【課題】カーボンの供給を抑えた反応室内条件下でのエピタキシャル成長用基板として好適な炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンの供給を抑えた反応室１内条件下、炭化珪素基板４をアルゴン雰囲気下にてエピタキシャル成長温度まで昇温させて基板４の表面をアルゴン処理し、エピタキシャル成長温度に到達した段階で昇温のための加熱およびアルゴンガス供給を停止する炭化珪素エピタキシャル用基板４の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子用の多層膜構造体を基板上に形成する多層膜構造体であって、大きな伸張歪を半導体層に印加できる多層膜構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子用の多層膜構造体１０を基板上に形成する際に、基板１１上に、当該基板１１を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数の結晶からなるとともに、圧縮歪を有する圧縮歪半導体層１２を形成する。その圧縮歪半導体層１２の上方に、圧縮歪半導体層１２を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数の結晶からなるとともに、無歪の無歪半導体層１３を積層する。圧縮歪半導体層１２の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層１３に伸張歪を印加する。それにより、大きな伸張歪を無歪半導体層１３に印加することができる。 （もっと読む）

【課題】高い品質のＧａを含む化合物半導体層をより容易に形成できるようにする。
【解決手段】原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスにガリウム（Ｇａ）を接触させるガリウム配置部１０５を備える。ガリウム配置部１０５は、例えば、原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスを通過させる経路と、この経路に配置された金属Ｇａと、この金属Ｇａを加熱する加熱部とを備えるものである。従って、原料ガス供給部１０４より供給される原料ガスに含まれているＩｎ原料ガスは、ガリウム配置部１０５を通過することで、例えば５０℃に加熱された金属Ｇａに接触し、この後、基板Ｗの表面に供給されることになる。 （もっと読む）

【課題】電子素子等のデバイスを実装するには、炭化珪素基板の高周波損失が大きく、実際には電子素子を炭化珪素基板に実装できなかった。
【解決手段】２０ＧＨｚにおける高周波損失が２．０ｄＢ／ｍｍ以下の炭化珪素基板であれば、電子素子を実装して十分に動作させることができることを見出し、２．０ｄＢ／ｍｍ以上の高周波損失特性を有する炭化珪素基板を２０００℃以上で加熱する。この熱処理により２０ＧＨｚにおける高周波損失を２．０ｄＢ／ｍｍ以下にすることができた。また、ヒーターに窒素を流さないで、ＣＶＤにより炭化珪素基板を作製することによって高周波損失を２．０ｄＢ／ｍｍ以下にすることができた。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない半導体層を形成する。
【解決手段】面方位が（１１１）であるＳｉからなる半導体結晶成長用基板本体１１の外周部に膜厚が１００ｎｍの窒化シリコンからなる保護膜１４を形成する。すなわち、半導体結晶成長用基板本体１１の側面１２および半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の最外周から２ｍｍまでの部分に保護膜１４を形成する。また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板のＳＯＩ層上に良質なシリコンエピタキシャル層を積層させるのと同時にＳＯＩ基板の接合強度も上げることができるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを酸化膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることによりＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を作製し、該ＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板に水素を含む還元性雰囲気もしくは塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理を行い、その後前記ＳＯＩ層の表面をＣＭＰで研磨した後に、前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層上にシリコンエピタキシャル層を成長させることを特徴とする厚膜ＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置のｐベースオーミックコンタクトは、高濃度イオン注入により形成されるｐ＋＋層と金属電極とで構成される。高濃度イオン注入を室温で行うと、ｐ＋＋層の結晶が著しく劣化しプロセス不良の原因となるため、高温中で注入を行う方法が用いられる。デバイスのスイッチング損失等の観点から、ｐベースオーミックコンタクト抵抗率はより低いことが望ましい。公知技術では、イオン注入温度と、オーミックコンタクト抵抗率及びプロセス不良に関する、詳細な関係については言及されていない。
【解決手段】上記イオン注入工程に於いて、炭化珪素ウェハの温度を１７５〜３００℃、望ましくは１７５〜２００℃に保持しておく。１７５〜３００℃でのイオン注入により形成されるｐ＋＋領域を用いたｐベースオーミックコンタクト抵抗率は、３００℃を超える温度でイオン注入した場合よりも低くなる。又、プロセス不良も発生しない。 （もっと読む）

