【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】多層膜の成膜により生じた反りを矯正すること。
【解決手段】単結晶基板２０と、単結晶基板２０の片面に形成された２つ以上の層を有しかつ圧縮応力を有する多層膜３０とを含み、単結晶基板２０をその厚み方向において２等分して得られる２つの領域２０Ｕ、２０Ｄのうち、少なくとも単結晶基板２０の多層膜３０が形成された面側と反対側の面側の領域２０Ｄ内に、熱変性層２２が設けられている多層膜付き単結晶基板、その製造方法および当該製造方法を用いた素子製造方法 （もっと読む）

【課題】中間層としてＧｅ結晶を用いる場合の化合物半導体へのＧｅ原子の混入を抑制する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に形成された第１結晶層と、第１結晶層を被覆する第２結晶層と、第２結晶層に接して形成された第３結晶層とを備え、第１結晶層が、ベース基板における第１結晶層と接する面と面方位が等しい第１結晶面、及び、第１結晶面と異なる面方位を有する第２結晶面を有し、第２結晶層が、第１結晶面と面方位が等しい第３結晶面、及び、第２結晶面と面方位が等しい第４結晶面を有し、第３結晶層が、第３結晶面及び第４結晶面のそれぞれの少なくとも一部に接しており、第１結晶面に接する領域における第２結晶層の厚みに対する第２結晶面に接する領域における第２結晶層の厚みの比が、第３結晶面に接する領域における第３結晶層の厚みに対する第４結晶面に接する領域における第３結晶層の厚みの比よりも大きい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】安価な、また、放熱特性に優れたＳｉ基板を用いて、良質なＧａＡｓ系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】Ｓｉの基板と、基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、基板の一部を覆う被覆領域と、被覆領域の内部に基板を覆わない開口領域とを有し、さらに開口領域に結晶成長されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。当該半導体基板において、Ｇｅ層は、結晶欠陥が移動できる温度および時間でアニールされることにより形成されてよい。 （もっと読む）

【課題】安価な、また、放熱特性に優れたＳｉ基板を用いて、良質なＧａＡｓ系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。Ｇｅ層は、アニールした場合に、アニールの温度および時間において結晶欠陥が移動する距離の２倍を越えない大きさの島状に形成する。あるいはＧｅ層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるＳｉとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。 （もっと読む）

【課題】圧縮歪層と引張歪層とを利用して、ＩｎＰ系半導体デバイスを成長させるメタモルフィック基板の欠陥（例えば転位）の低減を可能にする。
【解決手段】ガリウムヒ素基板１００と、前記ガリウムヒ素基板１００上に形成されたバッファ層１０１と、前記バッファ層１０１上に、前記バッファ層１０１よりも面内方向の格子定数が小さい材料からなる引張歪層１０５ａと、前記バッファ層１０１よりも面内方向の格子定数大きい材料からなる圧縮歪層１０５ｂとを積層して形成された歪補償構造層１０５とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を１００μｍ以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±１μｍ以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±０．５μｍ以下である。前記窒化物半導体基板はｎ型不純物がドープされている。 （もっと読む）

【課題】より小さな表面凹凸をもつ半導体ヘテロ構造を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１の面内格子定数をもつ支持基板と、該支持基板上に形成されていて、上部に格子緩和状態おいて第２の面内格子定数をもつ緩衝構造と、および該緩衝構造上に形成された組成非傾斜層の多層積層とを備えた半導体ヘテロ構造に関するものである。表面凹凸の少ない、前記のタイプの半導体ヘテロ構造を提供することが本発明の目的である。前記の目的は、該組成非傾斜層が歪み層であり、かつ、該歪み層が前記第１および第２の格子定数の中間の第３の面内格子定数を格子緩和状態において有する半導体材料の、歪を有する平坦化層を少なくとも１つ含んで構成されることを特徴とする、前記のタイプのヘテロ構造によって達成される。 （もっと読む）

