【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させると共に、電気的特性を改善することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。多結晶シリコン膜３０は、溶融した半導体の表面に高い密度で形成された種結晶からガラス基板１１側に向かって固化することにより形成される。これにより、多結晶シリコン膜３０の表面付近には、微結晶シリコン領域を多く含む不完全結晶層３２が形成される。そこで、不完全結晶層３２をエッチングにより除去して、多結晶シリコン膜３３を形成し、多結晶シリコン膜３３を活性層とするＴＦＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒成長の大きさ、方向性を均一化し、特性のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、絶縁表面を有する基板上に、非晶質のＳｉ膜を形成し、Ｓｉ膜の第１の領域及び第２の領域に、第１導電型の第１の不純物を注入し、第１のレーザー光を、第１の方向に走査してＳｉ膜上に照射することにより、Ｓｉ膜を溶融固化させて結晶化するとともに、第１の不純物を活性化し、第２の領域をマスクし、第１の領域に、第１の不純物より軽元素である第２導電型の第２の不純物を、第1の不純物より高濃度となるように注入し、第２の不純物を活性化する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンのアニーリングに高調波のＹＡＧレーザ光を使用した場合においても、安定して大きな結晶粒径のポリシリコンが得られるＹＡＧレーザアニーリング装置及びＹＡＧレーザ光によるアニーリング方法を提供する。
【解決手段】ＹＡＧレーザアニーリング装置１は、レーザ光源２からＰ偏光又はＳ偏光のＹＡＧレーザ光を出射する。レーザ光の光路上には、偏光ビームスプリッタ３と、λ／４板４と、部分透過ミラー５と、レーザ光の位相を遅らせる位相遅延部６とがこの順に配置されている。そして、レーザ光源２から出射した１パルスのレーザ光を部分透過ミラー５及び位相遅延部６により複数個のパルスに分割して、アニーリング用のレーザ光として順次取り出し、レーザ光の照射時間を延長するとともに、アモルファスシリコンを徐々に冷却し、結晶粒径を拡大する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の成長方向を多結晶化すべき位置に応じて任意に調整することができ、その位置において、結晶粒の成長方向が一定の方向に揃った低温ポリシリコン膜を得る。
【解決手段】マスク３には、一方向に延びるレーザ光の遮光領域３１と透過領域３２とが、前記一方向に垂直の方向に隣接するように設けられている。このマスク３を介してマイクロレンズ５によりレーザ光をチャネル領域形成予定領域７に照射する。透過領域３２を透過したレーザ光が、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜に照射されてこの部分をアニールして多結晶化する。次に、マスク３を取り外して、予定領域７の全体にレーザ光を照射すると、既に多結晶化している領域は融点が上昇していて溶融せず、アモルファスのままの領域が溶融凝固して多結晶化する。 （もっと読む）

【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】１実施形態に係る設計ライブラリデータベースは、２次元的に区画して各々薄膜トランジスタのチャネル領域のサイズを超える複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタ回路の設計ライブラリデータベースであって、各々のチャネル領域が単一の前記結晶粒規定領域内の固定位置に配置される２個以上の薄膜トランジスタおよび前記２個以上の薄膜トランジスタを相互接続する配線を含む様々な論理ゲート回路をそれぞれ表す複数のスタンダードセル、並びに前記様々な論理ゲート回路の様々な組み合わせをそれぞれ表す複数のマクロセルの少なくとも一方のセルのライブラリ、および前記複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化アレイパターンのスタンダードセルのライブラリを含みハードディスクに登録される。 （もっと読む）

【課題】低温での固相エピタキシャル成長法を用いて、結晶性の高いシリコン層を厚く形成した半導体基板を提供することを課題の一とする。その際、従来の気相エピタキシャル成長法と比べ、結晶成長速度を大きくすることを課題の一とする。
【解決手段】絶縁層を介してベース基板に設けられた単結晶シリコン層上に、堆積初期の一部で、単結晶シリコン層と結晶面の配列の揃った針状シリコン層が気相エピタキシャル成長するようにシリコン層を形成し、針状シリコン層を種結晶として、シリコン層の他部を固相エピタキシャル成長させて、単結晶及び前記結晶シリコン層の厚さが厚い半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン抵抗の特性バラツキを抑制する。
【解決手段】結晶粒を有する多結晶シリコン膜（２）と、多結晶シリコン膜（２）の上に設けられ、多結晶シリコン膜（２）の第１端部から第１距離（ｄ１）の位置に配置された第１接続領域（３）と、多結晶シリコン膜（２）の上に設けられ、第１端部と異なる第２端部から第２距離（ｄ２）の位置に設けられた第２接続領域（３）とを具備する多結晶シリコン抵抗（１）を構成する。その多結晶シリコン抵抗（１）おいて、多結晶シリコン膜（２）は、第１端部と第１接続領域（３）との間の第１部分（６）と、第２端部と第２接続領域（３）との間の第２部分（７）と、第１接続領域（３）と第２接続領域（３）との間の第３部分（８）とを具備するものとする。そして、第３部分（８）に含まれる結晶粒の結晶粒径は、第１部分（６）または第２部分（７）に含まれる結晶粒の結晶粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】共振器の物理的な長さを大きくすることなく、Ｑスイッチレーザのパルス幅を延長することができ、装置の小型化が可能なＱスイッチレーザ発光装置を提供する。
【解決手段】全反射ミラー１３と出力ミラー１４との間に、これらのミラーの光軸上に、電気光学Ｑスイッチ素子１１、高屈折率材料部材１０、固体レーザ媒質１２が、全反射ミラー１３から出力ミラー１４に向けてこの順に配置されている。固体レーザ媒質１２は、光軸上の両端面１８ａ、１８ｂが、ブリュースター角度で前記光軸に対して傾斜しているため、この固体レーザ媒質１２から出射するレーザ光は、ランダム偏光ではなく、直線偏光となる。また、高屈折率材料部材１０が設けられているので、光学的光路長が短い。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン層、その製造方法、多結晶シリコン層を利用した薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０上のバッファ層１１上に非晶質シリコン層１２を形成する工程と、非晶質シリコン層１２上に触媒金属層を１０^１１ないし１０^１５原子/cm^２の密度を有するように形成する工程と、触媒金属層の触媒金属が非晶質シリコン層１２に拡散して非晶質シリコン層１２とバッファ層１１との界面でピラミッド形態の結晶化シードを形成し、結晶化シードによってシリコン結晶が成長して多結晶シリコン層２２を形成するように、非晶質シリコン層１２を熱処理する工程と、を含むシリコン層の結晶化方法である。 （もっと読む）

