１つの態様によれば、本発明は、制御される微小構造体並びに結晶学的配向を有する多結晶膜を形成する方法を提供する。本方法は、特定の結晶方位の細長い粒子又は単結晶アイランドを形成する。特に、基板上で膜を処理する方法は、１つの好ましい結晶方位に主に向けられた結晶粒子を有する配向膜を提供する段階と、次いで、好ましい結晶方位に向けられた粒子の位置制御成長を可能にする順次横方向固化結晶化法を用いて微小構造体を生成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザビームのビームパラメータに影響されることなく、レーザビームの損失を防止し、常に照射面にエネルギー分布の均一なビームスポットを形成することができるビームホモジナイザ、およびレーザ照射装置の提供、並びに半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームの均一化に用いる光導波路又はライトパイプの入射口に偏向体を備える。前記偏向体の反射面をレーザビームの光軸に対して傾斜角度を持たせるように備えることにより、光導波路又はライトパイプの入射口径を広げレーザビームの損失を防止する。また、偏向体に角度調整機構を備えることにより、導波部射出口においてエネルギー分布の均一なビームスポットを形成する。 （もっと読む）

【課題】水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な半導体装置、例えば、プラスチック基板上に形成された有機発光素子を有する発光装置、プラスチック基板を用いた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板または石英基板上に形成した素子（ＴＦＴや、有機化合物を含む発光素子や、液晶を有する素子や、メモリー素子や、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子や、シリコン抵抗素子など）を含む被剥離層１２を基板から剥離した後、熱伝導性の高いプラスチック基板１０に転写する。 （もっと読む）

【課題】基板上に均一な領域を作製して、この領域内にＴＦＴデバイスを設けることを可能にするプロセス及びシステムを提供する。
【解決手段】薄膜フィルム試料（例えば半導体薄膜フィルム）を処理するプロセス及びシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。特に、ビーム発生器を制御して、少なくとも１本のビームパルスを放出することができる。このビームパルスで、フィルム試料の少なくとも一部分を十分な強度で照射して、試料のこうした部分を厚さ全体にわたって完全に融解させて、このビームパルスは所定形状を有する。フィルム試料のこの部分が再凝固して、再凝固した部分の少なくとも一部が、第１領域及び第２領域から成る。再凝固時に、第１領域は大粒子を含み、第２領域は核化によって形成された領域を有する。第１領域は第２領域を包囲し、第２領域の粒子構造とは異なる粒子構造を有する。第２領域は、この領域上に電子デバイスの活性領域を設けるように構成される。
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【課題】駆動時における電子及び正孔の移動度の低下を防止するとともに、均一な特性を有する多結晶シリコンＴＦＴの形成方法を提供すること。
【課題手段】ガラス基板１０上にバッファ膜１１と非晶質シリコン膜を順に形成するステップと、非晶質シリコン膜を結晶化し、複数の突出部が存在する多結晶シリコン膜１２を形成するステップと、２つの突出部が、ゲート電極形成領域の両側に離隔して配置されたアクティブパターンを形成するステップと、突出部を完全に覆わないバリア膜を形成するステップと、全面にドーパントをイオン注入し、ゲート電極形成領域の両側の多結晶シリコン膜１２部の一方側にソース電極１６、他方側にドレイン電極１７を形成するステップと、バリア膜を除去するステップと、全面にゲート絶縁膜１８を形成するステップと、ソース電極１６とドレイン電極１７間のゲート絶縁膜１８上にゲート電極１９を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 従来のパルス発振のレーザー光による照射を半導体膜に行った場合、半導体表面にリッジと呼ばれる凹凸が形成され、トップゲート型ＴＦＴの場合には、素子特性がリッジにより大きく左右されていた。特に、電気的に並列に接続する複数の薄膜トランジスタ間でのバラツキが問題となっている。
【解決手段】 本発明は、複数の薄膜トランジスタからなる回路の作製において、連続発振レーザを用いて半導体膜にレーザ光を照射して溶融する領域の幅ＬＰ（微結晶領域を含まない）を大きくし、一つの領域に複数の薄膜トランジスタ（電気的に並列に連結された薄膜トランジスタ）の活性層を配置することを特徴の一つとする。 （もっと読む）

