【課題】システム／デバイス内の高電力コンポーネントの動作温度範囲を効率的に拡大するための方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】埋め込みモニタが、コンポーネントの接合温度などの局部的温度を測定する。測定温度がコンポーネントの最低動作温度閾値よりも低い場合、温度制御ロジックは、加熱源を利用して、コンポーネントの温度を動作レベルまで上昇させるために予熱を開始する。コンポーネント（またはデバイス）は、温度が動作レベル以上である場合にのみ、動作状態にされる。温度制御ロジックは、動作中システム／デバイス内のコンポーネントによって散逸される高電力を自己加熱源として使用して、コンポーネントの動作温度を維持する。自己加熱が動作温度を維持することができない場合、加熱源が、コンポーネントの動作温度の維持を支援するために利用され、それによって、コンポーネントが利用されるシステムの有効動作温度範囲を拡大する。 （もっと読む）

熱生成機能を有する試験対象デバイスの温度を所定温度に維持するための熱伝達装置であって、流入口と、流出口と、前記流入口から流体を受容してその流体を前記流出口へ配送するための複数の貫通孔を有する伝達ブロックと、熱伝達率を向上するように、前記貫通孔の各々の断面積を低減するために、前記貫通孔の各々の中に設けられた挿入部材と、を備える熱伝達装置。
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【課題】装置構成を複雑化することなく、ＣＰＵやチップセット等の発熱体からの熱を効率よく放出して冷却することができるとともに、発熱体からの熱を利用して発電可能な冷却装置を提供する。
【解決手段】冷却装置に、モータ機能と発電機能を切り換え可能なモータ／発電機と、ファン型ヒートシンク（円柱状回転体）を設け、モータ／発電機の発電機能が有効である場合は、ファン型ヒートシンクが発熱体からの熱による気流（上昇気流）を受けて回転することに基づいて生じる回転駆動力を動力源として発電し、モータ機能が有効である場合は、ファン型ヒートシンクを回転させて、発熱体からの熱を強制的に拡散させるようにした。 （もっと読む）

【課題】高温時には、発熱部位に対する効果的な放熱動作を行い、低温時には、放熱動作が発熱部位には作用しない電子機器を提供する。
【解決手段】発熱部位のパワーアンプ２０に貼付された放熱シート３０と接触する金属放熱板４０を介して、パワーアンプ２０の発熱を放熱する機構を備え、金属放熱板４０の少なくとも一部が、パワーアンプ２０の近傍に配置した電磁石６０の磁力に感応し、電磁石６０の磁力の有無により、金属放熱板４０が放熱シート３０に接触するかまたは放熱シート３０から離れるかのいずれかの状態になる。パワーアンプ２０の温度が高温の場合、電磁石６０の磁力により、金属放熱板４０を放熱シート３０に接触させ、パワーアンプ２０の発熱を放熱し、一方、パワーアンプ２０の温度が低温の場合、電磁石６０の磁力を停止し、金属放熱板４０を放熱シート３０から離し、パワーアンプ２０の放熱動作を抑止して、自己発熱により温度を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】イオン風を利用した冷却装置において、湿度の影響を受けずに安定してイオン風を発生させる。
【解決手段】放電電極１と対向電極２との間に、高電圧を印加して、放電を起こし、イオン風を発生する。イオン風によって被冷却部である電球４を冷却する。電球４と放電電極１との間に、熱伝導部１０を設け、電球４と放電電極１とは熱的に接続される。電球４からの熱が、熱伝導部１０を通じて放電電極１に伝達し、放電電極１が加熱される。高湿度の環境になっても、放電電極１には水分が付着せず、安定した放電が起こる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の予熱時の加熱量を少なくし、発光素子の待機時におけるヒータの消費電力を少なくする通風ダクト型温度制御装置を提供すること。
【解決手段】発光素子１の温度を所定の範囲に制御する通風ダクト型温度制御装置であって、発光素子１を予熱するヒータ１０と、発光素子１と伝熱的に接続されるヒートシンク５と、重力方向に対して略逆Ｕ字状となる通風路を有するダクト６とを備え、ヒートシンク５は、ダクト６内の上方に設置されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ベースプレートの一方の面に複数の基板が載置され、他方の面に接するように冷媒流路が設けられた構成に関して、全ての基板のスイッチング素子を適切に冷却することができる構成を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】冷媒流路７内に平行な冷媒の流れを形成する平行流形成手段８を備え、各基板３は、スイッチング素子４とダイオード素子５とが冷媒の流れ方向Ｄに対する直交方向Ｃに並べて配置され、一対の下アーム用スイッチング素子４Ａ及び上アーム用スイッチング素子４Ｂのいずれか一方をそれぞれ備えた一対の基板３を一組とし、複数組が直交方向Ｃに並べて配置されるとともに、各組を構成する一対の基板３が冷媒の流れ方向Ｄに直列に配置され、一方の基板３では直交方向Ｃの一方側にスイッチング素子４が配置され、他方の基板では直交方向Ｃの一方側にダイオード素子５が配置される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板のそれぞれのスイッチング素子とダイオード素子とが冷媒の流れ方向に直列に配置される構成に関して、全ての基板のスイッチング素子を適切に冷却することができる構成を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】冷媒流路７内に所定方向の平行な冷媒の流れを形成する平行流形成手段８を備え、各基板３は、スイッチング素子４とダイオード素子５とが冷媒の流れ方向Ｄに直列に配置されるとともに、スイッチング素子４と接続端子領域６とが冷媒の流れ方向Ｄに対する直交方向Ｃに位置を異ならせて配置され、一対の基板３が冷媒の流れ方向Ｄに直列に配置されるとともに、一方の基板３では直交方向Ｃの一方側にスイッチング素子４が配置され、他方の基板３では直交方向Ｃの一方側に接続端子領域６が配置される。 （もっと読む）

