【課題】絶縁材からなる基層上に、結晶性の優れた半導体薄膜を形成する。
【解決手段】光源であるエキシマレーザ１と、該エキシマレーザ１から発せられる光の光強度分布を均一化するホモジナイザ３と、ホモジナイザ３によって光強度分布が均一化された光の振幅が、光の非晶質基板９に対する相対運動の向きに増加するように振幅変調を行う振幅変調マスク５と、振幅変調マスク５によって振幅が変調された光を、非晶質基板９上に形成された非単結晶半導体層１０上に、所定の照射エネルギーが得られるように投射する投射光学系６と、光の照射面内で温度の低い点を設ける位相シフトマスク８と、光と非晶質基板９とを相対的に動かすＸ、Ｙ方向に走査可能な基板ステージを有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の結晶性を良好にして、漏れ電流の減少とオン電圧の低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部５を有する酸化膜４上にｎ^＋エピタキシャル成長層９を形成した後で、レーザアニールして結晶欠陥を消滅させたｎ^＋エピタキシャル成長層９とし、このｎ^＋エピタキシャル成長層９にｎ^＋バッファ層（ｎ^＋エピタキシャル成長層９の一部）やｐ^＋ベース層１３およびｎ^＋＋エミッタ層１４（ソース層）を形成して半導体装置（ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなど）を製作することで、漏れ電流とオン電圧（オン抵抗）の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高発電効率、軽量であって一般家庭用途への適用が容易であり、しかもパネルの基材に樹脂材料を使用することもできる太陽電池パネルの製造方法及び薄膜シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】この太陽電池パネル１の製造方法は、基材２上に直接又はバッファ３層を介して第１〜第３非晶質膜４，７，８を製膜する工程と、製膜工程を繰り返して第２非晶質膜７を積層する工程と、第１非晶質薄膜４に金属１１をドープする工程と、金属１１ドープ後の第１非晶質膜４をアニール処理して金属１１を核とする多結晶又は準単結晶部１１ａを生成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン膜の結晶化を行うレーザーアニールにおいて、高品質の加工を行うことのできるマスク、ビーム照射装置及びビーム照射方法の提供。
【解決手段】入射する光を透過する透光領域と、入射する光を遮蔽する遮光領域とを有し、透光領域は、スリット状の第１の開口部と、第１の開口部の長さ方向の少なくとも一方側に隣接して形成され、第１の開口部の長さ方向に長く、第１の開口部の幅より狭い幅を備えるスリット状の第２の開口部とを含むマスク。 （もっと読む）

