残留液体除去方法、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法
【課題】液浸法を採用する露光装置において、露光処理後に基板上に残留した液体を好適に除去する。
【解決手段】液浸法により露光処理が施された基板に残留した液体を除去する残留液体除去方法であって、基板に露光処理を施すに際し、基板の位置合わせを行うアライメント装置と、露光処理が施された後、基板に残留した液体を除去する液体除去装置とを備え、液体除去装置が、露光処理直後の基板に残留した液体を除去する第１の液体除去工程Ｓ９０１と、アライメント装置が、第１の液体除去工程Ｓ９０１の後の基板の画像情報を取得し、該画像情報に基づいて、基板に残留液体を検知する残留液体検知工程Ｓ９０５と、該残留液体検知工程Ｓ９０５において基板に残留液体が検知された場合、液体除去装置が、基板に残留した液体を除去する第２の液体除去工程Ｓ９１１と、を有する。
【解決手段】液浸法により露光処理が施された基板に残留した液体を除去する残留液体除去方法であって、基板に露光処理を施すに際し、基板の位置合わせを行うアライメント装置と、露光処理が施された後、基板に残留した液体を除去する液体除去装置とを備え、液体除去装置が、露光処理直後の基板に残留した液体を除去する第１の液体除去工程Ｓ９０１と、アライメント装置が、第１の液体除去工程Ｓ９０１の後の基板の画像情報を取得し、該画像情報に基づいて、基板に残留液体を検知する残留液体検知工程Ｓ９０５と、該残留液体検知工程Ｓ９０５において基板に残留液体が検知された場合、液体除去装置が、基板に残留した液体を除去する第２の液体除去工程Ｓ９１１と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、残留液体除去方法、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの集積密度の向上に伴い、回路パターンの更なる微細化が要求されている。そこで、半導体製造工程におけるリソグラフィ工程に用いられる露光装置としては、解像力を向上させる液浸法を採用した露光装置が提案されている。この液浸露光装置は、投影光学系の端面の少なくとも一部の領域と、基板ステージ上の基板との間の空間に液体を満たした状態で基板を露光する装置である。
【０００３】
しかしながら、従来の液浸露光装置では、液体が処理後の基板（ウエハ）に付着したままであると、搬送系に不具合を発生させたり、基板を塗布現像装置に搬送後、加熱処理を行う際に温度ムラが発生し、ＣＤ均一性を悪化させたりするという問題がある。更には、液体が残留した基板が再度基板ステージに送りこまれた場合、プリアライメント実行時に、基板外周に付着した液体が異物と判断され、アライメントが実行できない場合がある。そこで、この問題を解決するために、例えば、特許文献１は、従来の投影光学系の周囲に配置された回収ノズルを通して液体を回収する方法に加え、基板の搬送経路の途中に残液を回収する液滴除去ユニットを配置する露光装置を開示している。
【特許文献１】特開２００７−１０９７４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１に示す露光装置のように、高圧ガスを吹き付けることによって基板に付着した液体を除去する方法では、通常、液体は不活性ガスにより基板端面に移動し、落下して大部分が除去される。しかしながら、撥水性の劣化等に起因し、吹き飛ばしたはずの液体を基板上から完全に除去することができない場合がある。