【課題】可制御電流が大きく、かつ低損失のパワー半導体装置を得ること。
【解決手段】ワイドギャップ半導体を用いた、順方向特性にビルドイン電圧を有するワイドギャップバイポーラ半導体素子１３を備える。ワイドギャップバイポーラ半導体素子１３を収納し、ワイドギャップバイポーラ半導体素子１３を外部の装置に接続するための電気接続手段７、８、９、１１を有する半導体パッケージ１０、１４を備える。半導体パッケージ１０、１４内の前記ワイドギャップバイポーラ半導体素子１３を５０℃以上、７５０℃以下の温度範囲に加熱するための発熱手段１５を備える。 （もっと読む）

【課題】一対の基板のそれぞれが備えるスイッチング素子の熱によるベースプレート上での熱干渉を抑制し、全ての基板のスイッチング素子を適切に冷却することができる構成を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】冷媒流路７内に平行な冷媒の流れを形成する平行流形成手段８を備え、各基板３は、スイッチング素子４とダイオード素子５とが冷媒の流れ方向Ｄに対する直交方向Ｃに並べて配置されるとともに、スイッチング素子４と接続端子領域６とが冷媒の流れ方向Ｄに位置を異ならせて配置され、一対の基板３が流れ方向Ｄに直列に配置されるとともに、一方の基板３では直交方向Ｃの一方側にスイッチング素子４が配置され、他方の基板３では直交方向Ｃの一方側にダイオード素子５が配置され、少なくとも一方の基板３の接続端子領域６が当該基板３のスイッチング素子４よりも他方の基板３側に配置される。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子を用いて温度制御対象物に高速な加熱冷却サイクルを与える温度制御装置および温度制御方法を提供する。
【解決手段】温度制御対象物を加熱および冷却する温度制御装置であって、第一および第二の温度制御対象物がそれぞれ配置される一方の面を備えた第一および第二のペルチェ素子と、第一および第二のペルチェ素子の他方の面に跨って熱的接触配置される接続部材と、第一および第二のペルチェ素子に流す電流の振幅と極性をそれぞれ制御する第一および第二の通電制御手段と、を備え、第一および第二の通電制御手段により、第一および第二の温度制御対象物が配置される側の面の温度が冷却初期においては安定冷却期よりも低く、加熱初期においては安定加熱期よりも高くなるように、かつ、接続部材の温度を一定に保つように、第一および第二のペルチェ素子に流す電流の振幅と極性を制御することを特徴とする温度制御装置および方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵに対する確実かつ適切な冷却を可能としながら、冷却ファンの回転音および風切り音を低減できる電子機器を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ１の温度Ｔcpuが設定値Ｔｓ以上の場合にデューティ１００％のＰＷＭ信号を生成し、設定値Ｔｓ未満の場合にデューティ０％のＰＷＭ信号を生成する。冷却ファン２４は、２速度モータを有している。２速度モータは、上記生成されるＰＷＭ信号がデューティ１００％の場合に高速度回転し、デューティ０％の場合に低速度回転する。 （もっと読む）

【課題】気泡微細化沸騰冷却に伴う騒音・振動を有効に軽減し、効率のよい沸騰冷却を実
現することを課題とする。
【解決手段】被冷却物１０の表面を被冷却面１０Ａとして、被冷却面１０Ａを管壁として
形成され、サブクールされた冷却液を流通される管状流路１６を有し、管状流路の管壁か
ら細径の剛針群Ｎ１、Ｎ２、・・Ｎｉ・・を流路１６内に突出させた構造をもつ流路構造
体に、サブクールされた冷却液を流通させて気泡微細化沸騰冷却を行う。 （もっと読む）

【課題】配線を有する温度測定素子が設けられた端子がネジ止めされるヒートシンクにおいて、発熱素子が取り付けられる領域と、温度測定素子との位置関係がばらつくことを防止する。
【解決手段】ヒートシンク１は、発熱素子２が取り付けられる領域と、配線５を有する温度測定素子４が設けられた端子３がネジ止めされる面１０とを備える。面１０において、配線５及び端子３を填め込む凹部７が穿たれる。凹部７には端子３をボルト６でネジ止めするためのタップ溝が穿たれる。 （もっと読む）

