【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を製造する装置に関することで、さらに詳しくは半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。
【解決手段】基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】カロー酸を用いたウエハ（基板）洗浄工程において、Ｈ_２Ｏ_２の使用量を低減しつつ、フォトレジスト膜（感光性マスキング層）の除去性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】基板１の洗浄（フォトレジスト膜の除去）時以外のＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度は、フォトレジスト膜の少なくとも一部を除去できる最低限の第１濃度以上で制御する。そして、基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬する直前に、ＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がフォトレジスト膜を確実に除去できる第２濃度以上となり、また基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬した時にＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がその第２濃度未満とならないように、過酸化水素水供給系５４からＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ所定量のＨ_２Ｏ_２を供給する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体が基板洗浄空間内に形成する渦の中心位置を変更することができる基板洗浄装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る基板洗浄装置１０は、基板を洗浄するための洗浄空間Ｓを有する基板洗浄チャンバー２０を備え、この基板洗浄チャンバー２０は、洗浄空間Ｓを規定する内壁２５に沿って間隔をおいて設けられ、且つ内壁２５に対して所定の角度αで当該洗浄空間Ｓ内に超臨界流体を吐出するための複数の流体吐出部２１，２１，…と、これら複数の流体吐出部２１，２１，…に外部から供給される超臨界流体をそれぞれ分配するための分配流路２２と、を有し、分配流路２２は、複数の部分流路部２２ａ，２２ａ，…に分割され、各部分流路部２２ａは、外部から超臨界流体が供給され且つ流体吐出部２１が接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅を含む配線の腐食を抑制できる洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず半導体基板１上に銅を含む配線５ｗが形成される（（Ａ）工程）。配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。ビアホール６ｖおよび絶縁層６の表面が有機溶剤Ｃで洗浄される（（Ｅ）工程）。配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。露出した配線５ｗに電気的に接続する配線６ｗがさらに形成される（（Ｇ）工程）。 （もっと読む）

【課題】薬液のガスの排気量を少なくすることができるとともにこの薬液のガスの排気のコントロールを容易に行うことができ、また、処理空間形成部や処理液供給部以外の周辺ユニットについて耐薬品性を考慮する必要がなくなり、さらに処理液供給部のメンテナンス性を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗの周縁部の洗浄を行う基板洗浄装置は、被処理基板Ｗを支持するとともに回転させる回転支持部２２と、回転支持部２２により支持される被処理基板Ｗの周縁部を覆うような処理空間３６を形成する処理空間形成部３０と、を備えている。また、処理空間３６内にある被処理基板Ｗの周縁部に処理液を供給する処理液供給部４０が設けられている。処理液供給部４０は、処理空間形成部３０により形成される処理空間３６に外部から挿入可能となっている。 （もっと読む）

【課題】優れた防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）又は（Ｂ）で表される化合物。
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【課題】この発明はナノバブルよりも大径な気泡を含んでいない処理液を供給することができる処理液の製造装置を提供することにある。
【解決手段】ナノバブルだけを含む処理液を作る処理液の製造装置であって、
上記処理液に微細気泡を発生させるナノバブル発生器５と、ナノバブル発生器によって微細化された気泡を含む処理液を貯える貯液槽１と、貯液槽に貯えられた処理液に含まれる微細化された気泡のうち、ナノバブルよりも大きな気泡を分離除去する分離籠２及び遠心分離器２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程（ＳＴ１）と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程（ＳＴ２）と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程（ＳＴ３）とを備える。 （もっと読む）

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第４級アンモニウム化合物、および少なくとも１つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。
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【課題】より円滑に剥離液を流通させる。
【解決手段】剥離装置は、第１処理部１Ａ及び第２処理部１Ｂから構成される。第１処理部１Ａの処理槽１０Ａ内には、傾斜姿勢の基板Ｓに剥離液を供給するノズル１２と、基板Ｓに沿って流下する剥離液を受けて排液する樋部材２２とが設けられる。樋部材２２の内底面は、その長手方向中間部に向かって先下がりに形成され、当該中間部には排液口が形成されている。また、樋部材２２の内底面には、剥離液中に含まれる被膜を絡ませることにより排液口側への被膜の流動を抑制する複数のピンが立設されている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置内を清浄に保つことができる半導体製造装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】硫酸と過酸化水素水とが混合されて成るレジスト剥離用薬液を用いてレジスト剥離処理を行う半導体製造装置を洗浄する半導体製造装置の洗浄方法であって、レジスト剥離処理が行われた後、レジスト剥離処理に用いられたレジスト剥離用薬液に過酸化水素水を添加し、過酸化水素水が添加されたレジスト剥離用薬液を用いて、レジスト剥離処理により生じた異物を除去し、異物の除去に用いられたレジスト剥離用薬液を半導体製造装置から排出する。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が０．０１〜２０重量％の範囲、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％の範囲、ポリアクリル酸類が０．００１〜５重量％の範囲、水が５０〜９９．９９重量％の範囲、水溶性有機溶媒が５０重量％以下の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数の吐出口から処理液を吐出させて基板に対して所定の表面処理を行う際に、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】２つのノズル３Ａ，３Ｂが単一のノズルアーム３１に装着される。このノズルアーム３１が移動されてノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの各々にノズル３Ａ，３Ｂが同時に挿入される。各ノズル３Ａ，３Ｂには単一の吐出口３０１ａが開口しているのみであり、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの開口部５２１を小さくすることができる。これにより、間隙空間ＳＰに発生する気流の乱れが低減される。しかも、各ノズル３Ａ，３Ｂは互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが互いに同一形状に形成されているので、間隙空間ＳＰに発生する気流に与える影響を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で且つ故障しにくい、連続運転に適した基板洗浄装置を提供することである。
【解決手段】補液を連続的に補給する補液補給装置から補液が補給され、一定流量の前記補液を通過させる定量ユニットと、前記定量ユニットを通過した前記補液が供給される補液タンクと、液体の流入口が前記補液タンク内部に開口し、前記補液タンクの最上部と前記補液タンクの底の間に位置する高さに最高所が設定されたサイフォンを具備する洗浄装置である。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスにより表面処理する際、被処理物の取り替え等で一時停止した後、ガス状態の安定化工程を省き直ちに処理を再開可能にし、タクト時間を短縮する。
【解決手段】表面処理の実行時には、複数の生成部１０を用いて所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを生成し、噴出路画成部２０の噴出路２３，２４，２５に通して被処理物Ｗに噴き付ける。選択手段５１にて一時停止モードを選択すると、フッ化水素を生成する生成部１０の数を減らし、表面処理実行時より小さい流量で、かつ表面処理実行時と略同じフッ化水素濃度の処理ガスを噴出路２３〜２５に通す。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しながら基板に対し処理液を循環させつつ供給して基板を処理する場合に、循環経路を通して循環する処理液の濃度を正確に管理することができる装置を提供する。
【解決手段】循環経路を通して循環する処理液の濃度を測定する濃度モニタ１４を備え、処理槽１８内で搬送ローラ２４により搬送されつつ処理された基板Ｗに付着して処理槽外へ持ち出される処理液の量を、基板１枚当たりの処理液の持ち出し量と基板の処理枚数とから算出し、算出された処理液の持ち出し量および濃度モニタ１４によって測定された処理液の濃度に基づいて、循環経路の途中に補充すべき薬液の量を算出し、算出された補充量の薬液を循環経路の途中に補充する。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
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