【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。この際、予め形成された基準マーク６を用いて、結晶化領域５１内および未結晶化領域５０内におけるコントラスト算出用領域６０，６１を特定し、これらのコントラスト算出用領域６０，６１を用いて透過コントラストを求める。そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第１の材料層と酸化物層からなる第２の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを用いずに製造可能で、所望の形状に直接描画できるパターン化結晶質半導体薄膜を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを主成分とする非晶質薄膜を成膜し、前記非晶質薄膜の一部を結晶化することにより半導体化し、前記一部が結晶化した薄膜の非晶質部分をエッチングによって除去することにより得られるパターン化結晶質半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】熱プラズマジェットを用いて粒径の異なる結晶シリコンを製造する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】圧電素子２によって噴出口１８と基板６０との距離が１ｍｍに設定されると、プラズマ源１０は、熱プラズマジェットを発生し、直径が３００μｍφである噴出口１８から熱プラズマジェットＴＰＪをａ−Ｓｉ：Ｈ膜６１に照射する。これによって、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜６１の一部が溶融結晶化する。その後、圧電素子２によって噴出口１８と基板６０との距離が５ｍｍに設定されると、プラズマ源１０は、熱プラズマジェットを発生し、噴出口１８から熱プラズマジェットＴＰＪをａ−Ｓｉ：Ｈ膜６１に照射する。これによって、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜６１の一部が固相結晶化する。 （もっと読む）

【課題】製造工数を増やすことなく、大粒径の多結晶シリコン膜を有する半導体装置を製造可能な製造装置、および、製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置１００は、反応室１と、ヒータ２と、圧力計３と、複数のガス導入管４ａ〜４ｇと、ＭＦＣ５ａ〜５ｇと、ニッケル導入部６と、バルブ７ａ，７ｂと、ＩＣＰ−ＭＳ８と、ガス排出管９と、ＡＰＣ１０と、ポンプ１１ａ，１１ｂと、を備えている。製造装置１００にニッケル導入部６を設けるため、製造工数を抑えて製造装置１００内で大粒径の多結晶シリコン膜３４の形成を行うことができ、製造コストを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アニール処理後の結晶化の状態について、非接触で精度よく、しかも効率的に、評価を行えるようにする。
【解決手段】アニール処理後の半導体層を有する多層構造体２１０を搭載するステージ２０１と、前記半導体層に対して光を照射する光源２０２と、前記光源２０２による光の照射によって得られるラマン散乱光を受光する受光部２０５と、前記受光部２０５が受光した前記ラマン散乱光を用いて前記半導体層の結晶化度を検査する検査部２０７とを備えた半導体検査装置２００において、前記検査部２０７は、前記ラマン散乱光のラマンスペクトルによって特定される領域を波数についての所定閾値で領域分割する領域分割部と、前記領域分割をする前の領域全体と前記領域分割をした後の前記所定閾値を超える領域部分との面積比を算出し、その算出結果を前記半導体層の結晶化度とする結晶化度算出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造工数の増大をもたらすことなく、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と容量素子の誘電体膜を異なる層における絶縁膜を用いることによって、それらの特性に応じた膜厚に設定できる表示装置の提供。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタと容量素子が形成されている表示装置にであって、前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極の形成領域を被って形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、平面的に観て、前記ゲート電極の形成領域内に開口を備える第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に前記開口を横切って形成され、両端に高濃度領域を備える島状の多結晶化された半導体層と、
前記半導体層の上面に前記半導体層の両端の高濃度領域のそれぞれの一部を露出させて形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜から露出された前記半導体層の両端の高濃度領域のそれぞれに電気的接続がなされて形成された一対の電極と、を備えて構成され、
前記容量素子は、その誘電体膜が前記第３の絶縁膜と同層で同材料の絶縁膜によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】微小スポットに絞り込んだレーザ光を走査することによってアニールを行うにあたり、タクトタイムを短縮することを目的とする。またさらには、タクトタイムの短縮を安価で容易な装置構成で実現することを目的とする。
【解決手段】光源１と、光源から出射する光を走査する走査部８と、光源１から出射された光を走査部８へ導く第１の光学系７と、走査部８により走査された光を複数の光路に分割する光束分割素子１９とを含む。そしてさらに、走査部８により走査された光を光束分割素子１９に導く第２の光学系１０と、複数に分割された光をそれぞれ被照射面４５に集光する対物レンズ４２と、複数に分割された光を対物レンズ４２に導く第３の光学系４０と、を含む光照射装置とする。 （もっと読む）

