【課題】基板の初期伸縮状態が個体毎に異なる要因、およびレーザー光照射で基板が熱膨張する要因による、レーザー光の照射位置の位置ずれを抑制する。
【解決手段】結晶化装置は、レーザー光を照射する照明光学系と、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子と、変調光を基板上に結像させる結像光学系と、基板を支持すると共に基板上の二次元位置を定める基板ステージとを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる。各基板が共通に備える熱膨張による位置ずれ量と各基板に固有の初期伸縮量とを用いて照射位置の座標値を補正する補正手段と、補正手段の補正座標値を用いて、基板ステージ上の照射位置を補正制御する制御手段とを備える。初期伸縮量に基づいてレーザー光の照射位置を位置補正して基板が固有に備える位置ずれを解消し、熱膨張を予測して照射位置毎に位置補正することで熱膨張による位置ずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】第１領域と第２領域に違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層が形成された表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴの作製に適用した場合に、ＴＦＴの移動度の向上およびＴＦＴ間の移動度の均一化を実現することのできる結晶化装置。
【解決手段】 光を位相変調する光変調素子（１）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて、長辺同士が隣接する短冊状の繰返し領域に所定の光強度分布を形成する結像光学系（３）と、非単結晶半導体膜を保持するステージ（５）とを備え、非単結晶半導体膜に所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する。所定の光強度分布は、短冊状の繰返し領域の短辺方向の中心線に沿って下に凸で且つ短冊状の繰返し領域の長辺方向の中心線に沿って下に凸の分布を有する。短冊状の繰返し領域の中心から長辺方向の外側に向けて凸状に湾曲した等強度線を有し、該凸状に湾曲した等強度線のうち少なくとも１本の先端部の曲率半径は０．３μｍ以下である。短冊状の繰返し領域の短辺方向のピッチは２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、チャネル部分に発生したホットキャリアを吸収する領域がなく、キンク特性が発生するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む不純物がドーピングされた第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行い、面方位が（１１１）に揃えられた第２シリコン層２０７を形成する。そして不純物がドーピングされた第１シリコン層２０４からホットキャリアを引き抜くことで、キンクの発生が抑えられ、且つ電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】微結晶半導体膜下部に微結晶を形成可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、（ａ）ガラス基板１０上にゲート電極２０を形成する工程と、（ｂ）ガラス基板１０上およびゲート電極２０上にゲート絶縁膜３０を形成する工程と、（ｃ）ゲート絶縁膜３０上に非晶質シリコン膜４０を成膜する工程とを備える。そして、（ｄ）非晶質シリコン膜４０にパルスレーザ光５０を照射し、当該非晶質シリコン膜４０を結晶化した微結晶シリコン膜４１を形成する工程と、（ｅ）ゲート電極２０上側の微結晶半導体膜４１以外の微結晶半導体膜４１を除去する工程とを備える。そして、（ｆ）工程（ｅ）の後、ゲート電極２０上側の微結晶半導体膜４１と電気的に接続するソース電極７１，ドレイン電極７２を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、多結晶領域を形成する単結晶群の大きさは０．５μｍ程度であり、トランジスタを形成した場合複数の結晶粒界がチャネルに配置されてしまい、同様に電気的特性が低下するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行う。これにより、面方位が（１１１）に揃えられ、且つ１０μｍ程度の大粒径単結晶が得られる。この結晶上にトランジスタを形成することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスターに使用される薄膜材料のアモルファスシリコンを良質に結晶化する。
