【課題】結晶化するためのエネルギー線のエネルギー量のばらつきが不規則に発生しても比較的安定した大きさの結晶化領域や良質の２次元結晶を得ることの可能な半導体薄膜の結晶化方法、良好な特性を有する薄膜半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜に周期的な強度分布を有するパルスエネルギー線を照射して、前記半導体薄膜の照射された部分を溶解し、前記パルスエネルギー線の遮断後凝固させることにより、前記パルスエネルギー線照射領域内のエネルギー強度が極小である付近に発生する結晶核から放射状に結晶を成長させて２次元結晶化領域を形成する半導体薄膜の結晶化方法であって、前記パルスエネルギー線の照射は、前記半導体薄膜の第１の照射位置に第１のエネルギー線を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射位置からずらし、少なくとも前記結晶核を含む第２の照射位置に第２のエネルギー線を照射する第２の照射工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜トランジスタを用いた表示デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の表示デバイスは、画素駆動用トランジスタと、該画素駆動用トランジスタの動作を制御する周辺回路部用トランジスタとを有し、前記周辺回路部用トランジスタは、絶縁性基板と、該絶縁性基板表面上に形成された第１の絶縁バッファ層と、該第１の絶縁バッファ層の表面上に形成された第１のシリコン層と、該第１のシリコン層の表面上に形成された第２の絶縁バッファ層と、該第２の絶縁バッファ層の表面上に形成された第２のシリコン層を備え、該第２のシリコン層が前記周辺回路部用トランジスタの活性層であり、前記画素駆動用トランジスタは、前記第１の絶縁バッファ層表面上に形成された、前記第１のシリコン層と同一層の第３のシリコン層を備え、該第３のシリコン層が、前記画素駆動用トランジスタの活性層である。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置、及び該表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型を付与する不純物元素を含む不純物領域が設けられている。チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な高信頼性のアクティブマトリクス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。非晶質Ｓｉ膜１０４は脱水素処理される（図１の（ａ)）。この非晶質Ｓｉ膜１０４に炭酸ガスレーザーによるアニールと同時にＵＶ光を照射することで結晶化率が９０％以上、表面の凹凸差が１０ｎｍ以下の結晶化Ｓｉ膜が得られる（図１の（ｃ)）。この結晶化Ｓｉ膜を用いて表示装置のための薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。炭酸ガスレーザーのみでのアニールでは結晶化率が９０％以上の結晶化Ｓｉ膜を得るためには３５０℃以上の基板加熱が必要である（図１の（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置、及び該表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型の不純物元素を含む不純物領域が設けられている。 （もっと読む）

横方向に結晶化された薄膜上に作製される薄膜トランジスタデバイスにおいて高い均一性を生成する方法が述べられる。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、結晶基板内に配設されるチャネルエリアを備え、前記結晶基板は、互いにほぼ平行であり、かつ、ほぼ等しい間隔だけ離間する結晶粒界を含む。チャネルエリアの形状は、複数の結晶粒界に実質的に垂直に配向する２つの対向する側部縁を有する非等角多角形を含み、多角形は、複数の結晶粒界に実質的に垂直に配向する２つの対向する側部縁を有する。多角形は、さらに、上側縁および下側縁を有する。上側および下側縁のそれぞれの少なくとも一部分は、結晶粒界に対してある傾斜角度で配向する。傾斜角度は、多角形によって覆われる結晶粒界の数が、結晶基板内のチャネルエリアのロケーションに無関係になるように選択される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置を構成する電気光学装置用基板のサイズを所望のサイズに形成する。
【解決手段】液晶装置１における画像表示面において、画像表示領域１０ａは、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って一定のピッチで配列された複数の画素ＰＸから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａに重なる画素回路形成領域１０ｂのうち非素子形成領域４２５によって互いに隔てられた複数の素子形成領域４０１領域に、複数の画素ＰＸの夫々に対応するトランジスタ素子Ｔｒが形成されている。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を生産性よく作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜の表面からレーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。次に、結晶性が改善された微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する発光装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の高周波数化に伴って生産性を向上させることが可能な多結晶半導体薄膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体薄膜の製造装置１０１は、レーザ光を生成するレーザ生成部２と、受けた光を半導体薄膜上の第１の領域へ誘導する第１の誘導部５Ａと、受けた光を第１の領域と少なくとも一部が異なる半導体薄膜上の第２の領域へ誘導する第２の誘導部５Ｂと、レーザ生成部２から受けたレーザ光を第１の誘導部５Ａへ出力するか第２の誘導部５Ｂへ出力するかを切り替える切り替え部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】巨大結晶を安定して作製する、レーザ照射装置、レーザ照射方法を提供する。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置３０は、第1レーザ照射手段１０と、第２レーザ照射手段２０と、被照射物８０に対して、第1照射領域２および第２照射領域２２からなる一組の照射領域を相対的に移動させる移動手段１８とを備え、第２照射領域２は、第１照射領域２と重複する部分を含む重複部２２ｂと、一組の照射領域の相対移動方向における重複部２２ｂよりも先頭側において、第１照射領域２と重複しない未重複部２２ａとを有している。 （もっと読む）

