【課題】 ゲート電極が可動な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体層と、前記半導体層内に少なくとも２つの活性領域と、前記活性領域に接するソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の半導体層の上に絶縁層とゲート電極とを有する電界効果型トランジスタであって、
前記電界効果型トランジスタは前記ゲート電極および前記絶縁層の間に配置される、分子を吸着するための吸着部位を有し、
前記ゲート電極を駆動するための駆動手段を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】センサ感度を向上したＩＳＦＥＴおよびこのＩＳＦＥＴセルを適用したＩＳＦＥＴアレイを提供する。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に配置され、第１導電型と反対導電型の第２導電型を有するウェル領域１２と、ウェル領域１２上に配置され、第１導電型を有するソース領域１４およびドレイン領域１６と、ウェル領域１２上に配置されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に、ドレイン領域１６に隣接して配置されたトランスファゲート電極２０と、ゲート絶縁膜１８に接触する液体試料２６と、液体試料２６中に配置された参照電極２４とを備えるＩＳＦＥＴ２およびこのＩＳＦＥＴセルを適用したＩＳＦＥＴアレイ４。 （もっと読む）

【課題】気体感応型の半導体装置を、補償の手間を少なくする、簡単で確実な信号形成および信号評価に関して改良する。
【解決手段】ゲート電極、および／または、このゲート電極を半導体チャネルから絶縁するゲート絶縁層、および／または、ゲート電極と半導体チャネルとの間に設けられるゲートスタック層が２つの面セクションを有し、この２つの面セクションは、複数の気体に対して異なる感度を有する。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の長方形状のソース部・ドレイン部の中央を分断するように溝部１７を設け、この溝部１７の両側の側壁１７ａ，１７ｂに第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。この構造では第１，第２の半導体層１３，１４が底面方向に薄く、可動ゲート電極１５の底面方向の厚みも減らして溝部１７の底面方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底面方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の三層の半導体層の中央を分断する溝を設けて第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。さらに空間部１７の底方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って、可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有する電界効果トランジスタの不動態化において、従来技術の問題点を解決する。
【解決手段】少なくとも１つの化学的感受性の電極を有する半導体構成素子の不動態化のために、少なくとも、該化学的感受性の電極を、ガラス層もしくはガラスセラミック層の施与によって覆い隠す。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線等を溶液と接触しないように設けたパッシべーション膜及び絶縁膜に穴やクラック等が存在し、ＭＯＳトランジスタの配線などと、電位が印加された溶液が接触したとしても、このリークの生じている他のＭＯＳトランジスタに対してリーク電流が流れ込まない素子分離構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、第１の導電型の不純物が添加された半導体基板と、該半導体基板上に形成されており、第１の導電型と異なる導電型である第２の導電型のウェル層と、該半導体基板上に、ウェル層の周りに形成された第１の導電型の分離ウェル層と、分離ウェル層と、トランジスタ形成領域を除いたウェル層との表面に形成された素子分離膜とを有し、半導体基板と分離ウェルとにより、ウェル層の半導体基板内の外周面が覆われている。 （もっと読む）

【課題】電位を印加した溶液中の化学物質の測定の際、リーク電流が半導体基板に流れない膜厚のシリコン酸化膜にてゲート絶縁膜が形成され、容易にシランカップリングによるアミノ酸基の導入が行え、かつ溶液と配線間に流れるリーク電流を抑える溶液測定用半導体センサチップを提供する。
【解決手段】本発明の溶液測定用半導体センサチップは、ゲート絶縁膜が露出されたMOSトランジスタからなり、電位の印加された溶液中に浸して化学物質の検出を、MOSトランジスタに流れる電流変化を検出することで行うものであり、半導体基板上に形成されたMOSトランジスタのゲート絶縁膜上に固定された有機単分子層と、MOSトランジスタのソース及びドレインに接続された配線と、有機単分子層部分が露出する開口部を有するパッシベーション膜とを有し、ゲート絶縁膜の最表層がシリコン酸化膜で形成され、このゲート絶縁膜が30nm以上の厚さにて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 固体電解質を用いたガスセンサは、検知電極と参照電極を必要とし、安定性に欠ける問題がある。また、補助相となるイオン導電体をゲート電極上に設けたＦＥＴ型のガスセンサは、参照電極を用いないため小型化が可能であるが、ＮＯ_２の選択性と応答速度に問題があった
【解決手段】 一導電型半導体層表面の一導電型の第１半導体領域の両側に、ｎ型の第２半導体領域および第３半導体領域を設け、これらにそれぞれ接続する第２電極および第３電極を設ける。第１半導体領域とコンタクトする絶縁膜をｐ型半導体層上に設け、第１半導体領域に電圧を印加する第１電極を設ける。第１電極の一部を被覆し、第１半導体領域上の絶縁膜とコンタクトする補助相を設ける。補助相はイオン導電体（ＮａＮＯ_２）内に、貴金属（Ｒｕ）を担持した金属酸化物（ＷＯ_３）を分散させてなり、これによりＮＯ_２の選択性、応答・回復特性が良好なＮＯ_２センサを得る。 （もっと読む）