【課題】均一性の極めて高いアニール処理結果を実現しつつ、その場合であっても生産性が損なわれてしまうことなく高スループット化を実現できるようにする。
【解決手段】基板上に少なくとも非晶質シリコン膜１４と光吸収層１６とが積層されてなる多層構造体に対して、前記光吸収層１６の側から光を照射して当該光による局所加熱を行い、前記非晶質シリコン膜１４を微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜に改質するアニール処理工程を備え、前記アニール処理工程では、前記局所加熱にあたり同一走査ライン上に複数の光ビームを配置するとともに、前記光吸収層１６の熱伝導率をｋ、密度をρ、比熱をｃ、走査すべきライン長／走査速度をｔｐとした場合に、前記複数の光ビームを少なくとも間隔Ｌ＝２×｛ｋ・ｔｐ／（ρ・ｃ）｝^1/2だけ隔てて配置する。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザーにより、α−Ｓｉ層に加えられた熱は、絶縁層を介して金属遮光層へ伝わり、冷却されることで再結晶化される。この場合、金属層のパターン形状により、α−Ｓｉ層の冷却速度は影響を受ける。そのため、多結晶シリコン層の特性は金属層のパターン形状の影響によりばらつくという課題がある。
【解決手段】形状および間隔を揃えた矩形の金属遮光層１０５の、長手方向に向けてエキシマレーザーを走査し、α−Ｓｉ層を多結晶シリコン層１１５に改質する。長手方向に向けてエキシマレーザーを走査することから、金属遮光層１０５が連続した状態でレーザーアニールが進む。そのため、金属遮光層１０５上での多結晶シリコン層１１５は均質性が高くなる。そのため、金属遮光層１０５上に形成されるＴＦＴ１０１の電気的特性が均質化し、液晶装置１００の表示均一性を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従
来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省ス
ペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下
の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを
特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり
、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素
子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】塗布法を適用したより簡便な方法で導電性の高いコンタクト層とイントリンシックなシリコン層とを積層させた構成のシリコン薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】鎖状の高次シラン化合物Ｂと、金属Ｍを含有する化合物と、高次シラン化合物Ｂよりも沸点が低く金属Ｍと相互作用する化合物からなる溶媒Ｃとを混合した塗布液を調整する。塗布液を用いて基板１上に塗布膜３を形成する。塗布膜３中から溶媒Ｃを除去して乾燥させる。この際塗布膜３を加熱する。これにより、表面側において金属Ｍの含有量が多いシリコン薄膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板の製造コストの低減を図る。
【解決手段】基板１０に設けられたゲート電極１１と、ゲート電極１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１に重なるように設けられた半導体層１５ａと、半導体層１３ａ上にゲート電極１１に重なると共に互いに離間するように設けられたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとをそれぞれ備えた複数のＴＦＴ５ａが設けられたＴＦＴ基板２０ａであって、半導体層１５ａは、ゲート絶縁膜１２側に設けられたシリコン系の第１半導体層１３と、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂ側に設けられた酸化物半導体系の第２半導体層１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から金属元素を取り除く従来のゲッタリング工程と異なる方法により半導体膜中から金属元素を除去する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】金属元素を用いて結晶化された半導体膜に対して、パルスレーザを照射することにより、半導体膜にリッジが形成される。このリッジを除去することで、金属元素を除去する。リッジを除去したため半導体膜表面が荒れている場合、不活性雰囲気下で半導体膜にレーザを照射し半導体膜表面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】ドーピング処理の条件の厳密な管理および新たな製造工程を追加することなく、良好なＶｇ−Ｉｄ特性を有する薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】基板２５上に形成された薄膜トランジスタにおいて、島状の半導体層２１は、略平坦な上面を有する中央部２１ａと、基板２５に対して０度より大きく、且つ９０度以下の傾斜角を有する端部２１ｂとを有し、島状の半導体層２１の中央部２１ａに含まれる半導体は、端部２１ｂに含まれる半導体よりも結晶粒径が大きい、或いは島状の半導体層２１の中央部２１ａは多結晶半導体を含み、且つ端部２１ｂは非晶質半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】段差部において膜厚の急激な変動が抑制された半導体膜を含む半導体基板、およびその製造方法、並びに、その半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板１は、下地基板１０と、下地基板１０上の一部に形成されている金属膜２０と、金属膜２０を覆うようにして下地基板１０上に形成されている絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成され、かつ結晶化された半導体膜４０とを備えている。絶縁膜３０は、金属膜２０の端部において段差部を有し、当該段差部の下地基板１０に対して垂直な断面形状が、外に膨らむ「Ｒ」形状を呈している。上記段差面は、その上端部から下端部に向かって、テーパー角度ψが略０°から徐々に大きくなって、略４０°〜９０°であるテーパー角度θになるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストおよび製造時間の低減を図りつつ、高性能な薄膜トランジスタを備えた配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１上の表示画素部ＤＳＰに配置され、非晶質の第１半導体層ＳＣ１Ａと、第１半導層ＳＣ１Ａの上に積層された微結晶または多結晶の第２半導体層ＳＣ１Ｂとを有する第１薄膜トランジスタＴＦＴ１と、絶縁基板１０１上の駆動回路部ＤＣＴに配置され、第２半導体層ＳＣ１Ｂより電子移動度が高い多結晶の第３半導体層ＳＣ２を有する第２薄膜トランジスタＴＦＴ２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、結晶粒の平均粒径が互いに異なり、各々優れたキャリア移動度を有する２種類の結晶質半導体膜を形成し、それら２種類の結晶質半導体膜を用いて異なる電気特性が要求される各半導体素子に所望の電気特性を得る。
【解決手段】基板１１上に非晶質半導体膜２４を成膜する非晶質膜成膜工程と、非晶質半導体膜２４の一部を溶融固化して結晶化することで第１結晶質半導体膜２４Ａを形成する第１結晶化工程と、残部の非晶質半導体膜２４を固相成長させることで第１結晶質半導体膜２４Ａよりも結晶粒の平均粒径が大きい第２結晶質半導体膜２４Ｂを形成する第２結晶化工程と、第１結晶質半導体膜２４Ａの結晶粒の平均粒径が第２結晶質半導体膜２４Ｂの結晶粒の平均粒径よりも小さい状態を維持しながら第１及び第２結晶質半導体膜２４Ｂを溶融固化することで再結晶化する再結晶化工程とを含む。 （もっと読む）

多結晶シリコン薄膜の製造方法は、絶縁基板の上に金属層を形成する金属層形成段階と、前記金属層形成段階で形成された金属層の上にシリコン層を積層する第１シリコン層形成段階と、触媒金属原子が金属層から前記シリコン層に移動してシリサイド層を形成するように熱処理を行う第１熱処理段階と、前記シリサイド層の上に非晶質シリコン層を積層させる第２シリコン層形成段階と、前記シリサイド層の粒子を媒介として、非晶質シリコン層から結晶質シリコンが生成されるように熱処理を行う結晶化段階と、を含む。
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