【課題】炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。
【解決手段】ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（８００〜９００℃）以下まで降温させる。これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドやヒューズ窓の形成に際して、ＭＩＳＦＥＴの特性の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上部に、ＭＩＳＦＥＴに接続された配線１５を形成するステップと、配線１５上にパッシベーション膜１６を形成するステップと、パッシベーション膜１６をエッチングし、配線１５の所定部分を露出する開口１８を形成するステップと、開口１８から露出した配線１５を含む半導体基板を、Ｈ_２ガス雰囲気中でアニールするステップと、を有する。配線１５は、順次に積層された、バリアメタル層１２、メタル層１３、及び、キャップメタル層１４を含む。 （もっと読む）

半導体デバイスを形成する方法が、半導体基板上に半導体層を形成することによって提供される。マスクが、半導体層上に形成される。半導体層上に複数のイオン注入領域を形成するために、第１の伝導型を有するイオンがマスクによって半導体層中へ注入される。マスクによってイオン注入領域上に金属層が形成される。複数のイオン注入領域に注入されたイオンをそれぞれ活性化し、かつ複数のイオン注入領域上にオーミックコンタクトを設けるために、複数のイオン注入領域および金属層が単一工程でアニールされる。関連するデバイスも提供される。
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【課題】チャネル領域の電位に対するゲート電極の制御性を向上させ、且つ電流駆動力が高くすることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１に形成された、特定の導電型の不純物を含む半導体領域３と、半導体領域中に相互に向かい合う様に形成され、金属または金属と半導体領域をなす半導体との化合物を含むソースおよびドレイン領域４ａ、４ｂと、ソースおよびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間の半導体領域を覆うとともにソースおよびドレイン領域のそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁膜５と、絶縁膜上に形成されたゲート電極６と、を有し、ソースおよびドレイン領域間の半導体領域の少なくとも一部の領域上に於ける絶縁膜とゲート電極との界面は、ソースおよびドレイン領域と半導体領域との接合部の上に於ける絶縁膜とゲート電極との界面よりも半導体領域側に存在する。 （もっと読む）

半導体素子を形成する方法が提供される。本方法によれば、基板（２０３）を、第１ゲート構造（２０５）及び第２ゲート構造（２０７）が基板の上に配設されるように設ける。第１ストレッサ層（２１５）を基板の上に形成し、そして犠牲層（２１６）を第１ストレッサ層の上に形成する。第２ストレッサ層（２１９）を犠牲層の上に形成する。
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【課題】絶縁膜を改質可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】照射装置に、絶縁膜に対して第１の波長の光を照射する第１照射手段と、前記絶縁膜に対して第２の波長の光を照射する第２照射手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域に印加される応力を強め、ドライブ電流を向上する。
【解決手段】シリコン基板１上にゲート電極１５、２５とサイドウォール１６、２６とを形成し、ゲート電極１５、２５の上面およびサイドウォール１６、２６の上面の一部を被覆するようにダミーゲートパターン６、７を形成し、その表面を被覆する応力制御絶縁膜８を形成する。応力制御絶縁膜８の応力がダミーゲートパターン６、７の上からかかることによって、ゲート電極１５、２５を高くした場合と同様に応力を強めることができる。 （もっと読む）

【課題】応力制御膜に生ずる複数の歪によって異なる複数種のトランジスタのチャネル移動度を向上させる。
【解決手段】シリコン基板２１上にｎ型ＦＥＴ素子領域３０aとｐ型ＦＥＴ素子領域３０bとを形成し、ゲート電極２５a,２５bおよびソース・ドレイン領域２８a,２８bを内包すると共に、ｐ型ＦＥＴ素子領域３０bに対して最適化された真性応力を有する応力制御膜３１を形成し、ｎ型ＦＥＴ素子領域３０a上の応力制御膜３１に対して化学反応処理を施すことによって、ｎ型ＦＥＴ素子領域３０a上に他とは異なる真性応力を有する応力制御膜３１aにす。こうして、互いに異なる応力を両ＦＥＴ素子領域３０a,３０bに作用させてチャネル領域の電子移動度を向上させ、ドレイン電流を向上させる。 （もっと読む）