その場合、結果的に、露光装置は、上記のような不具合を発生させ、最終的には、基板搬送を一旦停止させて、オペレータが液体の残留した基板を取り除かねばならず、装置全体にダウンタイムを発生させるという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、液浸法を採用する露光装置において、露光処理後に基板上に残留した液体を好適に除去する残留液体除去方法、及び、装置全体のダウンタイムを低減させる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、液浸法により露光処理が施された基板に残留した液体を除去する残留液体除去方法であって、基板に露光処理を施すに際し、基板の位置合わせを行うアライメント装置と、露光処理が施された後、基板に残留した液体を除去する液体除去装置とを備え、液体除去装置が、露光処理直後の基板に残留した液体を除去する第１の液体除去工程と、アライメント装置が、第１の液体除去工程の後の基板の画像情報を取得し、該画像情報に基づいて、基板に残留液体を検知する残留液体検知工程と、該残留液体検知工程において基板に残留液体が検知された場合、液体除去装置が、基板に残留した液体を除去する第２の液体除去工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、第１の液体除去工程において、万一、基板上に液体が残留した場合でも、残留液体検知工程にて残留液体を検知し、第２の液体除去工程にて好適に残留液体を除去することができる。したがって、オペレータが介在することなく、装置自体が自動で基板上に液体が残留しないように処理するので、装置全体のダウンタイムを低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面等を参照して説明する。
【０００９】
（露光装置）
図１は、本発明の実施形態に係る露光装置の本体部分（以下、「露光ユニット」と表記する）を示す概略図である。露光ユニット１は、液浸法によりレチクルのパターンをウエハに露光する装置である。なお、ウエハ上に液体を供給する供給ノズル、及び露光処理後に液体を排出する排出ノズル等の図示は省略する。また、図１において、露光ユニット１を構成する投影光学系の光軸に平行にＺ軸を取り、該Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクル（原版）及びウエハ（基板）の走査方向にＹ軸を取り、該Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取って説明する。
【００１０】
露光ユニット１は、照明光学系２と、パターンが形成されたレチクル３を保持するレチクルステージ系４と、レチクル位置計測ユニット５と、投影光学系６と、感光剤が塗布されたウエハ７を位置決めする基板ステージ系８とを備える。
【００１１】
照明光学系２は、内蔵光源（超高圧水銀ランプ等の放電灯）、若しくは露光ユニット１とは別に設置された光源装置（光源部）から、ビームラインを経て照明光を導入し、各種レンズや絞りによってスリット光を生成して、レチクル３を上方から照明する。レチクルステージ系４は、ＸＹ方向に移動可能なステージである。レチクル位置計測ユニット５は、レチクル３の位置を計測する装置である。投影光学系６は、レチクル３のパターンをウエハ７に所定の倍率（例えば４：１）で縮小投影する。また、基板ステージ系８は、ウエハ７をＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ９と、ウエハ７をＺ方向に移動可能なＺステージ１０とを含む。更に、露光ユニット１は、ＸＹステージ９のＸＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計１１と、ウエハ７のＺ方向の位置を計測するフォーカスユニット１２とを備える。
【００１２】
（デバイス製造装置）
図２は、本発明の実施形態に係るデバイス製造装置を示す概略図（平面図）である。デバイス製造装置１３は、図１に示す露光ユニット１を有する露光装置１５と、塗布現像装置１６とから構成される。
【００１３】
露光装置１５は、露光ユニット１を含む露光処理部１７と、処理対象物であるウエハを保持するハンド１８を備えた第１搬送ユニット１９と、露光装置１５を制御する制御部２０と、ユーザーインターフェースである入出力装置２１とを有する。更に、露光装置１５は、主電源２２と、副電源２３と、第１搬送ユニット１９を制御する第１搬送制御部２４とを有する。これらの構成部は、露光チャンバ２５内にそれぞれ配置されている。
【００１４】
