説明

Fターム[5F136HA01]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却の監視,制御 (311) | 温度検出素子を使用 (202)

Fターム[5F136HA01]に分類される特許

21 - 40 / 202


【課題】デバイス動作時のリスクを低減し高信頼性を実現した温度センサーを具えたデュアルコンパートメント半導体パッケージを提供する。
【解決手段】デュアルコンパートメント半導体パッケージ200は、第1及び第2コンパートメント222、228を有する導電性クリップ216を具える。第1コンパートメント222は、IGBTである第1ダイ202と、また第2コンパートメント228は、ダイオードである第2ダイ204と電気的、機械的に接続される。デュアルコンパートメント半導体パッケージ200は、第1ダイ202及び第2ダイ204とを電気的に接続するとともに、第1及び第2コンパートメント222、228の間に溝240を具え、第1ダイ202と第2ダイ204との間の電気的な接触を防止している。デュアルコンパートメント半導体パッケージ200の温度を測定するため、溝240の上、又は内側に温度センサーを設置することが可能である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が短絡破壊したとき、ヒューズを設けることなく、主電流を遮断できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置100を構成するパワー半導体素子を小さな半導体素子1に分割し、この小さな半導体素子1にそれぞれ1本のボンディングワイヤ17を接続する。小さな半導体素子1が短絡破壊したとき、破壊した小さな半導体素子1に接続するワイヤ17(ヒューズの役割をさせる)を溶断し、且つ、制御回路30からオフ信号を健全な半導体素子1に与える。このようにして、半導体装置100が短絡破壊したとき、ヒューズを設けることなく、主電流を遮断することができる。 (もっと読む)


【課題】電子部品温度の上昇を防止すること。
【解決手段】風量制御装置は、電子機器の冷却能力が所定の冷却能力を発揮できているか否かを判定する。そして、風量制御装置は、電子機器の冷却能力が所定の冷却能力を発揮できていないと判定した場合、電子機器を冷却するファンの回転数を減少させる。例えば、風量制御装置は、ファンの回転数を変更した前後での、電子機器が有する発熱体の温度を比較し、当該ファンの回転数を増加させた時に当該発熱体の温度が上昇する場合、または、当該ファンの回転数を減少させた時に当該発熱体の温度が低下する場合に、電子機器の冷却能力が所定の冷却能力を発揮できていないと判定する。 (もっと読む)


【課題】 半導体の接合部温度が動作保証下限温度よりも低い低温時から動作保証下限温度に達したことを早く判定して、正常起動を早く行える半導体システム、起動方法、プログラムを提供できる。
【解決手段】 半導体のパッケージ表面温度を測定する。その測定の結果に基づいて、半導体の再起動の可否を判定する。測定の結果、電源を供給前のパッケージ表面温度が第一の温度より低い状態から、電源を供給後のパッケージ表面温度が電源を供給前のパッケージ表面温度より上昇した場合に半導体を再起動する。 (もっと読む)


【課題】高い冷却性能を有する冷却装置と冷却ユニットとを提供する。
【解決手段】冷却装置は、コンバータ用素子43等が装着される装着面43を含み、コンバータ用素子43等を冷却する冷媒が内部を流れる第1冷却器40と、第1冷却器40に接続され、冷媒を第1冷却器40に供給する供給管30と、供給管30から分岐する分岐管31と、分岐管31が接続されて、分岐管31から供給される冷媒が内部を流れると共に、第1冷却器40内を流れる冷媒を冷却する第2冷却器41とを備え、第2冷却器41内の冷媒は、第1冷却器40内を流れる冷媒の流れに沿って流れ、第1冷却器40内には、冷媒が流通する第1冷媒通路が形成され、第2冷却器41内には、冷媒が流通する第2冷媒通路が形成され、第2冷媒通路を流れる冷媒の流通方向に対して垂直な断面における第2冷媒通路の流路面積は、第1冷媒通路を流れる冷媒の流通方向に対して垂直な断面における第1冷媒通路の流路面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】良熱伝導層を設けることによる不具合を解消することができるとともに、温度差ΔTjsを小さく設定することにより、半導体素子の温度検出の高精度化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】放熱板109の上面では、たとえば温度センサ104の直下領域から温度センサ104側の端部に向けて金属層107と接合されていなく、金属層107との間に空間110が形成されている。空間110の上の基板部分(金属配線層102、絶縁基板101、および、金属層107)は、浮上して片持ち梁部分として存在している。片持ち梁部分から放熱板109へ向かって熱が拡散することを防止することができるから、定常状態では片持ち梁部分の温度を略均一とすることができる。たとえば温度センサ106のB点での温度Tbは、片持ち梁部分の根元部のC点での温度Tcとは略等しくなる。 (もっと読む)