【課題】ばらつきの少ないしきい値電圧を有する半導体素子を形成するため、活性層中への低濃度かつ、安定した濃度で不純物を導入することのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板に設けられた半導体膜表面を洗浄する洗浄ユニットと、半導体膜表面に不純物を付着させる不純物導入ユニットと、不純物が付着した半導体膜を結晶化させるレーザ結晶化ユニットと、洗浄ユニット、不純物導入ユニット、及びレーザ結晶化ユニットと、をそれぞれ接続する搬送ロボットと、を有する半導体製造装置において、不純物導入ユニットでの暴露時間によって、半導体膜へ付着される不純物の量を制御し、レーザ結晶化によって半導体膜を結晶化すると同時に、低濃度の不純物を含む結晶性半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極および電流制御用ＴＦＴのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極、電流制御用ＴＦＴのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第１の接続配線と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第２の接続配線と、電流制御用ＴＦＴの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するＥＬ素子とを有するＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体膜を、歩留まり良く、レーザ光の照射で結晶化する。
【解決手段】絶縁膜、半導体膜、絶縁膜、および半導体膜の順で、基板上に膜を積層する。基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。レーザ光の照射により、上層の半導体膜が液相状態になることで、レーザ光が反射されるため、レーザ光によって下層の半導体膜に過剰に加熱されることを防ぐことができる。また、上層の半導体膜も溶融することで、下層の半導体膜の溶融時間を延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】結晶方位の均一化により、高性能な半導体デバイスが実現されるレーザ光のマスク構造、レーザ加工方法、ＴＦＴ素子およびレーザ加工装置、を提供する。
【解決手段】投影マスク１４には、第１方向１３０に延びる線状パターン４０が形成されている。第２方向１４０に一定ピッチずれながら第１〜第ｋ帯状領域４６（１）〜（ｋ）に並ぶ線状パターン４０により、複数の線状パターン列４１が構成されている。複数の線状パターン列４１は、第１〜第ｋ帯状領域４６（１）〜（ｋ）に形成された線状パターン４０のうち、第１帯状領域４６（１）および第ｋ帯状領域４６（ｋ）の線状パターン４０のみが第１方向１３０において部分的に重なるように間隔が設定された第１線状パターン列群４１Ａを含む。複数の線状パターン列４１は、第１線状パターン列群４１Ａをなす線状パターン列４１間に配置される第２線状パターン列群４１Ｂをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】
スロープ部の幅が狭いレーザビームを用いて、任意の面積を効率的にアニールできるレーザアニールを提供する。
【解決手段】
レーザアニール方法は、半導体膜上でスポット状の連続発振レーザビームを第１の方向に走査しつつ、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って前記連続発振レーザビームを一定振幅で繰返し高速スイープして照射し、先にスイープした領域が完全に固化する前に第１の方向の位置を更新した新たなスイープが照射領域をオーバーラップして行なわれ、前記一定振幅に対応する固液界面が全体として前記第１の方向に移動し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照装置において、装置サイズを大型化することなく、より大きな光強度を有し光強度のムラが低減されたレーザ光をスポット状に集光させる。
【解決手段】マルチ横モード半導体レーザ２２３から射出されたレーザ光Ｌａ〜Ｌｄのうちの２つのレーザ光Ｌａ、Ｌｄおよび他のレーザ光Ｌｂ、Ｌｄそれぞれを偏光合波して同一光路へ伝播させ、偏光合波されたレーザ光Ｌａｃと他のレーザ光Ｌｂｄを、全てのレーザ光の光軸が所定面Ｈｐにおいて互に交わるように角度合波させるとともに、レーザ光Ｌａｃ、Ｌｂｄの各光軸について対称な位置を伝播する２つの波面成分の所定面Ｈｐ上での干渉性を干渉性低減手段１２８Ａ，１２８Ｂで低減させて、集光光学系２３０により各レーザ光Ｌａ〜Ｌｄを所定面Ｈｐ上へスポット状に集光させる。 （もっと読む）

【課題】線状レーザビームの照射により結晶化される半導体膜の結晶粒の面方位を揃える。また、結晶粒の面方位が揃った結晶性半導体を高い歩留まりで作製する。
【解決手段】基板上に、下地の絶縁膜、半導体膜及びキャップ膜を形成する。連続発振レーザなどのレーザから発振されるレーザビームを非球面シリンドリカルレンズまたは屈折率分布レンズにより幅が５μｍ以下の線状のレーザビームに集光する。この線状レーザビームを照射して半導体膜を完全溶融させ、かつ線状レーザビームを走査することで、完全溶融した半導体膜をラテラル成長させる。線状ビームの幅が５μｍ以下と非常に細いため、液体状態となっている半導体の幅も狭くなり、液体状態の半導体に乱流が発生することが抑制される。このため、隣り合う結晶粒の成長方向が乱流で乱れることなく、均一化されるため、ラテラル成長した結晶粒の面方位を揃えることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、オフ電流値が低く、バラツキの抑えられたＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】シリコンの結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１のシリコン膜の金属元素をゲッタリングするために、希ガスを含み且つ非晶質構造を有する第２のシリコン膜を使用する。また、雰囲気を変えて２回レーザー照射を行う。２回目のレーザー照射は照射領域が不活性気体雰囲気となるようにして行うと第１のシリコン膜の平坦性が向上される。 （もっと読む）