【課題】レーザモジュールより延出したリードをヒートシンク内を挿通させることなく配線できる構造にして、配線作業が容易になる熱電モジュールを提供する。
【解決手段】本発明は半導体レーザモジュール３０を温度制御することが可能な熱電モジュール１０であって、熱電素子用電極パターン１１ｂが形成された上基板１１と、熱電素子用電極パターン１２ａが形成された下基板１２と、これらの両基板の熱電素子用電極パターン間で直列接続されるように配置・固定された複数の熱電素子１３とからなる。そして、熱電素子用電極パターン１２ａが形成された下基板１２上にステムパッケージ３１より延出した複数のリードが接続されるリード接続用配線パターン１２ｃが形成されている。また、上基板１１に開孔１１ａが形成されていて、この開孔１１ａに挿通されたリードがリード接続用配線パターン１２ａに接合されるようになされている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの温度を冷却機側に取付けられた温度センサによってより正確に計測する方法が可能な車両制御装置の半導体冷却装置を提供する。
【解決手段】主回路の半導体スイッチ素子が一方の面に装着された受熱ブロック２と、受熱ブロック２に接続された複数のヒートパイプ４と、ヒートパイプ４に固定された放熱フィン５とを有し、放熱フィン５を冷却することにより、受熱ブロック２上の半導体スイッチ素子の冷却を行う車両制御装置の半導体冷却装置において、受熱ブロックの素子取付面以外の面に半導体スイッチ素子の近傍となる溝を設け、溝に温度センサ６を取付け、冷却性能を損なうこと無く半導体スイッチ素子温度を正確に計測可能とした。受熱ブロック２は、隣り合うヒートパイプ４の間に矩形断面の溝が形成され、溝の底部に前記温度センサ６を取付けた。 （もっと読む）

【課題】環境温度が外部制御回路に接続されたリード線を介して熱伝導しても、この伝導熱を途中で遮断できるような構造を有する半導体レーザーモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザモジュールＡは半導体レーザ素子を備えた電子素子ユニット１０と、これを温度制御する熱電モジュール２０とを備えている。熱電モジュール２０は、配線パターン２１ａが形成された上基板２１と、配線パターン２２ａが形成された下基板２２と、これらの配線パターン間で直列接続されるように配置・固定された複数の熱電素子２３とからなる。そして、このユニット１０から延出した複数のリード１４が接続されるリード接続部２１ｃが熱電モジュール２０の吸熱側となる上基板２１に形成されていて、リード接続部２１ｃに接続されたリード線２１ｄが外部に配置された制御部に接続されるようになされている。 （もっと読む）

【課題】 電気機器において、電気回路の冷却に際し、熱を発生する電気回路に電流が流れている場合にのみ、温度上昇に応じて送風部を駆動する。
【解決手段】 電気回路を冷却しようとするとき、熱を発生する電気回路の電流を検出し、電気回路が発生した熱を放熱する放熱用ヒートシンクの温度を検出し、検出された電気回路の電流及び放熱用ヒートシンクの温度がそれぞれ予め定めた値以上になったとき送風部を駆動して放熱用ヒートシンクを冷却する。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子を利用した半導体レーザの冷却機構において、冷却に必要な電力を削減する冷却機構を提供する。
【解決手段】半導体レーザの冷却装置において、半導体レーザ４を固定し放熱する放熱板７と、放熱板７上に設置される半導体レーザ４の反対面側に放熱ゲル８を介して設置される放熱フィン５と、放熱板７上で半導体レーザ４に近接して設置して該半導体レーザの周囲温度を検出する温度検出器６と、放熱板７の当該半導体レーザの対抗面位置に設置されるペルチェ素子３と、ペルチェ素子３を搭載する放熱枠９と、放熱枠９内に放熱フィン５を放熱板７から離間又は接触させるアクチュエータ１０と、を備え、温度検出器６の検出する所定の温度に基づいてアクチュエータ１０を駆動して放熱フィン５を放熱板７に接触または離間さす。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の発熱による瞬間的な温度変化によらず、半導体スイッチング素子が形成されたチップの実際の緩やかな温度変化となる素子全体の温度に基づいてパワー素子を駆動できるようにする。
【解決手段】温度センサ６を制御ＩＣ３に内蔵し、スイッチＩＣ５には備えない構造とする。そして、スイッチＩＣ５と制御ＩＣ３とが金属もしくはセラミックスにて構成される基板８を介して機械的に接続された構造とする。このような構造の場合、温度センサ６は、スイッチＩＣ５の温度を直接検出することができないが、スイッチＩＣ５の温度が上昇すると、それが基板８を通じて制御ＩＣ３に伝わり、制御ＩＣ３の温度が上昇するため、制御ＩＣ３に内蔵された温度センサ６によって制御ＩＣ３の温度変化を間接的に検出することが可能となる。 （もっと読む）