【課題】一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造で、製造効率を低下させることなく、薄く、高く、微小ピッチで放熱性に優れたフィンを有する、同回路基板を製造できるようにする。
【解決手段】セラミック基板１０の表裏両面に、アルミニウム板２１を接合して金属層を形成する。その後、回路用の金属層ではない方の金属層であるアルミニウム板２１の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位４０を、コールドスプレーによって追加的に肉盛加工する。その後、この金属部位４０に、切り起こし法によってフィン４１を形成する。従来のように、フィンが別途製造された部品を、後でロウ付けするのでなく、一体形成された金属部位４０を切起こしてフィンを形成するものであるから、フィンに座屈等の変形を生じさせることなく、薄く、微小ピッチのフィン付きの回路基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが４５Ｎ／ｍｍ^２以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属ヒートシンクの代替として用いる加工性、生産性、軽量性に優れた樹脂ヒートシンクを提供する。
【解決手段】合成樹脂と熱伝導性充填材とを含有してなり、熱伝導率が０．５［Ｗ／ｍＫ］以上である高熱伝導性樹脂組成物と、金属又はセラミックスの成形体である基材３とを一体化して成形した、高熱伝導性樹脂２を用いたヒートシンク１であって、ヒートシンク１は、熱源に対向する熱源対向面６を有し、熱源対向面６の少なくとも一部は、基材３によって直接形成されるか、あるいは、基材３との間に高熱伝導性樹脂が３ｍｍ以下の厚さで介在されている。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおける接合強度が高く、かつ冷却効率の高い放熱構造体、パワーモジュール、放熱構造体の製造方法およびパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュール１は、絶縁性を有するセラミックス基板１０と、該セラミックス基板１０の表面にろう材により接合された金属又は合金からなる金属部材５０と、該金属部材５０の表面に、金属又は合金からなる粉末をガスと共に加速し、表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることによって形成された放熱部４０とを備え、放熱部４０内部にはヒートパイプ６０が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール用基板１１と、金属層１４側に接合されてパワーモジュール用基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７とが直接接合されており、回路層１３の厚さＡと金属層１４の厚さＢとの比率Ｂ／Ａが、２．１６７≦Ｂ／Ａ≦２０の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板と金属基板とを接合する接合部材および絶縁基板と放熱部材とを接合する接合部材の接合性を同時に良好に評価することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基３体に埋設された、絶縁基体の温度を検出する複数の温度検出素子を備え、複数の温度検出素子が、金属基体５の上面に配設された半導体素子７の中心と上下に重なり合う部分に位置する第１の温度検出素子と、金属基体の外周縁と上下に重なり合う部分に位置する少なくとも１つの第２の温度検出素子とを有している。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の相違に起因して応力（熱応力）が発生し、異種材間の接続層など、機械強度に劣る部分にその応力が集中し、半導体モジュールが損傷するのを防止するために、熱応力の発生を抑制しつつ電子部品の熱を放熱させる。
【解決手段】電子部品用放熱器１００は、冷却媒体を流通させるための気孔を有する第１のセラミックス層１０と、第１のセラミックス層１０に積層され、電子部品２００が載置される載置面を有する第２のセラミックス層２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性粒子の使用量を増大させることなく、熱伝導性を向上させることができる熱伝導性シート、および、その製造方法を提供すること。
【解決手段】
樹脂層４に浸透して樹脂層４を膨潤させる単量体と、熱伝導性粒子３とを含有する粒子含有単量体混合物層塗膜７を、樹脂層４の厚み方向一方面に積層し、単量体を樹脂層４に浸透させて樹脂層４を膨潤させることにより、熱伝導性粒子３を厚み方向一方に偏在させ、その後、単量体を反応させて硬化させることにより、粒子偏在シート８を作製し、複数の粒子偏在シート８を、厚み方向一方面と厚み方向他方面とが互いに接触するように積層して、粒子偏在シート積層体９を作製した後、粒子偏在シート積層体９を、各粒子偏在シート８の積層方向に沿ってシート状に切断することにより、熱伝導性シート１を得る。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１の裏面は、第１の導電板２−１の一方の面と接合している。第１の導電板２−１の他方の面は、第１の配線基板３の回路パターン３ａと接合している。第１の導電板２−１の他方の面には突起部１１が設けられている。第１の配線基板３の回路パターン３ａには、第１の導電板２−１の突起部１１に対応する位置に凹部３ａ−１が設けられている。半導体チップ１のおもて面は、第２の導電板２−２の一方の面と接合している。第２の導電板２−２の他方の面は、第２の配線基板４の回路パターン４ａと接合している。第２の導電板２−２の他方の面には、突起部１２が設けられている。