Fターム[5F140CF07]の内容
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | 同時工程 (1,387) | SD拡散領域とゲート電極への拡散・注入 (182)
Fターム[5F140CF07]に分類される特許
181 - 182 / 182
シリサイドをソース/ドレインに用いた半導体素子
半導体素子において、非常に深い位置に達するゲルマニウムイオン注入及びゲルマニウムの活性化をニッケルシリサイド形成用のニッケルの堆積の前に行なう。ゲルマニウムを活性化させることにより、イオン注入領域の格子定数が、シリコンであることが好ましい母体基板の格子定数よりも大きくなる。このような変化が加えられた格子によって、ニッケルダイシリサイドの形成を防止することができるという効果が得られる。その結果、ニッケルシリサイドスパイクを防止することができる。
(もっと読む)
窒化シリコン酸化物ゲート誘電体を製造する方法
【課題】 ウェハ内における相対的に均一な厚さ及び窒素濃度を有するSiOxNy層を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 基板を準備するステップと、該基板の上面に二酸化シリコン層を形成するステップと、還元雰囲気内でプラズマ窒化を実行し、該二酸化シリコン層を酸窒化シリコン層に変換するステップとを含む、ゲート誘電体層を製造する方法である。このように形成された誘電体層を、MOSFETの製造において用いることができる。
(もっと読む)
181 - 182 / 182
[ Back to top ]