【課題】発熱素子を放熱プレートに搭載してなる電子モジュールを、放熱体に取り付けてなる電子モジュールにおいて、昇温時の放熱性を向上させる取付構造を提供する。
【解決手段】放熱体２の一面は、放熱体側凸部２ａと放熱体側凹部２ｂよりなる凹凸形状とされており、放熱体２の一面と放熱プレート２０の他面との間には、当該両面に接触し放熱プレート２０を支持する受け部５が介在され、受け部５を介して放熱プレート２０と放熱体２とが締結されており、放熱プレート２０の他面は、放熱プレート側凸部２１と放熱プレート側凹部２２よりなる凹凸形状をなすと共に、放熱体側凸部２ａが放熱プレート側凹部２２に入り込むことで、当該両凸部２ａ、２１が噛み合った状態とされており、線膨張係数は、受け部５＜放熱プレート２０＜放熱体２の大小関係となっている。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れる半導体装置、および、放熱性に優れる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体素子１と、放熱部材５と、半導体素子１が配置された配置面２１１を有し、且つ、半導体素子１および放熱部材５の間に位置するダイボンディングパッド２１と、半導体素子１、放熱部材５、および、ダイボンディングパッド２１を覆う樹脂パッケージ７と、ダイボンディングパッド２１とつながり、且つ、樹脂パッケージ７から突出する挿入実装用のリード２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクとその上面側に配された端子板及び発熱体とを、モールド樹脂で封止した構成の半導体装置において、ヒートシンクと発熱体や端子板との相対的な位置精度を確保できると同時に、ヒートシンクと発熱体や端子板との電気的な短絡を防止できるようにする。
【解決手段】端子板３，４と、この端子板３，４と共に板状のヒートシンクをその厚さ方向から挟み込む狭持用リード７と、これら端子板３，４及び狭持用リード７を一体に連結する板状の枠体部５とを備え、狭持用リード７が、枠体部５に対して弾性変形可能に形成されると共に、ヒートシンク及び端子板３，４を封止するモールド樹脂の形成予定領域の外側に配されていることを特徴とする半導体装置製造用のリードフレーム１を提供する。 （もっと読む）

【課題】ハーフモールド構造を有する電子装置において、ヒートシンクと放熱部材との接触を適切に確保する。
【解決手段】回路基板１０をその第１の板面１１にてヒートシンクの第１の板面３１に接着したものを、モールド樹脂４０により封止するとともに、ヒートシンク３０の第２の板面３２をモールド樹脂４０より露出させ、このヒートシンク３０の第２の板面３２に放熱部材７０の一面７１を接触させてなる電子装置において、モールド樹脂４０のうち回路基板１０の他方の板面１２側に位置する部位の厚さＴ１を、モールド樹脂厚さＴ１としたとき、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク３０の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、１．８以上である。 （もっと読む）

【課題】大容量の電力半導体素子に適した高放熱性と放熱フィンの変形の防止に対応した電力半導体装置を提供することを目的としている。
【解決手段】電力半導体装置１は、電力半導体素子２と、電力半導体素子２を載置するベース板４と、ベース板４の電力半導体素子２を載置する面と反対側の面に形成された放熱フィン７と、放熱フィン７を壁面の一部として、通風路を形成する包囲体８と、電力半導体素子２を封止するモールド樹脂１２と、を備え、包囲体８を通風路として空気流により電力半導体素子２を冷却することにより、大容量の電力半導体素子２に対しても小型で効率がよく、冷却性能の優れた電力半導体装置１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性板材と、絶縁性板材の上面に積層固定される導電性板材と、導電性接着剤を介して導電性板材の上面に電気接続状態で積層固定され、通電により発熱する発熱体とを備える半導体装置において、絶縁性板材と導電性板材との熱膨張係数の差に基づく発熱体や導電性接着剤への応力集中を緩和し、半導体装置の品質低下を抑える。
【解決手段】絶縁性板材３の上面３ａ及びこれに対向する導電性板材４の下面４１ｂに、互いに噛み合う凹凸面３１，４４をそれぞれ形成し、これら凹凸面３１，４４同士を噛み合わせることで、絶縁性板材３の上面３ａ及び導電性板材４の下面４１ｂに沿う面方向への絶縁性板材３及び前記導電性板材４の相対移動を規制する。 （もっと読む）