【課題】不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンで形成された半導体層１４２を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層と基板１１０との間に前記半導体層と絶縁するように位置する金属パターンをさらに含み、前記半導体層の多結晶シリコンは、結晶成長方向と平行な結晶粒界を含み、表面における波状線の最大ピークと最小ピークとの間の距離として定義される表面粗度が１５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】金属原子が内部に拡散、侵入せず、かつ、結晶化方位や粒径を制御することのできる結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。その際、第１非結晶シリコン層４ｘは、多結晶シリコン層４ｙに変化する。金属触媒層８を除去した後、開口部１５ａを備えた絶縁層１５、および第２非結晶シリコン層１ｘを形成した状態で熱処理を行ない、第２非結晶シリコン層１ｘを、開口部１５ａの底部で多結晶シリコン層４ｙと接している部分を起点にして結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層８を除去した後、熱処理を行なえば、第１多結晶シリコン層１ｘと第２多結晶シリコン層４ｙとが接している部分を起点に第１多結晶シリコン層１ｘが再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】高価な機材である真空チャンバーを用いることなくキャリア移動度の高いポリシリコン膜を製造する。
【解決手段】ポリシリコン膜の製造方法において、少なくともシリコン粒子を分散させた液体を基板に塗付する工程と、塗布した液体を乾燥させてシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をポリシリコン膜にするための熱アニール処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの移動度が高く、特性ばらつきが少ない半導体装置の製造方法、これを適用した半導体装置を備えた電気光学装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の半導体装置の製造方法は、基板上に第１多結晶質シリコン膜としての第１半導体層を形成する工程と、第１半導体層上に非結晶質シリコン膜を形成して、該非結晶質シリコン膜に対して、不活性ガス雰囲気中で第１半導体層上における該非結晶質シリコン膜の結晶核発生速度よりも結晶成長速度の方が速くなる温度で熱処理を施して該非結晶質シリコン膜を結晶化して第２多結晶質シリコン膜としての第２半導体層を形成する工程と、第１半導体層および第２半導体層をパターニングして半導体層を形成するエッチング工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】短時間且つ低温で高品質な多結晶シリコンを形成する方法を提供する。
【解決手段】微結晶１１ａを含むアモルファス半導体膜１１にマイクロ波を用いたアニールを行うことで、微結晶１１ａを核として微結晶１１ａを含むアモルファス半導体膜１１を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタは基板上に形成されたゲート電極、ゲート電極と重なり、第１２族元素と第１６族元素（但し、酸素元素は除く）または第１３族元素と第１５族元素を含む非結晶質の多元系化合物（ｍｕｌｔｉ−ｅｌｅｍｅｎｔｓ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含んで、電子移動度が約０．８ｃｍ^２／Ｖｓ以上の半導体パターン、半導体パターンの第１端部と重なるソース電極、及び半導体パターンの第２端部と重なってソース電極と離隔されたドレイン電極を含む。非結晶質の多元系化合物を半導体パターンに適用することによって薄膜トランジスタの駆動特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布されたシリコン粉末に対して短時間かつ容易に不純物を導入して、ヘテロ接合を有した多結晶シリコン膜を形成する技術を提供すること。
【解決手段】基板上にリン又は砒素の不純物を含むシリコン粉末を塗布した後、シリコン粉末の表面に、プラズマ処理を施すことで前記シリコン粉末の表面を溶融させて、再結晶化することでＮ型の多結晶シリコン膜を形成し、ノンドープのアモルファスシリコンとホウ素を含むアモルファスシリコンとを形成する工程を含み、ヘテロ接合を有した多結晶型太陽電池パネルを製造する方法を提供することで解決できる。 （もっと読む）