【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】装置設計、コスト、メンテナンス等の負担を軽減し、洗浄工程に要する時間を軽減することが可能な、噴射蒸気により被洗浄物の洗浄を行なうスチームジェット用ノズルを提供する。
【解決手段】ノズル本体１０は、蒸気室１２と、空気室１４と、蒸気室１２に通じる蒸気入力口１５と蒸気噴射口１６と蒸気排気口１７と、空気室１４に通じる空気入力口１８とを有し、蒸気室内１２には、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を有し、空気入力口１８から入力される圧縮空気により、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を制御し、洗浄処理時には、蒸気入力口１５から入力された蒸気を、蒸気噴射口１６から噴出させ、待機時には、蒸気排気口１７から排気させる。 （もっと読む）

【課題】平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送路２と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段９と、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段２１と、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、所定の流速で第２の処理液を供給する第１のリンス手段２２と、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】塗布ノズルから基板への液垂れの発生を抑えること。
【解決手段】 前記塗布ノズル５が待機するために、互いに隣接する液処理部３Ａ〜３Ｃ同士の間に中間待機位置６２，６３を設定し、各液処理部３Ａ〜３Ｃに搬入されたウエハＷに対して塗布液の供給を行うために、予め決められたウエハＷの搬入順序に沿って、前記塗布ノズル５を各液処理部３Ａ〜３Ｃの塗布位置に順次移動させると共に、塗布液の供給が終了した第１の液処理部と、次に塗布液の供給を行う第２の液処理部との間に、塗布液の供給が行われたウエハＷが置かれた第３の液処理部が介在するときには、そのウエハＷが当該第３の液処理部から搬出されるまで、前記第１の液処理部と第３の液処理部との間の中間待機位置で前記塗布ノズル５を待機させるようにその駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体から除去する。
【解決手段】３つのオリフィスノズルからの液体のスプレーの方向を変える。ａ）ｉ）十分な圧力下で液体源から液体を供給され、そこから液体の流れを噴出する第１オリフィス１２４；ii）ガス源からガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第１ガスオリフィス１３０；iii）第２ガス源から第２ガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第２ガスオリフィス１４０、を有するノズルを装備し；そしてｂ）中央オリフィス１２４からの液体の流れに方向を付与するように第１ガスオリフィス１３０及び第２ガスオリフィス１４０の少なくとも１つのガス流の流れを修正することにより、ノズル１２２からの液体のスプレー方向を調節する。 （もっと読む）

【課題】液浸法を採用する露光装置において、露光処理後に基板上に残留した液体を好適に除去する。
【解決手段】液浸法により露光処理が施された基板に残留した液体を除去する残留液体除去方法であって、基板に露光処理を施すに際し、基板の位置合わせを行うアライメント装置と、露光処理が施された後、基板に残留した液体を除去する液体除去装置とを備え、液体除去装置が、露光処理直後の基板に残留した液体を除去する第１の液体除去工程Ｓ９０１と、アライメント装置が、第１の液体除去工程Ｓ９０１の後の基板の画像情報を取得し、該画像情報に基づいて、基板に残留液体を検知する残留液体検知工程Ｓ９０５と、該残留液体検知工程Ｓ９０５において基板に残留液体が検知された場合、液体除去装置が、基板に残留した液体を除去する第２の液体除去工程Ｓ９１１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ノズルへ供給される処理液を一定温度に維持できる処理液供給ユニットと、これを利用する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置及び方法は、ノズルアームと待機ポートとの間の熱伝達、そしてノズルアームとノズル移動ユニットとの間の熱伝達を通じて、待機位置での待機の時、工程位置での工程進行の時、待機位置と工程位置との間で移動する時、にノズルアームに内蔵された処理液配管内の処理液の温度を調節することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。
【解決手段】被処理物９を搬送方向に沿って搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。開口１３，１４を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Ｄを隔てて対向する一対の整流面１７，１８によって画成する。開口１３，１４の上記搬送方向に沿う奥行きＬを、対向距離Ｄの２倍以上とし、好ましくは６倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くするとともに、基板間でのこの時間にばらつきが生じることを防止できる技術を提供する。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。制御部９１は、ノズル２１がある基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えると（ＡＲ２）、当該ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置で待機させておく（ＡＲ３）。基板Ｗ２が現像処理ユニット１内に搬入されると、制御部９１は、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。 （もっと読む）

【課題】フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供する
【解決手段】硫酸及び過酸化水素水が含まれる洗浄液１０１を収容する洗浄槽１１と、洗浄液１０１が、洗浄槽１１の排出口から排出され、加熱装置２１を通過して、フィルタ２５またはバイパスライン２８を通過して、洗浄槽１１の導入口に戻される洗浄循環ライン２９と、加熱された洗浄液１０１が、洗浄槽１１の排出口から排出され、冷却装置３３を通過した後、加熱することにより硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽３５の導入口に導入され、再生槽３５の排出口から排出され、冷却装置４１を通過して、バッファ槽５１に貯留され、バッファ槽５１から洗浄槽１１の導入口に戻される再生循環ライン５５とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】装置のキャップされていない多層ミラー上の沈着を除去する方法である。この方法は、その装置の少なくとも一部に、Ｈ_２、Ｄ_２およびＨＤのうちのひとつ以上ならびに複数の炭化水素化合物および／または複数のシラン化合物から選択されたひとつ以上の追加的な化合物を含むガスを提供することと、そのガスから、水素および／または重水素ラジカルならびにひとつ以上の追加的な化合物のラジカルを生成することと、沈着を伴うキャップされていない多層ミラーを、水素および／または重水素ラジカルならびにひとつ以上の追加的な化合物のラジカルと少なくとも部分的に接触させ、沈着の少なくとも一部を除去することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理時に外方に飛散する洗浄液によるミストの発生を抑制し、基板への再付着の防止を図れるようにした基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷを水平に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック２０と、鉛直軸回りに回転可能な洗浄部材３０と、洗浄部材を鉛直軸回りに回転するサーボモータ３９と、洗浄部材をウエハの被洗浄面に沿って移動させる移動機構６３と、を具備する基板洗浄装置において、洗浄部材は、ベース部３２にスポンジ状の洗浄基部３１を接合してなり、ベース部及び洗浄基部の中心部に、洗浄液供給源に接続する吐出口３３を設け、洗浄基部の表面に、基端が洗浄液吐出口に連通すると共に、先端が洗浄部材の外周縁部手前まで延びる複数の連通溝３５を設け、ベース部における連通溝が位置する部位に、連通溝と連通する排出孔３６を設ける。 （もっと読む）