【課題】発熱部材の動作性能を適正に維持すると共に、結露の発生を未然に防止する。
【解決手段】筐体内に設けられたLD18,20、LED19と、LD18,20、LED19に対して設けられ、LD18,20、LED19から吸熱するペルチェ素子26,29,32と、外部空気を筐体内に導入し、導入した空気流をLD18,20、LED19に当てて冷却する冷却ファン36と、LD18,20、LED19の温度を検出する温度センサ27,30,33と、検出した温度に基づいてLD18,20、LED19が過冷却状態であるか否かを判断し、過冷却状態であると判断した場合にはペルチェ素子26,29,32での冷却能力を下げると共に、冷却ファン36での冷却能力を上げるCPU40及び投影光駆動部39とを備える。 (もっと読む)


【課題】赤外線のセンサの低温および高温動作の間の熱の管理を改善する。
【解決手段】赤外線のセンサは、赤外線のレンズと、赤外線の検知器と、検知器に接続され、出力赤外線画像信号を与える処理および制御回路と、センサから余分な熱を放散させる熱抽出装置と、処理および制御回路の回路基板17a,17b,17c,17dを熱抽出装置に熱的につなぐ少なくとも1つの第1のヒートパイプ13a,13b、および、レンズを処理および制御回路に熱的につなぐ少なくとも1つの第2のヒートパイプ14を有する受動的な熱分配機構と、を有している。 (もっと読む)


【課題】高温によるモールド樹脂の劣化を抑制できるようにする。
【解決手段】第1半導体チップ7の発熱によって加熱されたモールド樹脂11の温度を第2半導体チップ8に形成された温度センサによって検出する。これにより、温度センサでの検出結果に基づいて半導体パワー素子の動作を制御することで高温によるモールド樹脂11の劣化を抑制することができる。例えば、この温度がモールド樹脂11の耐熱温度よりも低く設定した温度閾値に達したときに、半導体パワー素子の動作を停止させるか、もしくは、その温度閾値を超えない程度に半導体パワー素子に流れる電流を制限する等により、高温によるモールド樹脂11の劣化を抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】冷却装置の騒音を低減させると共に、コストも低減させる。
【解決手段】冷却装置は、ロータ202に設けられた磁石の磁束密度を検知し、検知された前記磁石の磁束密度に応じた電圧を出力するホール素子201を備えたファンモータ200と、ファンモータ200を駆動するモータ駆動回路304と、ホール素子201の出力電圧値と、所定の雰囲気温度におけるホール素子201の出力電圧値とを比較した結果に基づいて、モータ駆動回路304がファンモータ200を雰囲気温度に応じた回転速度で駆動するように制御するCPU302と、を備える。 (もっと読む)


【課題】わずかな温度差によって作動させたときでも1Vを超える電圧で動作し、マイクロワット・レベルからワット・レベルの電力が得られる、高性能薄膜熱電対およびそれを製造する方法の提供。
【解決手段】薄膜TEモジュールおよび電源のある態様は、約20cm-1よりも大きく、おそらく通常約100cm-1を超える比較的な大きなL/A比値を有する。この様な大きなL/A比値は、20℃や10℃のような比較的小さな温度差によって作動させたときでも1Vよりもずっと高い電圧を与えるμW〜W電源の製造を可能にする。 (もっと読む)


【課題】パッケージ基板の上に実装された半導体パッケージが提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態による半導体パッケージは、温度測定装置と、温度制御回路とを具備している。前記温度測定装置は、前記半導体パッケージの温度を測定する機能を有する。前記温度制御回路は、前記温度測定装置で測定された前記半導体パッケージの温度を基準にして、前記半導体パッケージの動作速度を変化させる機能を有する。 (もっと読む)


【課題】 圧縮空気を用いて情報処理装置内の発熱部品を効率的に冷却する冷却技術を提供する。
【解決手段】
情報処理装置内の発熱部品に取り付けられ、支持体から延びる複数の放熱フィンを備えたヒートシンクと、ヒートシンクに対向する開口部から圧縮空気を放熱フィンの前記支持体を含む領域に吹付ける圧縮空気吹付け機構とを有することを特徴とし、とくに、発熱部品とヒートシンクの界面を集中的に冷却することを特徴とする情報処理装置の冷却システムに関する。 (もっと読む)