【解決手段】ガラス基板２０１上に下層絶縁材層（下層酸化シリコン層２０３）を介してアモルファスシリコン層２０４が形成され、アモルファス材層の上層に上層酸化シリコン層２０４が形成された薄膜材料２００に、上層酸化シリコン層２０４上から８〜１０μｍの波長のレーザ光（集光ビーム１０８）を照射して上層酸化シリコン層２０４を選択的に加熱して前記アモルファスシリコン層２０４を結晶化させるので、結晶シリコンを均質な微細粒にでき、結晶粒界の数のばらつきに伴うトランジスター特性のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】プロファイルを均一化するレーザアニール装置の提供。
【解決手段】複数の半導体レーザ素子１０から照射された複数のレーザ光を一端から入射し、他端より出射する光導波路１１と、該光導波路１１から出射されたレーザ光を細長形状に集光したビームスポット２２を生成する光学系と、前記ビームスポット２２を受光してビームスポットの細長方向の光強度値の分布をプロファイルとして検出するビームプロファイル検出部１６とを備え、半導体レーザ素子１０を全て発光したときの光強度値の分布を取得し、光強度が偏差を超える位置座標Ｘ_ａの半導体レーザ素子１０のみを発光したときの光強度が特定座標において偏差以上か以下かを判定し、この判定結果に従って特定位置の半導体レーザ素子の出力を増加又は低減するように制御することにより、ビームスポットの光強度分布を均一化するもの。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、半導体膜の側面に接して設けられた第１の絶縁膜と、半導体膜及び第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第３の絶縁膜と、第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に設けられ、半導体膜の一部及び前記第１の絶縁膜の一部を露出させる開口と、開口を介して半導体膜に電気的に接続する配線又は電極と、を有し、第１の絶縁膜は、半導体膜の側面に接する部分が一部エッチングされ窪んでおり、配線又は電極は、第１の絶縁膜の窪んだ部分に入り込んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非耐熱性基板に悪影響を及ぼすことなしに、レーザー耐性を有する非晶質シリコン膜を形成するための脱水素化処理を提供すること。
【解決手段】非耐熱性の基板上に水素化非晶質シリコン膜を形成する工程、および、前記水素化非晶質シリコン膜に大気圧熱プラズマトーチを１ミリ秒以上５００ミリ秒以下の時間照射して、前記基板の表面を１０００℃以上２０００℃以下に加熱することにより、前記水素化非晶質シリコン膜から結合水素を除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶化アニール工程の短縮化を図りながらも、オン電流が均一な薄膜トランジスタを得ることが可能で、これにより薄膜トランジスタに接続された発光素子の輝度ムラが防止された表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の各画素ａに形成される薄膜トランジスタＴｒ２のソースＳ／ドレインＤのレイアウトが、第１画素列Ａ１と第２画素列Ａ２とで画素ａの配列方向に反転するように、基板１上にゲート電極１４ｂを形成する。これを覆う状態で基板１上にゲート絶縁膜３１および非晶質の半導体薄膜３２をこの順に成膜する。画素列方向においてドレインＤ側からソースＳ側に向かう走査方向ｖ（−ｖ）となるようにレーザ光Ｌｈを走査させながら、ゲート電極１４ｂ上方における半導体薄膜３２に対してレーザ光Ｌｈを照射して半導体薄膜３２を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体層の電気的あるいは物理的特性の変化を生じることなく半導体層をアニールすることができ、製造効率の向上および大型の製品を製造可能なレーザーアニール方法、およびこの方法により製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体層上に窒素含有層を形成し（２００）、この窒素含有層は少なくとも３×１０²⁰原子／ｃｃの窒素濃度を有し、低酸素雰囲気で、前記窒素含有層の第１領域にレーザービームを照射し（２０２）、低酸素雰囲気で、一部が前記第１領域の一部と重なる前記窒素含有層の第２領域にレーザービームを照射する（２０４）。 （もっと読む）

【課題】平均粒径の異なる２つの領域を有する移動度に優れた結晶性半導体膜を備えた半導体基板の製造方法、半導体基板及び表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性の表面を有する基板上に結晶性半導体膜を備えた半導体基板の製造方法であって、上記製造方法は、絶縁性の表面を有する基板上に非晶質半導体膜を成膜する工程と、非晶質半導体膜の一部を結晶化し、第一結晶性半導体膜を形成する第一結晶化工程と、非晶質半導体膜の残部を溶融固化し、第一結晶性半導体膜よりも平均粒径の小さい第二結晶性半導体膜を形成する第二結晶化工程と、第一結晶性半導体膜の平均粒径が第二結晶性半導体膜の平均粒径よりも大きい状態を維持しながら第一結晶性半導体膜及び第二結晶性半導体膜を溶融固化する第三結晶化工程とを含む半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザ装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に半導体膜を形成し、半導体膜に希ガスを添加し、希ガス雰囲気中で希ガスが添加された半導体膜にレーザ光を照射し、レーザ光の照射の際に半導体膜に磁場を印加し、半導体膜は数μｓ以上数十μｓ以下の間溶融している半導体装置の作製方法を提供する。なお、レーザ光は基本波と高調波を合わせることで効率よく半導体膜を結晶化できる。 （もっと読む）

