【課題】放熱性能、絶縁性能の劣化を抑制するパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】パワー半導体装置１０１は、第１パワー半導体素子であるパワー半導体素子１と、パワー半導体素子１を挟んで配置された一対の第１金属部材である金属部材６、８と、一対の金属部材６、８を挟んで一対の放熱板である金属板１１ａ、１１ｂ上に積層された一対の絶縁層１２ａ、１２ｂと、少なくともパワー半導体素子１と、一対の金属部材６、８と、一対の絶縁層１２ａ、１２ｂとを覆って充填された充填樹脂１８とを備え、一対の絶縁層１２ａ、１２ｂと充填樹脂１８とは、熱膨張率が略等しい。 （もっと読む）

【目的】簡単な方式でLEDパッケージの散熱ブロックを形成するLEDパッケージを製造する方法を提供する。
【解決手段】この発明の発光ダイオード（light emitting diode = LED）パッケージを製造する方法は、少なくとも１つのLEDチップをリードフレームの第１表面に配置することを含み、LEDチップはリードフレームに接続される。LEDチップに対応する少なくとも１つの散熱エリアがリードフレームの第２表面に定義される。熱伝導材料が散熱エリア中に配置される。熱伝導材料がリードフレームに直接接触する。固化プロセスを実施して熱伝導材料を固化するとともに、多数の散熱ブロックを形成する。散熱ブロックがリードフレームに直接接触するとともに、固化プロセスが実質的に３００℃より低い温度で実施される。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体素子の放熱のため接着する絶縁膜とヒートシンクを小型化し、放熱性を有しかつコスト低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のダイパッド１６ａ，１６ｂと第２のダイパッド１８ａ，１８ｂが一体的に形成されている。第１のダイパッド１６ａ，１６ｂ上に保護ダイオード２８ａ，２８ｂが接合されている。第２のダイパッド１８ａ，１８ｂ上にＩＧＢＴ３２ａ，３２ｂが接合されている。放熱性を有する絶縁膜４４を介して第２のダイパッド１８ａ，１８ｂの裏面にＡｌヒートシンク４６が接着されている。これらはモールド樹脂１０で封止されている。保護ダイオード２８ａ，２８ｂの動作温度の上限は、ＩＧＢＴ３２ａ，３２ｂの動作温度の上限より高い。Ａｌヒートシンク４６は、第１のダイパッド１６ａ，１６ｂには接着されていない。 （もっと読む）

【課題】絶縁性のさらなる向上がなされた電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品を、半導体チップ１と、半導体チップ１に電気的に接続された２つのリードフレーム２および３と、半導体チップ１とリードフレーム２および３の接続部分を封止するモールド樹脂４と、リードフレーム２の一方に面接触される絶縁シート５と、絶縁シート５のリードフレーム面接触側とは反対側の面に積層される金属シート６で形成する。絶縁シート５とモールド樹脂４の双方の素材は、移行していない状態で保持する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの接着面に塗布される極性を有する接着剤が、リードの半田付け時に発生する高熱により融解し、樹脂封止後のヒートシンクにおいて、接着剤による汚染がヒートシンクの周囲に広がるのを防止する。
【解決手段】上下に主表面を有し、一方の主表面が放熱基板と接着させるための接着面74として利用され、もう一方の主表面がリード11に接着されたヒートシン72クであって、ヒートシンク72の樹脂封止される部分が、極性基と無極性基を有する化合物からなる撥水性被膜で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置使用時の発熱による基板の上下面の温度変化を抑制することによって、少なくとも基板の反りを低減でき、もって、基板と半導体パッケージとを接合する半田層の疲労破壊を効果的に抑制することのできる、半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子１、放熱性パッド３、および、これらを封止する封止樹脂体７とからなる半導体パッケージ１０が、基板８と半田層９３で接合されてなる半導体装置１００において、基板８のうち、少なくとも放熱性パッド３に対応する位置には、半導体パッケージ１０と対向する一方面８ａから他方面８ｂに延びる貫通孔８１が開設されており、貫通孔８１は、基板８に比して相対的に熱伝導率の高い熱伝導材で閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ等の作製において封止樹脂等との密着性に優れ、しかも密着性に劣化がない、例えばリードフレーム、放熱板等のパッケージ部品を提供すること。
