【課題】この発明は、簡易な構成で、発熱素子の安定した迅速な立ち上がり始動を実現し得るようにすることにある。
【解決手段】共振器を構成する結晶１１、第１及び第２のハーフミラー１２，１３を、結晶ホルダー部材１４、第１及び第２のミラーホルダー部材１５，１６を介して取付ベース１０に配置して、この結晶ホルダー部材１４、第１及び第２のミラーホルダー部材１５，１６に加熱ヒータ１７，１８，１９を熱的に結合して配置すると共に、取付ベース１０に冷却器２２を設け、レーザ光を照射していない共振器の非駆動状態で加熱ヒータ１７，１８，１９を駆動して結晶ホルダー部材１４、第１及び第２のミラーホルダー部材１５，１６を加熱制御すると共に、冷却器２２で取付ベース１０を温度制御し、レーザ光を照射した共振器の駆動状態で、加熱ヒータ１７，１８，１９の駆動が停止制御されて共振器が発熱されると共に、冷却器２２による取付ベース１０の温度制御を行うように構成した。 （もっと読む）

本発明は、パワー半導体デバイス（１００）を冷却するパワー半導体デバイス冷却アセンブリに関する。当該アセンブリは、能動的に冷却されるヒートシンク（１０２）と、コントローラ（２０８；３００）とを有し、コントローラ（２０８；３００）は、パワー半導体デバイス（１００）が有する大電流担持半導体ジャンクションの温度に応じて、ヒートシンク（１０２）の冷却効率を調整するように適応される。
（もっと読む）

【課題】表面実装振動子を適用して加熱抵抗及びパワートランジスタを熱源とし、伝熱効率を高めた恒温型発振器を提供する。
【解決手段】２個の水晶端子１２ａ及びダミー端子１２ｂが設けられた底壁層を有する容器本体に水晶片が収容されて密閉封入された表面実装用の水晶振動子１と、発振段及び緩衝段を有する発振出力回路と、水晶振動子の動作温度を一定にする温度制御回路と、これらの回路素子４とを配設する回路基板５とを備え、温度制御回路は加熱抵抗４ｈと、加熱抵抗に電力を供給するパワートランジスタ４Trと、水晶振動子の動作温度を検出する温度感応素子４ｔｈとを有する恒温型の水晶発振器であって、水晶振動子のダミー端子は回路基板上のダミー用回路端子１４ｂに接続し、ダミー用回路端子は加熱抵抗とパワートランジスタとを接続する回路基板上の導電路に接続した構成とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板に各々半田付けによって実装された電力用半導体素子からなる構造体の複数が１つの支持体面に半田付けにより一体化された半導体装置において、それら各半田層の劣化を簡易且つ精度よく検出する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板２１〜２６に半田付けにより実装されたＩＧＢＴ１１〜１６を有する６つの構造体Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３が、放熱板５１の同一平面上に半田付けによって隣接配置されるかたちで一体にモジュール化されている。この半導体装置を構成する絶縁基板２１〜２６の四隅のうち、隣接する他の構造体Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３の数が最も多い角部、及び当該絶縁基板２１〜２６に実装されてこの角部からの距離が最も小さいＩＧＢＴ１１〜１６の角部に、当該部分の温度を検出する第１あるいは第２サーマルダイオード３１〜３８，４１〜４８を設ける。 （もっと読む）

【課題】過熱保護部に正確な過熱保護動作をさせることで、ヒートシンクのサイズを大きくすることなく発熱による回路素子部の破壊を防ぐことができる電子機器を提供する。
【解決手段】マルチチップデバイス３は所定の動作を行う回路素子部３１と前記回路素子部３１が発する熱による温度を検出し、所定の温度になった際に前記回路素子部３１の動作を停止させる過熱保護部３２とを備える。前記マルチチップデバイス３はヒートシンク２に取り付けられる。また、前記ヒートシンク２は放熱抑制部を備える。例えば開口部２１である放熱抑制部は前記ヒートシンク２の前記マルチチップデバイス３の前記過熱保護部３２に対向する部分に位置し、前記過熱保護部３２の放熱を抑制し、前記過熱保護部３２の温度を前記回路素子部３１の温度に近づける。 （もっと読む）

発光ダイオード用熱制御システムは、ヒートシンクと熱的に結合するサーミスタを備える。好適には、サーミスタを熱伝導部材内に配置する。電源をサーミスタに電気的に接続する。冷却装置を電源とサーミスタに電気的に直列に接続する。サーミスタを、電源と冷却装置との間に配置する。レオスタットを、サーミスタと電源との間で電気的に直列に更に接続してもよい。 （もっと読む）