ここで、主電源２２は、少なくとも、露光処理部１７、制御部２０、及び入出力装置２１にそれぞれ電力を供給する。一方、副電源２３は、第１搬送制御部２４に電力を供給する。なお、副電源２３は、主電源２２による電力供給対象に対する電力供給が遮断された場合、代替して電力供給が継続されるように構成されている。具体的には、副電源２３は、例えば２次電池を含んで構成されうる。この場合、副電源２３は、主電源２２が正常である場合には、主電源２２から提供される電力によって２次電池を充電し、一方、主電源２２の異常や停電等によって主電源２２による電力供給が遮断された場合には、２次電池によって電力供給対象に電力を供給する。
【００１５】
塗布現像装置１６は、ウエハへの感光剤の塗布及び露光済みウエハの現像を行う機能を有する塗布現像ユニットを含む塗布現像部２６と、ウエハを保持するハンド２７を備えた第２搬送ユニット２８と、塗布現像装置１６を制御する制御部２９とを有する。更に、塗布現像装置１６は、主電源３０と、副電源３１と、第２搬送ユニット２８を制御する第２搬送制御部３２を有する。これらの構成部は、塗布現像チャンバ３３内にそれぞれ配置されている。なお、主電源３０及び副電源３１の作用は、上記露光装置１５に備えられた主電源２２及び副電源２３の作用と同一である。
【００１６】
また、デバイス製造装置１３は、露光装置１５と塗布現像装置１６との間でウエハを受け渡す受渡ステーション３４を備える。まず、第２搬送ユニット２８は、感光剤が塗布されたウエハを受渡ステーション３４内の搬入部３５へ搬送する。第１搬送ユニット１９は、搬送された搬入部３５内のウエハを受け取り、露光処理部１７へ搬送する。露光処理の終了後、第１搬送ユニット１９は、ウエハを露光処理部１７から受渡ステーション３４内の搬出部３６へ搬送する。そして、第２搬送ユニット２８は、搬送された搬出部３６内のウエハを受け取り、塗布現像部２６へ搬送し、現像処理を行う。
【００１７】
（搬送ユニット）
図３は、本発明の実施形態に係る露光装置１５内の第１搬送ユニット１９の構成を示す概略図（平面図）である。図３において、図２と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００１８】
第１搬送ユニット１９は、基板搬送ロボット４０と、プリアライメントユニット（アライメント装置）４１と、残留液体除去ユニット（液体除去装置）４２と、供給ロボット４３と、回収ロボット４４と、回収ステーション４５とを備える。
【００１９】
基板搬送ロボット４０は、受渡ステーション３４内の搬入出部、及び各ユニット部等へのウエハの搬送を行うためのロボットである。
【００２０】
プリアライメントユニット４１は、露光処理部１７で露光処理を行うに際し、供給ロボット４３上に載置するウエハの位置合わせを行うための装置である。図４は、プリアライメントユニットの構成を示す概略図（側面図）である。プリアライメントユニット４１は、ウエハ７を保持する基板保持機構５０と、ウエハ７を回転させる基板回転機構５１と、ＸＹ方向で基板保持機構５０の位置を調整する２次元駆動機構５２と、ウエハ７の外周部を計測する計測装置５３とを備える。更に、計測装置５３は、計測光源５４と、イメージセンサ５５とで構成される。まず、計測装置５３は、基板回転機構５１が基板保持機構４３で保持されたウエハ７を回転中に、ウエハ７の外周部のデータを取得する。次に、該取得したデータに基づいて、不図示の画像処理部及び演算部は、ウエハの位置を算出し、基板保持機構５０及び基板回転機構５１は、ウエハ７を特定の位置に合わせる。
【００２１】
残留液体除去ユニット４２は、露光処理部１７にて一旦液体を排出したものの、表面に残留した液体をウエハ７から除去するための装置である。図５は、残留液体除去ユニットの構成を示す概略図（側面図）である。残留液体除去ユニット４２は、ウエハ７を保持する基板保持機構６０と、ウエハ７を回転させる基板回転機構６１と、ウエハ７上に高圧ガスを吹き付けるエアナイフ６２と、該エアナイフ６２により吹き飛ばされた液体の飛散を防止するための防護壁６３とを備える。なお、エアナイフ６２は、吹き付ける高圧ガス（不活性ガス）が均一化するように駆動させる不図示の駆動機構を備える。まず、基板回転機構６１は、基板保持機構６０で保持されたウエハ７を回転させる。その後、エアナイフ６２は、ウエハ７の回転中に高圧ガスを吐出し、ウエハ７の表面の残留液体を吹き飛ばすことにより除去する。なお、吹き飛ばされ、ユニット内に残った液体は、不図示のポンプ等により外部に排出される。
