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Fターム[5F136DA07]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却対象 (4,540) | 樹脂封止型装置 (813) | リードフレームと別体のヒートスプレッダ (316) | ヒートスプレッダの一部が露出 (234)

Fターム[5F136DA07]に分類される特許

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【課題】半導体チップの表面からの放熱が効果的に行われることにより、半導体チップの放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】テープ基材3と、テープ基材に設けられたデバイスホールと、テープ基材上に設けられ、デバイスホールと整列して配置された部分を有する複数本の導体配線4と、デバイスホールに配置され、導体配線と接続されることにより実装された半導体チップ1と、半導体チップの表面を覆っている封止樹脂6aとを備え、各導体配線と半導体チップとは、半導体チップの電極パッド上に設けられた突起電極2を介して接合される。半導体チップの表面側に突起部10を有する金属板5が配置され、半導体チップの表面に放熱用突起電極11が設けられ、金属板の突起部と半導体チップの放熱用突起電極とが接続されて熱伝導可能である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の一面側の素子電極にヒートシンクブロックをはんだ接合してなる半導体装置において、素子電極に発生するクラックにより、半導体基板がダメージを受けるのを極力防止する。
【解決手段】半導体基板11の一面上に形成された素子電極12と、その上に形成された保護膜13と、保護膜13の開口部13aから臨む素子電極12の表面上に形成されたはんだ付け用電極14とを有する半導体素子1を備え、半導体基板11の一面側にヒートシンクブロック6を配置し、このブロック6とはんだ付け用電極14とを、はんだ5を介して接合する。そして、半導体基板11の一面側において開口部13a側に位置する保護膜13の端部とはんだ付け用電極14との境界部の下部に、当該境界部で発生する素子電極12のクラックの半導体基板11側への進行を阻害するクラック防止膜15を、素子電極12と半導体基板11との間に介在させている。 (もっと読む)


【課題】チムニー型ヒート・シンクを有するリッドICプラスチック・オーバーモールド・パッケージを提供すること。
【解決手段】パッケージは、オーバーモールド93が付けられた場合はオーバーモールド内に相補的押え構造体を形成するパッケージ・リッド91内に、機械的押え構造体94を有する。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスにて発生した熱を配線基板の電子デバイスの配置面とは反対の面側へ放熱させることができる電子デバイスの放熱構造を提供する。
【解決手段】電子デバイスとしてのIC10は平面視が矩形状の配線基板20の一面(上面)に配置され、IC10の裏面中央部に伝熱部12を設けてある。配線基板20には、上面から下面に貫通する開口部としてのネジ穴20aを設けてある。放熱部材30は、配線基板20のネジ穴20aに挿入される挿入部30aを有し、挿入部30aは配線基板20の下面からネジ穴20aに挿入してある。突出部30bをネジ穴20aに螺嵌することによって固定されていることから、配線基板20と放熱部材30との接合強度が極めて高い。また、IC10の伝熱部12と放熱部材30とが伝熱性接合剤としての半田40にて接続してあり、IC10にて発生した熱は、伝熱部12から半田40を通じて放熱部材30へ伝導される。 (もっと読む)


【課題】 放熱特性に優れ、かつ絶縁性が高く、更に小型化が可能な、電力用の半導体装置を提供する。
【解決手段】 チップが樹脂モールドされた半導体装置が、表面と裏面を備え、ダイパッドを含むフレームと、ダイパッドの表面に載置されたパワーチップと、パワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂と、対向する第1面と第2面とを備え、ダイパッドの裏面がその第1面と接するように配置され、ダイパッドを包含するサイズで、かつモールド樹脂よりも熱伝導率が大きい絶縁性の樹脂シートと、樹脂シートの2面上に設けられた金属箔と、樹脂シートとモールド樹脂とが共に液状化された状態で混合した混合層と、を含む。 (もっと読む)


1つ又は複数の半導体デバイスを収容するアレイ型パッケージ。パッケージは、対向する第1側面及び第2側面を有し、複数の導電バイアと、中央に配設され第1側面から第2側面に延びる開口を有する誘電体基板を含む。ヒート・スラグは、開口を貫通する中央部分、基板の第1側面に隣接し開口断面積より大きい断面積を有する第1部分、及び基板の第2側面に隣接する対向する第2部分を有する。半導体デバイスが、ヒート・スラグの第1部分に接合され、導電バイアに電気的に相互接続される。第1側面及び対向する第2側面を有するヒート・スプレッダが、半導体デバイスから間隔を置き、ヒート・スラグとほぼ平行に配置され、それにより、半導体デバイスが、ヒート・スプレッダとヒート・スラグの間に配設される。成形樹脂により、半導体デバイス、少なくとも基板の第1側面、ヒート・スラグの第1部分、及びヒート・スプレッダの第1側面が封入される。
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【課題】半導体装置の支持板を放熱板に対して全面にわたり均一で且つ極めて小さい間隙を介して保持し、動作時の電子部品の温度上昇を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、放熱板(1)と、少なくとも1つの電気絶縁性のスペーサ(2)を介して放熱板(1)から離間し且つ放熱板(1)の一方の主面(1a)上に配置された支持板(3)と、支持板(3)上に固着された半導体チップ(4)とを備える。収縮又は膨張等の形状変化をスペーサ(2)に発生させずに、スペーサ(2)を紫外線の照射により硬化させるため、放熱板(1)に対してスペーサ(2)の全支持面(2a)にわたり支持板(3)を均一な且つ極めて小さい高さの間隙(8)に保持できる。 (もっと読む)


