【課題】１回のレーザ光照射でラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。
【解決手段】レーザ照射で光吸収層１０３のパターンより外側にある半導体薄膜１０５の外部領域１０７を加熱溶融するとともに、同パターンより内側にある半導体薄膜の内部領域１０９を溶融することなく光吸収層１０３を加熱する。次いで溶融した半導体薄膜１０５が冷却し外部領域１０７と内部領域１０９の境界近傍に微小結晶粒Ｓが生成する。更に境界から外側に向かって微小結晶粒Ｓを核として第１ラテラル成長が進行し、外部領域１０７の部分に多結晶粒Ｌ１が生成する。最後に加熱された光吸収層１０３から半導体薄膜１０５に熱が伝わり内部領域１０９を溶融した後、境界から内側に向かって多結晶粒Ｌ１を核として第２ラテラル成長が進行し、内部領域１０９に一層拡大した多結晶粒Ｌ２が生成する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性及び再現性良く、高性能poly-Si薄膜が形成可能な、レーザ照射方法を提供する。
【解決手段】 表面にa-Si膜が形成された基板１８に、線状に整形されたパルスレーザ光を、線状レーザ光の短軸方向に移動しながらスキャン照射して、複数のエネルギー密度で、照射領域１９を形成する。白色平面光源１５から、レーザ光の長軸方向に並行に平面光を入射し、その反射光をＣＣＤ受光素子で受光する。ＣＣＤ受光素子が受光した反射光を解析して、微結晶化しきい値を判定し、その判定した微結晶化しきい値に基づいて、本照射を行う際のパルスレーザ光のエネルギー密度を決定する。 （もっと読む）

【課題】ビームパルスの放出を停止することなしに、２つ以上の半導体試料を処理可能なプロセス及びシステムを提供する。
【解決手段】本発明は、複数の半導体フィルム試料の各々の少なくとも１つの部分を処理するプロセス及びシステムを提供する。これらのプロセス及びシステムでは、照射ビーム源を制御して、逐次的な照射ビームパルスを所定の反復度で放出する。こうして放出されるビームパルスを用いて、１つの半導体フィルムの少なくとも１つの部分を、第１の逐次的横方向結晶化（ＳＬＳ）技術及び／または第１の均一小粒子材料（ＵＧＳ）技術を用いて照射して、第１試料のこうした部分を処理する。第１試料のこの部分の処理の完了時に、ビームパルスを再指向させて半導体フィルム試料の第２試料の少なくとも１つの部分に当てる。そして、再指向させたビームパルスを用いて、第２試料のこうした部分を第２のＳＬＳ技術及び／または第２のＵＧＳ技術を用いて照射して、第２試料の少なくとも１つの部分を処理する。これらの第１の技術と第２の技術とは、互いに異ならせることもほぼ同一にすることもできる。 （もっと読む）

レーザーを生成するレーザー生成装置、前記レーザー生成装置で生成されたレーザービームを制御する第１及び第２光系、前記光系を通過したレーザービームの照射によって多結晶シリコン層に結晶化する非晶質シリコン層が蒸着されたパネルを装着可能なステージを備えることを特徴とするシリコン結晶化システムであり、前記第１光学ユニットは、レーザービームを横辺と横辺より長い縦辺を有するように作り、前記第２光学ユニットは、レーザービームを横辺と横辺より短い縦辺を有するように作ることができ、前記第１及び第２光学ユニットから発するレーザービームは長方形断面を有する。
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【課題】突起の影響を受けず、均一な画質を有する薄膜トランジスタ表示板を提供する
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板と、基板上に形成され、ソース及びドレイン領域、チャンネル領域を有して多結晶シリコンからなる複数の半導体と、半導体上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、チャンネル領域と重畳するゲート線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ソース領域に接続されるデータ線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドレイン領域に接続される画素電極とを備え、半導体において、データ線及びゲート線との距離は多様で、不規則である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置として、高い特性が得られる結晶性半導体薄膜を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】実効溶融領域においてレーザーアニールが施された時のみを処理時間として見なすため、スレッシュホールド幅の積算値を処理時間として考える。即ち、実効溶融領域でレーザーアニールを行っている時間の積算値が処理時間となる。この時間を１００〜５０００ｎｓｅｃとすることにより、必要とする結晶性を有する結晶性半導体薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン表面を酸化してゲート絶縁膜を形成する酸化工程に先だって、ガスクラスタイオンビームを多結晶シリコン表面に照射し、表面凹凸を平坦化するとともに、多結晶シリコン表層部の結晶を破壊してアモルファスシリコン化する工程を加えることにより、酸化工程において、平坦なゲート絶縁膜を形成でき、耐電圧の向上が図られ、かつ、シリコンの酸化速度が速められ、プロセス時間の短縮が図られる薄膜半導体の製造方法を得る。