【００２２】
供給ロボット４３は、プリアライメントユニット４１にて位置合わせされたウエハ７を露光処理部１７内の基板ステージ系８へ搬送するためのロボットである。また、回収ロボット４４は、基板ステージ系８からウエハ７を回収し、露光処理後のウエハ７を一旦保持するための回収ステーション４５へ搬送するためのロボットである。
【００２３】
次に、第１搬送ユニット１９におけるウエハの搬送について説明する。まず、基板搬送ロボット４０は、受渡ステーション３４内の搬入部３５に載置されたウエハを、プリアライメントユニット４１に搬入する。次に、プリアライメントユニット４１は、ウエハの位置合わせ動作を実行し、その後、供給ロボット３８は、位置合わせされたウエハを、プリアライメントユニット４１から露光処理部１７内の基板ステージ系８へ搬入する。次に、ウエハは、基板ステージ系８に保持された状態で投影光学系６の真下の露光位置に設置される。その後、ウエハ上に不図示の液体供給ノズルから液体が供給され、液浸露光処理が実施される。
【００２４】
露光処理後、液体を回収する不図示の液体排出ノズルによりウエハ上の液体を回収し、ウエハは、基板ステージ系８に保持された状態で、露光処理部１７内の基板回収位置に移動される。次に、回収ロボット４４は、ウエハを基板回収位置から回収ステーション４５に搬送し、その後、搬送ロボット４０は、ウエハを回収ステーション４５から残留液体除去ユニット４２に搬入する。次に、残留液体除去ユニット４２は、ウエハ上に残留した液体を除去する処理を実行し、その後、搬送ロボット４０は、ウエハを残留液体除去ユニット４２から受渡ステーション３４内の搬出部３６へ搬送する。ここで、一旦露光処理部１７内で液浸露光処理を施されたウエハを回収し、再度露光処理部１７に搬入する場合は、搬送ロボット４０は、液体の除去処理を行ったウエハを残留液体除去ユニット４２からプリアライメントユニット４１へ搬送する。なお、ウエハを、受渡ステーション３４（塗布現像装置１６）からではなく、ＦＯＵＰ等の基板キャリアユニット４６から供給し、露光処理後、ウエハを再度基板キャリアユニット４６へ収納する搬送方法を用いても良い。
【００２５】
（残留液体除去方法）
次に、本発明の特徴である残留液体除去方法について説明する。まず、本実施形態における、ウエハ７上の残留液体の位置及び大きさを判定する液体検知処理部と、残留液体の除去動作を制御する液体除去制御部との関係について説明する。なお、液体検知処理部及び液体除去制御部は、露光装置１５内の制御部２０、若しくは、不図示であるが、別途設置されたシーケンサ又はコンピュータ等の制御装置に備えられる。
【００２６】
図６は、液体検知処理部７０と液体除去制御部８０との関係を示すブロック図である。まず、液体検知処理部７０は、基板外周検出部７１と、記憶部７２と、ＣＰＵ（中央演算装置）７３と、画像処理部７４と、液体位置検出部７５とで構成される。また、液体除去制御部８０は、ＣＰＵ８１と、回転駆動制御部８２と、エアナイフ制御部８３とで構成される。
【００２７】
まず、プリアライメントユニット４１の計測装置５３により取り込まれたウエハ７の画像は、基板外周検出部７１に送られ、画像データ（画像情報）として記憶部７２に保存される。次に、該画像データは、画像処理部７４において外周部データに変換され、液体位置検出部７５は、該外周部データと予め記憶部７２に記憶された外周部データモデルとを比較し、位置データを抽出する。該抽出された位置データは、ＣＰＵ７３に送信される。次に、該ＣＰＵ７３は、データ通信機構８４を介して、位置データを液体除去制御部８０のＣＰＵ８１へ送信する。該ＣＰＵ８１は、位置データを回転駆動制御部８２に送信し、残留液体除去ユニット４２の基板回転機構６１は、受信した位置データに基づいて、ウエハ７を位置変化させる。同時に、ＣＰＵ８１は、位置データをエアナイフ制御部８３に送信し、残留液体除去ユニット４２のエアナイフ６２は、高圧ガスの吐出を実行し、ウエハ７に残留した目標となる液体の除去を行う。
