【課題】熱伝導性フィラーを含有する接着剤を介して、発熱部品と放熱板を機械的・熱的に接合してなる電子装置において、接着剤のペースト特性を極力維持しつつ、接着剤の熱伝導特性を向上させる。
【解決手段】接着剤３０を、その厚さ方向と直交する面内において熱伝導性フィラー３２が密に存在する第１の領域３０ａと第１の領域３０ａよりも熱伝導性フィラー３２が疎に存在する第２の領域３０ｂとを有するものとし、第１の領域３０ａを、発熱部品１０のうち当該発熱部品１０の駆動時に最も発熱が大きい部位である発熱部１１の直下に位置させ、第２の領域３０ｂを第１の領域３０ａの外周に設けた。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の発熱を正確かつ速やかに検出しつつ、コスト、工数の増加や組立性の低下が伴わない電力半導体装置を提供する。
【解決手段】電力半導体素子４，５を搭載する第１フレーム部２aと対向する位置に載置された放熱板１４を、制御用集積回路６が載置される第２フレーム部２ｃの下面部まで延伸し、その厚みが放熱板１４の前記第１フレーム部２ａと対向している部分より厚くし前記第２フレーム部２ｃと近接させた延伸部１５を有している。 （もっと読む）

【課題】 放熱機能に加えて、偽造防止機能や電磁波遮蔽機能を発揮することが可能な放熱シートを提供する。
【解決手段】
例えば、放熱シート（構造−I）は、熱伝導体１０、情報体１１、熱放射体１２を順に積層した構成を有している。熱放射体１２は、熱伝導された熱を熱放射する赤外線放射効果を有している。情報体１１のＩＤ情報を非接触方式のＲＦＩＤリーダライタで読み出し、半導体装置１３の真偽判定をする。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊特性、熱伝導性及び耐熱性に優れた硬化物を与え、ハンドリング性に優れた絶縁シートを提供する。
【解決手段】高熱伝導体４を導電層２に接着するのに用いられ、重量平均分子量３万以上のポリマー（Ａ）と、芳香族骨格を有する重量平均分子量６００以下のエポキシモノマー（Ｂ１）及び／又はオキセタンモノマー（Ｂ２）と、フェノール樹脂などの硬化剤（Ｃ）と、熱伝導率が高いフィラー（Ｄ）とを含有し、未硬化状態の絶縁シートの２５℃での曲げ弾性率が１０〜１０００ＭＰａ、その硬化物の２５℃での曲げ弾性率が１０００〜５００００ＭＰａ、回転型動的粘弾性測定装置を用いて測定された未硬化状態の絶縁シートの２５℃でのｔａｎδが０．１〜１．０、未硬化状態での絶縁シートを２５℃から２５０℃まで昇温させた場合の絶縁シートのｔａｎδの最大値が１．０〜５．０である絶縁シート３。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、接着性及び吸湿特性に優れ、リフロー工程や高温多湿の条件下でも良好な熱伝導性及び電気絶縁性を維持し得る熱伝導性樹脂層を与える熱伝導性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】マトリックス樹脂成分と絶縁性充填材とを含む熱伝導性樹脂組成物であって、前記マトリックス樹脂成分が、（Ａ）トリアジン骨格とフェノール骨格とを有し、且つ重量平均分子量が５０，０００以下の化合物からなる硬化剤、（Ｂ）式（１）：
【化１】