【課題】特別な基板を用いなくても結晶欠陥がほとんど無い単結晶薄膜を有する基板を容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Ａと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Ｂと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Ｃと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Ｄと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Ｅとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記Ａ〜Ｅの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】バウの制御のためだけでなく、ＳｉＧｅエピタキシャル層の品質を改善するために、特にＳｉ基板上に堆積されたＳｉＧｅ層のクロスハッチ及び表面ラフネスを低減するために、背面層によって形成された応力を用いる適切な解決策を提供すること。
【解決手段】第１の面及び第２の面を有する基板１０、前記基板の第１の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層２０、及び前記基板の第２の面に堆積された応力相殺層３０を有する、半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】複合半導体基板において、Ｓｉ基板とその上の窒化物系半導体層との応力を低減することにより、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低くするとともに、複合半導体基板の反り量を小さくする。
【解決手段】複合半導体基板は、（１１１）面方位を有しかつ複数の凸部が形成された一主面を有するシリコン基板（１０１）と、その一主面を覆う窒化物系半導体層（１０２）とを含み、複数の凸部間に空隙（１０３）が存在していることを特徴としている。このような複合基板においては、異種材料のシリコンと窒化物系半導体を含むことによる応力を低減することができ、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低く抑えることと複合基板の反りを小さくすることができる。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（式中、０≦ｘ≦３）の組成を有する窒化物の無亀裂単結晶質層（５）を、該層中に引張応力を発生しそうな基材（１）上に形成する方法に関し、該方法は、ａ）該基材（１）上に核形成層（２）を形成する工程、ｂ）該核形成層（２）上に単結晶質中間層（３）を形成する工程、ｃ）該中間層（３）上に単結晶質種層（４）を形成する工程、ｄ）該種層（４）上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ窒化物の単結晶質層（５）を形成する工程を含んでなる。この方法の特徴は、−中間層（３）の材料がアルミニウムおよびガリウム窒化物であり、−種層（４）の材料が、ホウ素含有量が０〜１０％であるＡｌＢＮ化合物であり、−種層（４）の厚さと中間層（３）の厚さとの比が０．０５〜１であり、−種層（４）を形成する温度が、該無亀裂単結晶質Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ窒化物層（５）を形成する温度より５０〜１５０℃高いことである。
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【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通穴２が形成された基板１上にＡｌＮ層３、ＧａＮ層４、ｉ−ＡｌＧａＮ層５、ｎ−ＡｌＧａＮ層６及びｎ−ＧａＮ層７を形成する。更に、ソース電極９ｓ、ドレイン電極９ｄ及びゲート電極９ｇを形成し、半導体素子を形成する。その後、ＨＦ溶液中において、貫通穴２に向けて紫外線を照射することにより、ＡｌＮ層３を基板１から分離する。その後、ＡｌＮ層３を除去し、ＧａＮ層４の裏面に絶縁性の基板を貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系単結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、酸化物からなる部材を備えたＳｉを主成分とする半導体基板の表面をＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含むハロゲン含有ガスに曝す工程と、前記半導体基板の前記表面をハロゲン含有ガスに曝し始めた後、前記表面をハロゲンを含まないＳｉ含有ガスおよびハロゲンを含まないＧｅ含有ガスのうち少なくともいずれか１つを含む雰囲気に曝し、前記表面にＳｉおよびＧｅのうち少なくともいずれか１つを含む結晶膜をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン以外の元素の層を堆積して形成していなくても十分な歪み量の歪みシリコン層を有するシリコンウェーハ及びその製造方法を低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウェーハにイオンを注入することによって該シリコンウェーハの表面層をイオン注入層とし面内方向の格子を歪ませた後、前記シリコンウェーハのイオン注入された面上にシリコンを気相成長させることにより歪みシリコン層を成長させることを特徴とする歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

一又は複数のナノ構造の作成方法が開示されており、当該方法は：基板の上部表面上に導電層を形成すること；導電層上に触媒のパターン層を形成すること；触媒層上に一又は複数のナノ構造を成長させること；及び一又は複数のナノ構造の間及び周囲の導電層を選択的に除去することを含んでなる。デバイスもまた開示されており、該デバイスは、基板、ここで基板は一又は複数の絶縁領域によって隔てられた一又は複数の露出金属島を含んでなる；一又は複数の露出金属島又は絶縁領域の少なくともいくつかを覆う基板上に配された導電性補助層；導電性補助層上に配された触媒層；及び触媒層上に配された一又は複数のナノ構造を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体デバイスの結晶成長用に適した、欠陥密度の小さい高品質のＧａＮ系結晶膜連続膜を備えた結晶基板を得る。
【解決手段】ＧａＮ系半導体デバイス形成用基板として用いる結晶基板において、表面がＣ面のサファイア基板１０１と、該サファイア基板１０１上に形成されたＧａＮバッファ層１０２と、該ＧａＮバッファ層１０２上に形成されたエピタキシャル成長ＧａＮ層１０３と、該エピタキシャル成長層１０３上に形成された、複数の開口部１０５を有するＳｉＯ₂膜１０４と、該ＳｉＯ₂膜１０４の開口部１０５にＧａＮ系化合物の選択再結晶化により形成された複数の島状ＧａＮ系結晶１１と、該島状ＧａＮ系結晶１１を核とするＧａＮ系結晶の成長により形成されたＧａＮ系結晶連続膜１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、結晶粒や成長方向の制御を確実に行うことができ、これにより半導体特性に優れたポリシリコン層を効率よく形成可能なシリコンの結晶化方法、熱処理を施すことにより良好な結晶化がなされる非晶質部を備える接合体、前記結晶化方法により形成された半導体部を備える半導体装置を製造する方法、および、この方法により製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの結晶化方法は、ａ−Ｓｉ膜３０ａ（非晶質部）と、ｃ−Ｓｉの種結晶３０ｃとを用意する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａの表面と種結晶３０ｃの表面に、それぞれエネルギーを付与する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとを接合し接合体３０５を得る工程と、接合体３０５を加熱することにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａを結晶化する工程とを有する。これにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとの接合界面が成長核となって結晶化が進行する。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させた炭化シリコン膜（半導体膜）の製造方法を提供する。
【解決手段】第１シリコン膜Ｓ１上に炭素源ガスを供給することにより前記シリコン膜上に第１炭化シリコン膜３を形成する第１工程と、前記第１炭化シリコン膜上に、第２シリコン膜５を形成する第２工程と、前記第２シリコン膜上にレーザを照射する第３工程と、前記第３工程後の前記第１炭化シリコン膜上に炭素源ガスおよび珪素源ガスを供給することにより第２炭化シリコン膜を形成する第４工程と、を有する。かかる方法によれば、レーザ照射により、第１炭化シリコン膜３を改質でき、当該膜上に成長する第２炭化シリコン膜の特性が良好となる。 （もっと読む）