【課題】マイクロエレクトロニクス装置を冷却する内蔵熱冷却機(TEC)を含むマイクロエレクトロニクス・アセンブリ、および、マイクロエレクトロニクス・アセンブリを含むシステムを製作する方法を提供する。
【解決手段】方法は、マイクロエレクトロニクス装置を提供し、内蔵TEC120とマイクロエレクトロニクス装置との間に搭載材料がないように、内蔵TECをマイクロエレクトロニクス装置上に直接形成することを含む。内蔵TECは、N型電極116およびP型電極118とそれらを直列に結合する導体素子122〜134からなるカップルの少なくとも1つから構成される。 (もっと読む)


【課題】光電子部品における熱放散を最適化する温度制御システムを提供する。
【解決手段】ケース13内にチップ11を含む電子機器10が開示される。熱電冷却器14は、チップ11とケース13とに対して熱的に接続され、チップ11からケース13に熱を移送するように構成される。前記チップ11の温度を測定する温度測定装置が設けられる。制御システムは、測定される温度に応じて、熱電冷却器14に供給される電流を制御することによって、前記チップ11を目標温度に維持するように構成される。温度選択システムは、ケース温度に基づいて、チップ目標温度を動的に選択するように構成される。 (もっと読む)


【課題】 ファンレス装置等の筺体への放熱において、筺体へ効率的にバランス良く放熱を実施し、発熱による性能低下を最小限に抑えることが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器(ファンレス装置1)は、複数の発熱デバイス(CPU11、GPU12、DSP13)における発熱をファンレスにて放熱する。また、電子機器(ファンレス装置1)は、複数の発熱デバイスにおけるシステムレベルでの発熱状況を検知する検知手段(温度制御IC16、電力制御IC18)と、検知手段による検知結果に基づいて複数の発熱デバイスに対する放熱制御を総合的に行う手段(ヒートパイプ14、可動スイッチ15、温度制御IC16)とを有する。 (もっと読む)


【課題】電子回路の冷却部の実装不良や故障等の異常を確実且つ簡便な手法で検査可能な異常検査システムを提供する。
【解決手段】発熱部品2と該発熱部品2を冷却する冷却部3とを備えた電子回路1における冷却部3の異常検査システムが、発熱部品2の温度を検出する部品温度検出部4と、発熱部品2を昇温させる回路動作の実行前に部品温度検出部4によって検出された第1部品温度及び回路動作の実行後に部品温度検出部によって検出された第2部品温度に基づいて冷却部の異常を判定する異常判定部7とを具備し、第1部品温度をT1とし、第2部品温度をT2とすると、予め定められた冷却部の正常及び異常の境界を示す関数f:T2=f(T1)において、T2>f(T1)の関係式を満たしたときに、異常判定部が異常と判定する。 (もっと読む)


【課題】取り付け面に対する絶縁性を確保すると同時に高い放熱性を有する電力半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る電力半導体装置は、電力半導体素子1と、電力半導体素子1の底面に当接して配設された金属からなる放熱板2と、放熱板2の電力半導体素子1との当接面とは反対側の面に設けられ、電力半導体素子1を電力半導体素子1が取り付けられる取り付け面4に対して絶縁する絶縁手段3とを備える。また、放熱板2には内部に冷媒が流れる流路2aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子の駆動により生じる熱について精度よく検出することのできる多層回路基板を提供する。
【解決手段】パワー基板4の基板本体10は、積層された複数の絶縁層11,12,13の間に導電層21,22が配置された構成を有している。基板本体10の上面10aにベアチップ実装された半導体チップ15は、スイッチング素子28と、上温度センサ29と、を含んでいる。CPU7は、上温度センサ29の検出温度T1、およびスイッチング素子28の発熱量Q1を用いて疑似熱抵抗TR1を演算する。CPU7は、疑似熱抵抗TR1が大きいとき、パワー基板4に異常が生じていると判定する。 (もっと読む)


【課題】新たな電子部品や回路を付加することなく、冷却の必要なときに自動的に作動する冷却用圧電アクチュエーター駆動回路を構成する。
【解決手段】圧電アクチュエーター駆動回路は、冷却用ファンを振動させる圧電アクチュエーターに対する電圧印加に応じて生じる検出信号を増幅して前記圧電アクチュエーターに正帰還させる正帰還回路を備える。圧電アクチュエーターのインピーダンスの温度特性は負特性であり、圧電アクチュエーターの周囲温度が所定温度を超えない状態では圧電アクチュエーターのインピーダンスが高く、ループゲインが1未満(0dB未満)である。そのため、冷却が必要な温度に達したときにのみ自励発振して圧電アクチュエーターが駆動される。 (もっと読む)


21 - 40 / 202