本発明は半導体材料を照射するための方法に関し：半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップと；照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップと；を具え、本方法は更に、融解した領域部分の深度を定量するステップを具える点で特徴づけられている。更に、本発明は半導体材料を照射するための装置に関し：半導体材料層の表面領域を、領域の少なくとも一部を融解するように照射するための第１のレーザーであって、当該レーザーがレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーと；レーザー照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するためのコントローラと；を具え、本装置は更に、融解した領域部分の深度を定量する手段を具える点で特徴づけられている。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体をレーザアニール法によって形成する方法に於いて、多結晶半導体膜の表面ラフネスを低減する。
【解決手段】レーザアニール装置の光学系に非晶質シリコン半導体薄膜を成膜した基板１の走査方向における照射光強度分布を、高エネルギの光強度側の微結晶しきい値以上のエネルギ領域と表層のみ融合するエネルギ領域を有する分布として制御する透過率分布フィルタ６を設置し、通常のラインビームを利用するエキシマレーザアニール法または位相シフトストライプマスク法またはＳＬＳ法に適用する事によって、それぞれの方法で得られる多結晶の表面突起の高さを低減する。 （もっと読む）

【課題】撓みやすい基板をベース基板として用いる場合であっても、半導体層が設けられた基板（ベース基板）を歩留まりよく作製する。
【解決手段】半導体層が設けられた基板の作製方法において、基板上に設けられた半導体層にレーザ光を照射して当該半導体層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。そして、前記半導体層の表面を平坦化する工程において、前記レーザ光の照射により前記半導体層が完全溶融するのに必要な最小の照射エネルギー密度を１００％としたとき、前記半導体層に照射する前記レーザ光の照射エネルギー密度を７２％以上９８％以下とし、好ましくは８５％以上９６％以下とする。 （もっと読む）

【課題】優れたオン電流特性と、優れたオフ電流特性を兼ね備え、かつ歩留まりの向上が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、下層半導体層１１と、上層半導体層１２の間には、ソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄに開口部を有する絶縁膜４が形成され、開口部Ｈ１，Ｈ２を介して、下層半導体層１１と上層半導体層１２が接続される。下層半導体層１１のうち、少なくともソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄの間に配置されるチャネル領域１０Ｃ、及び開口部Ｈ１，Ｈ２と対向する領域のうちの前記チャネル領域から延設される少なくとも一部の領域は、多結晶半導体層であり、上層半導体層は、非晶質半導体層である。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に作る手法として、シリコン層の堆積時に小粒径の多結晶シリコン層を形成し、所望の領域のみにＣＷレーザーを照射し大粒径化する技術が知られている。しかし、この技術を用いる場合、小粒径の多結晶シリコン層中に不対電子を埋める水素を残しての処理が必要となり、製造工程にかかる時間が長くなるという課題がある。
【解決手段】一部に金属層３１１がある基板３１０上に窒化珪素層３１２を形成し、窒化珪素層３１２上に、酸化珪素層３１３を形成し、パルスレーザーを照射する。酸化珪素層３１３の層厚により小粒径の多結晶シリコン層と大粒径の多結晶シリコン層とが入れ替わるように形成されるため、小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程において、高調波のＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒がいくつも形成される。このようにして形成された半導体膜は前記走査方向においては実質的に単結晶に近い特性のものとなるが、高調波のＣＷレーザの出力が小さくアニールの効率が悪い。
【解決手段】第２高調波に変換されたＣＷレーザと同時に基本波のＣＷレーザを半導体膜の同一部分に照射することで、出力の補助を行う。通常、基本波は１μｍあたりの波長域に入り、この波長域では半導体膜に対する吸収が低い。しかしながら、可視光線以下の高調波を基本波と同時に半導体膜に照射すると、高調波により溶かされた半導体膜に基本波はよく吸収されるため、アニールの効率が著しく上がる。 （もっと読む）

【課題】面方位が（１００）の単結晶シリコン膜および面方位が（１１０）の単結晶シリコン膜を有するＳＯＩ基板を、高い歩留まりで作製する方法を提供する。
【解決手段】面方位が（１００）の第１の単結晶シリコン基板１０００内に第１のイオンをドープして、第１の脆化層を形成する。面方位が（１１０）の第２の単結晶シリコン基板１００２内に第２のイオンをドープして選択的に第２の脆化層を形成する。第１の加熱処理では、第１の脆化層のみから第１の単結晶シリコン基板の一部をはく離し、第１の単結晶シリコン膜を形成する。第２の単結晶シリコン基板であって、第２の脆化層が形成されていない領域を除去し、第２の加熱処理では、第２の脆化層から第２の単結晶シリコン基板の一部をはく離し、第２の単結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】２ショット法においても位相シフタの位置合せのためのアライメント作業効率が高く、処理のスループットを向上させることができ、また、材質や厚みの異なる位相シフタを使用する処理においても後工程に使用する位置合せマークの寸法と形状の変化のない結晶化装置用位相シフタ、結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】結晶化装置用位相シフタ５は光学部材５１，６１の固有の光学特性に応じて光学部材の各々を基準位置に対してそれぞれ位置合せするために、光学部材の各々に１対１に対応して設けられた第１のアライメントマーク8と、結晶化領域の各々に１対１に対応するようにレーザ光の照射により被処理基板上に転写され、該転写マークを用いて結晶化後の被処理基板を次工程以降の装置に対して位置合せするために、ホルダ５０Ａに設けられた第２のアライメントマーク51x,51yとを有する。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉプロセスと、ポリ−Ｓｉプロセスとを組み合わせることが可能なプロセスを提供することである。
【解決手段】プロセス８００は、アモルファスシリコン又はアモルファスシリコンに適合可能なプロセスを用いて、ディスプレイパネル用のポリ−最終構造を形成する（ブロック８１０）。ポリ−最終構造は、チャネルシリコン前駆体を有する。次に、プロセス８００は、ポリシリコン固有のプロセスを用いて、ポリ−最終構造からディスプレイパネルを形成する（ブロック８２０）。 （もっと読む）

