【課題】ヒートシンクの放熱性能を高めつつ、樹脂系材料をモールドする際のヒートシンクと金型との密着不良を抑えて歩留まりの向上に寄与することのできる樹脂モールド型半導体モジュールを得ること。
【解決手段】本発明の樹脂モールド型半導体モジュール２は、リードフレーム８と、リードフレームの表面８ｃに実装された半導体素子６と、リードフレームの裏面８ｄに接着される接着面５ａを一方面側に有し、他方面側に、放熱用の凹凸部１０と、凹凸部の周囲に形成された平坦面５ｃを有するヒートシンク４と、ヒートシンクの凹凸部及び平坦面以外の部分を覆い、リードフレーム及び半導体素子を一体的にモールドする樹脂モールド部９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップと金属製ディスクの接合、及び金属製ディスクと放熱用金属製ベースとの接合を同時にでき、組み立て工程の簡素化、コスト低減を図ることを目的とする。
【解決手段】放熱用の金属製ベース１と、該金属製ベース１上に第１の低融点半田材料層２を介して形成された金属製ディスク３と、該金属製ディスク３上に第２の低融点半田材料層４を介して形成されたチップ５と、第２の低融点半田材料層４上に搭載された，該低融点材料層に対応する部分が開口されたインサートケース６と、前記チップ５とボンディングワイヤ８を介して接続された外部リード７と、前記チップ５，ボンディングワイヤ８及び外部リード７の一部を樹脂封止する樹脂製外囲器９と、インサートケース６に冠着されたキャップ１０を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】判定部の樹脂残りを軽減し、判定部への半田の染み出しを確実に実行することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、表面２Ａ及びそれに対向する裏面２Ｂを有し、側面２Ｃの一部に半田濡れ性を判定する判定部２０を有する放熱板２と、放熱板２の表面２Ａ上に配設された半導体チップ４と、半導体チップ４の端子４０に電気的に接続されたリード５と、放熱板２の裏面２Ｂ及び判定部２０は露出させ、半導体チップ４、リード５の一部及び放熱板２の表面２Ａ上を被覆する樹脂封止部７とを備え、放熱板２の判定部を樹脂封止部７の最外郭を越えない位置に配設し、判定部２０の一部の表面において放熱板２の表面２Ａ側から裏面２Ｂ側に渡って半田に対して濡れ性を有しかつ判定部２０の他の一部に比べて樹脂封止部７の樹脂の接着力を減少するメッキ膜２０５を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な熱伝導性を示すとともに、低コストで製造可能な金属層間に挟まれたダイを有することを特徴とする半導体装置用のフリップチップ型パッケージを提供する。
【解決手段】一方の金属層２２４は、ハンダボール接点を介してダイ２０２（例えば、ＩＣパッドあるいはＭＯＳＦＥＴのゲートまたはソースパッド）の第１の表面で種々のパッドに電気的かつ熱的に接続されるように構成されたリードフレームの部分を有する。他方の金属層２２６は、ダイ２０２の反対側と少なくとも熱的に接続される。本発明に係るパッケージの実施形態は、優れた放熱特性を示し、その上、ワイヤボンドにかかる費用を抑制している。本発明の実施形態は、特に、パワーデバイスのパッケージに適する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを放熱板に接着する半導体装置において、半導体チップから放熱板への熱伝導性を向上させる。
【解決手段】放熱板３に碁盤の目のような溝６ａからなる凹部６を形成し、この凹部６にだけ接着剤を入れる。そして、放熱板３に半導体チップを搭載すると、半導体チップが放熱板３に接着される。接着剤が入れられた凹部６以外は、半導体チップと放熱板３とは直接接触するので、半導体チップから放熱板への熱伝導性に優れたものとなる。 （もっと読む）

【課題】発熱素子の放熱面をヒートシンク本体に密着させるためのクリップを、治具を用いずに装着可能にするヒートシンクを提供することである。
【解決手段】ヒートシンク本体と、一対のアームを備え発熱素子の放熱面とヒートシンク本体とがアーム間で挟まれて密着するように放熱面に沿ってヒートシンク本体に差し込まれるクリップと、ヒートシンクとの間隔がクリップの差し込み方向手前側ではアーム間隔よりも小さくなり、差し込み方向の奥側ではアーム間隔よりも大きくなるように配置されているガイドプレートと、を有し、ヒートシンク本体とガイドプレートとが一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の発熱を正確かつ速やかに検出しつつ、コスト、工数の増加や組立性の低下が伴わない電力半導体装置を提供する。
【解決手段】電力半導体素子４，５を搭載する第１フレーム部２aと対向する位置に載置された放熱板１４を、制御用集積回路６が載置される第２フレーム部２ｃの下面部まで延伸し、その厚みが放熱板１４の前記第１フレーム部２ａと対向している部分より厚くし前記第２フレーム部２ｃと近接させた延伸部１５を有している。 （もっと読む）