【課題】 中間層３ａの表面状態を改善させ、窒化物半導体単結晶２の成膜に好ましく用いることの出来る単結晶基板と、それを用いた窒化物半導体単結晶２の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ａｌ_ｘＧａ_ｙＮ（ｘ，ｙ≧０、ｘ＋ｙ＝１）の一般式からなる窒化物半導体単結晶２を積層させるために用いられる単結晶基板１ｂであって、一方の主面４ａが凸面として形成されており、さらに当該凸面が鏡面に研磨されていることを特徴とする単結晶基板１ｂと、それを用いた窒化物半導体単結晶２の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な手法によって低転位のＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】所定の基材上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ系III族窒化物成長下地層が形成されてなるエピタキシャル基板の上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜をエピタキシャル形成する場合に、ＭＯＣＶＤ法における加熱温度よりも高い温度で該エピタキシャル基板を加熱処理した上で、厚膜層の形成を行うようにすることで、厚膜層の低転位化を実現することができる。すなわち、ＨＶＰＥ法を用いた厚膜成長に先立って、加熱処理という比較的簡便な処理を施すだけで、ＨＶＰＥ法による成長に際して特別の構成を有する装置を用いたり、あるいは成長条件に特段の限定を加えたりしなくとも、低転位のＡｌＮ系III族窒化物からなる厚膜層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合による欠陥発生が抑制され、結晶性に優れた高品質な３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層を備えたＳｉＣ半導体、および、このような３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層を簡便に形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面に、ホウ素が１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上固溶しているＳｉ単結晶基板上に、６７０℃以上８５０℃以下で３Ｃ−ＳｉＣ低温成長層をエピタキシャル成長させた後、昇温し、前記３Ｃ−ＳｉＣ低温成長層の上に、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層をエピタキシャル成長させることにより、Ｓｉ単結晶基板上に３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層を備えたＳｉＣ半導体を得る。 （もっと読む）

高品質の窒化物半導体結晶層を得ることができる窒化物半導体成長用基板を提供する。本発明の一実施形態に係る、サファイア基板（１）上に窒化物半導体層を成長させるための窒化物半導体成長用基板は、サファイア基板（１）上に別途に設けたＡｌ_２Ｏ_３層（２）と、第１の層であるＡｌＯＮ層（３）と、第２の層であるＡｌＮ層（４）とを備える。第１の層および第２の層については、ＡｌＯＮ層（３）とＡｌＮ層（４）との順序でＡｌ_２Ｏ_３層（２）上に積層させる。
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【課題】材料的な制限を必要とせず、ウェハの反りの微調整が可能な調整層を用い、ウェハの反りに起因する支持基板との不均一な接合を低減する窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、成長用基板１上に、少なくとも１層以上の窒化物系半導体素子層３を形成する工程と、窒化物系半導体素子層３上に、支持基板１０の一方の主面を接合する工程と、接合された窒化物系半導体素子層３及び支持基板１０から成長用基板１を除去する工程とによって製造される。窒化物系半導体素子は、支持基板１０の他方の主面上に、支持基板１０とは熱膨張係数の異なる材料からなる調整層１１を備える。 （もっと読む）

Ｓｉ歪み層１６をＳｉ基板１０上に形成する方法は、Ｓｉ基板１０上に第１のＳｉＧｅバッファ層１２を形成するステップを含む。それから、イオン注入法を用いて、第１のＳｉＧｅバッファ層に非晶質化インプラントを注入し、第１のＳｉＧｅバッファ層を非晶質にする。アニール処理の前に、第１のＳｉＧｅバッファ層上に、第２のＳｉＧｅバッファ層１４を成長させる。これにより、緩和ＳｉＧｅ層１２，１４を生成する。それから、Ｓｉの歪み層１６を成長させる。
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【課題】 低抵抗で、しかも連続性のあるｎ型III族窒化物半導体層を安定して得る方法、及びこの方法によって得られるIII族窒化物半導体積層体を提供する。
【解決手段】 ｎ型不純物のドーピング濃度が高いIII族窒化物半導体の層である高濃度ドープ層（１０４ａ）と、ｎ型不純物のドーピング濃度がこれよりも低いIII族窒化物半導体の層である低濃度ドープ層（１０４ｂ）とを交互に、ドーピングされるｎ型不純物の濃度以外のリアクタ内の成長条件も更に異ならせて、積層することを含む、III族窒化物半導体積層体の製造方法、並びにこの方法を含むIII族窒化物半導体発光素子の製造方法とする。また、これらの方法によって得ることができるIII族窒化物半導体積層体、及びIII族窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】異種基板を剥離する工程を含む窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法において、異種基板剥離時の窒化物半導体層の破断を抑制する方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる異種基板１６上に成長された窒化物半導体層１８から、前記異種基板１６−窒化物半導体層１８界面に酸又はアルカリであるエッチング溶液を供給しながら、異種基板１６側から前記窒化物半導体層１８のバンドギャップ波長よりも短波長のレーザ光を照射することによって異種基板１６の剥離を行う。 （もっと読む）

非極性ａ面ＧａＮ／（Ａ１、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ多重量子井戸（ＭＱＷ）を製造する方法。ａ面ＭＱＷは、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって適切なＧａＮ／サファイアテンプレート層上に成長し、井戸幅は２０Å〜７０Åの範囲である。ａ面ＭＱＷからの室温光ルミネセンス（ＰＬ）放射エネルギーは、自己無頓着ポアソン−シュレディンガー（ＳＣＰＳ）計算を使用してモデリングされた正方井戸傾向を伴った。最適ＰＬ放射強度は、ａ面ＭＱＷについて５２Åの量子井戸幅で得られる。
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