【課題】
電気的な絶縁性能、および、熱伝導性能が良好であることに加え、機械的にも強固な構造の電気絶縁部を形成して大電力に適用可能とした半導体装置を提供する。また、これら機能を実現するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属ブロック13の下面にエアロゾルデポジション法またはプラズマ溶射法により、複数のセラミクス微粒子を衝突させることにより接合されて形成されたセラミクス層を形成するる。 (もっと読む)


【課題】熱疲労に対する信頼性を高めたパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のパワー半導体モジュールは、パワー半導体素子と、素子の下側に接合した下側電極と、下側電極の下側に接合され、両面に金属箔が接合された第1の絶縁基板と、パワー半導体素子の上側に接合した上側電極と、上側電極の上側に接合され、両面に金属箔が接合された第2の絶縁基板と、第1の絶縁基板の下側に接合した第1の放熱板と、第2の絶縁基板の上側に接合した第2の放熱板とを備え、パワー半導体素子と第1の絶縁基板と第2の絶縁基板とを樹脂で封止した。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュール10と冷却チューブ40、50との間において放電が起こることを防止することができる両面冷却型半導体装置を提供する。
【解決手段】両面冷却型半導体装置1は、半導体モジュール10と、半導体モジュール10を挟持する一対の絶縁部材20、30と、一対の絶縁部材20、30を挟持する一対の冷却チューブ40、50とを備える。さらに、放熱板14、15の第1面と、冷却チューブ40、50のうち放熱板14、15の第1面に対向する第2面とに挟まれる空間に充填される充填部材61〜64を備える。この充填部材61〜64は、絶縁性のグリス、ゲル及び接着剤の中から選択された何れかからなる。 (もっと読む)


【課題】電子部品が固定された平板状の放熱板を回路基板上に直立させて固定するための放熱板の取付構造において、取付のための別部品を要することなく放熱板を回路基板に対して安定して固定する。
【解決手段】電子部品1は、該電子部品1を回路基板3上に固定するためのワイヤ状脚部5を有し、ワイヤ状脚部5は屈曲部5bを備える。放熱板2は、下辺に形成されたL字状の切込みに沿って左右に折曲げられた2つの舌片部8を備える。電子部品1は、ビス4によって放熱板2に固定される。放熱板2は、電子部品1のワイヤ状脚部5が回路基板3に形成された孔に挿通され、挿通端5aが回路基板3に半田6で固定されることによって回路基板3に固定される。この状態でワイヤ状脚部5の屈曲部5bが回路基板3の表面に当接され、2つの舌片部8が回路基板3の表面に当接されて放熱板2が倒れることが防止される。ビス等の別部品が必要ないので製造コストが抑えられる。 (もっと読む)


【課題】LEDの放熱基板としてセラミック基板を用いた場合、セラミック基板の加工が難しかった。
【解決手段】片面に凹部が形成された金属基板112の前記凹部形状に合わせて、無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ放熱樹脂102と、銅を主体とするリードフレーム100a、100bにそれぞれ大きさの異なるLED108を実装することで、LED108の発熱を、前記リードフレーム100を発光モジュール全体に広げられ、更に放熱樹脂102の厚みを薄く均一にできるため、リードフレーム100a、100bの熱を効果的に金属基板112へ拡散できる。 (もっと読む)


【課題】LEDの放熱基板としてセラミック基板を用いた場合、セラミック基板の加工が難しかった。
【解決手段】片面に凹部が形成された金属基板114の前記凹部形状に合わせて、無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ絶縁層である放熱樹脂102と、銅を主体とするリードフレーム100を形成し、前記凹部の底部のリードフレーム100部分にLED108を実装することで、LED108の発熱を、前記リードフレーム100を介して発光モジュール全体に広げられ、更に放熱樹脂102の厚みを薄く均一にできるため、リードフレーム100の熱を効果的に金属基板114へ拡散できると共にC面部110によってリードフレーム100が放熱樹脂102から剥がれにくくなる。 (もっと読む)


【課題】ヒートシンクをモールド樹脂により封止してなる樹脂封止型の電子装置において、ヒートシンクとモールド樹脂との剥離を抑制する。
【解決手段】電子部品40、41が実装された配線基板20を、ヒートシンク10の一面11上に搭載し、ヒートシンク10、電子部品40、41および配線基板20をモールド樹脂80により封止してなる電子装置において、ヒートシンク10の表面のうち少なくともモールド樹脂80と接する部位には、無電解メッキにてNiをメッキすることにより形成された無電解Niメッキ膜10aが形成されており、この無電解Niメッキ膜10aの表面は、凹凸形状を持つように粗化されている。 (もっと読む)


