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Fターム[5F136DA07]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却対象 (4,540) | 樹脂封止型装置 (813) | リードフレームと別体のヒートスプレッダ (316) | ヒートスプレッダの一部が露出 (234)

Fターム[5F136DA07]に分類される特許

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【課題】グリスの外部流出や異物混入を阻止することによって、長期に亘って冷却性能を維持できる半導体モジュール実装構造を提供することである。
【解決手段】半導体モジュール実装構造では、半導体チップ13と、半導体チップ13を樹脂で封止する樹脂封止部11と、半導体チップ13と直接または間接に接して放熱を行う放熱板12とを有する半導体モジュール10と、放熱板12の熱を吸収する熱吸収部材30と、放熱板12と熱吸収部材30との間に充填される熱伝導性のグリス20とを備える。さらに、樹脂封止部11および熱吸収部材30のうちで一方または双方には、グリス20の流出および外部からの異物混入を阻止する阻止部40を有する。阻止部40によって長期に亘って冷却性能を維持できる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の耐湿性の低下を抑えつつ、耐熱性の向上を図る構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ヒートスプレッダ3上に搭載された半導体素子1a,1bと、当該半導体素子1a,1bに接続するリードフレーム5a,5bと、それらを保持して筐体を形成するモールド樹脂6とを備える。半導体素子1a,1bの上方および側面は、当該半導体素子1a,1bとモールド樹脂6との間に形成された有機薄膜8によって覆われる。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュールの小型化、効率的な放熱および確実な接地を図る。
【解決手段】半導体モジュール101は、半導体チップ6と、半導体フレーム5と、回路基板2と、ビス4A,4Bとを備える。半導体フレーム5は、半導体チップ6が実装される凹部5Cが形成された主表面5Aを有する。半導体フレーム5は、ダイボンディング材7によって半導体チップ6と熱的かつ電気的に接続される。回路基板2は、接地パターン2C、2Dを有するとともに、半導体フレーム5の主表面5Aの上方に配置される。ビス4A,4Bは、半導体フレーム5の主表面5Aかつ凹部5Cの外周部を回路基板2の接地パターン2D,2Cに電気的に接続するとともに、半導体フレーム5を回路基板2に機械的に接続する。 (もっと読む)


【課題】絶縁層の耐湿性及び封止樹脂の密着性を向上することができる半導体装置冷却器を提供する。
【解決手段】半導体装置冷却器1は、天板12を備え、天板12では、上面12aに半導体チップ11が絶縁シート13を介して積層されると共に、下面12bが冷媒接触面とされている。そして、所定断面Dにおいて封止樹脂18と接触する縁部3に、凸部4及び凹部5の双方が形成される。よって、半導体モジュール10は、水分や湿気が外部から絶縁シート13に侵入する侵入経路上、つまり、天板12と封止樹脂18との境界Bから絶縁シート13に至るまでの経路上に、凸部4及び凹部5の両方を有することとなる。その結果、侵入経路が好適に長くなると共に、天板12と封止樹脂18との接触面積が増大する。 (もっと読む)


【課題】絶縁放熱樹脂層がヒートスプレッダに押しつぶされない構造を備えたパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】放熱絶縁シート13には、当該放熱絶縁シート13よりも融点が高い絶縁物で構成された球状のスペーサ13aが分散されている。これにより、ヒートスプレッダ11を放熱絶縁シート13に接着する際に、ピンでヒートスプレッダ11が放熱絶縁シート13側に押し付けられたとしても、スペーサ13aによって放熱絶縁シート13の厚みが一定に保たれるので、放熱絶縁シート13が局所的に薄くつぶされることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂の成形時にモールド樹脂の成形圧によって熱交換器が撓んでしまわないようにすることができるパワー半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】下側金型30の凹部31内において熱交換器20の他面20b側を溶融したモールド樹脂14の成形圧と等しい油圧により支持した状態で成形部41に溶融したモールド樹脂14を流し込んでモールド樹脂14を成形する。これにより、熱交換器20の一面20a側に掛かる溶融したモールド樹脂14の成形圧と熱交換器20の他面20b側に掛かる油圧とが釣り合うので、熱交換器20が撓んでしまうことを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】チップの発熱量を効果的に抑制する冷凍装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の冷凍装置10は、パワー半導体素子40と、圧縮機とを備える。パワー半導体素子は、第1の冷却方式および第2の冷却方式のいずれか一方の冷却方式に基づいてサイズが選定されたチップを含む。第1の冷却方式は、ヒートシンクを用いて空冷する。第2の冷却方式では、冷媒を流す冷却部品を介して冷却する。圧縮機は、パワー半導体素子を含む駆動装置によって駆動される。チップは、冷却方式に応じた所定の電流密度を有する。 (もっと読む)


