【課題】電気的不具合の発生が抑えられた、高品質、高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１の上方に配設された半導体素子１２と、半導体素子１２の上方に配設された熱伝導材１６と、熱伝導材１６の上方に配設された放熱体１７とを含む。放熱体１７は、半導体素子１２との対向領域の外側に配設されて基板１１側に突出する複数の突起１７ｂを有する。製造時に半導体素子１２上から熱伝導材１６が流出する場合でも、その流出する熱伝導材１６を突起１７ｂにより放熱体１７側に濡れ拡がらせ、基板１１側への熱伝導材１６の流出や飛散、それによる電気的不具合の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】モールド成形時に均一に加圧でき絶縁材が均一に貼着された半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の基板３０の一方の面に第１の半導体素子１０が接合され、他方の面に第１の絶縁材５０を介して第１の放熱板７０が接合され、種類の異なる複数の端子９０、９１、９２が側方に延び、モールド成形された第１のユニット１７０と、第２の基板４０の一方の面に第２の半導体素子２０が接合され、他方の面に第２の絶縁材６０を介して第２の放熱板８０が接合され、種類の異なる複数の端子１００、１０１、１０２が側方に延び、モールド成形された第２のユニット１８０とを有し
、前記第１のユニットと前記第２のユニットが対向して固定され、前記種類の異なる複数の端子のうち、前記第１のユニットと前記第２のユニットとの接続が必要な端子９０、１００は重なって配置され、前記第１のユニットと前記第２のユニットとの接続が不要な端子は重ならずに配置される。 （もっと読む）

【課題】発熱体と放熱体との間で締め付けを行わない場合や、当該締め付けの圧力が小さい場合であっても、放熱性を飛躍的に向上させることができる放熱構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＰＵ１と、ヒートシンク４と、これらＣＰＵ１とヒートシンク４との間に配設された膨張黒鉛シート２とを備える放熱構造体であって、上記ＣＰＵ１と上記膨張黒鉛シート２との間には、黒鉛化された炭素を含む接着層３が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで容易に製造でき、しかも熱を散逸させる能力が高い電子制御装置を提供する。
【解決手段】プリント基板１１５は、ケース１１７とカバー１１９とによって挟まれた状態で、プリント基板１１５を貫くネジにより、筐体に固定されている。プリント基板１１５の搭載面には、モールド部品１１３が搭載され、このモールド部品１１３はプリント基板１１５とカバー１１９との間に配置されている。カバー１１９には突出部１２３が設けられ、この突出部１２３とモールド部品１１３との間には熱伝導材１２５が配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、部品点数を削減しつつ、十分な接合強度で半導体モジュールを冷却体に固定でき、かつ半導体モジュールを十分に冷却できる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置１０は、金属で形成された熱伝導部１６と、該熱伝導部を表面に露出させるモールド樹脂１８を有する半導体モジュール１４と、接合材２０により該半導体モジュール１４に固定された冷却体１２と、該熱伝導部１６と該冷却体１２の間に形成され、該熱伝導部１６と該冷却体１２を熱接続する熱伝導材２２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーモジュールパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のパワーモジュールパッケージ１００は、メタル材質からなるベース基板１１０と、ベース基板１１０の内部に冷却物質が流れるように形成された冷却チャンネル２００と、ベース基板１１０の外面に形成された陽極酸化層１２０と、陽極酸化層１２０を有するベース基板１１０の第１の面に形成された回路及び接続パッドを含むメタル層１３０と、メタル層１３０上に実装された半導体素子１４０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フリップチップパッケージの反りまたは剥離を抑制する。
【解決手段】配線基板１００上には、バンプ３２０を介して、半導体チップ３００が搭載されている。また、配線基板１００上のうち、半導体チップ３００の周囲には、スティフナ４００が設けられている。このスティフナ４００は、半導体チップ３００の周囲に接着された接着部４２０と、半導体チップ３００の上面とのなす角θが０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】容易に組み立てることができ、かつ冷媒の漏出を防ぐことができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２と複数の冷却管３とを積層した積層体１０と、該積層体１０が固定される被固定部４とを備える。個々の冷却管３は、Ｘ方向に対向配置された一対の外殻部材３１と、一対の外殻部材３１の間に介在する環状のガスケット３２とを有する。積層体１０における複数の外殻部材３１の貫通孔３５にボルト５を挿入し、被固定部４材に形成した雌螺子部４０にボルト５を螺合することにより、積層体１０を積層方向に押圧しつつ被固定部４に固定している。複数のボルト５のうち最も近いボルト５から離れた部位ほど、ガスケット３２の積層方向における厚さが厚くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】電気的絶縁性及び低熱抵抗性に優れた層をアルミニウム単体の表面上に形成する工程をアルミニウムの融点以下の温度で行う。
【解決手段】アルミニウムとマグネシウムとを含む混合物５をアルミニウム単体２の表面２ａ上に配置し、窒素雰囲気でアルミニウムの融点以下の温度である約４５０〜６６０℃の範囲に加熱し、アルミニウム単体２の表面２ａ上でアルミニウムとマグネシウムと窒素とを反応させ、電気的絶縁性及び低熱抵抗性に優れた窒素とアルミニウムとマグネシウムとを含む３元化合物７をアルミニウム単体２の表面２ａ上に形成する。 （もっと読む）