【課題】パワー素子と制御回路とが一つの半導体チップに形成され、当該半導体チップが樹脂によりモールドされてなる半導体装置であって、十分な放熱性を確保できると共に、半導体チップの面積が増大しても、従来に較べて半導体チップに働く応力を低減させることができ、半導体チップの破壊や放熱部材との接続の信頼性低下を抑制することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ10におけるパワー素子の形成領域10pの周りに、半田バンプ40が配置され、一方の表面に溝20mを有する溝付放熱板20が、もう一方の表面で半田バンプ40に接続されてパワー素子の形成領域10pを覆うようにして半導体チップ10上に配置され、半導体チップ10が、溝付放熱板20と共に、溝20mを有する表面を外部に露出するようにして、樹脂9によりモールドされてなる半導体装置100とする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を一対の放熱体により挟持した樹脂封止型半導体装置の放熱性をより向上する。
【解決手段】半導体素子(2)の1つの上面電極(12a)とリード端子(3a)の内端部(13)とを外部に露出する切欠部(14)を有する樹脂封止体(4)を形成し、樹脂封止体(4)の上面(4a)に配置される放熱体本体(15)と、樹脂封止体(4)の切欠部(14)を通じて放熱体本体(15)と半導体素子(2)の上面電極(12a)及びリード端子(3a)とをそれぞれ電気的に接続する接続部(16)とを有する導電性の放熱体(5)を設ける。放熱体本体(15)の形状を変更することにより、放熱体(5)の熱容量を適宜に変更できる。また、接続部(16)をリード端子(3a)に接続して電流経路を形成するので、外部リード(3)の形状を変更せずに、従来のリードフレームをそのまま使用できる。 (もっと読む)


パッケージ化半導体デバイスは、垂直に分離された頂部及び底部リードフレームを有する2片状のリードアセンブリを含む。半導体ダイは該2つのリードフレーム間に在って、該2つのリードフレームに電気的及び熱的接合をなす。その下側のリードフレームは概ね平らである一方、その上側のリードフレームは、平らな頂面と、該下側のリードフレームの2つの両側上に伸張し且つ該底部リードフレームの底面と同一平面にある底面を有するフランジ内で終わる伸張部とを有する。該アセンブリが成形されるとき、該頂部リードフレームの頂面と該フランジの底面と該底部リードフレームとが露出されることで該半導体への電気的接合が可能となり、該半導体ダイにおいて発達する熱を放散するための熱伝導経路が提供される。
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【課題】種類の異なる電子素子をそれぞれ配線基板、ヒートシンクに搭載し、これらをリードフレームとともにモールド樹脂にて封止するにあたって、かしめ固定によることなく、モールド樹脂封止前におけるこれら三者の一体化を実現する。
【解決手段】配線基板の一面上に第1の電子素子11〜14を搭載し、ヒートシンク41、42の一面上に第2の電子素子21〜24を搭載するとともに、配線基板30の周囲にリードフレーム420を配置し、両電子素子11〜14、21〜24、配線基板30およびリードフレーム420を電気的に接続した後、これらをモールド樹脂70にて封止してなる電子装置の製造方法であって、配線基板30の他面側、ヒートシンク41、42の他面側およびリードフレーム420を、共通のテープ部材400に貼り付けて一体化した後、モールド樹脂70による封止を行い、続いて、テープ部材400を剥がす。 (もっと読む)


【課題】電気的絶縁性の低下を充分に防ぐことができる半導体モジュールの絶縁構造を提供すること。
【解決手段】半導体素子11を内蔵した半導体モジュール1と、半導体モジュール1に接触配置した絶縁材2と、半導体モジュール1との間に絶縁材2を挟むように絶縁材2に接触配置した導電性構造体(冷却器3)とが、互いに加圧密着してなる半導体モジュールの絶縁構造。絶縁材2に当接する半導体モジュール1の当接面15は、導電性部材(放熱板150)の表面151と放熱板150の周囲に形成された絶縁性部材(モールド材13)の表面131とによって構成された平面からなる。 (もっと読む)


【課題】両面放熱型の半導体装置をチャック部材を用いて冷却器に取り付けてなる半導体装置の取付構造において、チャック部材と半導体装置との位置ずれを抑制し、冷却器への取付を確実に行えるようにする。
【解決手段】一面7aと他面7bから金属板3、4の放熱面3a、4aが露出する板状のモールド樹脂7を有する半導体装置100を、チャック部材300にて狭持して一対の冷却板21の隙間21aに挿入してなる半導体装置の取付構造において、チャック部材300の保持面31にて挟まれるモールド樹脂7の側面7cは、山型に突出した形状を有し、その傾斜面7dのモールド樹脂7の板厚方向と平行な線Lに対する傾斜角度θが25°以上である。 (もっと読む)


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