【００２８】
ここで、上記外周部データの一例を示す。図７は、外周部データの一例であり、図７（Ａ）は、ウエハ７の外周部に液体の付着が無い場合のデータであり、図７（Ｂ）は、ウエハ７の外周部に液体が付着している場合のデータである。なお、図７において、横軸θは、ウエハの回転角度を示し、縦軸Ｌは、イメージセンサ５５の出力に基づいて得られる、ウエハの回転中心から外周端部までの距離を示す。
【００２９】
図７において、グラフ上の急峻な変化点６５は、ウエハ７のノッチ（切り欠き）部を示している。図７（Ａ）に示すように、外周部に液体の付着が無い場合、変化点は１箇所のみであり、ノッチ部の位置を判断することが可能である。一方、外周部に液体が付着している場合は、図７（Ｂ）に示すように、ノッチ部と同じような変化点６６が生じる。したがって、ノッチ部の位置に加え、液体が付着している位置も判断することが可能となる。
【００３０】
なお、ノッチ部と液体付着部との位置の区別は、上述のとおり、予め基準となるノッチデータを取得し、比較することで可能であるが、取得したデータの急峻な変化点に閾値を設け、該閾値を超えた場合には、ノッチ部と判断する方法を用いてもよい。また、液体付着部の変化点データが、ノッチ部の変化点データと類似しているため、ノッチ部の位置を正確に判断することができない場合でも、急峻な変化点が少なくとも２箇所以上ある場合は、ウエハ７上に液体が付着していると判断してよい。
【００３１】
次に、本発明の残留液体除去方法に基づく処理の流れについて説明する。図８は、本実施形態における残留液体の検知処理及び除去処理を示すフローチャートである。
【００３２】
まず、露光処理終了後、残留液体除去ユニット４２は、露光処理直後のウエハ７上に残留する液体の除去処理を実行する（第１の液体除去工程：ステップＳ９０１）。次に、搬送ロボット４０は、残留液体除去ユニット４２から液体除去処理を施したウエハ７を搬出し（ステップＳ９０２）、プリアライメントユニット４１へ搬入する（ステップＳ９０３）。
【００３３】
次に、プリアライメントユニット４１は、搬入された露光処理済のウエハ７のアライメントを実行し（アライメント工程：ステップＳ９０４）、ウエハ７の画像を取得する。次に、液体検知処理部７０は、得られた画像に基づいて上述のデータ処理を実行する（残留液体検知工程：ステップＳ９０５）。
【００３４】
ここで、液体検知処理部７０が、ウエハ７上に残留液体が検知されない、若しくは、検知されたがアライメントには影響がないと判断した場合には（ステップＳ９０６）、露光装置１５は、ウエハ７のプリアライメント処理を継続する（ステップＳ９１６）。その後、アライメントを終了させ（ステップＳ９１７）、供給ロボット４３は、ウエハ７をプリアライメントユニット４１から搬出する（ステップＳ９１８）。
【００３５】
一方、液体検知処理部７０が、ウエハ７上に残留液体を検知し、アライメント不可と判断した場合には、残留液体除去ユニット４２における液体除去処理が、予め定めた制限回数（Ｎ回）に到達しているかを確認する（ステップＳ９０７）。なお、制限回数は、装置スループット、並びに露光後の後工程までに許容される時間等を考慮して決定する。ここで、液体除去処理の回数が、制限回数に達していない場合は、液体検知処理部７０は、ステップＳ９０５におけるデータ処理で得られた情報に基づいて、液体の付着位置情報を液体除去制御部８０へ通知する（ステップＳ９０８）。その後、搬送ロボット４０は、プリアライメントユニット４１からウエハ７を搬出し（ステップＳ９０９）、ウエハ７を残留液体除去ユニット４２に搬入する（ステップＳ９１０）。なお、上記付着位置情報の通知（ステップＳ９０８）及びウエハ７の搬送（ステップＳ９０９、Ｓ９１０）は、同時に実行してもよい。
【００３６】
次に、残留液体除去ユニット４２は、プリアライメントユニット４１より通知された液体の付着位置情報に基づいて、ウエハ７を所望の位置に駆動し、残留位置を重点的に除去する（第２の液体除去工程：ステップＳ９１１）。次に、除去処理終了後、露光装置１５は、上記除去ステップ（ステップＳ９０２〜Ｓ９１１）の回数を＋１追加し（ステップＳ９１２）、再度、搬送ロボット４０は、残留液体除去ユニット４２よりウエハ７を搬出し、プリアライメントユニット４１へ搬入する。
