【課題】複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるために望ましい窒化物半導体厚膜基板を提供し、ひいてはその基板を用いて優れた特性を有する窒化物半導体発光装置を提供する。
【解決手段】複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるための窒化物半導体厚膜基板であって、基板は対向する第１と第２の主面を有し、基板の第１主面は３×１０¹⁸ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下の高不純物濃度の第１の層領域で形成されており、基板は３×１０¹⁸ｃｍ^-3以下１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上でかつ第１層領域より低い低不純物濃度の第２の層領域をも少なくとも含み、基板の第１主面はその上に前記発光素子構造を成長させるための面であり、発光素子構造の形成後に第１主面の側で部分的に露出される基板の領域が電極を形成するための領域として使用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラマン分光法を用いた簡易な応力測定方法を見出し、これに基づいて、ＧａＮ活性層を有する化合物半導体基板において、バッファ層における応力を制御し、全体として応力フリーの化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】厚さ１００〜１０００μｍの六方晶ＳｉＣ、単結晶Ｓｉ、単結晶Ｓｉ上に立方晶ＳｉＣ層が形成されたもののうちのいずれかからなる台基板１上に、バッファ層２、厚さ０．５〜５μｍのＧａＮ活性層３を順次積層し、前記バッファ層２を、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層（０．５＜ｘ≦１）２ａ‐１の上に、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_yＧａ_1-yＮ単結晶層（０．２≦ｙ≦０．３）２ｂ‐１が形成され、さらに、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層２ａ‐ｎおよび厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_zＧａ_1-zＮ単結晶層（０≦ｚ＜０．５）２ｃ‐ｎの２層を１組としたものが１〜５００組積層されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】 向上された緩和、かなり低い欠陥密度、および改善された表面品質を有する
緩和されたＳｉＧｅオンインシュレータ基板を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 方法が、第１の単結晶Ｓｉ層の表面上にＳｉＧｅ合金層を形成するステ
ップを含む。第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を
有する。次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成する
ことができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１
の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施し
て、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。改善
された性質を有するＳｉＧｅオンインシュレータ、およびそれを含むヘテロ構造も提供さ
れる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を１００μｍ以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±１μｍ以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±０．５μｍ以下である。前記窒化物半導体基板はｎ型不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に、半極性面である（１０-１ｍ）面（ｍ：自然数）の窒化物半導体膜が厚さ１μｍ以上で形成され、発光デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１００）に対して、＜１００＞から＜１１０＞方向へのオフカット角度が１〜３５°であるＳｉ基板１上に、ＳｉＣまたはＢＰのいずれか１種以上からなるバッファー層２ａ（２ｂ）およびＡｌＮバッファー層３を介して、ＧａＮ（１０-１ｍ）、ＡｌＮ（１０-１ｍ）またはＩｎＮ（１０-１ｍ）からなる単結晶膜４、あるいはまた、ＧａＮ（１０-１ｍ）およびＡｌＮ（１０-１ｍ）の超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に窒化物半導体領域を設けると、半導体ウエーハに反りが発生する。