【課題】バーンイン及び加熱試験用のパッケージダイを加熱するヒーターが記載される。
【解決手段】ヒーターは、金属フィラメントを備えたセラミックタイプのヒーターとすることができる。ヒーターは、パッケージの追加のセラミック層として集積回路パッケージに組み込むことができ、或いは、ダイを加熱するためにパッケージと接触して配置された外部ヒーターとすることができる。多くの異なるタイプの集積回路パッケージに対応することができる。本方法は、試験機器に対する温度応力を低減しながら、ダイの加熱のエネルギー効率を向上させることができる。本方法は、複数のヒーターを利用して異なる温度までダイを加熱することを可能にする。障害のあるダイを加熱して、ダイアタッチ材料を脆弱にし、ダイを容易に取り除くことができる。パッケージ内に配置されたヒーターフィラメント又は別個の温度サーミスタを用いて、ダイ温度を正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とこの半導体素子を放熱する放熱手段を有する電子部品ユニットにおいて、半導体素子の樹脂ケースやリード線の半田部の応力を軽減し、樹脂ケースのクラックやリード線の半田部のクラックが出にくくし、信頼性を向上する。
【解決手段】樹脂ケース１ａが基板４に垂直になるように半導体素子１を実装し、この半導体素子１を放熱するヒートシンク６にねじ７により取り付け、ヒートシンク６をねじ８により基板４に取り付ける。ヒートシンク６に取り付けた半導体素子１は、リード線２を湾曲部分３を有する形状にし、リード線２を基板４に半田付けするよう構成する。 （もっと読む）

【課題】放熱モジュールの性能低下の有無を精度良く検出することができる情報処理装置を実現する。
【解決手段】発熱デバイス２１の近傍には温度センサ３１が設けられ、温度センサ３１よりも発熱デバイス２１から遠い筐体１１内の所定位置には温度センサ３２が設けられている。温度差検出部４１１は、温度センサ３１によって検知された発熱デバイス２１の温度と温度センサ３２によって検知された筐体１１内の温度との間の温度差を検出する。性能判定部４１３は、温度差がある特定のしきい値ＴＨ１を超えた時点から所定期間中、発熱デバイス２１の温度と筐体１１内の温度との間の温度差を監視する処理を継続して実行し、この監視処理の結果に基づいて、放熱モジュール２０の性能が低下したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子の素子平面方向における厚さが場所によってばらついても固定の際の局部的な応力の集中を簡易に回避することができ、長期に亘って高い信頼性の下に使用することが可能なペルチェ素子の固定構造、冷却装置及び分析装置を提供すること。
【解決手段】ペルチェ素子を位置決めした位置決め部材を放熱部材と吸熱部材との間に配置して前記ペルチェ素子を固定するペルチェ素子の固定構造、冷却装置及び分析装置。ペルチェ素子の固定構造は、放熱部材２１１とペルチェ素子２１３との間又は吸熱部材２１５とペルチェ素子との間に、弾性及び熱伝導性を有する緩衝材２１２を配置する。 （もっと読む）

【課題】空冷式の冷却モジュールにおいて、塵及び埃よる冷却フィン１の閉塞を検知し、冷却モジュールの冷却能力の低下する時期を予測し、事前に警告を発する冷却モジュールの冷却フィン閉塞検知システムを提供する。
【解決手段】冷却モジュールの冷却フィンの閉塞度を検知する冷却システムにおいては、冷却フィン・モジュール８の複数の冷却フィン１の温度が測定され、各冷却フィン１の温度差が算出される。この温度差から、予め動作モードに応じて設定された冷却フィン１の閉塞度と冷却フィン１の温度差の関係から冷却フィン１の閉塞度が算出される。この冷却フィン１の閉塞度から冷却モジュールの冷却能力の低下する時期が予測され、表示装置を通じてユーザーに通知される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のリーク電流を用いて、リーク電流値を許容範囲内に制御することで、半導体装置の温度を制御する。
【解決手段】半導体装置１のリーク電流を検出する検出部１１と、リーク電流が許容範囲から外れる場合、リーク電流を許容範囲内にするように半導体装置の温度を制御する温度制御部１２とを有して、半導体装置１の温度を制御する温度制御装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ファン性能が経時変化しても塵埃による閉塞の検知を安定して行える電子機器を提供する。
【解決手段】発熱部からの熱を放熱する放熱フィン５と、駆動電力により回転して放熱フィン５に送風するファン６と、発熱部の温度を計測する温度計測手段１０と、測定された温度に対する駆動条件に従って駆動電力を調整する調整手段１１と、ファン６の回転数を計測する回転数計測手段１３と、調整された駆動電力に関する電力指標と計測されたファン６の回転数との関係における正常境界からの逸脱値を算出する逸脱値算出手段１２と、前記逸脱値に基づいて、ファン６が筐体外部から外気を取り込んで放熱フィン５に送風する送風路上の閉塞を検出する閉塞検出手段１２と、ファン６の性能の経年変化に伴い閉塞検出手段１２による閉塞の検出能が低下するのを補償するために、前記経年変化に応じて前記逸脱値を補正する逸脱値補正手段１４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 狭小空間においても実装ができる上に冷却能力が高く、不測の事態により発熱が冷却能力以上となった場合でも対処が可能な自己診断機能を有するヒートパイプを提供する。
【解決手段】 封入された冷媒の気化および凝縮によって発熱体を冷却するヒートパイプ１であって、気化した冷媒を拡散する蒸気拡散路３と凝縮した冷媒を還流させる毛細管流路４と、を内部に有する平板状の本体部２と、本体部２の少なくとも２箇所の温度差を測定する温度測定部８と、温度差を、所定の閾値と比較して比較結果を出力する比較部９と、比較結果に基づいて、本体部の動作状態を、ヒートパイプ１の冷却能力を基準として判定し、判定結果を出力する判定部１０を備え、蒸気拡散路３は、気化した冷媒を水平方向に拡散し、毛細管流路４は、凝縮した冷媒を垂直もしくは垂直・水平方向に還流させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の発熱を正確かつ速やかに検出しつつ、コスト、工数の増加や組立性の低下が伴わない電力半導体装置を提供する。
【解決手段】電力半導体素子４，５を搭載する第１フレーム部２aと対向する位置に載置された放熱板１４を、制御用集積回路６が載置される第２フレーム部２ｃの下面部まで延伸し、その厚みが放熱板１４の前記第１フレーム部２ａと対向している部分より厚くし前記第２フレーム部２ｃと近接させた延伸部１５を有している。 （もっと読む）

