本発明は、基板（３２）の照射面（３６）に細い照射線（３１）をつくりだす光学デバイスを含む大基板のレーザアニーリング用装置に関し、照射線（３１）がレーザ光線からつくりだされ、第１方向への広がりおよび第２方向への広がりのある断面を有し、第１方向への広がりが第２方向への広がりの倍数で大きく、走査デバイスが、基板の照射面の第１セクションを照射線で第２方向に走査するよう構成されている。本発明によると、装置は、第１セクション（３７）を走査した後に、基板（３２）を照射線（３１）に対して回転軸（３８）のまわりで１８０°回転させる回転装置を含み、その回転軸は照射面（３６）に垂直であり、走査デバイスは、基板（３２）の照射面（３６）の第１セクションに隣接した基板（３２）の照射面（３６）の第２セクションを、照射線（３１）で第２方向（ｙ）に走査するよう構成されている。
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【課題】トランジスタ特性の経時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、トランジスタ特性が高精度に制御された薄膜半導体装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】レーザ光Ｌｈの照射によって多結晶化した活性領域５ａを有する半導体薄膜５と、活性領域５ａを横切るように設けられたゲート電極９とを備えた薄膜半導体装置において、ゲート電極９と重なる活性領域５ａのチャネル部Ｃには、ゲート電極９に沿って一連の結晶粒界ａが延設されている。この結晶粒界ａは、チャネル部Ｃを横切ると共に、チャネル長Ｌ方向に周期的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】任意の大面積の絶縁膜上に結晶性及び均一性の良いシリコン薄膜を形成することが可能な半導体基板の製造方法、及び、この半導体基板を用いて高性能な半導体素子を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に絶縁膜（基体３）を介して形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層に矩形状の紫外線ビームをパルス状にて照射することで、凹凸のある結晶化シリコン膜（シリコン薄膜５）を形成し、研磨を行うことで、当該結晶化シリコン膜の表面状態を平坦化する工程とを有し、紫外線ビーム照射位置の移動量と、紫外線ビームの幅に対する移動量の割合を適切な値に設定することで、格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群からなる結晶化シリコン膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グリーンレーザーのような半導体レーザーを用いて半導体薄膜の結晶化を実現する方法を提案する。
【解決手段】基板上に下地層と半導体層が順に二層以上形成させることによって、上層の半導体層に照射されたレーザーエネルギーを、上層の半導体層だけでなく、下層の半導体層にも、エネルギーを与えることによって、多層構造の半導体薄膜を１度に得る。
上層の多結晶Ｓｉ膜を透過したレーザーエネルギーを下層の非結晶Ｓｉ膜が吸収することによって生じる熱によって、下層が熱浴として働くために、上層の多結晶Ｓｉ膜に対して緩やかなアニール効果が生じて、高品質の結晶化薄膜が得られると同時に、必要なレーザーエネルギーを低減できる。メンテ、コスト、容量などの点で有利なグリーンレーザーにより高品質な薄膜を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置の提供を課題とする。
【解決手段】レーザー結晶化の際、複数のレーザー照射装置から照射された複数のレーザー光の重ね合わせを行う。そして、レーザーエネルギー密度と、隣り合うレーザー光のレーザーエネルギー密度のピーク間の距離と、の関係式を導くことで、結晶性の良好な半導体膜が得られるレーザーエネルギー密度の範囲から、レーザー光を重ね合わせることが可能な範囲を算出し、レーザーエネルギー密度の弱い部分を補い、かつ、レーザー光の走査回数を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタに流れるチャネル電流のばらつきを低減する。
【解決手段】ガラス基板５０上にシリコン酸化膜５１を介して、多結晶シリコン膜５２Ａが形成されている。多結晶シリコン膜５２Ａはガラス基板５０上のＸ方向に細長く延びている。多結晶シリコン膜５２Ａはゲート絶縁膜５３によって被覆され、このゲート絶縁膜５３を介して多結晶シリコン膜５２Ａにオーバーラップしたゲート層５４が配置されている。ゲート層５４の両端に隣接して多結晶シリコン膜５２Ａのソース領域５５及びドレイン領域５６が形成されている。ソース領域５５は、コンタクトＣ１を介して正電位ＰＶｄｄが供給されており、ドレイン領域５６はコンタクトＣ２を介して有機ＥＬ素子１４のアノードに接続されている。ゲート層５４は多結晶シリコン膜５２Ａ上をその延在方向であるＸ方向に対して斜めの方向に交差している。 （もっと読む）