【課題】最終結晶においてリッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能な半導体薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】制御部８は、移動部７により被照射物８０を相対的に移動させながら第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５に対して複数回の照射を行なわせることにより、重複する照射領域内で結晶の引継ぎ成長を行なわせる。このとき、あるスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突しないように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御した後、移動部７により被照射物を相対的に移動させ、他のスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突するように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御する。したがって、リッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】くびれ等のない均一な巨大結晶を作製するための、レーザ照射装置、レーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置１０は、第１〜第ｎの照射領域が第１の方向（Ｙ１）に順次重なってなる最終照射領域を複数組形成するとともに、一つの最終照射領域における第ｎ照射領域が、隣接する他の最終照射領域における第ｍ照射領域（ｍは、２≦ｍ≦ｎを満たす整数）に対して、第１の方向とは逆の第２の方向側（Ｙ２）において部分的に重なるように、制御手段８が構成されるとともに第１マスク群１の各マスクにおける開口部が配置されている。 （もっと読む）

【課題】レーザー光導入窓の透過率変化によらず均一な強度分布のレーザー光を照射可能な薄膜半導体の製造装置及び薄膜半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜半導体の製造装置は、基板の表面に形成された薄膜半導体にレーザー光５０を照射することにより薄膜半導体のアニール処理を行う。当該装置は、内部に基板が設置されるアニール処理室と、アニール処理室に設けられたレーザー光導入窓と、アニール処理室の外部に配置されたレーザー光源と、レーザー光５０の光路に配置され、レーザー光５０の一部を遮光するスリット１０と、当該光路に配置され、レーザー光５０を少なくとも短軸方向に集光する集光レンズ４２とを備える。レーザー光５０は、スリット１０により一部が遮光され、集光レンズ４２によって略線状に集光された結果、長軸方向の強度分布が調整される。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に光吸収層１０２を形成する工程と、光吸収層を所定の形状にパターニングする工程と、パターニングされた光吸収層を絶縁膜１０３で覆う工程と、絶縁膜上に半導体薄膜１０４を形成する工程と、パルス発振されたレーザ光を照射し半導体薄膜を結晶化するレーザアニール工程とを行う。絶縁膜１０３の厚さを１５０ｎｍ以下とすることにより、レーザアニール工程において、光吸収層１０２のパターンより内側に位置する半導体薄膜１０４の内部領域１０６においては、光吸収層からの熱伝導により半導体薄膜が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、内部領域が融解した後、外部領域１０７との境界から内側に向かってラテラル成長が進行し、多結晶粒Ｌが生成する冷却過程が行われる。 （もっと読む）

【課題】同一の非晶質半導体膜を結晶化して形成されたＴＦＴおよびＴＦＤの半導体層の結晶状態を別個に制御して最適化する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上に支持され、チャネル領域１１４、ソース領域およびドレイン領域１１２ａを含む半導体層１０７ｔと、チャネル領域１１４の導電性を制御するゲート電極１０９と、半導体層１０７ｔとゲート電極１０９との間に設けられたゲート絶縁膜１０８とを有する薄膜トランジスタ１２４と、基板１０１の上に支持され、少なくともｎ型領域１１３ａとｐ型領域１１７ａとを含む半導体層１０７ｄを有する薄膜ダイオード１２５とを備える。薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔおよび薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、同一の非晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔのチャネル領域１１４よりも高い結晶性を有している。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く、かつ、領域間で特性のばらつきが少ない結晶性半導体膜の製造方法、及び、その製造方法に好適に用いられるレーザー装置を提供する。
【解決手段】レーザー光の照射及び移動を交互に繰り返して非晶質半導体膜を溶融し、結晶化して形成される結晶性半導体膜の製造方法であって、上記レーザー光は、直前の照射によって形成された結晶性半導体膜の隆起部を含む領域に、該隆起部の下に位置する結晶性半導体膜を一部残す強度で照射される結晶性半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を表面に有する基板上にレーザ光を照射して、半導体薄膜を融解・結晶化させる際に用いられる、半導体薄膜の粒径均一性の判定方法を提供する。
【解決手段】多結晶薄膜が形成された所定の領域を照明し、所定の領域からの反射光を同時に受光する。次いで、所定の領域を複数の第１の領域に分割し、受光した反射光に基づいて第１の領域のそれぞれについて色度を計測し、第１の領域のそれぞれで計測した色度を相互に比較する。比較結果における色度の均一性に基づいて、多結晶薄膜の粒径の均一性を判定する。 （もっと読む）