本発明の実施例によるレーザー照射装置は、絶縁基板上に形成された非晶質シリコンの薄膜に周波数を発振してレーザービームを照射するレーザー照射装置であって、搭載されている基板を支持するステージ、レーザービームを一定に生成するレーザー発振部、レーザービームを薄膜に集積して誘導する透過レンズ、薄膜へ誘導されたレーザービームを反射させる反射板、反射板の位置を制御する反射板制御部、及び反射板で反射されたレーザービームを吸収する吸収体を含む。
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被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置であって、パルスドーズ制御に対してパルスを用いて光パワー及び高繰り返しレートでレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成する主発信パワー増幅器ＭＯＰＡ又はパワー発信器パワー増幅器と、レーザ出力光パルスビームから伸長され
た細いパルス化作用ビームを発生させる光学系とを、有するガス放電レーザ結晶化装置について開示している。その装置において、レーザシステムはＰＯＰＡレーザシステムとして構成され、第１レーザＰＯユニットから第２レーザＰＡユニットに第１出力レーザ光パルスビームを方向付けるように動作されるリレー光学系と、第１レーザ出力光パルスビームの拡大として第２レーザ出力光パルスビームを発生するように、パルス又は−３ｎｓｅｃ内で第１及び第２レーザユニットにおいてガス放電の発生のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールとを更に有することが可能である。そのシステムは、発信器レーザユニットにおいて発散制御部を有することが可能である。発散性御部は不安定発振制御部を有することが可能である。そのシステムは、レーザと被加工物との中間にビームポインティング制御機構及びビーム位置制御機構を更に有することが可能である。ビームパラメータ計測法は、ビームポインティング制御機構に対するアクティブフィードバック制御部とビーム位置制御機構に対するアクティブフィードバック制御部とを与えることが可能である。
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高エネルギー、高繰り返しレートの被加工物加熱方法及び装置であって、約４０００Ｈｚにおいて又はそれ以上で動作し且つ約３５１ｎｍの中心波長においてレーザ出力光パルスビームを生成するパルス化ＸｅＦレーザと、レーザ出力光パルスビームの短軸において２０μｍ以下にレーザ出力光パルスビームを縮小し且つ長軸の被加工物カバリング範囲をビームの長軸において形成するようにレーザ出力光パルスビームを拡大する光学系と、を有することが可能である、方法及び装置であり、その光学系はレーザと被加工物との中間に視野絞りを有し、その被加工物は加熱される層を有し、光学系は、強度レベルが高過ぎるビームレベルにおいてビームプロファイルをブロックすることなく、視野絞りが被加工物において十分に急峻なビームプロファイルを維持することを可能にするように十分に急峻な側壁を有する強度プロファイルを維持するに十分な拡大を伴って視野絞りにおいてレーザ出力光パルスビームをフォーカシングする、方法及び装置について開示している。その装置は又、被加工物に供給されるレーザ出力光パルスビームにおいて高平均パワーと短軸光学アセンブリにおいてラインボウ補正機構とを有することが可能である。ラインボウ補正機構は、複数の弱いクロスシリンダを有することが可能である。そのシステムは反射屈折投影システムを有することが可能である。レーザ回折及び発散のために線幅は幾何学的制限より小さい。そのシステムは、被加工物において異なる焦点面を有するそれぞれの隣接ピーク各々の個別の中心波長により全体の焦点深度を改善するように名目のＸｅＦスペクトルの隣接ピークを投影することが可能である。そのシステムは、ラインボウであって、視野絞り面においてラインボウを補正する視野絞り光学アセンブリと視野絞り面においてラインボウを補正する被加工物投影光学アセンブリとにおいて補正機構である、ラインボウを有することが可能である。
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