【課題】レーザーアニールを行うための、均質な線状レーザービームを照射するに際し、エネルギーロスの小さい光学系とし、被照射物に十分なエネルギーを与え、またレーザー光源を長寿命として使用できるレーザーアニール装置およびレーザーアニール方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザー発振器と、レーザー光を分割拡大する複眼状のフライアイレンズと、分割拡大されたレーザー光を線状に集光する第１のシリンドリカルレンズと、線状に集光されたレーザー光の線方向の均質性を向上させる第２のシリンドリカルレンズと、均質性が向上した線状レーザー光を被照射面である半導体膜上面に集光する第３のシリンドリカルレンズと、半導体膜を前記線状に集光されたパルスレーザー光の線幅方向に相対的に移動させるステージとを有し、被照射面を上下に変化させることで、被照射面と第３のシリンドリカルレンズとの距離を変化させる。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、結晶粒径の均一性を向上することができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】前駆体半導体薄膜を溶融するための第一のレーザ光と、前駆体半導体薄膜を加熱するための第二のレーザ光と、を照射して、前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、第一のレーザ光と第二のレーザ光の有効領域の形状および面積をそれぞれ同一にし、これらの有効領域が重なり合うように第一のレーザ光と第二のレーザ光とを前駆体半導体薄膜に照射する工程と、第一のレーザ光の有効領域と第二のレーザ光の有効領域とを共に同一の方向に同一の距離だけ移動する工程と、を含む、半導体薄膜の製造方法とその方法に用いられる半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの結晶質半導体層に含まれる触媒元素の濃度を低減する。
【解決手段】結晶化を促進する触媒元素１０５が少なくとも一部に添加された非晶質半導体膜１０４ａを用意する工程と、非晶質半導体膜に対して第１の加熱処理を行うことにより、非晶質半導体膜の少なくとも一部を結晶化し、結晶質領域を含む結晶質半導体膜１０４ｐを得る工程と、結晶質領域上に、少なくともその一部を露出する反射防止層１０８を形成する工程と、結晶質半導体膜に対してレーザー照射を行うことにより、結晶質領域のうち露出された部分を再結晶化して再結晶化領域１０４ｒを形成するとともに、結晶質半導体膜のうち反射防止層で覆われた部分に非晶質半導体を含むゲッタリング領域１０４ｇを形成する工程と、結晶質半導体膜に対して第２の加熱処理を行うことにより、再結晶化領域の中の触媒元素の少なくとも一部をゲッタリング領域に移動させる工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】発振波長の異なる複数のレーザ発振器を用いて一部を重複させて照射領域を形成し、更にその照射領域の一部に重ねるよう次の照射を行う半導体薄膜の結晶化工程において、照射時の被処理物の温度が照射を重ねるごとに上昇することを防止する。
【解決手段】第１レーザ光の照射強度を、第１及び第２レーザ光によってできる照射領域の移動方向に関しマスクの相対的移動方向において、上流側よりも下流側で第１レーザ光の強度が強くなるよう照射分布を設ける大きくなるよう相対的移動方向において不均一な分布に設定する。 （もっと読む）

【課題】コスト面及びメンテナンス面で有利な固体レーザを用いつつ、等方的で均一な結晶粒を得ることができ、且つ処理能力を高めることができるレーザアニール方法およびレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】本発明では、非晶質半導体膜（アモルファスシリコンなど）に照射する矩形状ビームの短軸方向のエネルギー分布を均一化する。シリンドリカルレンズアレイ２６または導波路３６と、集光光学系２８，４４とにより、あるいは回折光学素子を含む光学系により、矩形状ビームの短軸方向のエネルギー分布を均一化することができる。本発明により、非晶質半導体膜に照射される有効エネルギー範囲も広くなり、その分、基板３の搬送速度を速めることができるため、レーザアニールの処理能力が向上する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射による損傷を抑制して効率的に半導体薄膜を製造することができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも二種類のレーザ光を照射して前駆体半導体薄膜基板に含まれる固体状態の前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、前駆体半導体薄膜基板に照射される基準レーザ光の照射部位の反射率を検知する工程と、少なくとも一種類のレーザ光の照射時間を制御する工程と、を含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法と半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】２種のレーザビームを用いた結晶成長において、結晶粒長が不均一になる問題を解決できるマスク、方法、および装置を提供する。
