特性の劣化を防止し、カバーフィルム剥離を容易化する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の第１の面上に、バンプを介して接合された半導体チップと、上記基板の第１の面上で上記半導体チップの一部を囲うリング部材と、上記リング部材の上面及び下面に配置された第１接着用テープ及び第２接着用テープと、上記リング部材及び第１接着用テープの上部に積層され上記半導体チップの裏面上部の一部を覆うヒートスプレッダー板と、上記半導体チップ裏面と上記ヒートスプレッダー板との間を充填する放熱性樹脂を有する。上記リング部材は、上記第２接着用テープにより上記基板の第１の面上に接着され、上記半導体チップは中空部内に配置され、上記第１接着用テープに一箇所のみ設けられたスリットを介して上記中空部が外部に開放される。 （もっと読む）

【課題】内面側にて半導体素子を挟む２枚の金属板の間、および片方の金属板の外面を、樹脂で封止した後、当該片方の金属板の外面に付着した樹脂を削って当該外面を露出させるようにした半導体装置の製造方法において、片方の金属板の外面に回り込む樹脂中にフィラーが入らないようにする。
【解決手段】半導体素子１、２を両金属板３、４で挟んだワークＷを金型２００内に設置し、一方の金属板４の外面４ｂを金型２００に押し付け、且つ他方の金属板３の外面３ｂと金型２００との間に隙間２０４を設けた状態で、金型２００内に樹脂７を注入するとともに隙間２０４に樹脂７を充填する工程において、隙間２０４の間隔Ｌをモールド樹脂７中のフィラー７１の最小粒径よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、重ねて素子を配置し放熱性の高い樹脂封止型半導体を実現する樹脂封止型半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表面に第１のエミッタ端子が接合され裏面に第１のコレクタ端子が接合された第１の半導体スイッチング素子と、表面に第２のエミッタ端子が接合され裏面に第２のコレクタが接合された第２の半導体スイッチング素子と、該第１のコレクタ端子に接合された第１の放熱板と、該第２のコレクタ端子に接合された第２の放熱板と、該第１の半導体スイッチング素子と該第２の半導体スイッチング素子を一体的に覆うモールド樹脂とを備える。そして、該第１の放熱板、該第２の放熱板は該モールド樹脂から露出し、該第１のエミッタ端子と該第２のエミッタ端子は相対して離間していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱素子を有する電子部品の接続不良を防止するとともに放熱効率を高め得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】発熱素子３１とこの発熱素子３１の放熱を促すヒートシンク３２とを有する電子部品３０は、放熱側３０ｂにて金属製の筐体２０の上蓋２１の底壁２１ａに当接するとともに反放熱側３０ｃにて基板４０の上面４０ａに当接するように配置されている。また、基板４０の貫通穴４１を挿通するボルト２４を各スペーサ２３に締結することにより、筐体２０の底壁２１ａが電子部品３０の放熱側３０ｂに押圧されるとともに、基板４０の上面４０ａが電子部品３０の反放熱側３０ｃに押圧されている。また、電子部品３０および基板４０は、可撓性を有するフレキシブル基板５０を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）