【課題】温度係数とそのシート抵抗値とを独立に調整することができる抵抗素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その表面から膜厚の途中までの領域に不活性元素をイオン注入することにより、該領域をアモルファス半導体膜３Ａに変化させる。次に、アモルファス半導体膜３Ａの中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜３Ａを多結晶化することにより、第２の多結晶半導体膜４を形成する。これにより、第２の多結晶半導体膜４の平均的なグレインサイズは、第１の多結晶半導体膜３の平均的なグレインサイズよりも大きくなる。 （もっと読む）

【課題】温度係数とそのシート抵抗値とを独立に調整することができる抵抗素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その上層にアモルファス半導体膜４を形成する。アモルファス半導体膜４の中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜４を多結晶化して、第２の多結晶半導体膜５を形成する。これにより、第２の多結晶半導体膜５の平均的なグレインサイズは、第１の多結晶半導体膜３の平均的なグレインサイズよりも大きくなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスタ構造に比べて素子内で占める面積が減少した薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備した有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板と；基板上に位置し、チャネル領域、ソース／ドレイン領域及びボディーコンタクト領域を含む半導体層と；半導体層上に位置し、ボディーコンタクト領域を露出させるゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に位置し、ゲート絶縁膜により露出されたボディーコンタクト領域と接するゲート電極と；ゲート電極上に位置する層間絶縁膜；及び層間絶縁膜上に位置し、ソース／ドレイン領域と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を含み、ボディーコンタクト領域は半導体層のエッジ領域内に形成されたことを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む有機電界発光表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
レーザ光を用い、効率よく適度なエネルギーを結晶粒界に与えることにより、基板部分や既に結晶になった部分に影響を与えることなく、多結晶シリコンの結晶粒界を改質する。
【解決手段】
多結晶シリコンにパルスレーザ光を照射して結晶粒界の改質を行う多結晶シリコン結晶粒界改質方法であって、パルスレーザ光は波長４００ｎｍ以上の可視光であり、パルスレーザ光の照射強度は、多結晶シリコンの結晶粒中心が溶融しないエネルギー密度である。好ましくは、パルスレーザ光の照射強度は、多結晶シリコンの結晶粒界近傍が部分溶解するエネルギー密度である。 （もっと読む）

【課題】 一枚のＴＦＴ基板にアモルファス半導体の能動層を有するＴＦＴ素子と、多結晶半導体の能動層を有するＴＦＴ素子とが形成された液晶表示装置における、多結晶半導体の能動層を有するＴＦＴ素子の動作特性の低下を防ぐ。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、アモルファス半導体の能動層を有する複数個の第１のＴＦＴ素子と、多結晶半導体の能動層を有する複数個の第２のＴＦＴ素子とが配置されているＴＦＴ基板を有する表示装置であって、前記第１のＴＦＴ素子および前記第２のＴＦＴ素子は、それぞれ、前記絶縁基板の表面上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、および前記能動層がこの順番で積層された構造であり、かつ、前記能動層の上に、コンタクト層を介して前記能動層に接続するソース電極およびドレイン電極を有し、前記第２のＴＦＴ素子の前記能動層は、前記コンタクト層が積層している位置における膜厚が６０ｎｍよりも厚い表示装置。 （もっと読む）