で表されるナフタレン骨格を有し、且つ分子内にエポキシ基を２〜５個もつエポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化促進剤を含み、且つ前記絶縁性充填材の含有量が４０〜９０質量％であることを特徴とする熱伝導性樹脂組成物とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂に多数の熱伝導性フィラーを含有してなる接着剤を介して、発熱部品を基板の一面上に搭載してなる電子装置において、発熱部品から基板へ向かう方向に熱伝導性フィラーを熱的に接続してなる熱経路が形成されやすくなるようにして、放熱性の向上を図る。
【解決手段】接着剤３０の樹脂３１内には、熱伝導性フィラー３２よりもサイズが大きく熱伝導性材料よりなる膜断面が波形の膜状の接続部材４０が設けられており、接続部材４０は、複数個の熱伝導性フィラー３２の間を発熱部品２０から基板１０へ向かう方向Ｘに延びる面である壁面４１を備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性および冷却機能の高いパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０は、半導体素子が形成された半導体チップ１１ａ，１１ｂと、半導体チップ１１ａ，１１ｂで発生した熱を熱交換媒体に放出するためのヒートシンク部材２１と、ヒートシンク部材２１と半導体チップ１１ａ，１１ｂとの間に介在する金属配線２３及び絶縁樹脂層２６とを備えている。ヒートシンク部材２４は、半導体チップ１１ａ，１１ｂと熱膨張係数差が小さく熱伝導率の高いＳｉ−ＳｉＣからなり、平板部２１ａと、平板部２１ａから熱交換媒体にさらされる領域に突出するフィン部２１ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶性樹脂を用いた放熱基板は、結晶性樹脂自体が硬くて脆いため、所定の耐衝撃性が要求される回路基板等に用いることが難しく用途が大きく限られていた。
【解決手段】結晶性エポキシ樹脂を４０ｖｏｌ％以上含有するエポキシ樹脂と、硬化剤と、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との合計に対して３ｖｏｌ％以上１５ｖｏｌ％以下の難燃性エポキシ樹脂と、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤と難燃性エポキシ樹脂との合計に対して７０ｖｏｌ％以上８８ｖｏｌ％以下の無機フィラと、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との合計に対して０．６ｖｏｌ％以上３．５ｖｏｌ％以下の難燃助剤フィラと、からなる熱伝導性材料１７を熱伝導性絶縁層１１とすることで、高熱伝導率と高い難燃性の両方に優れた放熱基板を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップで発生する熱を速やかに逃がす半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ヒートパイプ６と、前記ヒートパイプの内部に半導体チップ１を備え、前記半導体チップは、配線５ｄを介して、前記ヒートパイプの外部と電気的に接続されている。前記半導体チップは実装基板５上に形成され、前記実装基板は前記ヒートパイプの壁面の一部としてもよい。また、前記半導体チップは、ボンディングワイヤ２により前記配線と接続され、エポキシ樹脂または紫外線硬化樹脂からなる保護膜４により覆われていてもよい。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶性樹脂を用いた放熱基板は、結晶性樹脂自体が硬くて脆いため、所定の耐衝撃性が要求される回路基板等に用いることが難しく用途が大きく限られていた。
【解決手段】結晶性エポキシ樹脂を４０ｖｏｌ％以上含有するエポキシ樹脂と、硬化剤と、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との合計に対して３ｖｏｌ％以上１２ｖｏｌ％以下の難燃性エポキシ樹脂と、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との合計に対して０．３ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下の熱可塑樹脂と、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤と難燃性エポキシ樹脂との合計に対して７０ｖｏｌ％以上８８ｖｏｌ％以下の無機フィラと、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との合計に対して０．６ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下の難燃助剤フィラと、からなる熱伝導性材料１７を熱伝導性絶縁層１１とすることで、高熱伝導率のみならず、難燃性と耐衝撃性とに優れた放熱基板を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶性樹脂を用いた放熱基板は、結晶性樹脂自体が硬くて脆いため、所定の耐衝撃性が要求される回路基板等に用いることが難しく用途が大きく限られていた。
【解決手段】結晶性エポキシ樹脂を４０ｖｏｌ％以上含有するエポキシ樹脂と、硬化剤と、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との合計に対して０．３ｖｏｌ％以上５．０ｖｏｌ％以下の熱可塑樹脂と、前記エポキシ樹脂に対して７０ｖｏｌ％以上８８ｖｏｌ％以下の無機フィラと、からなる熱伝導性材料１７を熱伝導性絶縁層１１とすることで、高熱伝導率、高い耐衝撃性の両方に優れた放熱基板を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】
樹脂封止型半導体パッケージの放熱性を向上させるとともに、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄに接続されたドレイン端子５が封止樹脂部６の裏面６ｂで露出され、半導体チップ２のソースパッド電極２ｓに接続されたソース端子３の第１の部分３ａと半導体チップ２のゲートパッド電極に接続されたゲート端子の一部が封止樹脂部６の上面６ａで露出され、ソース端子３の第２の部分３ｂとゲート端子の他の部分が封止樹脂部６の裏面６ｂで露出されている。この半導体装置１を製造する際に、ドレイン端子５と半導体チップ２の間に接合材とフィルム部材８ａとを介在させ、ソース端子３およびゲート端子と半導体チップ２の間にペースト状接合材とフィルム部材８ｂを介在させ、ペースト状接合材を硬化して接合材７とする。フィルム部材８ａ，８ｂを用いたことで、接合材７の厚みのばらつきが抑制される。 （もっと読む）

【課題】実装される電子部品において、所望の半田付け強度を確保すると共に、放熱性を向上させることにある。
【解決手段】第１層１４ａ〜第６層１４ｆからなる銅箔パターン２２によって構成されたプリント回路基板１４の表層には、積層方向に沿って延在し前記プリント回路基板１４の内層と非貫通に形成されたインナビア３０が設けられ、さらに、前記プリント回路基板１４の内層には、積層方向に沿って延在し前記プリント回路基板１４の表層と非貫通に形成されたコアビア３２が設けられ、前記インナビア３０と前記コアビア３２とは、積層面に設けられた銅箔パターン２２に沿って所定間隔だけオフセットして配置される。 （もっと読む）

