【課題】 離散的に出現する微結晶を検出することができるポリシリコン結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ１５は、ＣＣＤカメラ１２によって撮像された画像を、Ｙ方向に複数の第１の分割領域４１、およびＸ方向に複数の第２の分割領域４２に分割し、第１の分割領域４１のＸ方向の濃度分布を表す第１の濃度値分布特性、および第２の分割領域４２のＸ方向の濃度分布を表す第２の濃度値分布特性を算出する。第１の分割領域４１をＸ方向に分割した複数の第３の分割領域４３のから、第１または第２のの濃度値分布特性が基準濃度値以上の第３の分割領域４３を黒領域とする。黒領域のＸ方向の数を計数し、計数値が所定値以上である黒領域からなる部分を、許容できない断続的な列状部であると判断する。 （もっと読む）

【課題】レーザーアニール工程において、レーザーの異常によりパターン端部にある非晶質シリコン膜の結晶化の状態に異常がある基板が発生した際、この異常を早期に発見し、生産ラインの生産安定性を向上させることが可能な、レーザーアニール方法および装置を提供すること。
【解決手段】相対走査される基板がレーザー照射開始位置にきて、照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングする機構を有することで、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】
エリプソメトリの技法を用いて結晶状態を迅速に判定することを可能にする。
【解決手段】
表面に多結晶シリコン薄膜が形成された試料を一方向に連続的に移動させながら試料に照明光を照射し、照明光が照射された試料からの反射光をｓ偏光成分とｐ偏光成分とに分離し、分離したｓ偏光の一部を偏光状態を変化させてｐ偏光を生成し、偏光状態を変化させて生成したｐ偏光と反射光から分離したｐ偏光の一部とを合成して合成光を作成し、作成した合成光を検出して第一の信号を得、反射光から分離したｐ偏光のうち一部を除いた残りのｐ偏光を検出して第二の信号を得、第一の信号と第二の信号とを処理して得た情報に基づいて試料の表面に形成された多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を判定するようにした。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】非晶質Ｓｉをレーザアニールして得られる多結晶Ｓｉの粒径を検査する方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた非晶質Ｓｉの所定の膜厚毎に、レーザ密度とレーザアニール後の多結晶Ｓｉの平均輝度との関係を示す校正マップを準備するステップＳ１１と、レーザアニールして得られた多結晶Ｓｉ層の所定の領域毎に、平均輝度を測定するステップＳ１２と、多結晶Ｓｉ層の所定の領域毎の膜厚データを取得するステップＳ１３と、所定の領域毎の平均輝度と膜厚データとを当該膜厚データに対応する所定の膜厚の校正マップと比較して、当該領域毎の平均輝度を校正するステップＳ１４と、所定の領域毎の校正後の平均輝度を被検査対象の全領域に渡って求めて、輝度マップを作成するステップＳ１５と、輝度マップにおいて領域毎の校正後の平均輝度が所定範囲に入るか否かを判定して最適粒径範囲を決定するステップＳ１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の状態を光学的に観察して、多結晶シリコン薄膜の結
晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜検査装置の基板検査部を、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板に光を照射する照明手段と、照明手段により光が照射された基板から第１の方向に発生した第１の１次回折光の光学像を撮像する第１の撮像手段と、照明手段により光が照射された基板から第２の方向に発生した第２の１次回折光の光学像を撮像する第２の撮像手段と、第１の撮像手段で第１の１次回折光の光学像を撮像して得た信号と第２の撮像手段で第２の１次回折光の光学像を撮像して得た信号とを処理して基板上に形成された多結晶シリコン膜の結晶の状態を判定する信号処理・判定手段とを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】ハードウエア調整の作業負担を軽減する。
【解決手段】照射ライン（ｓ）と重ならない測定ライン（ｈ）の表面高さ（Ｈ）を測定し、一つの照射ライン（ｓ）の最近傍の少なくとも２つの測定ライン（ｈ）の実測表面高さを基に照射ライン（ｓ）の表面高さを算出し、該表面高さにフォーカスさせる。
【効果】照射ラインと測定ラインの位置関係から照射ラインの表面高さを演算により算出するが、照射ラインと測定ラインの位置関係は例えばエンコーダにより容易に知ることが出来るので、測定ラインを照射ラインに合致させるためのハードウエア調整の必要がなく、作業負担を軽減できる。照射ラインｓのピッチＰが変わっても、その都度、ハードウエア調整を行う必要がなく、作業負担を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させる。
【解決手段】シャッター機構（２）が照射オン指令信号を受け取ってから照射オン状態になるまでのオン遷移時間をｔ１とするとき、照射オフ状態で基板（Ｂ）をｘ方向に移動し、ｘ方向位置検出手段（１１）で検出した基板（Ｂ）のｘ方向位置に基づいて、照射エリアの照射開始端にレーザビーム（Ｌ）が到達すると推定される時刻よりもｔ１時間だけ前に照射オン指令信号を出力する。
【効果】シャッター手段によりレーザ照射のオン／オフを行うレーザアニール装置であって、往復走査によりレーザ照射を行う場合でも、往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第１膜厚の第１領域と前記第１膜厚と異なる第２膜厚の第２領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第１波長と第２波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第１領域からの前記第１波長の第１反射光を用いて第１反射率の測定を行う第１測定工程と、前記第１反射率から前記シリコン膜の第１結晶化率を導出する第１導出工程と、前記照射光が照射された前記第２領域からの前記第２波長の第２反射光を用いて第２反射率の測定を行う第２測定工程と、前記第２反射率から前記シリコン膜の第２結晶化率を導出する第２導出工程と、を含む有機ＥＬ表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＡ工程において、高速、かつ目視検査員の品質評価値や最終画質と整合のとれた基板の品質評価方法及びその装置を提供する。