【課題】放熱板の使用面積の効率化を図ることで、効率の良い冷却性能が得られるようにする。
【解決手段】上アームの半導体チップ8aの銅ブロック9aに接合される放熱板10aよりも下アームの半導体チップ8bに接合される放熱板10cの方がサイズが小さくなるようにする。つまり、半導体チップ8aに直接接合されて比較的広い範囲に熱拡散が生じる放熱板10aについては広い幅にし、銅ブロック9bに接合されて比較的狭い範囲にしか熱拡散が生じない放熱板10cについては狭い幅とする。これにより、放熱板10cの放熱に寄与しない部分の幅を狭め、放熱板10aが放熱に十分な幅となるようにできる。このため、放熱板10a、10cの使用面積の効率化が図れ、放熱板10a、10cのトータルの使用面積を従来と同じもしくは従来より少なくしつつ、効率の良い冷却性能が得られるようにすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】絶縁シートの欠けを防ぐことができる電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁シート10が板状のヒートシンク12の主面に接着されている。ヒートシンク12は、プレス加工により外形加工されている。ヒートシンク12の主面の外周部にダレ32が形成されている。絶縁シート10は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と、熱硬化性樹脂に混錬された熱伝導性のセラミックス微粉フィラーとを有する。絶縁シート10上にダイパッド14が配置され、ダイパッド14上に電力用半導体素子16がダイボンドされている。ヒートシンク12の一部、絶縁シート10、ダイパッド14、及び電力用半導体素子16がモールド樹脂26により封止されている。ヒートシンク12の主面の外周部の少なくとも一部に、絶縁シート10が接着されていない領域が存在する。 (もっと読む)


【課題】絶縁信頼性の低下を抑制しつつ放熱性に優れた半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】上面側に半導体素子50が搭載され該半導体素子50が発する熱が伝達されるヒートスプレッダ30を有し、該ヒートスプレッダ30の下面側に無機フィラーを含む熱硬化性樹脂組成物で形成された絶縁シート10を介して前記熱をモジュール外に放熱させるためのヒートシンク20が接着されており、前記ヒートスプレッダ30が前記ヒートシンク20よりも小さく、該ヒートスプレッダ30との接着面よりも外側に延出した状態で前記絶縁シート10が前記ヒートシンク20の上面に接着されている半導体モジュール1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】露出したヒートシンク表面に水等が浸入することを防止することができ、良好な冷却性を確保することができる半導体パッケージの防水構造を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ100は、ヒートシンク110と、ヒートシンク110の一方の面に搭載されたパワー素子112とを有し、パワー素子112が搭載された面を含んで樹脂モールドされている。パワー素子112が搭載された面と反対側のヒートシンク110の他方の面に伝熱材210を介して放熱部材200が配置されている。放熱部材200は、ヒートシンク110との接合面を覆う壁部220を有する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディングやリボン電線を用いた接続方法により半導体ベアチップを基板に実装するパワーモジュールの放熱性を向上させることにある。
【解決手段】一面と他面とを有する基板11と、基板11の一面側に配設されるヒートスプレッダ12と、ヒートスプレッダ12を介して基板11に実装される半導体ベアチップ13と、基板11に実装された半導体ベアチップ13を封止する封止材14と、基板11の他面側に設けられた放熱器15と、を備えたパワーモジュール10において、ヒートスプレッダ12に、基板11及び半導体ベアチップ13それぞれと熱接触する板状の第一拡散部121と、第一拡散部121から基板11の反対方向に起立する一又は複数の第二拡散部122とを設けた。 (もっと読む)



【課題】ボイドやクラックなどの欠陥の発生箇所及び大きさを制御して電気絶縁性を保持しつつ、優れた熱伝導性を有する熱伝導性シートを与える熱硬化性樹脂組成物及びBステージ熱伝導性シートを提供する。
【解決手段】無機充填材及び熱硬化性樹脂5を含む熱硬化性樹脂組成物であって、前記無機充填材は、鱗片状窒化ホウ素の一次粒子6から構成される二次焼結粒子1を含み、且つ前記二次焼結粒子の少なくとも一部が、5μm以上80μm以下の最大空隙径7を有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物とする。また、無機充填材をBステージ状態の熱硬化性樹脂中に分散してなるBステージ熱伝導性シートであって、前記無機充填材は、鱗片状窒化ホウ素の一次粒子から構成される二次焼結粒子を含み、且つ前記二次焼結粒子の少なくとも一部が、5μm以上80μm以下の最大空隙径を有することを特徴とするBステージ熱伝導性シートとする。 (もっと読む)


