【課題】炭化シリコンを含む半導体基板の新たな作製方法を提供することを目的の一とする。または、炭化シリコンを用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】炭化シリコン基板にイオンを添加することにより、炭化シリコン基板中に脆化領域を形成し、炭化シリコン基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、炭化シリコン基板を加熱して、脆化領域において炭化シリコン基板を分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して炭化シリコン層を形成し、炭化シリコン層を１０００℃〜１３００℃の温度で熱処理して、炭化シリコン層の欠陥を低減することにより半導体基板を作製する。または、上述のようにして形成された半導体基板を用いて半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスへの適合が可能でありながらも、半導体特性を損なわすに高精度に不純物の濃度コントロールが可能なドーピング方法を提供する。
【解決手段】アンチモンと共に、水素、窒素、酸素、炭素のみで構成されたアンチモン化合物を含有する材料溶液（アンチモン溶液Ｌ）を基板７の表面を覆う半導体層５に付着させて溶液層Ｌ１を形成する。アンチモン溶液Ｌを乾燥させることにより基板７上にアンチモン化合物層９を形成する。熱処理を行うことによりアンチモン化合物層９中のアンチモンを半導体層５に拡散させて不純物領域５ａを形成する。熱処理は、アンチモン化合物層９へのエネルギービームｈの照射によって行う。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってボンド基板とベース基板によって閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板の製造コストの低減を図る。
【解決手段】基板１０に設けられたゲート電極１１と、ゲート電極１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１に重なるように設けられた半導体層１５ａと、半導体層１３ａ上にゲート電極１１に重なると共に互いに離間するように設けられたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとをそれぞれ備えた複数のＴＦＴ５ａが設けられたＴＦＴ基板２０ａであって、半導体層１５ａは、ゲート絶縁膜１２側に設けられたシリコン系の第１半導体層１３と、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂ側に設けられた酸化物半導体系の第２半導体層１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が小さく、電位保持特性が優れており、消費電力が低いと共に、動作速度も速い低温ポリシリコントランジスタを含む薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタの製造方法及びそれを使用した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０上にゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、チャネル領域、ソース・ドレイン電極１５ａ，１５ｂを形成した逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このチャネル領域は、ポリシリコン膜１３と、このポリシリコン膜１３の上面及び側面を覆うａ−Ｓｉ：Ｈ膜１４とから構成されている。 （もっと読む）

基板平面（１４）内に配置した基板を処理するための光ビームを生成する光学システムであって、光ビームは、光ビームの伝播方向（Ｚ）に対して垂直な第１次元（Ｘ）内のビーム長（Ｌ）と第１次元（Ｘ）及び光伝播方向（Ｚ）に対して垂直な第２次元（Ｙ）内の光ビーム幅（Ｂ）とを有する、光学システムは、第１次元及び第２次元の少なくとも一方における光ビームを相互に重畳して基板平面（１４）に入射する複数の光路（２４ａ〜２４ｃ）に分割する少なくとも１つの混合光学構成体（１８）を備える。少なくとも１つのコヒーレンスに影響する光学構成体が、光ビームのビーム経路内に存在し、少なくとも１つの他の光路からの１つの光路の少なくとも１つの光路間隔に関する光のコヒーレンス度を少なくとも低減するよう光ビームに作用する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から金属元素を取り除く従来のゲッタリング工程と異なる方法により半導体膜中から金属元素を除去する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】金属元素を用いて結晶化された半導体膜に対して、パルスレーザを照射することにより、半導体膜にリッジが形成される。このリッジを除去することで、金属元素を除去する。リッジを除去したため半導体膜表面が荒れている場合、不活性雰囲気下で半導体膜にレーザを照射し半導体膜表面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】モルファスシリコン膜から多結晶シリコン膜へ結晶化を行うレーザ処理工程でのレーザパワーをより最適値に合わせて、性能品質の向上した多結晶シリコン膜を安定して製造することが可能な半導体装置の製造方法および半導体検査装置を提供する。
【解決手段】レーザ処理工程１３で、ＳＰＣ工程１２処理後の基板の中から抜き取られたモニタ基板に、異なるレーザパワーで、異なる場所にレーザ処理を行い、基板全領域に多結晶シリコン膜を形成した後、最適パワー検査抽出工程１４でモニタ基板上に形成された膜質の異なる多結晶シリコン膜を検査装置で測定し、レーザパワーの最適値が求められ、レーザ処理工程１３で後続のＳＰＣ工程処理後の基板表面に、最適なレーザパワーに設定されたレーザが照射され、基板全領域で高品質な多結晶シリコン膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】ドーピング処理の条件の厳密な管理および新たな製造工程を追加することなく、良好なＶｇ−Ｉｄ特性を有する薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】基板２５上に形成された薄膜トランジスタにおいて、島状の半導体層２１は、略平坦な上面を有する中央部２１ａと、基板２５に対して０度より大きく、且つ９０度以下の傾斜角を有する端部２１ｂとを有し、島状の半導体層２１の中央部２１ａに含まれる半導体は、端部２１ｂに含まれる半導体よりも結晶粒径が大きい、或いは島状の半導体層２１の中央部２１ａは多結晶半導体を含み、且つ端部２１ｂは非晶質半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】段差部において膜厚の急激な変動が抑制された半導体膜を含む半導体基板、およびその製造方法、並びに、その半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板１は、下地基板１０と、下地基板１０上の一部に形成されている金属膜２０と、金属膜２０を覆うようにして下地基板１０上に形成されている絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成され、かつ結晶化された半導体膜４０とを備えている。絶縁膜３０は、金属膜２０の端部において段差部を有し、当該段差部の下地基板１０に対して垂直な断面形状が、外に膨らむ「Ｒ」形状を呈している。上記段差面は、その上端部から下端部に向かって、テーパー角度ψが略０°から徐々に大きくなって、略４０°〜９０°であるテーパー角度θになるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】光センサーと遮光膜を有する半導体装置において、段切れや膜剥がれに起因にする歩留まりの低下を防止することができるとともに、暗電流の増大を防止して光センサーの性能の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオード１５を構成するポリシリコン膜を形成する部分Ｂの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ１が、遮光膜２８の周縁に対応した部分Ａの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ２より薄くなるように、非晶質シリコン膜３０を薄膜化する。そして、非晶質シリコン膜３０にレーザー光を走査して、非晶質シリコン膜３０を多結晶化させてポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板の動きに追従してマイクロレンズアレイを移動してレーザ光の照射位置精度を向上する。
【解決手段】マトリクス状に設定されたＴＦＴ形成領域の縦横いずれか一方の配列方向に基板を搬送しながら撮像手段により基板表面を撮像し、該撮像画像に基づいて基板表面に予め設定されたアライメントの基準位置を検出し、複数のＴＦＴ形成領域に対応して基板の搬送方向と交差する方向に複数のレンズを配置した少なくとも一列のレンズアレイを基板の搬送方向と交差方向に移動して、レンズアレイのレンズと基板のＴＦＴ形成領域とをアライメント基準位置を基準にして位置合わせし、基板が移動してＴＦＴ形成領域がレンズアレイの対応レンズの真下に到達したときにレンズアレイにレーザ光を照射し、複数のレンズによりレーザ光を集光して各ＴＦＴ形成領域のアモルファスシリコン膜をアニール処理する。
【選択図】図６