【解決手段】絶縁基板１上にアモルファスシリコン層２を形成する工程と、アモルファスシリコン層２をアニールして多結晶シリコン層３を形成する工程と、多結晶シリコン層３の表面にガスクラスタイオンビームを照射する工程と、ガスクラスタイオンビームが照射された多結晶シリコン層３の表面に酸素を含む雰囲気を作用させて酸化シリコン層５を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できるＴＦＴ等を提供する。ＴＦＴは、小熱容量部と大熱容量部とを有する多結晶Ｓｉ膜からなり、小熱容量部が少なくともチャネル部として用いられものである。そして、多結晶Ｓｉ膜は、小熱容量部が完全溶融するとともに大熱容量部が完全溶融しないエネルギ密度のレーザアニールによる結晶粒膜によって形成されている。小熱容量部と大熱容量部との界面から成長した粗大結晶粒によってチャネル部が構成されるので、一般的なレーザアニール装置を用いて低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できる。
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【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。また、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属層を形成し、前記金属層上に酸化物層を形成し、前記酸化物層上に被剥離層を形成し、前記被剥離層を前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において物理的手段により剥離する。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜に注入する。その後溶融結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えず、小さな面積の被剥離層だけでなく、大きな面積の被剥離層も歩留まりが良好な剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に第２の材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第２の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。第１の材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選択された１つ又は複数である。第２の材料は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンである。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた金属マスクと粒界フィルタ領域とを利用して大規模な単結晶シリコン薄膜を形成することにより、高品質の薄膜トランジスタチャンネル領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン薄膜形成の形成方法は、非晶質シリコン層をパターニングし、結晶化が始まる第１シリコン領域４１、第１シリコン領域４１の一側中央に位置し、第１シリコン領域４１より狭幅の細長い第２シリコン領域４２、及び第２シリコン領域４２と接して第２シリコン領域４２より広幅の第３シリコン領域４３を形成する工程と、第１シリコン領域４１上に部分的に金属マスク３４を形成する工程と、パターニングされた非晶質シリコン層にレーザビームを照射し、金属マスク３４の下部にある非晶質シリコンを除外した残りの非晶質シリコン層を全体的に溶融させた後で冷却することによって結晶化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射ごとの結晶粒の長さのばらつきを抑制して、長い結晶粒を効率的に得ることができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも二種類のレーザ光を照射して前駆体半導体薄膜基板に含まれる固体状態の前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、前駆体半導体薄膜基板に照射される基準レーザ光の反射光のエネルギ密度変化に基づいて、少なくとも二種類のレーザ光のうち少なくとも一種類のレーザ光の、エネルギ密度、照射タイミングおよび照射時間からなる群のうち少なくとも一つを制御する工程を含む半導体薄膜の製造方法と半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性の結晶性膜を得る。