【課題】発熱部品を冷却ファンにて強制的に放熱させる電力供給装置において、発熱部品の温度に基づいて、冷却ファンの駆動を精度よく制御する、他の技術を提供する。
【解決手段】電力供給装置であって、所定の１次側電圧を、１次側と２次側とを絶縁しつつ、１次側電圧よりも低い、所定の２次側電圧に降圧させる降圧器と、降圧器の１次側に接続される、発熱量の多い発熱部品と、内部に発熱部品および降圧器が配置され、発熱部品が配置される１次側領域を有する、中空のケースと、少なくとも、その一部が、１次側領域に配置される導風部であって、発熱部品の近傍を流れる風を、ケース外に放出させる導風部と、を備える、電力供給装置。 （もっと読む）

【課題】発熱デバイスの設置状況に応じて動的に冷却機構を切り替えることが可能な情報処理装置を提供すること。
【解決手段】筐体内に設置された発熱デバイスを検出するデバイス検出部と、デバイス検出部で検出された発熱デバイスの種別を判定するデバイス判定部と、発熱デバイスの有無及び発熱デバイスの種別に応じて筐体内に設置された複数の温度センサの中から所定の温度センサを選択するセンサ選択部と、センサ選択部により選択された温度センサの測定温度に応じて筐体内に設置された冷却ファンの回転数を制御するファン制御部と、を備える、情報処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】発熱部品を備える電子回路モジュールにおける、放熱効率を向上させる技術を提供する。
【解決手段】 発熱部品を備え、風によって発熱部品を放熱させる電子回路モジュールであって、発熱部品に当接して配置され、発熱部品を放熱させる、平板状の放熱板と、放熱板の、発熱部品と当接する面と反対側の面と対向する、対向面と、放熱板と対向面との間に配置され、その間を通る風の流速を、その周辺部において速くする突起部と、を備える、電子回路モジュール。 （もっと読む）

【課題】集積回路（例えば、ＬＳＩ）は高性能化に伴い発熱量が増大しており、パッケージと基板との熱膨張差に起因した歪み増大による接合部の信頼性確保が難しかった。
【解決手段】基板ユニットを、半導体装置（例えば、ＬＳＩ１０）と、前記半導体装置を搭載し、前記半導体装置を搭載する部位を加熱する加熱部（例えば、発熱層１１）を有するように構成した。また、基板は多層基板であり、加熱部は基板（配線板２）に内蔵されている層の１つであり電気を用いて加熱するように構成した。また、基板上に、加熱部を制御する制御回路１２を有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で動作する冷却ファンの消費電力を抑制し、長寿命化を図ることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】第１のヒートシンク２２を中央付近に固定し、第１の半導体素子群１２と第２の半導体素子群１３を実装した第１の基板２０と、第２のヒートシンク２３を中央付近に固定し、第３の半導体素子群１４と第４の半導体素子群１７を実装した第２の基板２１を、第１のヒートシンクと第２のヒートシンクが同一方向かつ略同一直線上に位置するように配置し、第２の半導体素子群と第３の半導体素子群を主に冷却する第１の冷却ファン２４と、第１の半導体素子群と第４の半導体素子群を主に冷却する第２の冷却ファン２５とを有し、第３の半導体素子群の電力変換量と第４の半導体素子群の電力変換量に応じて、第１の冷却ファン２４および第２の冷却ファン２５の回転を制御する。 （もっと読む）