【課題】結晶粒界が大きく電気的特性の向上したＴＦＴを、コスト上昇を抑制しつつ形成する。
【解決手段】平坦な表面を有する基板１０の該表面上に、高熱伝導性を有する材料からなる熱伝導層３７を形成する第１の工程と、熱伝導層３７を、熱伝導層３７の少なくとも一部が表面に対して傾斜する傾斜部３８となるようにパターニングする第２の工程と、少なくとも傾斜部３８を覆うように、基板１０上に非晶質シリコン層３２を形成する第３の工程と、非晶質シリコン層３２をレーザーアニールにより結晶化して多結晶シリコン層３４を形成する第４の工程と、多結晶シリコン層３４上に、平面視で傾斜部３８と少なくとも一部が重なるようにゲート電極４２を形成する第５の工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高集積化を妨げずに、多結晶ＴＦＴのオン電流及び移動度を高めることができる半導体装置の作製方法と、それによって得られる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜に触媒元素を添加して加熱することで、結晶性が高められた第１の領域と、第１の領域と比較して結晶性が劣っている第２の領域とを形成し、第１の領域に第１のレーザー光を照射することで、第１の領域よりも結晶性が高められた第３の領域を形成し、第２の領域に第２のレーザー光を照射することで、第２の領域よりも結晶性が高められた第４の領域を形成し、第３の領域と第４の領域をパターニングして、第１の島状の半導体膜と、第２の島状の半導体膜をそれぞれ形成し、第１と第２のレーザー光は、互いにエネルギー密度が同じであり、第１のレーザー光の走査速度は第２のレーザー光の走査速度より速い半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン層を得る結晶化技術として、能動層の一部にＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕの金属触媒を導入し、加熱処理を施して結晶化を行い、引き続きエキシマレーザ等によりエネルギーを与えることで種結晶を形成し、非晶質シリコン層領域を結晶化するという発明が提案されているが、この技術を用いた場合、種結晶の面配向を制御することができないという課題がある。
【解決手段】アルミニウム層１０２上に非晶質シリコン層１０３を堆積した後、アニールを行うことで層転換を行わせる。同時に非晶質シリコン層１０３は（１１１）配向を有する多結晶シリコン層１０４に変換される。多結晶シリコン層１０４をパターニングし種結晶として用いて、積層された非晶質シリコン層１０５をレーザアニールにより結晶化し、結晶シリコン層１２を有する半導体装置１０８の製造方法を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】粒内欠陥を抑制した高品質な結晶を得る。
【解決手段】投影マスク１５は、第１スリットパターン１５−１を介したレーザ光の照射によって、第１照射パターンを形成するためのブロックＢ１と、第２スリットパターン１５−２を介した照射によって、第１照射パターンと平行であるとともに第１照射パターンの端部の一部を重畳する第２照射パターンを形成するためのブロックＢ２と、第３スリットパターン１５−３を介した照射によって、第１照射パターンおよび第２照射パターンと直交する第３照射パターンを形成するためのブロックＢ３と、第４スリットパターン１５−４を介した照射によって、第１照射パターンと平行である第４照射パターンを形成するためのブロックＢ４とを備え、第３レーザ光の照射により、第１照射パターンと第２照射パターンと第３照射パターンとの重畳領域に単結晶の種結晶領域を形成し、第４照射パターンが種結晶領域の一部と重畳する。 （もっと読む）

【課題】保護膜や層間絶縁膜を形成する際に、島状半導体層の段差によるカバレッジ不良を低減する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】リンを含む層は真性または実質的に真性な層上の一部に形成され、金属膜はリンを含む層上に形成され、半導体膜は、四方の周辺部の領域において真性または実質的に真性な層から形成された１μｍ以上３００μｍ以下の突出部を有し、ゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部は金属膜と重なる真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、保護膜はゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部とを覆っている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大きな角型結晶を得る。
【解決手段】マスクには、レーザ光の照射によって略閉ループの結晶粒界に包囲された種結晶が形成するように種結晶形成用マスク要素群のスリットが配置され、種結晶中の特定位置を原点とするＸ−Ｙ直交座標系について、ｋを１から４の自然数とし、第ｋ象限におけるＸ軸正方向をｋＸ＋、Ｘ軸負方向をｋＸ−、Ｙ軸正方向をｋＹ＋、Ｙ軸負方向をｋＹ−とすると、種結晶形成用マスク要素群に続く種結晶伸張用マスク要素群を介して照射されるレーザ光の照射タイミングの制御と当該マスクの相対的な移動の制御とにより、略閉ループの結晶粒界に包囲された種結晶が、１Ｘ＋、１Ｙ＋、２Ｘ−、２Ｙ＋、３Ｘ−、３Ｙ−、４Ｘ＋、および４Ｙ−の各方向に伸張するように、種結晶伸張用マスク要素群のスリットが配置される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照射装置において、レーザ光端部を遮蔽した際に、レーザ光の広がりやにじみによって処理が均一になされないのを防止する。
【解決手段】レーザ光を出力するレーザ光発振器１と、レーザ光発振器から出力されるレーザ光を導いて帯状のレーザ光に整形する光学系２と、半導体薄膜が形成された基板１００を載置する水平方向に移動可能なステージ４と、ステージが配置され、前記光学系を通してレーザ光が導入される処理室３を有し、該処理室内に、前記レーザ光の長軸長さよりも短い透過部１１１を有し、前記レーザ光の長軸側端部を遮蔽して前記透過部を透過するレーザ光６を半導体薄膜に照射可能とする長軸端部遮断透過体１０を有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜を活性層に用いた半導体素子において、低温プロセスを用いて半導体素子としての特性を向上させる。
【解決手段】ＺｎＯ膜４０を活性層に用いた半導体素子の活性層形成過程において、ＺｎＯ膜４０に対して紫外光のパルスレーザによってレーザアニールＬ１を行い低抵抗化し、このとき過度に低抵抗化したＺｎＯ膜４０のチャネル部の比抵抗値を酸化処理によって１０^３Ω・ｃｍ以上にまで上げる。 （もっと読む）