【課題】半導体実装体が複数個積層して配置される半導体装置において、正極端子や負極端子が接合されるバスバーを不要にする。
【解決手段】正極端子２１を、ケース部１９における積層方向Ｘ端部まで延ばすことにより、半導体実装体１を積層した際には隣接する半導体実装体１における正極端子２１間が接触して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】封止する樹脂における半導体素子及び導電部材に至るクラックの発生を防止するとともに導電部材及び放熱部材の間の絶縁を確実に行うことを可能にする放熱部材付き半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】放熱部材付き半導体装置１０１は、半導体チップ１と、ダイパッド部２ａと、ヒートシンク３と、ダイパッド部２ａ及びヒートシンク３の間に間隙ｇ１を形成し且つ同様の構成を有する第一樹脂ブロック１０及び第二樹脂ブロック２０とを備える。第一樹脂ブロック１０は、第一樹脂材料からなる第一樹脂層１１、第三樹脂層１３と、第二樹脂材料からなる第二樹脂層１２とを有し、第一樹脂層１１はダイパッド部２ａと接触し、第二樹脂層１２はダイパッド部２ａと接触しない。なお、第一樹脂材料は、第二樹脂材料より低い融点を有している。さらに、放熱部材付き半導体装置１０１は、第一樹脂材料からなる封止用樹脂４で樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる半導体モジュールを得る。
【解決手段】セラミックス基板２の一面に厚さＴ_１の金属回路板３が、他面に厚さＴ_２の金属放熱板４が、それぞれろう材５を介して接合されている。金属回路板３と金属放熱板４はどちらも銅または銅合金の１種であるが、その材質は異なり、金属回路板の表面の見かけの熱膨張係数が（９〜１７）×１０^−６／Ｋ、金属放熱板の表面の見かけの熱膨張係数が（３〜９）×１０^−６／Ｋの範囲、である （もっと読む）

【課題】必要な沿面距離を確保しつつ、半導体モジュールの小型化、つまり半導体モジュールの横幅（半導体チップが並べられる方向の幅）を縮小することを可能とし、さらに組み付け性を向上させる。
【解決手段】接続部材２０を吊リードとしても機能させる。これにより、吊リード３２の数を少なくできると共に、各制御端子１５ａ、１５ｂの間において、ヒートシンク１６ａとヒートシンク１６ｂに接続される吊リードを２つとも備えるような構造にしなくても済む。このため、各制御端子１５ａ、１５ｂから吊リードまでの沿面距離を確保でき、半導体モジュール１０の横幅、つまり半導体チップ１１ａ、１１ｂが並べられる方向の幅を縮小させられ、半導体モジュール１０の小型化が可能となる。また、接続部材２０をリードフレーム３０の一部によって構成できるため、特異な手段で固定する必要がなくなり、組付け性を向上させることも可能となる。 （もっと読む）

【課題】無機充填材が充填され高熱伝導性を有するとともに、耐電圧の低下などが防止され絶縁特性に優れた絶縁シートを得ること。
【解決手段】高熱伝導性を得るため、粒径の大きい第１の無機充填材とこの第１の無機充填材より粒径が小さい第２の無機充填材との混合無機充填材を用い、熱硬化性樹脂中に無機充填材を高充填した絶縁シートであって、粒径の大きい第１の無機充填材が絶縁シートの厚さ方向における中央部に配置され、粒径の小さい第２の無機充填材が絶縁シートにおけるシート表面の近傍部に分布したものである。 （もっと読む）

【課題】 高発熱ＩＣを使った半導体パッケージの小型化、高集積化、低熱抵抗化を図る。
【解決手段】 配線付部材１と、配線付部材１にワイヤボンディング接続によって搭載された下チップ２ｂと、上チップ２ａと、チップの発熱をパッケージ外部環境に効率的に放出させるための放熱板３と、放熱板を露出させた状態で一括封止する封止樹脂４とからなり、放熱板と上チップ間、半導体チップ間、及び半導体チップと配線付部品間の接着層を、シート状接着剤を硬化して形成する。 （もっと読む）

【課題】発熱した半導体素子を少ない冷媒によって効率的に冷却することができる半導体モジュールの積層体を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２の積層体１は、半導体素子３をモールド樹脂４内に配置して形成した半導体モジュール２を複数積層してなる。モールド樹脂４には、半導体素子３を冷却する冷媒を流すための冷媒流路４１が形成してある。半導体素子３には、放熱板３２が対向して配置してある。放熱板３２には、冷媒流路４１の一部に流れる冷媒Ｃを吸い上げる多孔質体５が設けてある。半導体モジュール２の積層体１は、多孔質体５に吸い上げた冷媒Ｃを放熱板３２の熱によって蒸発させて半導体素子３を冷却するよう構成してある。 （もっと読む）