第２の配線基板４の回路パターン４ａには、第２の導電板２−２の突起部１２に対応する位置に凹部４ａ−４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、金属層の表面にうねりやシワが発生することを抑制できるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面にアルミニウムからなる回路層１２が配設され、セラミックス基板１１の他方の面にアルミニウムからなる金属層１３が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、金属層１３は、セラミックス基板１１と接合する一方の面と、その反対面である他方の面を有しており、前記他方の面に露呈するように形成された硬化層１３Ａを有しており、金属層１３の前記他方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、金属層１３のうち、前記他方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上のインデンテーション硬度を有する領域が硬化層１３Ａとされている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】電子装置の放熱装置において、放熱装置と発熱源との接合部分の熱疲労によるクラック発生を防止する。
【解決手段】放熱装置１は、放熱フィンなどの放熱部１１２を設けた放熱部材１１を有し、放熱部材１１の放熱部１１２の反対側の面に導熱部１１１を形成して、セラミック本体１２を接続する。放熱装置１の導熱部１１１はセラミック本体１２を介して発熱源と接合することにより、両者は熱膨張係数がほぼ等しいため、熱疲労を解消できる。
放熱部材１１とセラミック本体１２とは半田接合などにより直接接合される。 （もっと読む）

【課題】 蓋体部と、側壁部と、底板部とで構成され、内部に電子部品を冷却するための気体や液体等の流体を流すための流路を備えた流路部材において、熱交換効率の高い流路部材を提供する。
【解決手段】 本発明の流路部材１は、蓋体部１ａと、側壁部１ｃと、底板部１ｂとで構成され、内部に流体が流れる流路３を有する流路部材１であって、前記流路３を形成する面の少なくとも一部に流体が流れる方向に沿って延びる凹凸２を有していることにより、流路３と流体との接触面積が大きくなり、流路部材１との熱交換効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性の優れた絶縁回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電気絶縁板５の一面に導電材料製回路板６がろう付され、回路板６における電気絶縁板５にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載部11を有する配線面９となされており、電気絶縁板５が回路板６よりも大きく、かつ電気絶縁板５の輪郭が回路板６の輪郭よりも外側に位置している絶縁回路基板４を製造する方法である。回路板６の配線面９に、溶融したろう材が配線面９に侵入することを防止する溶融ろう材浸入防止物を付着させておく。電気絶縁板５と回路板６とを両者間にろう材層が存在するように積層し、この状態で電気絶縁板５、回路板６およびろう材層を加熱し、ろう材層から溶け出したろう材を用いて電気絶縁板５と回路板６とをろう付する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と金属板とを多層に積層してセラミックス基板の両側の金属板を接続状態としたパワーモジュール用基板において、さらに小型化を図ることができ、配線接続の作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミックス基板と金属板とを交互に積層して接合するとともに、セラミックス基板に形成した貫通孔の内部を介して該セラミックス基板の両側の金属板を接続状態としたパワーモジュール用基板であって、セラミックス基板の間に配置される中段の金属板には、前記貫通孔を有するセラミックス基板の側面より外方に露出する引出配線部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性能を有し、製造コストの低いヒートシンク一体型の電力変換用パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】組立ての完了した半導体装置の金属ベース板と、ヒートシンクとの間に、はんだ板と熱源となる反応性金属箔を挿入して加圧し、反応性金属箔に電流を通電して発火させてはんだ板を溶融させ、室温下で瞬時に金属ベース板とヒートシンクを接合する。 （もっと読む）

【課題】 支持基板と金属からなる回路部材および放熱部材との接合強度が高い回路基板を提供する
【解決手段】 支持基板１の第１主面に回路部材２を、第２主面に放熱部材３をそれぞれ直接接合により設けてなる回路基板10であって、支持基板１は、窒化珪素質焼結体からなり、第１主面および第２主面に珪素を含む多数の粒状体１ｂが一体化しており、粒状体１ｂの一部から、窒化珪素を主成分とする針状結晶１ｃまたは柱状結晶１ｄが複数伸びている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】回路層の一方の面に半導体素子が確実に接合され、熱サイクル及びパワーサイクル信頼性に優れたパワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２上に搭載される半導体素子３と、を備えたパワーモジュール１であって、回路層１２の一方の面には、ガラス成分を含有するガラス含有Ａｇペーストの焼成体からなる第１焼成層３１が形成されており、この第１焼成層３１の上に、酸化銀が還元されたＡｇの焼成体からなる第２焼成層３８が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）