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【課題】同一基板上に、結晶粒の平均粒径が互いに異なり、各々優れたキャリア移動度を有する２種類の結晶質半導体膜を形成し、それら２種類の結晶質半導体膜を用いて異なる電気特性が要求される各半導体素子に所望の電気特性を得る。
【解決手段】基板１１上に非晶質半導体膜２４を成膜する非晶質膜成膜工程と、非晶質半導体膜２４の一部を溶融固化して結晶化することで第１結晶質半導体膜２４Ａを形成する第１結晶化工程と、残部の非晶質半導体膜２４を固相成長させることで第１結晶質半導体膜２４Ａよりも結晶粒の平均粒径が大きい第２結晶質半導体膜２４Ｂを形成する第２結晶化工程と、第１結晶質半導体膜２４Ａの結晶粒の平均粒径が第２結晶質半導体膜２４Ｂの結晶粒の平均粒径よりも小さい状態を維持しながら第１及び第２結晶質半導体膜２４Ｂを溶融固化することで再結晶化する再結晶化工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
反応性の単分子膜で被覆したシリコンナノ微粒子を用いたシリコンペーストを選択的に塗布し、レーザー照射することにより、単分子膜を分解除去し、微粒子から再結晶化されたポリシリコン薄膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
表面に共有結合した第１の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子と、表面に共有結合した第２の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子を有機溶媒中で混合して第１のシリコン微粒子ペーストを作成する工程と、
前記シリコン微粒子ペーストを基板表面に塗布する工程と、
硬化する工程と、
真空中または不活性ガス雰囲気中でレーザー照射してポリシリコン化する工程により、ｎ（またはｐ）型のポリシリコン薄膜を製造する。
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【課題】製造コストおよび製造時間の低減を図りつつ、高性能な薄膜トランジスタを備えた配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１上の表示画素部ＤＳＰに配置され、非晶質の第１半導体層ＳＣ１Ａと、第１半導層ＳＣ１Ａの上に積層された微結晶または多結晶の第２半導体層ＳＣ１Ｂとを有する第１薄膜トランジスタＴＦＴ１と、絶縁基板１０１上の駆動回路部ＤＣＴに配置され、第２半導体層ＳＣ１Ｂより電子移動度が高い多結晶の第３半導体層ＳＣ２を有する第２薄膜トランジスタＴＦＴ２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０３を形成し、ゲート電極３０３を覆ってゲート絶縁膜３０４を形成し、ゲート絶縁膜３０４上に酸化物半導体膜３０５を形成し、酸化物半導体膜３０５上に第１の導電膜３０６及び第２の導電膜３０７を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理ＬＲＴＡにより結晶化した領域３０８を有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムやマグネシウムを用いた金属層を形成し４００℃程度で熱処理することで、ゲート絶縁層中の不純物を不活性化できるが、当該金属層はヒロックが発生しやすい等、ゲート電極としては適当なものではなく、一旦、当該金属層を除去して、新たにゲート電極を形成する必要がある。この工程では、エッチング雰囲気中にゲート絶縁層を露出させる必要が生じ、ゲート絶縁層の劣化が懸念される。
【解決手段】ＴｉＮをスパッタ法にて堆積し、エッチングを行うことで第１ゲート電極１０６を形成する。そしてアルミニウムを主成分とする触媒金属層１０８をスパッタリング法等を用いて堆積する。そして、触媒金属層１０８が堆積された状態で、４００℃で１時間熱処理を行う。この熱処理を行うことにより、ゲート絶縁層１５と半導体層１３との界面の欠陥準位密度を低減させることができた。 （もっと読む）

【課題】 基板の入射面上で最適化された光強度と分布をもつレーザ光を設計し、他の好ましくない組織領域の発生を抑制しつつ所望の結晶化組織を形成することができる結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射して結晶化するに際し、非単結晶半導体薄膜への照射光は、単調増加および単調減少を周期的に繰り返す光強度分布を有し、非単結晶半導体薄膜を溶融させる光強度である。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）