【課題】冷却器等への組み付けが容易であると共に放熱性に優れた製造容易な半導体モジュール及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２の両主面に熱的に接触配置されると共に半導体素子２の電極に電気的に接続された一対の放熱板３とを、モールド樹脂１１によって一体的にモールドしてなる半導体モジュール１。一対の放熱板３の外側面３１には、それぞれ絶縁体４が直接形成されている。絶縁体４の外側面４１には、絶縁体４の端縁４２よりも内側に端縁５２を配置した金属体５が直接形成されている。絶縁体４は、金属体５及びモールド樹脂１１によって覆われている。金属体５は、モールド樹脂１１の外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】放熱板の放熱特性を損ねることなく、電位の発生を防止しうる樹脂封止型半導体装置および半導体装置を構成するための組立構造を提供する。
【解決手段】実装用組立構造Ａは、放熱板１１と、放熱板１２を固定している樹脂キャリア１２と、放熱板１１の上に載置された電極パターン１４付きのサブマウント１３と、樹脂キャリア１２に固定されたインナーリード２１ａとを備えている。サブマウント１３上の電極パターン１４の上に、半導体チップ３０が搭載され、ワイヤボンディングにより、半導体チップ３０上の各電極及び電極パターン１４と、インナーリード２１ａとがワイヤ３１，３２，３３によって接続される。その後、全体が封止樹脂３５によって封止されて、樹脂封止型半導体装置Ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】放熱効率が向上し誤作動が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板の一方の面にメモリチップ１０２の積層体が設けられ、該配線基板の他方の面に外部接続端子１１２が設けられた半導体装置１００であって、メモリチップ１０２の積層体を封止するように前記配線基板上に設けられた第１の絶縁層１１１と、第１の絶縁層１１１中の積層チップ１０２が設けられていない領域であり、前記配線基板上に設けられた放熱ポスト１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】制御素子とそれによって制御されるパワー素子とを備える半導体装置において、適切な放熱特性を実現する。
【解決手段】Ｃｕよりも熱伝導性に劣るが蓄熱性に優れたＦｅからなるヒートシンク３０と、このヒートシンク３０の一面上に搭載され、それぞれ分離された第１の配線基板４１、第２の配線基板４２とを備え、制御素子１０は第１の配線基板４１の上に実装され、パワー素子２０は第２の配線基板４２の上に実装され、各素子１０、２０、各配線基板４１、４２およびヒートシンク３０は樹脂７０によってモールドされており、ヒートシンク３０の他面は樹脂７０から露出している。また、ヒートシンクの側面に突起部３１が形成されており、この突起部３１が樹脂７０に食い込んでいる。 （もっと読む）

【課題】放熱性能に優れた半導体モジュールを提供しようとするものである。
【解決手段】半導体素子２を内蔵すると共に一対の主面に放熱板３を配設してなる半導体モジュール１。一対の放熱板３のうちの一方の放熱板である第一放熱板３１は長方形状を有し、一対の放熱板３のうちの他方の放熱板である第二放熱板３２は、第一放熱板３１と同形状の長方形における四つ角のうちの少なくとも対角の二つの角部に切欠部３２１を設けた形状を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ヒートシンク２０と、ヒートシンク２０上に搭載されたトランジスタ１０と、トランジスタ１０を取り囲んで外部との間を絶縁する絶縁樹脂６０と、絶縁樹脂６０よりも熱伝導率の高い素材からなり、ヒートシンク２０とトランジスタ１０との間に配置され、絶縁樹脂６０からその一部が露出する高熱伝導性絶縁部材４０と、トランジスタ１０を外部と電気的に接続するリードフレーム５０とを備えている。ヒートシンク２０は、高熱伝導性絶縁部材４０よりも突出する突出部２１を含んでいる。そして、突出部２１には、ヒートシンク２０を貫通する貫通孔２９が形成されており、リードフレーム５０は貫通孔２９を貫通している。 （もっと読む）