【課題】イオン注入によりアモルファス化された領域に光照射による活性化を行った場合に、表面に凹凸が発生するのを防止した薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にそれぞれ形成されたｎチャネル島状半導体層４ａ及びｐチャネル島状半導体層４ｂ、前記島状半導体層４ａ，４ｂ上に形成されたゲート絶縁膜５、及び前記ゲート絶縁膜５上にそれぞれ形成されたゲート電極６ａ，６ｂを具備し、前記ｎチャネル島状半導体層４ａへのｎ型不純物のイオン注入によりアモルファス化された領域の深さｔ１，ｔ３と、前記ｐチャネル島状半導体層４ｂへのｐ型不純物のイオン注入によりアモルファス化された領域の深さｔ１，ｔ２とは、それぞれほぼ同じであるようにイオン注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び再現性良く、高性能poly-Si薄膜が形成可能な、微結晶化判定方法を提供する。
【解決手段】表面にa-Si膜が形成された基板１８に、線状に整形されたパルスレーザ光を、線状レーザ光の短軸方向に移動しながらスキャン照射して、複数のエネルギー密度で、照射領域１９を形成する。白色平面光源１５から、レーザ光の長軸方向に並行に平面光を入射し、その反射光をＣＣＤ受光素子で受光する。ＣＣＤ受光素子が受光した反射光を解析して、微結晶化しきい値を判定し、その判定した微結晶化しきい値に基づいて、本照射を行う際のパルスレーザ光のエネルギー密度を決定する。エネルギー密度の減少に伴って、結晶粒径データの周期性が崩れる状態に移行するときのエネルギー密度を、基板表面の微結晶化しきい値とする。 （もっと読む）

【課題】結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させるための結晶核マスクを形成する場合に、単結晶シリコン基板を用いて、結晶面に沿って突起状の構造を形成し、その先端に触媒物質を付着させる工程を用いて製造した場合、直径３０ｃｍ程度が限度の単結晶シリコン基板以上の面積を有する、α−Ｓｉ層に、この転写用基板を用いて押圧転写することは困難であるという課題がある。
【解決手段】ガラス基板１０上のα−Ｓｉ層にエキシマレーザー光を照射して、規則的配列を備える突起部１３を配置し、突起部１３を覆うように触媒金属層を配置して結晶核マスク１を構成する。ガラス基板１０は対角１ｍ以上の基板が容易に入手できることから、大型（対角１ｍ程度）の被転写基板２１に対しても結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れたＳＯＩ基板及びその作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速された水素イオンを照射することにより、単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱し、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成し、半導体層の表面にレーザー光を照射して半導体層の少なくとも表層部を溶融させる際に窒素、酸素、又は炭素の少なくともいずれか一を半導体層に固溶する。 （もっと読む）

【課題】大粒径の結晶粒をち密に形成することができ、かつ低温処理の要求を満たすことができる結晶化方法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上にキャップ膜を設け、単調増加と単調減少を繰り返す断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光を非単結晶半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。また、単結晶半導体層の結晶性を最良とするレーザ光のエネルギー密度をマイクロ波光導電減衰法によって検出する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなくポリシリコン半導体薄膜のレーザー活性化を均一に行うことができ且つレーザー活性化時の汚染が防止されたポリシリコン半導体薄膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上にポリシリコン半導体薄膜１３を形成する工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）にチャネル領域１３ｃ、ソース側拡散領域１３ｓ及びドレイン側拡散領域１３ｄを形成するために、ポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）上にマスク２３を形成する工程と、マスク２３の上方からイオン注入２４してポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）にソース側拡散領域１３ｓ及びドレイン側拡散領域１３ｄを形成する工程と、マスク２３を除去する工程と、マスク２３を除去したポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）上にシリコン薄膜２５を形成する工程と、シリコン薄膜２５の上方からレーザー２６を照射してポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）を活性化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板のような耐熱性の低い基板をベース基板として使用した場合にも、実用に耐えうるＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製において、ボンド基板中に脆化層を形成する際の水素イオンドーズ量を、ボンド基板の分離下限となる水素イオンドーズ量より増加して脆化層を形成し、ベース基板に貼り合わせたボンド基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体膜が形成されたＳＯＩ基板を形成し、該単結晶半導体膜の表面にレーザ光を照射して作製する。 （もっと読む）

【課題】光加熱式のアニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れ、ウェーハ表面のボイド欠陥を消滅させ、ウェーハの表面粗さを小さく可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表層にイオン注入して形成されたアモルファスシリコン領域部が、単結晶シリコンに比べて吸光係数が高いので、シリコンウェーハより低い加熱温度で、アモルファスシリコン領域部のみを溶融できる。その結果、仮にウェーハ表面にボイド欠陥が存在しても、ウェーハより低温でボイド欠陥を消滅させ、その表面粗さを小さくできる。しかも、従来より低出力の光加熱式のアニール炉でこれらの効果が得られ、アニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れる。 （もっと読む）