【課題】コレクタ・エミッタ電流特性を向上させ、下降時間を短縮し、さらに寄生サイリスタのラッチアップ耐量を向上させた半導体装置を提供する。
【課題手段】複数の単位半導体素子からなる横型の半導体装置であって、それぞれの単位半導体素子が、第１導電型の半導体基板と、半導体基板に設けられた第２導電型の半導体領域と、半導体領域中に設けられた第１導電型のコレクタ層と、半導体領域中に、コレクタ層から間隔を隔ててコレクタ層を囲むように設けられた環状の第１導電型のベース層と、ベース層中に設けられ、環状に配置された第２導電型の第１エミッタ層とを含み、第１エミッタ層とコレクタ層との間のキャリアの移動を、ベース層に形成されるチャネル領域で制御するＩＧＢＴからなり、単位半導体素子同士が隣接して設けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、オン抵抗（Ｒ_ＯＮ）が低く、オフ耐圧の高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】ソース電極−ゲート電極間に形成される絶縁膜にしきい値電圧を低くするような歪み特性を持たせ、ドレイン電極−ゲート電極間に形成される絶縁膜７にきい値電圧を高くするような歪み特性を持たせることで、素子のオン抵抗（Ｒ_ＯＮ）を小さく、耐圧を高く保つ。 （もっと読む）

【課題】ひずみＳｉ技術を用いたｐチャネル型電界効果トランジスタの浅い接合のソース・ドレインを形成する。
【解決手段】ｐＭＩＳ１ｐのソース・ドレインを主として構成するｐ型拡散領域５ｃをｐ型不純物が導入されたｐ^＋−ＳｉＧｅ／ｐ−ＳｉＧｅ：Ｃ／ｐ⁻−ＳｉＧｅにより形成し、ｐ^＋−ＳｉＧｅに相対的に高濃度のｐ型不純物を導入し、ｐ⁻−ＳｉＧｅに相対的に低濃度のｐ型不純物を導入する。ｐ^＋−ＳｉＧｅにはコンタクト抵抗を低減するために相対的に高濃度のｐ型不純物を導入する必要があるが、ｐ−ＳｉＧｅ：Ｃによりその拡散が抑えられてｐ型拡散領域５ｃの深さを浅く維持する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成した不純物拡散層または多結晶Siの抵抗率を低減する。STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板上に形成した不純物拡散層または多結晶Si上にNiとの反応生成物を形成する際に、反応時のSi中でのNiの拡散係数を考慮して反応領域を規定し、素子領域11を含む一辺１μｍの正方形を単位として着目する範囲10内で素子領域11のパターン面積およびダミー素子領域13のパターン面積の合計が占有する率が25％以上になるように形成する。 （もっと読む）

【課題】シリンドリカルレンズアレイを用いて線状ビームを形成する際に、原ビームの光軸ずれを防止することでシリンドリカルレンズアレイにおける原ビームの入射位置のずれを防止し、安定的に均一強度分布の線状ビームを形成すること。
【解決手段】レーザ発振器から射出されるレーザビームを偏向する偏向ミラーと、転送レンズと、転送レンズを通過したレーザビームを複数に分割するシリンドリカルレンズアレイと、シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを重ね合わせる集光レンズとを備え、レーザ発振器の射出口から偏向ミラーまでの距離をａ、偏向ミラーから前記転送レンズまでの距離をｂ、転送レンズからシリンドリカルレンズアレイの入射面までの距離をｃ、転送レンズの焦点距離をｆとした場合、これらが次式、
１／ｆ＝１／（ａ＋ｂ）＋１／ｃ
を満たすように配置する。 （もっと読む）