【課題】チップからヒートシンクへの熱伝導が良好に行える樹脂モールドパッケージタイプの電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ２０とヒートシンク１０とを直接接触させた構造とする。具体的には、ヒートシンク１０に対して吸引口１３を備え、吸引口１３からＩＣチップ２０を吸引した状態でモールド樹脂６０による樹脂封止を行う。これにより、ＩＣチップ２０からヒートシンク１０への熱伝導を良好にすることが可能となり、ヒートシンク１０での放熱効果を効率的に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力上昇に伴い発熱量が増大する信号増幅ＩＣを片面単層基板に取付ける基板取付構造において、機器間で出力が異なる場合であっても、機器間で基板共通化可能にする
【解決手段】一の対辺各々に複数リードが並列され且つ出力上昇に伴い発熱量が増大する略矩形の信号増幅ＩＣを、片面単層基板に取付ける基板取付構造において、片面単層基板５２に開口５２ａと蓋部５２ｂとを備えさせ、信号増幅ＩＣ５１の出力が所定値以下となる機器に片面単層基板５２が使用される場合には、蓋部５２ｂ表面に形成された銅箔とサーマルパッド５１ｃとを接続させて銅箔から放熱させ、信号増幅ＩＣ５１の出力が所定値を超える機器に片面単層基板５２が使用される場合には、蓋部５２ｂを割り取り、部品面側から放熱板５３を開口５２ａの幅方向端部に固定し、放熱板５３とサーマルパッド５１ｃとを接続させて放熱板５３から放熱させる。 （もっと読む）

【課題】支持電極から放熱体への熱伝導を良好とし且つ支持電極を放熱体の装着孔に嵌合する際、半導体素子に発生する応力を大幅に緩和できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、金属製の支持電極と、支持電極上に配置された半導体素子と、半導体素子に固着されたリード電極と、半導体素子及びリード電極の一部を被覆する樹脂被覆体とを備える。支持電極は、支持電極の側壁の周囲に設けられる筒状の介装体を介して、放熱体に形成された装着孔内に嵌合される。介装体は、支持電極よりも低い硬度に形成される。支持電極を装着孔へ嵌合する際には、軟質の介装体が支持電極と装着孔の内壁との間に挟まり、変形することにより支持電極の半導体素子内への押圧力を緩和し、半導体素子に発生する応力を大幅に緩和できる。 （もっと読む）

本明細書において、複数のダイを有する配線なしの半導体パッケージが開示され、当該ダイの少なくとも２つは熱伝導性及び導電性を有するヒートシンクに取り付けられる。当該パッケージは熱を放散させるのに効率的な手段を提供する。
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【課題】複数の半導体素子を上部電極と下部電極により挟持し、上部電極および下部電極のうち何れか一方の電極を放熱板へ圧着する際、スペーサや穴を用いることなく、半導体素子の損傷を防止できると共に、半導体素子の一方の電極と放熱板とを均一に圧着できる圧着方法を提供すること。
【解決手段】複数の半導体素子２５、２６を上部電極２７と下部電極２３とにより挟持し、上部電極２７および下部電極２３のうち何れか一方の電極を放熱板２１へ圧着する半導体素子２５、２６の電極と放熱板２１との圧着方法において、複数の半導体素子２５、２６間に補助圧着治具５１を挿入し、複数の半導体素子２５、２６および他方の電極と間隙を形成しつつ囲繞すると共に一方の電極の周縁および補助圧着治具５１に係合する圧着治具５２を装着し、圧着治具５２を押圧して一方の電極を放熱板２１へ圧着する。 （もっと読む）

【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面２０ａと他方主面２０ｂと貫通孔２２とを有する基板２０と、貫通孔２２を塞ぐように配設され、基板２０の一方主面２０ａよりも他方主面２０ｂ側に凹む実装面３２を有する熱伝導部３０と、実装面３２上に固定された素子４０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
エポキシ樹脂封止型大容量三相ＩＧＢＴモジュールにおいて、小型・高出力，高信頼・長寿命を実現する。
【解決手段】
パワー半導体チップを接着した金属貼りセラミックス基板を銅ベースへはんだ接着して放熱するため低熱抵抗化できる構造において、一相回路を構成する一枚乃至は二枚のセラミックス基板毎に領域を分割してトランスファモールドし、かつ、分割された領域間でトランスファモールド時に樹脂が通流できるように、領域間の一部に樹脂通流領域を形成する。
【効果】
本構造とすることで、一体封止では応力的に実現できない大面積モールドを実現でき、かつ、分割領域の幅をごく狭くできる。従って、エポキシ樹脂封止の長寿命化効果を維持しつつ、小型，高出力モジュールを実現できる。 （もっと読む）