【解決手段】 結晶化したい薄膜の作製時に、下地の絶縁膜に予め所望のパターンで膜の熱伝導率を変化させる不純物元素を導入しておく。この薄膜中で結晶化が起こる際に、この薄膜内で温度分布が形成される。エネルギービームを照射したときに下地の絶縁膜の熱伝導が高い領域から先に固化し始め、熱伝導が低い領域が最後に固化される。その結果、リッジ位置を積極的に制御することが可能となり、所望の領域に平滑な表面を有する結晶性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＬＳ法においてレーザ照射を繰り返した最後の領域における表面突起高さ（リッジ）を低減させることができる半導体デバイスの製造方法、製造装置およびそれらによって製造された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 基板上に半導体膜が形成された半導体デバイスであって、該半導体膜は横方向成長結晶を有し、かつ、該横方向成長結晶の端部において表面突起高さが前記半導体膜の膜厚より低いことを特徴とする半導体デバイス、および当該半導体デバイスを製造する方法、製造装置。 （もっと読む）

【課題】短い光路長で線状のビームスポットを形成でき、または長辺方向の長さが長い線状のビームスポットを形成でき、さらにその線方向の両端における集光位置のずれを解消できるレーザ照射装置を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを、長辺方向と短辺方向とを有する線状のビームスポットに成形する光学系を有するレーザ照射装置において、前記光学系は、前記第一の短辺方向集光用シリンドリカルレンズと前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズとの間に長辺方向集光用シリンドリカルレンズが配置され、前記長辺方向集光用シリンドリカルレンズで均一面の位置のずれを発生させ、前記均一面から前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズまでの距離が画角によらず一定となるようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新たな方法により基板から薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタを有する回路や半導体装置を分離し、可撓性を有する基板へ転置する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁膜に広い、又は複数の開口部を形成し、該開口部に薄膜トランジスタに接続された導電膜を形成し、その後、剥離層を用いて、薄膜トランジスタを有する層を、導電膜等が形成された基板へ転置することを特徴とする。さらに加えて本発明の薄膜トランジスタは、レーザ照射により結晶化された半導体膜を有し、レーザ照射時において、剥離層が露出することを防止し、直接剥離層にレーザ照射されないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性が優れた大きな結晶粒を有する結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による結晶質半導体膜の製造方法は、結晶核形成部（２ａ）と、素子形成部（２ｂ）と、狭小部（２ｃ）とを含む半導体膜（２）が形成された基板（１）を用意する工程と、絶縁膜（３）を形成する工程と、絶縁膜（３）を用いてキャップ膜（３Ｃ）を形成する工程であって、結晶核形成部（２ａ）に対する所定の波長の光の反射率が、端部よりも中央において高くなるように、キャップ膜部分（３ａＣ）の屈折率を変化させる工程と、所定の波長の光によって、キャップ膜部分（３ａＣ）を介して結晶核形成部（２ａ）を照射して、結晶核形成部（２ａ）を結晶化する工程と、結晶核形成部（２ａ）において結晶化された結晶から、狭小部（２ｃ）を介して素子形成部（２ｂ）を結晶化する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、軽量化、コンパクト化及び材料費の低減を図ることのできる、ビーム進行光導波路を形成したビームホモジナイザ、それを用いたレーザ照射方法、同照射装置及び非単結晶半導体膜のアニール方法の提供を課題とする。
【解決手段】ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面間に形成したビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を形成したビームホモジナイザにおいて、短辺方向のエネルギー密度分布が均一化された長方形のビームを形成し、そのビームをシリンドリカルレンズアレイ及びシリンドリカルレンズに順次入射して長辺方向のエネルギー密度分布を均一化し、次いでシリンドリカルレンズから出射された照射レーザを非単結晶半導体膜に投影してアニールする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示装置の横筋と縦筋の表示ムラを低減して、表示品位の向上を図る。
【解決手段】ガラス基板５０上にシリコン酸化膜５１をプラズマＣＶＤ法により堆積し、さらにシリコン酸化膜５１上にプラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン膜５２を堆積する。次に、エキシマレーザーを非晶質シリコン膜５２に照射し、非晶質シリコン膜５２が融解するまで加熱して結晶化させ、多結晶シリコン膜５２Ａとする。次に、この多結晶シリコン膜５２Ａを所定のパターンにエッチングする。その後、Ｐ型不純物、例えばボロンを多結晶シリコン膜５２Ａ中にイオン注入する。次に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜から成るゲート絶縁膜５３を、多結晶シリコン膜５２Ａを覆って堆積する。次に、ゲート絶縁膜５３上にゲート電極５４を形成する。 （もっと読む）