【課題】 トランスファーモールド型の電力用半導体装置の全体の大きさを変えずに放熱性を向上させる。
【解決手段】 半導体装置は、第１の主面１６と第２の主面１８を有する金属ブロック４と、上記第１の主面１６に形成された凹部（２０、２２、２４）と、上記凹部の内側で上記金属ブロック４に固定された半導体素子６と、上記第１の主面１６に接して上記第１の主面１６を覆う第１の絶縁層３８と、上記第２の主面１８に接して上記第２の主面１８を覆う第２の絶縁層３８を有する。 （もっと読む）

【課題】金属配線層のクラックを抑制し，高放熱性を確保する半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１００は，絶縁基板２０の一方の面を応力緩和層４０と接合し，他方の面上に半導体素子１０を搭載する。半導体モジュール１００は，次の２つの条件を満たしている。すなわち，条件（１）が「応力緩和層４０の降伏応力＞絶縁基板２０の金属配線層２２の降伏応力」であり，条件（２）が「金属配線層２２の線膨張率＞絶縁材２３の線膨張率」である。また，半導体モジュール１００では，金属配線層２２の外周部が弾性樹脂の樹脂モールド５０によってモールドされている。すなわち，樹脂モールド５０は，応力緩和層４０と絶縁基板２０の絶縁材２３との隙間を充填し，両者を接合している。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板では、リードフレーム等の肉厚の厚い材料を用いた場合、リードフレーム部分が剥がれる可能性があった。
【解決手段】伝熱層１３に固定したリードフレームの一部である折曲端子２０等を、樹脂構造体１１で保護すると共に、この樹脂構造体１１を放熱基板１５や放熱基板１５の金属板１２やあるいはシャーシ等に、ネジ孔１６や、ネジ２５等を用いて固定することで、外部接続部２４のみならず、リードフレーム１４や接続配線と、伝熱層１３との機械的強度を高める。 （もっと読む）

【課題】金属製の基材１の一面に冷却水の流路となる凹溝２が形成されると共に前記一面とは反対側の面に絶縁層３が積層された水冷器部品を製造するにあたり、絶縁層３の厚みの不均一化を抑制することができる水冷器部品の製造方法を提供する。
【解決手段】一面に凹溝２が形成された基材１の前記一面とは反対側の面に未硬化又は半硬化状態の熱硬化性樹脂層４を形成する。この熱硬化性樹脂層４に中間プレート５を介して緩衝材６を重ねて積層物を構成する。この積層物に加熱加圧処理を施すことにより前記熱硬化性樹脂層４を硬化させて絶縁層３を形成する。基材１に成形圧力がかけられても、基材１の凹溝２が形成されている側に緩衝材６が重ねられる場合のように基材１の凹溝２間に形成される凸部８が緩衝材６に沈み込むようなことがなくなる。このため、基材１の撓みの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板の一面に樹脂部材を設け、この樹脂部材とヒートシンクとを接着剤を介して接着してなる電子装置において、接着剤中のボイドの発生を極力防止し、放熱性の低下を抑制する。
【解決手段】樹脂部材４０をセラミック基板２０の一面に設けた後、樹脂部材４０を加熱処理し、その後、接着剤３０による接着を行う。ここで、樹脂部材４０を１００℃〜１１０℃で定重量となるまで乾燥させたときの当該定重量に対する、樹脂部材４０が吸収した水分量の百分率を吸水率としたとき、樹脂部材４０の加熱処理は、樹脂部材４０の吸水率が３％未満となるように樹脂部材４０を加熱する。 （もっと読む）

【課題】小型化と放熱性、安全性を両立した放熱器付き電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品３が実装された回路基板１ｂと電子部品５及び電子部品７が実装された回路基板１ａが基板間接続部材４を介して互いに対向するように接続されている。また、発熱回路を有する電子部品８が回路基板１ａに実装されており、放熱のための放熱器２と連絡している。かかる構成によれば回路基板を対向させ、空間を利用した部品配置とすることにより、放熱性も確保した３次元実装構造となり、小型化と放熱性を両立することができる。 （もっと読む）

【課題】
小型・高出力なＩＧＢＴモジュールの実現のため、低熱抵抗化と低インダクタンス化を図る。
【解決手段】
上アームの素子はセラミックス基板上の電源回路パタンに接着され、セラミックス基板のグランドパタンは、セラミックスを貫通しており、裏面に接着されたフィン付銅ベースまで接続される。本グランドパタンに、下アームの素子は、上アーム素子と表裏を反転させて接着される。さらに、上下アーム素子の基板に接着されていない面を接続して出力電極とする。フィン付銅ベースは樹脂製水路カバーで覆われ直接水冷される。以上の構造で、大幅な配線短縮による低インダクタンス化が実現でき、かつ、下アーム素子は非絶縁で放熱されるため、接着面積が小さいものの低熱抵抗化を実現出来る。 （もっと読む）