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Fターム[5F157AA91]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の形状、形態 (6,397) | 半導体製造プロセスとの関係 (1,020) | リソグラフィ工程 (594)

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【課題】基板処理工程において処理液を繰り返し使用した場合であっても被処理基板に対する処理が悪化することなく、しかも乾燥後の被処理基板の表面にパーティクルやウォーターマークが形成されることを防止することができる基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず、チャンバー2内に第1のガスを満たした状態で処理液をチャンバー2内のウェハWの表面に供給して当該ウェハWの表面の処理を行う。この際に、チャンバー2から排出される処理液を処理液供給部に戻すようにする。その後、チャンバー2内に第1のガスよりも湿度が低い第2のガスを満たした状態で液膜形成用流体をチャンバー2内のウェハWの表面に供給することによりウェハWの表面に液膜を形成しこのウェハWの表面の乾燥を行う。 (もっと読む)


【課題】実施が容易で、デバイス性能に影響を与えずに、レジスト層を基板から除去する方法を提供する。
【解決手段】基板に接触するバルクレジストと、レジスト層の外表面に存在するレジスト外皮とを備えたレジスト層を、基板から除去する方法であって、基板に接触するレジスト層に、バルクレジストについて可溶でレジスト外皮について不溶である液体有機溶媒を少なくとも局所的に供給するステップと、メガソニックエネルギーを有機溶媒に供給して、レジスト外皮を解体し、バルクレジストを有機溶媒中に溶解させる有機溶媒キャビテーションを生成することによって、レジスト層を基板から剥がすステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は電子デバイス基板上のフォトレジストの再加工のために該基板上の多重層フォトレジスト層を除去する組成物。
【解決手段】該組成物は(i)少なくとも三つの別個の溶媒、(ii)少なくとも一つの有機スルホン酸、及び(iii)少なくとも一つの腐食防止剤を含む。本発明はまた該組成物を使用する方法にも関係する。該組成物及び方法は3分未満の接触時間で且つ65℃未満の温度でそのような多重層フォトレジストを除去することに成功し、これにより枚葉式ウェハーツールにおける高い処理能力をもたらした。 (もっと読む)


【課題】基板に対する処理液のミストの飛散を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWを水平に保持し、ウエハWとともに回転可能なウエハ保持部1と、ウエハ保持部1に保持されたウエハWを囲繞し、ウエハWとともに回転可能な回転カップ3と、回転カップ3およびウエハ保持部1を一体的に回転させるモータ2と、ウエハWの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル4と、回転カップ3から外部へ排気および排液する排気・排液部6と、表面がウエハ表面と略連続するようにウエハの外側に設けられ、保持部材1および回転カップ3とともに回転し、ウエハ表面に供給されてウエハWから振り切られた処理液をその表面を介して回転カップ3から排気・排液部6へ案内する案内部材35とを具備する。 (もっと読む)


【課題】平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させる。
【解決手段】この乾燥処理室M5は隔壁194により搬送方向に沿って2つの室M5a,M5bに分割されており、隔壁194には搬送路114上の基板Gがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部192が設けられている。搬送路114上で基板Gが隔壁194の開口部192を通り抜ける時、基板Gと開口部192との間にはわずかな隙間Kが形成され、この隙間Kを通って下流側の高圧室M5bから上流側の低圧室M5aに向って空気流Aが吹き抜けることにより、基板Gの表面に付着している液Ra,Rbは空気流Aの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストmとなって上流側の室M5a内で飛散ないし拡散する。 (もっと読む)


【課題】 洗浄液を供給する洗浄ノズル及び基板端面の位置合わせを行う基板端面洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 両端が開放された洗浄溝部6を有し、洗浄溝部6内の洗浄ノズル7から吐出される洗浄液により基板端面1Eを洗浄する洗浄ユニット5と、洗浄ユニット5に設けられ、洗浄ユニット5に対する基板1の相対的位置を検出する基板検出センサと、洗浄溝部6の溝方向に直交する面内で洗浄ユニット5及び基板支持部2を相対的に移動させる位置合わせ駆動部3と、位置合わせ駆動部3を制御し、洗浄ノズル7及び基板端面1Eの位置合わせを行う位置合わせ制御部22とを備える。 (もっと読む)


本発明は、インジェクションタイプのプラズマ処理装置に関し、常圧条件で誘電体バリア放電(DBD;Dielectric Barrier Discharge)を利用して多様な面積、多様な大きさ、及び多様な形状を有する処理対象物を微細アークストリーマによる損傷なしに処理することができるインジェクションタイプのプラズマ処理装置を提供することをその目的にする。本発明に係るインジェクションタイプのプラズマ処理装置は、誘電体が形成された状態で、反応チャンバに提供される電源電極板と、前記電源電極板に交流電力が印加される時に前記電源電極板との間でプラズマを形成する、前記反応チャンバの壁の一部を構成し且つ複数のホールが形成された接地電極板と、前記反応チャンバ内に反応ガスを注入して、反応チャンバ内のプラズマを前記接地電極板のホールを介して外部に噴射させるガス供給ユニットとを含む。
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浸漬リソグラフィ手段のレンズ及び浸漬液を通じてフォトレジストに照射するステップを含み、浸漬空間において浸漬液はレンズ及びフォトレジストと接触しており、浸漬空間から浸漬液を除去するステップ、浸漬空間に超臨界流体を注入するステップ、浸漬空間から超臨界流体を除去するステップ、及び浸漬空間に浸漬液を注入するステップを含む、浸漬リソグラフィの方法及びシステムが開示される。
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少なくとも1つの低HO含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも1つの気体状低HO含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも1つの低HO含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも1つの低HO含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも1つの低HO含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも1つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも1つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも1つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 (もっと読む)


高圧処理システムにおける均質な処理環境を提供する方法及びシステム(100)が開示される。高圧流体及び処理化学物質は、高圧処理システム(110)における基板に超臨界状態の流体を晒す前に、事前混合システム(160)において混合される。例えば、事前混合システムは、高圧流体及び処理化学物質が混合されるまで高圧処理システムをバイパスするように構成された流体循環システム(120)を含んでよい。或いは、事前混合システムは、混合室を含んでよく、選択的に、混合室内で高圧流体及び処理化学物質を攪拌する手段を含む。
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可動プラテンに搭載された基板(5)を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面(5)を溶剤(7)で湿潤化する溶剤吐出ノズル(25)を有する第1のチャンバ(20)を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面(5)から所定の高さ(h)に高温ソース(30)を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤(7)を蒸発させ、プラテンが基板を第1のチャンバ(20)からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子(35)を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 (もっと読む)


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