【課題】可逆的に酸化・還元をある程度の回数繰り返すことのできる電気化学活性を有する有機薄膜を提供することによって、有機分子を動作ユニットとする、いわゆる分子ナノエレクトロニクスにおける、新たなアプローチを提供する。
【解決手段】基体表面にアミノ基を末端に有する有機分子を化学的に固定化した有機分子膜と、該アミノ基に配位結合した金属原子又は金属イオンとを有することを特徴とする電気化学活性を有する有機薄膜。 （もっと読む）

【課題】同一電界効果トランジスタを利用して生分子を検出する方法を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタを利用した生分子検出方法において、電界効果トランジスタは、半導体基板、基板と異なる電導型にドーピングされたソース領域及びドレイン領域、ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル領域、チャネル領域上に配置され、生分子を検出する検出表面を有する絶縁層、絶縁層の検出表面から離隔されて配置された基準電極を備えることを特徴とし、生分子を含有する第１試料を、前記電界効果トランジスタの検出表面に提供し、前記電界効果トランジスタの第１電気信号の変化を測定するステップと、第２試料を同一の前記電界効果トランジスタの検出表面に提供し、前記電界効果トランジスタの第２電気信号の変化を測定するステップと、前記第１電気信号と前記第２電気信号とを比較するステップと、を含む生分子の検出方法である。 （もっと読む）

【課題】イオン物質検出用電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体材料で構成される基板２１と、前記基板内に互いに離隔されて形成され、基板と反対極性にドーピングされたソース領域２２及びドレイン領域２３と、ソース領域及びドレイン領域の間に配置されるチャネル領域２４と、チャネル領域上に配置され、電気的絶縁材料で構成される絶縁層２５と、絶縁層上部のエッジに配置される一次基準電極２６と、絶縁層から離隔されて配置される二次基準電極２７を備える。 （もっと読む）

【課題】生分子を固定せずに電界効果トランジスタを利用して生分子を検出する方法を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタは、半導体材料で構成された基板、基板内に相互に離隔されて形成され、基板と逆極性にドーピングされたソース領域及びドレイン領域、ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャンネル領域、チャンネル領域上に配置されるものであって、検出表面を有する絶縁層、及び絶縁層上に離隔されて配置された基準電極を備えており、第１ターゲット生分子を含有する第１試料を電界効果トランジスタの検出表面に提供するステップと、電界効果トランジスタの電気的信号の変化を測定するステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金層を備える電界効果トランジスタ、該電界効果トランジスタを備える微細流動装置、及び該電界効果トランジスタ及び微細流動装置を利用してチオール基を含む分析物を検出する方法を提供する。
【解決手段】半導体材料で構成された基板と、基板内に互いに離隔されて形成されて基板と異なる電導型にドーピングされたソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャンネル領域と、チャンネル領域上に配置され、電気的絶縁材料で構成された絶縁層と、絶縁層上に離隔されて配置されたゲート電極と、を備える電界効果トランジスタにおいて、絶縁層上に位置する金層をさらに備えることを特徴とするチオール基を持つ分析物を検出するための電界効果トランジスタ、その電界効果トランジスタを備える微細流動装置、及び電界効果トランジスタと微細流動装置とを利用してチオール基を含む分析物を検出する方法。 （もっと読む）