【課題】放熱及び電磁シールドの機能を有する半導体装置を、部材数を抑えて実現する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１と、基板１１の上方に設けられた半導体素子１２を含み、更に、半導体素子１２を被覆し、且つ、基板１１に設けられた接続パッド１１ｂに接続された、はんだ材料からなる熱伝導材１５を含む。このような熱伝導材１５の上方に放熱体１７が設けられる。半導体素子１２と放熱体１７の間を熱的に接続する熱伝導材１５によって、半導体素子１２からの電磁的ノイズの放射や半導体素子１２への電磁的ノイズの入射を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 タイバーを除去しても配線パターン２２や搭載部２３の相対位置が維持できるようにする。
【解決手段】 信号線をなす複数の配線パターン２２及び搭載品が搭載される複数の搭載部２３により形成される回路基板４と、回路基板４を取囲むように設けられたフレーム２１と、配線パターン２２、搭載部２３及びフレーム２１を接続するタイバー２４とを含むシート状のリードフレーム２０Ａと、リードフレーム２０Ａを覆うように当該リードフレーム２０Ａに貼付けられたフレーム側粘着体と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の電子装置では、配線基板をスタックして配置した場合、大型化することなく配線基板間に配置された半導体パッケージの冷却経路を確保できなかった。
【解決手段】発熱源となる半導体パッケージ１と、半導体パッケージ１を実装する第１配線基板２と、第１配線基板２の半導体パッケージ１を実装した面から所定の間隔をおいて配置されるとともに１又は複数のスルーホール３ｄを有する第２配線基板３と、第２配線基板３のスルーホール３ｄと半導体パッケージ１との間に介在するとともに半導体パッケージ１からの熱をスルーホール３ｄに伝達する伝熱部材４と、第２配線基板３における伝熱部材４側に対する反対側の面にてスルーホール３ｄからの熱が伝達されるように接着されるとともに、伝達された熱を外部に放出する放熱手段５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】冷却機能を備えた電力変換装置において、小型化に繋がり、製品化の上で必要な信頼性の向上や生産性の向上に繋がること。
【解決手段】上アーム回路を構成する第１パワー半導体素子５２，５６と、下アーム回路を構成する第２パワー半導体素子６２，６６と、第１パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第１導体板５３４及び第２導体板５８４と、第２パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第３導体板５４４及び第４導体板５７４とは、リカバリ電流が第１導体板５３４、第１パワー半導体素子５２，５６、第２導体板５８４、第３導体板５４４、第２パワー半導体素子６２，６６、第４導体板５７４の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、第１放熱板５２２と第２放熱板５６２には、ループ形状のリカバリ電流によって渦電流６０５，６０６が誘起されて、スイッチング動作時のインダクタンスを低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性を維持しつつ、ヒートシンクと絶縁樹脂シートの密着性を向上させることのできるパワーモジュールおよび該パワーモジュール用リードフレームを提供することを目的とする。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる導体板と、少なくとも該導体板の半導体素子を搭載する一方面とは反対側の他方面に形成されたＡｌ膜とを備えるリードフレームと、前記導体板の前記一方面に搭載された半導体素子と、少なくとも前記半導体素子と前記導体板を封止する封止樹脂と、前記Ａｌ膜を介して前記導体板と接着される絶縁樹脂シートとを具備することを特徴とするパワーモジュールである。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対する信頼性が高い半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、金属ベース１で形成された主面を有する冷却器１０１と、金属ベース１上に接合層２ａ，２ｂを介して固定された被接合層３ａ，３ｂと、被接合層３ａ，３ｂ上に固定された有機樹脂を母材とする絶縁層４ａ，４ｂと、絶縁層４ａ，４ｂ上に設けられた金属層５ａ，５ｂと、金属層５ａ，５ｂ上に設けられた半導体素子７ａ，７ｂ，７ｃとを備える。被接合層３ａ，３ｂ、絶縁層４ａ，４ｂ、金属層５ａ，５ｂを含む積層体は、１又は複数の半導体素子７ａ，７ｂ，７ｃ毎に分割され接合層２ａ，２ｂを介して金属ベース１上に固定される。 （もっと読む）