【解決手段】半導体素子等を搭載したパッケージの構成に用いられるものであって、絶縁性樹脂で封止されるかもしくは接着剤層が適用される被覆面を少なくとも表面の一部に備えるパッケージ部品において、そのパッケージ部品が、導体基材と、その表面を部分的もしくは全体的に被覆した導電性皮膜とからなり、かつ導電性皮膜が、上記の被覆面において、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層からなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの下面に配置されると共に樹脂部から露出させられるセラミック絶縁薄膜の剥離による絶縁不良を抑制する。
【解決手段】ヒートシンク３の端部をテーパ面３ｃとし、ヒートシンク３の上面３ａ側の端部である上端を含め、テーパ面３ｃおよびその表面に形成されたセラミック絶縁薄膜６を樹脂部７によって覆う。これにより、セラミック絶縁薄膜６と樹脂部７との界面に作用する力Ｆをテーパ面３ｃの表面に形成されたセラミック絶縁薄膜６の法線方向の力Ｆａと平行方向の力Ｆｂに分散させることができる。したがって、剥離に対する耐性を持たせることが可能となり、樹脂部７とセラミック絶縁薄膜６との界面の剥離を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの露出側面の表面の凹凸による熱抵抗の増加を抑制することにより放熱性を高める。
【解決手段】ヒートシンク３に接合される絶縁シート材６について、溶射アルミナ膜６ｂの表面を直接露出させるのではなく、Ａｌ板６ａの裏面を露出させた構造とする。このＡｌ板６ａの裏面は平坦面となっているため、シリコングリースなどを介して冷却器の基台などに接続したときに、従来のように溶射アルミナ膜に接続する場合と比較して、Ａｌ板６ａとの接合箇所での接触熱抵抗を大幅に低下させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】放熱部材の放熱面の周囲に樹脂モールド等の被覆部が形成された半導体モジュールを基板に実装する際に，半導体デバイスや被覆部等に熱損傷を発生させることなく，簡易かつ高速な実装を可能とすること。
【解決手段】半導体モジュール２におけるヒートシンク２２の放熱面２２ｆと，基板１の第一の面１ａの放熱用パターン１２の表面との各々にハンダの層５，３を形成させ，前記基板１，前記伝熱用パターン１２及び前記接着層３を貫通する穴１３を形成させ，前記穴１３が形成された前記接着層３の表面における前記放熱面２２ｆの垂直投影面の範囲内に，励起によって自己伝播発熱反応が生じる反応性多層膜４を形成させ，前記基板１の第二の面１ｂの側から前記穴１３を通じて前記反応性多層膜４を励起して接着層３，５の溶着を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール半製品を構成するヒートプレートを絶縁基板より面積的に小さくしても、成形時の絶縁基板の亀裂や破壊による損傷を防止することができると共に、製品としてのパワーモジュールの極小化の要請に十分答え得る実用化製品を提供する。
【解決手段】パワーモジュール半製品Ｙを、両外部接続端子５、６における一端側の外部表出側端部５ｂ及びヒートプレート２の他面側をそれぞれ表出させた状態で、成形樹脂層により封止して構成する場合、積層基板体Ｘを構成するパワーモジュール基板３に、成形樹脂層７を成形する上側成形型１１と共に成形型を構成する下側成形型１２に設けた位置決めピン１４が挿入される位置決め孔８を設けて、パワーモジュール半製品Ｙのキャビティー１３内における位置決めを行うようにした。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂から放熱面を露出させるために封止樹脂および放熱面の研削や切削を不要とすることができる構造を提供する。
【解決手段】第２ヒートシンク４０に凹部４３を設け、この凹部４３内に第１封止樹脂５０を設ける。このように、凹部４３に第１封止樹脂５０が配置されることにより、凹部４３の底面４４とは反対側に位置する第２放熱面４１が第１封止樹脂５０に埋没されることはない。また、第１封止樹脂５０の最上面５１を第１放熱面１１よりも第１端面１２側に位置させる。これにより、第１放熱面１１が第１封止樹脂５０に被覆・埋没されることはない。したがって、第１封止樹脂５０から各放熱面１１、４１を露出させるために第１封止樹脂５０および各放熱面１１、４１を研削もしくは切削する必要がない。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性が高く、容易に製造できる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置１００は、第１のリード２１に形成された第１のダイパッド部２１ａ上に載置され、表面上にゲート電極が形成された電力用半導体素子５０と、第２のリード２２に形成された第２のダイパッド部２２ａ上に載置され、表面上に複数のワイヤパッドが形成された第１の制御用半導体素子３０と、この第１の制御用半導体素子３０の表面積内に絶縁性材料７４を介して載置され、表面に複数のワイヤパッドが形成された第２の制御用半導体素子４０とを備え、電力用半導体素子５０と第２の制御用半導体素子４０とを金属線９４で電気的に直接接続したものである。 （もっと読む）