【解決手段】 シリコン基板２の上に窒化物半導体から成るバッファ領域３を介してＨＥＭＴ用の窒化物半導体から成る主半導体領域４を設ける。前記バッファ領域４を、第１の多層構造バッファ領域５と第２の多層構造バッファ領域８とで構成する。第１の多層構造バッファ領域５を複数のサブ多層構造バッファ領域６と複数の単層構造バッファ領域７で構成する。サブ多層構造バッファ領域６を、交互に配置された複数の第１及び第２の層で構成する。第１の層をアルミニウムを第１の割合で含む窒化物半導体で形成する。第２の層をアルミニウムを含まない又は前記第１の割合よりも小さい第２の割合で含む窒化物半導体で形成する。第２の多層構造バッファ領域８を第３及び第４の層で構成する。第３の層のアルミニウム割合を第１の割合よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】異種基板上のバッファ層の結晶性を向上させた窒化物系化合物半導体を有する半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体を有する半導体電子デバイスにおいて、基板１０上に窒化物系化合物半導体からなるバッファ層２０及び半導体動作層３０を順次積層してなり、前記バッファ層２０は、第１の層２２と第２の層２３が積層された複合層を１層以上有し、第１の層２２と第２の層２３との各格子定数の差は０．２％以上であり、第１の層２２の厚さは、１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン／ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）超格子温度センサをその製造方法とともに提供する。
【解決手段】上記製造方法では、第１のシリコン基板に能動ＣＭＯＳ素子を形成するとともに、第２のＳＯＩ（Si-on-insulator）基板上にＳｉＧｅ超格子構造を形成する。次に、第１の基板を第２の基板に貼り合わせて、貼り合わせ基板を形成する。そして、ＳｉＧｅ超格子構造とＣＭＯＳ素子とを接続する電気接続配線を形成し、ＳｉＧｅ超格子構造と貼り合わせ基板との間に空洞を形成する。 （もっと読む）

半導体素子の作製方法は、各々が複数の層からなる複数の群を積層した状態で有する超格子を作製する工程を有して良い。複数の層からなる群の各々は、基礎となる半導体部分を画定する、複数の積層された基礎となる半導体分子層、及び隣接する基礎となる半導体部分の結晶格子の内部に束縛された少なくとも1の非半導体分子層を有して良い。当該方法はまた、その超格子が完全に形成される前に少なくとも1回のアニーリングを行う工程をも有して良い。
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本発明は、歪み薄膜を緩和するための方法に関する。歪み薄膜は、初期支持体の第一の主面によって固定され、薄膜の第二の主面は接触面として知られ、この方法は、以下の連続するステップを有している：
---接触面として知られている主自由面を具備し、ポリマーの熱膨張率が薄膜のそれよりも大きいポリマー層を有する中間支持体を提供するステップと、
---歪み薄膜の接触面とポリマー層の接触面とを接着して接触させるステップと、
---初期支持体（９）を取り除くことによって、しわの形成によって薄膜（８）の緩和を引き起こし、薄膜の第一の主面を露呈させるステップと、
---緩和させられた薄膜（８）を伸ばして、しわを取り除くために、ポリマー層（２）の温度を増加させるステップと、
---受け入れ基板（１０）の一つの面で薄膜（８）の第一の主面を固定するステップと、
---受け入れ基板と一体になった緩和させられた薄膜を得るために、中間支持体を取り除くステップ。
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半導体デバイスは、半導体基板及びその上の少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴを含んでいる。このＭＯＳＦＥＴは、空間的に隔てられたソース領域及びドレイン領域、ソース領域とドレイン領域との間のチャネル、及びチャネルの上に位置しチャネルとの界面を画成するゲートを含んでいる。ゲートは、チャネルの上に位置するゲート誘電体と、ゲート誘電体の上に位置するゲート電極とを含んでいる。また、このチャネルは、積層された複数のベース半導体モノレイヤーと、隣接し合うベース半導体モノレイヤーの結晶格子内に拘束された少なくとも１つの非半導体モノレイヤーとを含んでいる。上記少なくとも１つの非半導体モノレイヤーは、チャネルとゲート誘電体との間の界面に対しておよそ４−１００モノレイヤーの深さに位置付けられている。
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半導体デバイスは、積層された複数の層群を有する歪み超格子層（325）、及び歪み超格子層の上方の応力層を含んでいる。歪み超格子層の各層群は、ベース半導体部分を画成する積層された複数のベース半導体モノレイヤーと、隣接し合うベース半導体部分の結晶格子内に拘束された少なくとも１つの非半導体モノレイヤーとを含んでいる。
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【課題】 優れた発光効率、逆耐電圧特性および静電耐圧特性等を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に適したＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤を提供すること。
【解決手段】 表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下の基板と該基板上に直接積層されたＩＩＩ族窒化物半導体層とからなり、該ＩＩＩ族窒化物半導体層は互いに接する複数の層からなり、該複数の層の少なくとも一層は転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の層であるＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤。 （もっと読む）