【課題】部品点数の削減を図りつつ、面積の拡大を抑制し、かつ、製造工程が複雑になることを防止できる構造の半導体モジュールを提供することができる。
【解決手段】上アーム側の半導体チップ１１ａとヒートシンク１７ａとの間に配置されるターミナル１８に接続部１８ａを備え、この接続部１８ａが下アーム側のヒートシンク１６ｂに接続されるようにする。このように、ターミナル１８にて接続部１８ａを構成することで、接続部１８ａを別部品とする場合と比較して、部品点数の削減を図ることができるし、製造工程が複雑になることを防止できる。また。ターミナル１８の他の部分に対して接続部１８ａを折り曲げることで傾斜させる。これにより、ヒートシンク１７ａやヒートシンク１６ｂの面積の拡大を抑制することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を樹脂モールドした後に基板の加工を行なうことなく放熱部材を半導体素子の近傍に配置することのできる半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体素子１４が搭載された下基板１２の上に、スペーサ部材１８を介した上基板２０を接続する。上基板２０の裏面からは、放熱部材２４の底面２４ｂを含む部分が突出している。上基板２０と下基板１との間の空間にモールド樹脂２２を充填して、半導体素子１４を樹脂モールドする。放熱部材２４の底面２４ｂは、モールド樹脂２２に密着している。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体チップ１と、半導体チップ１を保持するフレーム２と、半導体チップ１とフレーム２とを封止する絶縁体３と、絶縁体３を挟んでフレーム２と対向するように配置されたヒートシンク４とを備え、フレーム２はヒートシンク４の一方表面４ａおよび一方表面４ａと隣接し、かつ一方表面４ａと交差する他方表面４ｂの双方の少なくとも一部に沿うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ブリードや揮発の発生を抑制し、パッケージや基材の反りに追従し、高温で熱膨張して熱抵抗が上昇することのない熱伝導性グリースを用いた半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体モジュールの外筺体を放熱体上に実装してなる半導体モジュールユニットの製造方法は、（ａ）半導体モジュール又は放熱体の実装面に、２０℃、剪断速度５／ｓｅｃにおける粘度が１３０Ｐａ・ｓ以下の熱伝導性グリース１４を塗布する工程と、（ｂ）半導体モジュールを放熱体上にグリース塗布面を介して実装する工程と、（ｃ）工程（ｂ）の後、グリースを２０℃における粘度の降伏値が４０Ｐａ以上３００Ｐａ以下となるように増粘させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】放熱性および絶縁破壊強度の両方に優れた絶縁材、これを用いた金属ベース基板および半導体モジュール、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁材は、エポキシ樹脂と、このエポキシ樹脂に分散された、１〜９９ｎｍの平均粒径を有する第１の無機フィラーと、０．１〜１００μｍの平均粒径を有する第２の無機フィラーとを含む。第１及び第２の無機フィラーは、互いに独立して、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＢＮ、ＡｌＮ及びＳｉ₃Ｎ₄からなる群から選択される少なくとも１つであり、絶縁材における第１及び第２の無機フィラーの配合割合は、それぞれ、０．１〜７重量％及び８０〜９５重量％である。この絶縁層１１の両面に、金属箔１２と金属ベース１３を形成し、金属ベース基板１０とすることができる。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と絶縁性との両方を確保する、半導体チップが樹脂などの絶縁材料でモールドされた半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体チップ２と、半導体チップ２が載置される積層構造と、積層構造が載置される冷却体５とを備えている。上記積層構造は、冷却体５に固定された第１の熱伝導体２３と、第１の熱伝導体２３上に配置される絶縁物２２と、絶縁物２２上に配置され、半導体チップ２が載置される第２の熱伝導体２１とを有している。上記半導体チップ２の、積層構造と接触する主表面と反対側の主表面上は、絶縁材料３で封止されている。上記第１の熱伝導体２３の少なくとも一部の領域は、平面視において絶縁材料３の外側に突出している。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの周囲に配された発熱部品の温度上昇を効果的に防ぐことができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２を複数個積層して構成してなる電力変換装置１。半導体モジュール２は、半導体素子２１と放熱板２２と封止部２３と壁部２４と貫通冷媒流路４１とを有する。複数の半導体モジュール２は放熱面２２１の法線方向に積層されている。積層方向の両端に配される半導体モジュール２には蓋部３が配設されている。隣り合う半導体モジュール２の間及び蓋部３と半導体モジュール２との間であって壁部２４の内側には、沿面冷媒流路４２が形成されている。一方の蓋部３には冷媒導入管５１及び冷媒排出管５２が配設されている。壁部２４、蓋部３、冷媒導入管５１及び冷媒排出管５２の少なくともいずれかは、外側面及び内側面の少なくとも一方に凹凸部１４を設けてなる。 （もっと読む）