【課題】動作特性が向上した半導体装置の製造方法及びそれによって製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上にNMOSトランジスタを形成し、NMOSトランジスタ上に第1層間絶縁膜を形成し、第1層間絶縁膜を脱水素化することを含む半導体装置の製造方法。脱水素化することは、第1層間絶縁膜のストレスを変化させうる。特に、第1層間絶縁膜は脱水素化の後、200MPa以上の引張ストレスを有しうる。脱水素化された層間絶縁膜を含む半導体装置も提供される。 （もっと読む）

トランジスタ（２００）が半導体基板（２０２）上に作製され、ここで基板の降伏強さ又は弾性が向上され、又は他の方法で適合される。歪み誘起層（２３６）がトランジスタを覆って形成され、これに歪みを加えてトランジスタの動作特性を変更し、より詳細にはトランジスタ内のキャリアの移動度を向上させる。キャリア移動度を向上させることにより、トランジスタの大きさを低減させることが可能となると同時に、トランジスタを所望通りに動作させることが可能となる。しかしながら、トランジスタの作製に伴う高い歪み及び温度は、有害な塑性変形をもたらす結果となる。従って、窒素を基板に、より詳細にはトランジスタのソース／ドレイン延長領域（２２０，２２２）及び／又はソース／ドレイン領域（２２８，２３０）に導入することによって、シリコン基板の降伏強さが適合される。窒素は、ソース／ドレイン延長領域形成及び／又はソース／ドレイン領域形成の一部として窒素を付加することにより、トランジスタ作製中に容易に導入することができる。基板の降伏強さが向上すると、歪み誘起層に起因するトランジスタの塑性変形が軽減される。 （もっと読む）

電子デバイス(10)が、第1の伝導タイプのトランジスタ構造(50)と、フィールドアイソレーション領域(22)と、フィールドアイソレーション領域の上に横たわる第1の応力タイプの(130)とを有する。例えば、トランジスタ構造(50)がｐチャネルトランジスタ構造(50)であってよく、第1の応力タイプが引っ張りであってよく、または、トランジスタ構造(60)がｎチャネルトランジスタ構造であってよく、第1の応力タイプ(70)が圧縮であってよい。トランジスタ構造(50)は、活性化領域内に横たわるチャネル領域(54)を含む。活性化領域の端は、チャネル領域(54)とフィールドアイソレーション領域(22)との間の界面を有する。頂部から見ると、層は、活性化領域の端の近くに横たわる端を含む。端の間の位置関係は、トランジスタ構造(50)のチャネル領域(54)内のキャリア移動度に影響する。
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【課題】 ＭＯＳＦＥＴのオン電流の大きな半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板１を含む。素子領域を区画するトレンチ２が半導体基板の表面に形成される。ＭＯＳＦＥＴは、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２１と、を含む。応力膜３１は、ゲート電極上とソース／ドレイン拡散層上およびトレンチ内に連続して形成され、半導体基板に引っ張り応力または圧縮応力を与える。絶縁膜４１はトレンチを応力膜を介して埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの耐圧のバラツキや低下を抑制する。
【解決手段】 ロジックトランジスタ１０と高耐圧トランジスタ２０が混載された半導体装置１において、高耐圧トランジスタ２０のゲート電極２２両側のＳｉ基板２内に形成された低濃度ドレイン領域２４ｂ上に、外周部が厚く形成された開口領域２８を有する絶縁膜を形成する。この開口領域２８の外周部は、ゲート絶縁膜２１とサイドウォール絶縁膜２７の積層構造で構成される。開口領域２８の低濃度ドレイン領域２４ｂにイオン注入を行って高濃度ドレイン領域２５ｂを形成する際には、その外周部において不純物の通過が抑制され、その形成位置が開口領域２８から変動することがなくなり、高濃度ドレイン領域２５ｂを低濃度ドレイン領域２４ｂに対しセルフアラインで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度が向上した集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】<100>結晶オリエンテーションに平行に基板上にNMOS及びPMOSトランジスターのためのアクティブチャンネル領域を選択的に形成し、炭素不純物を含むNMOSトランジスターのソース/ドレーン領域を選択的に形成する集積回路の製造方法。 （もっと読む）