【課題】放熱ゲルを用いた放熱性の高い電子制御装置を提供する。
【解決手段】基板２０に実装される半導体素子３１は、半導体チップ、半導体チップと基板とを電気的に接続するリード、及び半導体チップをモールドする樹脂部を有する。ケース５０は、半導体素子３１を収容する。放熱ゲル６０は、半導体素子３１と接触している。また、放熱ゲル６０は、半導体素子３１から発生する熱を、半導体素子３１の基板２０と反対方向の第１カバー５１に導く。基板２０と第１カバー５１との間に設けられる溝部５４を有しているので、放熱ゲル６０の移動が抑制され、放熱ゲル６０を介してケース側へ高効率に放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップによる発熱がアウター端子に伝わることを抑制することにより基板接合部の温度上昇を防ぎ、またチップ搭載有効エリアをロスしない半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】この発明は、リードフレーム４と、リードフレーム４上に搭載された半導体素子である半導体チップ２とを備える半導体装置であって、リードフレーム４は、半導体チップ２を搭載し、第１の板厚である板厚ｔ１を有する半導体素子搭載部であるチップ搭載部４ｃと、チップ搭載部４ｃから延在し、板厚ｔ１より薄い第２の板厚である板厚ｔ２を有する架橋部４ｂと、架橋部４ｂから延在し、板厚ｔ２より厚い第３の板厚である板厚ｔ３を有するリード部４ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧と放熱性を保ちながら、より高信頼で小型な半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体素子１と、絶縁シート２と、金属ブロック３と、金属シート５と、封止樹脂部８とを備えた半導体モジュール１０１において、絶縁シート及び金属シートは、金属ブロックに接触することなく金属ブロック側へ折り曲げられた状態で樹脂封止される沿面形成用領域２０を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性やコスト面において有利であり、且つ熱伝導性及び電気絶縁性に優れた熱伝導性樹脂シートを与える熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、熱硬化性樹脂中に無機充填材を含有する熱硬化性樹脂組成物であって、前記無機充填材は、平均長径が８μｍ以下の窒化ホウ素の一次粒子からなる二次凝集体（Ａ）と、平均長径が８μｍを超え２０μｍ以下の窒化ホウ素の一次粒子からなる二次凝集体（Ｂ）とを４０：６０〜９８：２の体積比で含み、且つ前記無機充填材の含有量は４０体積％以上８０体積％以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】アイランドに放熱部材を接合したものを、放熱部材を露出させつつモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、放熱部材の外部の部材に対する密着性を向上させ、高熱伝導性部材を介することなく、放熱部材と外部の部材とを直接接触させて熱的に接続できるようにする。
【解決手段】放熱部材を、モールド樹脂４０よりもヤング率が小さく且つ熱伝導率が大きい樹脂よりなるシート状の放熱シート３０とし、放熱シート３０の一面３０ａがアイランド１０の他面１０ｂに接合されており、放熱シート３０の他面３０ｂがモールド樹脂４０から露出している。 （もっと読む）

【課題】低コストで容易に製造でき、しかも熱を散逸させる能力が高い電子制御装置を提供すること。
【解決手段】プリント基板１１５は、ケース１１７とカバー１１９とによって挟まれた状態で、プリント基板１１５を貫くネジにより、筐体に固定されている。プリント基板１１５の搭載面には、モールド部品１１３が搭載され、このモールド部品１１３はプリント基板１１５とカバー１１９との間に配置されている。カバー１１９には突出部１２３が設けられ、この突出部１２３とモールド部品１１３との間には熱伝導材１２５が配置される。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、実装部品高さの違いに影響されずに確実に優れた放熱性を有することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板１１にフェイスダウン実装した半導体素子１２の上に、他の電子部品と共に、１枚の金属板を、切断部や端部、点線での折曲等を用いて、上部１７、中間部１８、下部１９等を設けた金属折曲構造物１４をセットし、前記半導体素子１２等と共に、封止樹脂体１３で封止することで、前記半導体素子１２の厚みバラツキ等の影響を受けることなく、効率的に前記半導体素子１２を前記金属折曲構造物１４で冷却する。 （もっと読む）