【課題】硬質ヒートシンクに取付けが可能であり、反りを考慮し十分な放熱能力が高めることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子が搭載された複数のダイパッドを有するリードフレームと、ダイパッドの接続された放熱板と、リードフレームの一部と放熱板の一部を覆う樹脂封止体と、を備える半導体装置において、放熱板が外面側に凸形状に湾曲し、且つ、ダイパッドに対応している位置が波形状に突出していることを特徴とする。また、製造方法は、放熱板の打ち抜き工程と、リードフレームのダイパッドに半導体素子を搭載する素子実装工程と、放熱板とリードフレームを接合し、樹脂封止する樹脂成形工程とを備える半導体装置の製造方法において、打ち抜き工程で放熱板全体を湾曲させ、モールド工程の熱硬化収縮を利用して波形状にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからダイパッドへ効率良く放熱する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド１２１を含むリードフレーム１０２と、ダイパッド１２１のチップ搭載領域にダイボンド材１３２により接合された半導体チップ１０１とを備えている。チップ搭載領域は、半導体チップ１０１に間隔をおいて外嵌する第１の部分１２４ａと、第１の部分１２４ａよりもその壁面と半導体チップ１０１の側面との間隔が大きい第２の部分１２４ｂとを含む凹部１２４である。半導体チップ１０１の側面と凹部１２４の壁面との間にはダイボンド材１３２が充填されている。 （もっと読む）

【課題】非圧縮時には良好な熱伝導率が得られないものの、圧縮して実装される際には良好な熱伝導率が得られるように熱伝導材を構成することで、その熱伝導材を良好に軽量化すること。
【解決手段】熱伝導材１は、連続気泡３Ａを有する発泡体として成形されたエラストマ３に、熱伝導フィラー５が充填されて構成されている。熱伝導材１の熱伝導率は、非圧縮時では０．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下で、一軸方向に２０％圧縮したときの当該一軸方向の熱伝導率が圧縮時が１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上となった。熱伝導率が０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下であると、電子部品の熱対策用に使用するには不十分であるが、熱伝導率が１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であると、電子部品の熱対策用に十分使用することができる。 （もっと読む）

【課題】チップをワイドバンドギャップ半導体によって構成した場合でも、該チップで発生する熱によって耐熱温度の低い部品が熱的な損傷を受けないような構成の電力変換装置を得る。
【解決手段】ＳｉＣ半導体からなるチップ（21）の熱を放熱するためのヒートシンク（23）に該チップ（21）の熱を伝えるための銅基板（22）を、耐熱性接着剤からなる断熱部材（24）を介して、プリント基板（25,25）に接着固定する。該銅基板（22）とプリント基板（25,25）との間には、上記チップ（21）等からの熱放射を抑えるための遮熱板（26）を設ける。 （もっと読む）