【課題】画素部や駆動回路の要求に合わせてＴＦＴの構造を最適化しようとす
ると製造工程が複雑となってしまう。また、触媒元素を添加して結晶質半導体膜
を形成した場合、触媒元素の濃度を十分に低減しないでＴＦＴを形成するとオフ
電流が突発的に上がってしまう等の問題がある。
【解決手段】第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極の外側に設け
られた第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有し、第２のｎチャネル型ＴＦ
Ｔの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ゲート電極の
外側に設けられた第３の不純物領域を有し、ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲ
ート電極と一部が重なるように設けられた第４の不純物領域、ゲート電極の外側
に設けられた第５の不純物領域を有する半導体装置であり、触媒元素を用いて形
成された結晶質シリコン膜からバリア層を介して希ガス元素を含む半導体膜に触
媒元素を移動させる。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンからなるＴＦＴを用いた液晶表示装置において、ＴＦＴの下方に遮光層を設けた場合であってもリーク電流が発生しにくく表示のコントラスト等を劣化しにくい表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板１２上に積層する下部遮光層１４と、ＬＤＤ領域３０及びソース／ドレイン領域３２、３４を有するポリシリコン半導体層２２からなり絶縁層１６を介して前記下部遮光層１４上に形成された薄膜トランジスタ２０とを備えた表示装置１の製造方法において、前記絶縁層１６上に形成したアモルファスシリコン半導体層にレーザ照射領域Ｄの長辺に対して垂直な方向に所定ピッチＰごとに間欠移動させてレーザ光を照射して、前記アモルファスシリコン半導体層を多結晶化し、前記薄膜トランジスタのチャネル領域２８及び前記ＬＤＤ領域３０を前記下部遮光層１４端部より前記所定ピッチＰ以上内側に配設していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被照射体上にレーザ光をより均一に走査照射する。
【解決手段】光源部１から出力されるレーザ光を走査部３により偏向し、被照射体１０を載置する送りステージ１８を移動して、被照射体１０の所定の領域にレーザ光を走査照射する。被照射体１０の送りステージ１８による走査時の移動速度を、走査部３の走査周期の間に、レーザ光の被照射体１０の照射位置における照射有効直径に相当する距離分移動する速度とする。 （もっと読む）

【課題】レーザビーム照射領域の結晶粒が均一な結晶性を有する半導体薄膜を製造するレーザ加工方法および結晶化装置の提供。
【解決手段】レーザ発振器と、矩形状スリット投影マスクと、被照射物上に結像する結像手段と、被照射物を支持するステージと、前記像とステージとを相対的に移動させる移動手段と、レーザ発振器と移動手段とを制御する制御手段と、前記投影マスクは、第１のスリットと、第１のスリットより幅の広い第２のスリットとを含み、前記制御手段は、第１領域内に対し第１のスリットの像を結像し、第１領域内の前駆体半導体材料を溶融し、溶融した第１領域内の前駆体半導体材料を凝固させて結晶化した後、第１領域と部分的に重畳するように前駆体半導体材料からなる層上に新たな第２領域を定め、第２領域内に第２のスリットの像を結像して溶融、凝固させて結晶化する一連の工程を繰り返す結晶化装置およびレーザ加工方法。 （もっと読む）

【課題】
固体レーザ発振器を用い、アニール領域を接続して広い面積を均一に多結晶化する。
【解決手段】
固体レーザ光源から出射するレーザビームを複数本の均等なレーザビームに分割し、複数本のレーザビームの各々を均等な長尺状開口を有する複数のマスクの対応する１つに照射し、ａーＳｉ膜上の所定ピッチで配列された複数の加工位置に、それぞれＡＦを行って、複数のマスクの結像をそれぞれ照射し、ａーＳｉ膜を溶融させ、冷却期間に溶融したａーＳｉ膜をラテラル結晶成長させ、ａーＳｉ膜上で、複数のマスクの結像を短尺方向に１つのラテラル結晶成長幅未満移動して、ラテラル成長を繰り返し、ラテラル結晶をストライプ状に伸張させ、ａーＳｉ膜上で、複数のマスクの結像位置をマスクの長尺方向にずらし、前回成長したストライプ状ラテラル結晶に端部を重ねて、ストライプ状アニールを繰り返し、ストライプ状ラテラル結晶の幅を増加する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下のガラス基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。次に、加熱された層に、紫外光であって、レーザビームの幅が１００μｍ以下で、レーザビームの幅に対するレーザビームの長さの比が１対５００以上であり、レーザビームのプロファイルの半値幅が５０μｍ以下であるパルス発振のレーザビームを照射して、結晶性半導体膜を形成する。ガラス基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後において全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、量産対象である大型のガラス基板に、信
頼性が高く、集積度の高い高性能半導体装置を得る。
【解決手段】結晶化を促進する微量の触媒元素であるニッケル１０５が導入さ
れたａ−Ｓｉ膜１０３を加熱処理して結晶化された結晶性のケイ素膜１０８の一
部の領域（高濃度不純物領域）１０８ｂに選択的に５族Ｂから選択された不純物
であるリン１１７を導入し、第２の加熱処理を行って、結晶性のケイ素膜１０８
のリン１１７が導入されていない領域（能動領域）１０８ａに含まれるニッケル
１０５を高濃度不純物領域に移動させる。この第２の加熱処理は、能動領域１０
８ａに含まれるニッケル１０５の濃度と高濃度不純物領域１０８ｂに含まれるニ
ッケル１０５の濃度とが少なくとも熱平衡状態の偏析状態に達しないように行う
。 （もっと読む）