【解決手段】評価対象となる基板５を一方向に連続的に移動させながら基板５に斜め方向から光を照射して基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜により発生する１次回折光による像を撮像して１次回折光像を取得すると共に、基板５からの正反射光又は透過光の光軸近傍の散乱光の像を撮像して光軸近傍の散乱光像を取得し、この取得した１次回折光像の画像と光軸近傍の散乱光像の画像を処理して複数の特徴を抽出し、この抽出した複数の特徴のうち、少なくとも１つ以上の特徴を用いて、事前に設定した評価基準に従って基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜の品質評価値を算出して基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜の品質を評価するようにした。 （もっと読む）

【課題】反射率の異なる被照射物に対し、レンズの温度ひいては焦点距離を維持するための同じ反射率のミラーを備えると、レンズの焦点距離が温度変化に起因して変動する。
【解決手段】第１のミラー５に反射位置Ｉを採らせることにより、集光レンズ２を透過するレーザａを、第１，第２のミラー５，６によつて次々に反射させると共に、第１のミラー５によつて再度反射されるレーザａの強度を、被照射物４から反射されるレーザａの強度に合致させて集光レンズ２を透過させ、レーザａを被照射物４に照射するときと同様に集光レンズ２を加熱すると共に、第１，第２のミラー５，６の少なくとも一方に温度制御手段２６，２７を付属させ、第１，第２のミラー５，６の温度を制御することにより、処理用のレーザ（ａ）による処理時に被照射物４から反射されるレーザａの強度に合致させて、レーザａを第２のミラー６から反射させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の画像を検出して多結晶シリコン薄膜の表面の状態を観察し、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜の検査装置を、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板１００に光を照射する光照射手段８００と、光照射手段８００により基板１００に照射された光のうち多結晶シリコン薄膜を透過した光または多結晶シリコン薄膜で正反射した光の近傍の多結晶シリコン薄膜からの散乱光の像を撮像する撮像手段８２０と、この撮像手段８２０で撮像して得た散乱光の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査する画像処理手段７４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置における被処理体へのレーザ照射部のガス雰囲気を良好に形成する。
【解決手段】被処理体（非晶質半導体薄膜１０）の外形寸法と略同じ外形寸法を有し前記被処理体全体が載置される試料台１２上の前記被処理体にレーザ光３を相対的に走査しつつ照射して前記被処理体の処理を行うレーザ処理装置において、照射雰囲気を形成するガスを前記被処理体の照射部分近傍に噴射するガス噴射部（レーザ光照射口兼ガス噴射口８）と、前記試料台１２の走査方向端部に設けられ、前記走査方向に沿って伸張する端部整流面（端部整流板１７ａ、１７ｂ）とを有している。試料台端部側でのガス雰囲気を走査方向内側、外側ともに良好に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールに際し、レーザ出力の変動に拘わらず結晶化の均一性を確保する。
【解決手段】パルスレーザ光を非単結晶半導体膜であるシリコン膜に照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する半導体膜のレーザアニール装置において、第１ピークに最大ピーク高さを有するパルスレーザ光を出力するレーザ発振器１と、パルスレーザ光を非単結晶半導体膜に導く光学系４と、非単結晶半導体膜に照射されるパルスレーザ光のパルス波形における最大ピーク高さを測定する最大ピーク高さ測定部と、最大ピーク高さ測定部の測定結果を受けて、レーザ発振器１の発振条件の変化により変化するパルス波形において最大ピーク高さが所定の高さとなるように、レーザ発振器１から出力されるパルスレーザ光のレーザパルスエネルギーまたは可変減衰器２の減衰率を制御する制御部８を備える。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の状態を光学的に観察して、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】本発明では、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板に光を照射し、光が照射された多結晶シリコン薄膜の表面から発生する１次回折光の像を撮像し、撮像して得た１次回折光の像の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査し、画像を処理して検査した１次回折光の像を検査した結果の情報と共に画面上に表示するようにした。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板の１つの領域において、少なくとも１つのプロセス性能パラメータが決定される１つのプロセスステップまたは一連のプロセスステップに、半導体基板を暴露するステップと、レーザ照射パラメータを有するレーザをその領域に照射するステップとを含む半導体デバイスを製造する方法であって、照射パラメータは少なくとも１つのプロセス性能パラメータに基づいて決定されることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）