【解決手段】非晶質材料からなる層上の予め定められた第１領域内に対し第１のレーザビームを照射して、第１領域内の非晶質材料を溶融し、溶融した第１領域内の非晶質材料を凝固させて結晶化した後、直前の第１領域と部分的に重畳するように非晶質材料からなる層上に新たな第２領域に距離移動し、第２領域内に第１のレーザビームを照射して第１領域内の非晶質材料を溶融し、溶融した第１領域内の非晶質材料を凝固させて結晶化し、非晶質材料の結晶化される領域が所望の大きさに達するまで、第１のレーザビームと照射すべき領域の移動とを繰り返し行う方法であり、当該マスクは、マスク透過率が照射領域の移動方向に対して増加して変化するように形成された透過エリアを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴ各々は、半導体層と、半導体層上に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を挟んで半導体層と重なるゲート電極とを有し、ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極とｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は同一の導電層からなり、ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は端部がテーパー状であって、側面とゲート絶縁膜の表面のなす角度が３度以上６０度以下の範囲にあり、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は端部がテーパー状であって、側面とゲート絶縁膜の表面のなす角度が７０度以上８５度以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの所望の照射位置の温度変化に伴うずれを補正して精度良くレーザビームを照射するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザビームを射出するレーザ発振器と、被照射体が設けられたＸＹステージと、前記レーザビームを前記被照射体の表面において線状ビームに形成する光学系と、前記被照射体の表面に光を照射する照明と、前記被照射体表面での前記光の反射光を撮像するカメラとを有し、前記カメラで撮像した前記反射光から検出された前記線状ビームの照射位置のずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】小型で、ＩＣチップ等の基板の実装に伴う不良を低減し、かつ、高速な、表示部を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、高移動度を実現するＴＦＴ作製プロセスを用いて、半導体表示部および他の回路ブロックを一体形成する。具体的には連続発振レーザを用いた半導体活性層の結晶化プロセスを用いる。さらに、連続発振レーザによる結晶化プロセスを、高速動作が必要な回路ブロックのみに選択的に行うことによって、高い生産効率を実現する。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザ照射装置で用いられているガス噴射させるための板のサイズは大きく、レーザ光が最後に通過する光学系と、板との間にあまり距離を採ることができなかったため、レーザ光が最後に通過する光学系から照射されるレーザ光の状態を確認することが困難であった。
【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、ステージ上方に板とステージの距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光源の特性の経時的な劣化などに起因する光束の波面の歪みの影響を抑えて所望の光強度分布を安定的に形成することのできる光照射装置。
【解決手段】 レーザ光源（１）と、レーザ光源からの光に基づいて光変調素子（３）を重畳的に照明するためのホモジナイザを含む照明光学系（４）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を所定面（６）に形成する結像光学系（８）と、レーザ光源とホモジナイザとの間に配置されて入射光束の波面を補正して射出する波面補正光学素子（５）と、波面補正光学素子とホモジナイザとの間の光路から光束を取り出して該光束の波面を測定する波面測定部（９，１０）と、波面測定部の出力に基づいて波面補正光学素子を制御する制御部（１１）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】膜を加工するためのシステム及び方法、並びに薄膜を提供する。
【解決手段】一部の実施形態では、膜を加工する方法を提供し、本方法は、基板上に配置されてレーザ誘起溶融が可能な膜の内部に、予結晶化される複数の離間した領域を形成する段階と、膜内に固体と液体との混合物を形成し、そこで照射領域内の膜の厚みにわたって膜の一部分が溶融するように選択されたフルエンスを有するレーザビームを発生させる段階と、この複数の離間した領域の第１の領域の少なくとも部分的な予結晶化のためにレーザビームに対して膜を位置決めする段階と、レーザビームをレーザビームの経路内の少なくとも部分反射性の移動光学要素上に向けて、移動光学要素が、第１の領域の第１の部分をビームで第１の方向に第１の速度で走査するようにビームを向け直し、第１の速度が、ビームがこの第１の領域の前記第１の部分を照射してそこに固体と液体の混合物を形成させるように選択され、第１の領域の第１の部分が、冷却して少なくとも単一方向に大部分同じ結晶配向を有する結晶粒子を形成する段階と、第１の領域の少なくとも第１の部分をレーザ誘起溶融を用いて結晶化させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの特性にばらつきが生じる。
【解決手段】発光素子を駆動するトランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた半導体装置において、複数の画素がそれぞれ含むトランジスタは、複数の半導体を有する。複数の半導体はそれぞれ、レーザ光の照射により結晶化された半導体である。複数の半導体は、電気的に接続されている。複数の半導体のうち、少なくとも２つの半導体は、異なる画素の領域に配置されている。複数のトランジスタにおけるチャネル形成領域のレーザ光の走査方向の長さ及びチャネル長それぞれは、画素の画素ピッチよりも長い。 （もっと読む）