【課題】コーティング斑の発生を防止すると共に、保持台と基板の帯電を抑制する基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを略水平に保持するスピンチャック５０と、スピンチャックに基板を吸着保持させる吸着手段と、スピンチャック５０に保持された基板を収容する下カップ６０と、下カップを閉塞する蓋体６１と、を具備してなり、スピンチャックを、導電性樹脂材料にて形成すると共に、該導電性樹脂材料の表面抵抗率を、１×１０^１〜１×１０^１２（Ω／ｓｑ．）にする。下カップは、カップ本体８５と、このカップ本体の底面に止着され、基板の下方及び側方を包囲する導電性樹脂製のプレート８７と、カップ本体の底面にねじ部材８９によって止着される導電性樹脂製のカバー８８により形成される。 （もっと読む）

【課題】基板及び基板搬送機構を洗浄する洗浄装置を提供すること。
【解決手段】
ウエハＷを載置する載置台７４を取り囲み、下部にドレイン管７７が接続したカップ体７６を設ける。このカップ体７６は筐体６０内に収納されている。前記筐体６０内において、ウエハＷの搬入経路でありカップ体７６の外部にアーム体５３を洗浄するための洗浄ヘッド６３と、載置台７４の上方にウエハＷを洗浄するためのシャワーヘッド７１と、を設ける。前記洗浄ヘッド６３は、アーム体５３の進入方向に直交するように伸びており、その長手方向の長さはアーム体５３の幅全体をカバーするように形成されている。前記洗浄ヘッド６３及びシャワーヘッド７１は、共通の洗浄液供給源６４Ａ及びパージガス供給源６５Ａに接続されている。 （もっと読む）

【課題】高精度なパターン形成が可能な基板処理方法及びマスク製造方法を提供する。
【解決手段】処理液の吐出口と吸引口とを有し、処理対象の基板に対して相対移動可能に設けられたノズルの吐出口及び吸引口を基板の被処理面に対向させ、吐出口から処理液を被処理面に供給しつつこの被処理面上に供給された処理液を吸引口に吸引することで、被処理面の一部の領域のみを選択的に処理液で処理する。 （もっと読む）

【課題】
マイクロ電子デバイスからのバルク及び硬化フォトレジストの除去に関連した従来技術の欠陥を克服する組成物を提供する。
【解決手段】
マイクロ電子デバイスからバルク及び／又は硬化フォトレジスト材料を除去するための方法及び低ｐＨ組成物が開発された。低ｐＨ組成物は、少なくとも１種の鉱酸及び少なくとも１種の酸化剤を含む。低ｐＨ組成物は、下のケイ素含有層（複数可）を損傷せずに、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。 （もっと読む）

【課題】基板から液体を確実に除去することが可能な基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液の脱気処理が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給管６６１ａを通してリンス液供給ノズル６６０に供給される。基板Ｗの乾燥処理時に、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上にリンス液の液層が形成される。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の表面特性の変化を抑えながらレジスト膜上の付着物を除去することが可能な洗浄除去液を提供する。
【解決手段】本発明に係る洗浄除去液は、非極性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いてレジスト膜上に形成された保護膜など、レジスト膜上の付着物を除去するために用いられるものであり、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤とを含有する。極性溶剤の含有量は、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤との合計量に対して１〜５０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板と基板との間隙における処理液の流速を向上させ、基板と基板との間隙に下向きの流れが発生することを防止することにより、処理液中のパーティクルや排液すべき成分の排出効率を向上させ、また、複数枚の基板の処理状態を均一化できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の側壁１１ｃに設けられた整流板６１と、リフタ２０の背板２２に設けられた整流板６２とを有する。処理液中に浸漬された複数枚の基板Ｗの側方の領域Ａ１，Ａ２においては、整流板６１，６２がそれぞれ抵抗となり、これらの領域Ａ１，Ａ２における処理液の流れが抑制される。したがって、複数枚の基板Ｗの間隙Ａ３における処理液の流速が向上する。これにより、複数枚の基板Ｗの間隙Ａ３に下向きの流れが発生することを防止でき、処理液中のパーティクルや排液すべき成分を効率よく排出できるとともに、複数枚の基板Ｗの処理状態を均一化できる。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部に形成される処理液の循環領域を狭小化して処理液の置換効率を向上させるとともに、複数枚の基板の間隙に処理液を良好に流入させる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】下段ノズル１４ｂの吐出孔１４１の向きを、底板１１ａの上面の法線Ｎに対して内側方向に５°以上かつ４０°以下の角度θに設定する。これにより、吐出孔１４１から吐出された処理液の流圧が過度に低減されることはなく、また、内槽１１の内部において大きな処理液の循環領域ＣＡが形成されることもない。したがって、基板Ｗの間隙に処理液を良好に流入させつつ、内槽１１の内部の処理液を効率よく置換できる。 （もっと読む）