【課題】空冷用ヒートシンクについて強度の向上と半導体モジュールからの発熱を一時的に蓄熱するヒートマス機能の向上とが図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10のヒートシンク11は、半導体モジュール22の主面221,222と熱的に結合される基板部110、及び主面221,222とは反対側に厚み方向に間隔をあけて列を形成するように基板部110からそれぞれ突出する複数個の第1のフィン112を有して構成され、半導体モジュール22を挟む両側それぞれに配される。ヒートシンク11は、厚み方向における両方の最外側に位置する第1のフィン112よりもさらに外側において基板部110から突出するフィンであって、第1のフィン112よりも厚み寸法が大きい肉厚部を有する第2のフィン113をさらに備える。 (もっと読む)


【課題】半導体素子に接合されたヒートシンクの半導体素子とは反対側の面をモールド樹脂より露出させてなる半導体装置において、ヒートシンクの平面度の精度に関係なく、樹脂バリ防止を行う。
【解決手段】金型100において、キャビティ103におけるヒートシンク10の他面12との接触面のうち当該他面12の周辺部に対応する部位に、キャビティの内外を連通する第1の孔105および第2の孔106を設けるとともに、第1の孔105、第2の孔106を当該他面12の内部側から周辺部側に向かって順次配列し、第1の孔105を介してキャビティ103へ空気を吹き込むとともに、第2の孔106から吹き出させることにより、キャビティ103内において、ヒートシンク10の他面12の内部側から周辺部側に向かう流体の流れを形成した状態としてモールド樹脂50の充填を行う。 (もっと読む)


【課題】樹脂封止の際に、半導体チップの表面電極および裏面電極がモールド樹脂で覆われないようにする。
【解決手段】樹脂封止を行うモールド金型の下型52の凹部53に低弾性緩衝シート40を設置してから半導体チップ10を搭載した金属フレーム15を半導体チップ10の表側を下にして設置する。これにより、電極が形成されている半導体チップ10の表側の面と金属フレーム15の立設部17の端面とが低弾性緩衝シート40に密着された状態になる。したがって、この状態で、溶融したモールド樹脂の注入を行ったとしても、その密着部にモールド樹脂が浸入することはなくなるので、その後の酸化膜の除去および電極の形成の工程を確実に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】未硬化時及び半硬化時のハンドリング性が良好であり、且つ耐熱性、熱伝導性及び電気絶縁性に優れた熱伝導性樹脂シートを与える熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素の二次焼結粒子を耐熱性樹脂マトリックス成分中に分散してなる熱硬化性樹脂組成物であって、600以上70,000以下の重量平均分子量及び130℃以下のガラス転移温度を有する可撓性樹脂である密着性付与剤を、前記耐熱性樹脂マトリックス成分100質量部に対して5質量部以上30質量部以下の範囲で含むことを特徴とする熱硬化性樹脂組成物とする。 (もっと読む)


【課題】フィンを金属ベースに設けた溝に挿入し、溝をプレス刃により拡幅して、かしめにより一体化する従来のカシメ工法では、金属ベース溝を拡幅する際、押圧力が各溝に均等にかからず荷重のばらつきによる溝の拡幅差が発生して、不均一なフィン嵌合となり、十分なフィン性能(冷却性能)を発揮できなかった。
【解決手段】金属ベース2に形成されたフィン溝2bの一側面を兼ねるベース溝2aの凹部をプレス刃3で拡幅することで、フィン1をフィン溝2b側面に押圧して嵌合する方法において、プレス刃3の先端部にローラー4を具備した。また、ローラー4の固定に、一定の遊び寸法(=クリアランス)を設けて、ローラーの動きに自由度を与えた。 (もっと読む)


基板と、リードフレームと、基板とリードフレームとの間に配置される1つ又はそれ以上の集積回路とを含む集積回路パッケージを説明する。基板の片側又は両側に複数の電気的構成要素を取り付けることができる。集積回路の能動面は、基板に電気的及び物理的に接続される。集積回路の背面は、リードフレームのダイ取り付けパッド上に搭載される。リードフレームは複数のリードを含み、複数のリードは、基板に物理的に取り付けられ電気的に結合される。基板とリードフレームと集積回路の一部分を成形材料が封止する。またこのようなパッケージの形成方法も説明する。

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