【課題】サイズの大型化を抑制しつつ必要な電流を得ることの可能な薄膜トランジスタおよびこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１０上にゲート電極１１およびゲート絶縁膜１２を介してシリコン膜１３を有している。シリコン膜１３のゲート電極１１に対応する領域には絶縁保護膜１４が形成され、絶縁保護膜１４の上面両端からシリコン膜１３上にかけて、非晶質シリコン膜（ソース領域）１５Ａおよび非晶質シリコン膜（ドレイン領域）１５Ｂが形成され、それぞれソース電極１６Ａおよびドレイン電極１６Ｂにより覆われている。シリコン膜１３はチャネル領域１３Ｃを有し、このチャネル領域１３Ｃにおいて長さ方向に沿って結晶化領域１３Ｂおよび非結晶領域１３Ａが形成されている。結晶化領域１３Ｂの幅ｄ₁が調整されることにより、必要電流が得られる。 （もっと読む）

【課題】量産に適した方法で半導体基板を提供することを目的の一とする。または、資源を有効に活用しつつ、優れた特性の半導体基板を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板にイオンを照射して単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、単結晶半導体基板上に絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせ、損傷領域において単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、第１の半導体層とは異なる条件により第２の半導体層を形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を支持基板上に形成する際に、単結晶半導体層に欠損が生じた領域を、効率的に修復し、かつ該領域のトランジスタ特性を損なわない方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に単結晶半導体層を形成した後、前記単結晶半導体層に生じた欠損領域を光学的手段により検出し、前記単結晶半導体層上及び前記欠損領域に非単結晶半導体層を形成し、前記欠損領域の情報と、回路設計情報と、に基づいて前記欠損領域の非単結晶半導体層を選択的に結晶化して結晶質半導体層を形成し、前記結晶質半導体層、あるいは前記単結晶半導体層、を含む半導体素子を形成する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を安全に提供することを課題の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせた後、脆化層において単結晶半導体基板を分離させて第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、固相成長により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層上に、第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。
【解決手段】第１半導体膜（９）上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極（１５）を形成する工程、形成されたプラグ電極（１５）の周囲に層間絶縁膜（１６，１８）を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極（１５）の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程、非晶質の第２半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極（１５）を触媒として機能させて非晶質の第２半導体膜を結晶化させ結晶化した第２半導体膜（２３）とする工程を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、Ｓ値において高性能な半導体素子を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再単結晶化し、結晶欠陥を修復する。次いで、ｎ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層にフォトマスクを用いてチャネルドープし、次いで該フォトマスクを用いて島状単結晶半導体層をエッチバックし、ｐ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層の膜厚より薄くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板の初期伸縮状態が個体毎に異なる要因、およびレーザー光照射で基板が熱膨張する要因による、レーザー光の照射位置の位置ずれを抑制する。
【解決手段】結晶化装置は、レーザー光を照射する照明光学系と、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子と、変調光を基板上に結像させる結像光学系と、基板を支持すると共に基板上の二次元位置を定める基板ステージとを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる。各基板が共通に備える熱膨張による位置ずれ量と各基板に固有の初期伸縮量とを用いて照射位置の座標値を補正する補正手段と、補正手段の補正座標値を用いて、基板ステージ上の照射位置を補正制御する制御手段とを備える。初期伸縮量に基づいてレーザー光の照射位置を位置補正して基板が固有に備える位置ずれを解消し、熱膨張を予測して照射位置毎に位置補正することで熱膨張による位置ずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】結晶面方位が一定であり、相対的に高密度に集積が可能であり、かつ、比較的簡単なプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法（ＭＩＬＣ法）において、半導体層の一定形状を有する領域（１１４）に金属原子を導入する工程を備えることにより、半導体層に応力を生じさせ応力により半導体層の結晶面方位を制御するものである。この一定形状は、熱処理時に半導体層に応力を生じさせることが可能な角部（Ｐ）を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１領域と第２領域に違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層が形成された表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴの作製に適用した場合に、ＴＦＴの移動度の向上およびＴＦＴ間の移動度の均一化を実現することのできる結晶化装置。
【解決手段】 光を位相変調する光変調素子（１）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて、長辺同士が隣接する短冊状の繰返し領域に所定の光強度分布を形成する結像光学系（３）と、非単結晶半導体膜を保持するステージ（５）とを備え、非単結晶半導体膜に所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する。所定の光強度分布は、短冊状の繰返し領域の短辺方向の中心線に沿って下に凸で且つ短冊状の繰返し領域の長辺方向の中心線に沿って下に凸の分布を有する。短冊状の繰返し領域の中心から長辺方向の外側に向けて凸状に湾曲した等強度線を有し、該凸状に湾曲した等強度線のうち少なくとも１本の先端部の曲率半径は０．３μｍ以下である。短冊状の繰返し領域の短辺方向のピッチは２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができ、さらに単結晶半導体層の欠損領域に残存する異物を的確、有効に分離除去することにより、レーザ照射時における異物の残存等に伴うシリコン膜の破裂・消失を低減させることができる半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、貼り合わせ後前記単結晶半導体層の欠損領域を欠損検知装置により検出し、検出後前記欠損領域にクラスターイオンビームを照射してゴミを分離除去し、次いで前記欠損領域及び前記単結晶半導体層上に非単結晶半導体層を形成し、形成後前記検出情報に基づいて前記欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化し、その後平坦化処理することにより前記結晶化後に残存する非単結晶半導体層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）