【課題】 高温のアニール処理を長時間に亘って行うことにより発生する窒素空孔の形成という問題を生じさせることなく、アクセプタの活性化を行い、キャリア濃度の高い（低抵抗の）ｐ形の窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の製法を提供する。
【解決手段】 基板１上に窒化物半導体からなる半導体積層部６を形成し、その半導体積層部６の表面側から、λ＝ｈ・ｃ／Ｅ以下（ＥはＭｇとＨとの結合を切り離し得るエネルギー）の波長λのレーザ光を照射する。その後に、３００〜４００℃の熱処理を行う。そして、通常の窒化物半導体ＬＥＤの製造工程と同様に透光性導電層７を設け、半導体積層部６の一部をエッチングにより除去して露出するｎ形層３にｎ側電極９を、透光性導電層７の表面にｐ側電極８を形成する。 （もっと読む）

異種基板から厚くエピタキシャル成長した窒化物薄膜をｉｎ ｓｉｔｕ分離することによる自立（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板を作製する方法が開示される。（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄膜の成長に適した基板が選択され、異種イオンが該基板に注入されて比較的急峻な濃度分布を形成する。（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄膜が該基板上に成膜され、該成膜された薄膜を降温して、熱膨張不整に関係した歪を導入すると、該薄膜は該基板から自然に分離する。
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組成変動を有する半導体層を備えている半導体構造を形成する。この半導体層の最上表面は、実質的にヘイズを有していない。
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【課題】材料的な制限を必要とせず、ウェハの反りの微調整が可能な調整層を用い、ウェハの反りに起因する支持基板との不均一な接合を低減する窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、成長用基板１上に、少なくとも１層以上の窒化物系半導体素子層３を形成する工程と、窒化物系半導体素子層３上に、支持基板１０の一方の主面を接合する工程と、接合された窒化物系半導体素子層３及び支持基板１０から成長用基板１を除去する工程とによって製造される。窒化物系半導体素子は、支持基板１０の他方の主面上に、支持基板１０とは熱膨張係数の異なる材料からなる調整層１１を備える。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム濃度の高いシリコン・ゲルマニウム層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン及び酸素を含む層１５とシリコン・ゲルマニウム層１３ａとを含み、シリコン及び酸素を含む層がシリコン・ゲルマニウム層と基板１１との間に位置する積層構造を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム層を酸化性雰囲気中での熱処理により酸化して、シリコン・ゲルマニウム層の上部にゲルマニウムがほとんど残存しないシリコン酸化層１６ａを形成することにより、シリコン・ゲルマニウム層の膜厚を減少させ、シリコン・ゲルマニウム層のゲルマニウム濃度を増加させる工程と、を有する。 （もっと読む）

除去構造を含んでなるウェハーの、その薄層を除去した後の、機械的手段による循環使用。半導体材料から選択された材料を含んでなる有用な層を除去した後、ドナーウェハー（１０）を循環使用する方法。ドナーウェハー（１０）は、順に、基材（１）および除去構造（Ｉ）を含んでなり、該除去構造（Ｉ）は、除去前は、除去すべき有用な層を含んでなり、本方法は、除去が行われる側にある物質を除去することを含んでなり、物質の除去が、物質を除去した後、除去構造の少なくとも一部（Ｉ’）が残り、この除去構造の少なくとも一部（Ｉ’）が、少なくとも一個の他の有用な層（該層は、有用な層を再形成する補充工程無しに、循環使用の後に除去できる）を包含するように、機械的手段を使用することを含んでなることを特徴とする。本願は、同様に、本発明により循環使用できるドナーウェハー（１０）から薄層を除去する方法、および本発明により循環使用できるドナーウェハー（１０）にも関する。
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【課題】 改善された熱伝導率をもつ歪みシリコン材料を形成するための方法を提供すること。
【解決手段】 改善された熱伝導率を有するＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層を形成するための方法が開示される。第１の堆積ステップにおいて、Ｓｉ又はＧｅの第１の層が堆積され、第２の堆積ステップにおいて、他方の要素の第２の層が堆積され、第１の堆積ステップ及び第２の堆積ステップが繰り返されて、複数のＳｉ層と複数のＧｅ層とを有する複合ＳｉＧｅ層が形成される。Ｓｉ層及びＧｅ層のそれぞれの厚さは、複合ＳｉＧｅ層の望ましい構成比による。複合ＳｉＧｅ層は、Ｓｉ及びＧｅのランダム合金のものより大きい熱伝導率を有するＳｉ及びＧｅのデジタル合金として特徴付けられる。この方法は、さらに、Ｓｉ層を複合ＳｉＧｅ層に堆積するステップをさらに含み、複合ＳｉＧｅ層は緩和ＳｉＧｅ層として特徴付けられ、Ｓｉ層は歪みＳｉ層である。ＳｉＧｅ層におけるより大きな熱伝導率のためには、第１の層及び第２の層は、各々が、本質的に、単一の同位体で構成されるように堆積することができる。 （もっと読む）