【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第１の絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記第１の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された第１の有機単分子膜を形成し、該第１の有機単分子膜に塩基数３〜３５の短鎖プローブＤＮＡを上記反応性官能基を介して、直接又は架橋分子を介して結合させてなる、プローブＤＮＡ／有機単分子膜／絶縁層／半導体構造を検出部として備える半導体ＤＮＡセンシングデバイス。
【効果】本発明の半導体ＤＮＡセンシングデバイスは、オンチップでの高感度マイクロマルチＤＮＡセンシングデバイスとして非常に効果的な半導体デバイスであり、これを用いた集積化デバイスは、一塩基多型等のミスマッチ配列のＤＮＡ解析を高精度に可能とするセンシング特性を有するものであり、高度な医療の提供・テーラーメード医療に有効である。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタ型のガスセンサにおいて、あらかじめトランジスタ構造を形成した後、検知対象のガスに対応した感応材料の電極を形成する際に、ゲート絶縁膜を損なうことなく、かつ、閾値ばらつきを抑制する製造方法を供給する。
【解決手段】ゲート絶縁膜を少なくともSiO₂とSRN（Si Rich Nitride）膜との積層構造とする。SRN膜が層間絶縁膜を加工してゲート絶縁膜を露出する場合の加工のストッパ膜となる。ゲート絶縁膜の耐圧はSiO₂で保持する。SRN膜はSi₃N₄膜に比べて低電圧で膜のチャージを除去することができるため、ガスセンサトランジスタの閾値ばらつきを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 ナノワイヤーＣＨＥＭＦＥＴセンサ機構を製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板３４を用意する工程と、上記シリコン基板上に多結晶ＺｎＯシード層４２を堆積する工程と、上記多結晶ＺｎＯシード層にパターンを形成し、エッチングする工程と、上記多結晶ＺｎＯシード層および上記シリコン基板上に絶縁層４６を堆積する工程と、上記絶縁層にパターンを形成およびエッチングし、ソース領域およびドレイン領域に対する接触孔を形成する工程と、上記接触孔を金属化し、上記ソース領域および上記ドレイン領域に対する接点５４，５６を形成する工程と、誘電層５８を堆積し、上記絶縁層および上記接点を封止する工程と、上記封止した層にパターンを形成およびエッチングし、多結晶ＺｎＯシード層を露出する工程と、上記露出したＺｎＯシード層上においてＺｎＯナノ構造６６を成長させ、ＺｎＯナノ構造体センサ装置を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 転写膜の汚染や分解・変質を生じないレーザ転写による薄膜形成方法を実現する。
【解決手段】 本発明のレーザ転写による薄膜形成方法では、レーザ光９を透過するガラス基板１上に、照射されるレーザ光９によりアブレーションされるアブレーション層（第１の有機膜）２、カーボンブラックを混入させてレーザ光９を遮蔽する効果を持たせた有機膜（第２の有機膜）３、及びグルコースオキシターゼを含む薄膜（酵素膜）からなる転写膜４が順次積層された転写基板５を用意する。この転写基板５の転写膜４と、被転写基板であるｐ型シリコン基板（回路基板）６を、回路基板６上に設けたスペーサ７を介して対向させる。その後、ガラス基板１側からアブレーション層２にレーザ光９を照射することで、転写膜４ａを回路基板６側に転写する。 （もっと読む）

【解決手段】 シリコン上にゲート絶縁層が形成された半導体センシング用電界効果型トランジスタであり、該ゲート絶縁層上に、直接的な検出部として有機単分子膜を形成して用いる半導体センシングデバイス用の電界効果型トランジスタであって、上記ゲート絶縁層が、第１のシリコン酸化物層上にシリコン窒化物層を介して第２のシリコン酸化物層が積層されてなる積層構造を具備する半導体センシング用電界効果型トランジスタ及びこれを用いた半導体センシングデバイス。
【効果】 ゲート絶縁層からのトランジスタ部分への水分やイオンの侵入を遮断することが可能であり、液中測定用として特に好適な、高い検出感度を示す半導体センシングデバイス及びこれを与える電界効果型トランジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高感度の検出を可能にするＥＦＴ式バイオセンサの提供。
【解決手段】本発明のバイオセンサは、半導体基板にソース領域、ドレイン領域およびゲート領域を備えるように構成された電界効果トランジスタ式センサであり、メソ細孔を有し且つ該メソ細孔の壁面に酸化スズの微結晶を含むように構成された多孔質体を該ゲート領域に備え、且つ、該多孔質体がＸ線回折分析において１ｎｍ以上の構造周期性に対応する角度領域に少なくとも一つの回折ピークを有する。 （もっと読む）