【００３７】
次に、ステップＳ９０７において、露光装置１５が上記除去ステップを繰り返し、残留液体の除去を実行するステップ回数が制限回数に到達した場合には、残留液体除去ユニット４２は、ウエハ７の付着物を完全に除去することは不可能である。この場合、露光装置１５は、ウエハ７の付着物を異物と判断し（ステップＳ９１３）、エラーとしてアライメント処理を終了する（ステップＳ９１４）。ここで、露光装置１５は、エラー通知としてウエハ７上の異物付着位置を装置コンソール等に表示し、オペレータ等に通知する。その後、搬送ロボット４０は、ウエハ７を回収し、装置搬出部、若しくは、基板キャリアユニット４６に搬送する（ステップＳ９１５）。
【００３８】
次に、ステップＳ９１１において、残留液体除去ユニット４２が、ウエハ７上の残留液体を重点的に除去する方法について説明する。図９は、残留液体除去ユニット４２の液体除去過程の一例を示す概略図である。
【００３９】
まず、基板回転機構６１は、残留液体の付着位置情報に基づいて、ウエハ７に付着している残留液体９０に対して最も高圧ガスが吹きかかるように、ウエハ７を回転させて液体付着位置を位置決めする。次に、エアナイフ６２は、高圧ガス９１を吐出し、同時に、基板回転機構６１は、高圧ガス９１に対してウエハ７上の液体付着部分を往復させる駆動を行い、重点的に残留液体の除去を行う。ここで、基板回転機構６１がウエハ７を逆方向に回転させ、再度、高圧ガス９１が最も吹きかかる位置に液体付着部分を戻す場合には、残留液体が飛び散ってしまうことを考慮し、エアナイフ６２は、高圧ガス９１の供給を停止する。
【００４０】
以上のように、本発明によれば、露光処理直後の液体除去工程において、基板上に液体が残留した場合でも、残留液体検知工程にて残留液体を自動で検知し、再度、液体除去工程を実行することにより好適に残留液体を除去することができる。このように、露光装置は、オペレータを介在させることなく、自動で基板上に液体が残留しないように処理するので、結果的に、装置全体のダウンタイムを低減することが可能となる。
【００４１】
（デバイスの製造方法）
次に、上記の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
【００４２】
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド等のデバイスは、レジスト（感光剤）が塗布された基板（ウエハ、ガラスプレート等）を、上記の露光装置を用いて露光する工程を経る。続いて、露光された前記基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を行うことによってデバイスが製造される。該周知の工程は、例えば、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、及びパッケージング等の少なくとも１つの工程を含む。
【００４３】
（その他の実施形態）
本発明は、上記実施形態に限定するものでなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成が代替的に置換されても良い。
【００４４】
上記実施形態では、基板上に残留液体の付着位置が１箇所存在する場合について説明した。ここで、例えば、基板上の２箇所以上で残留液体の付着が検出された場合には、基板回転機構６１が各液体付着位置まで基板を逐一回転させ、上記同様の除去処理を行うことで対応可能である。
【００４５】
また、上記実施形態では、基板を回転させることにより残留液体を除去する残留液体除去ユニットを採用したが、残留液体除去ユニットの構造は、これに限定されるものではなく、エアノズルを移動させる方法でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態に係る露光装置の本体部分の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係るデバイス製造装置の構成を示す概略図である。
【図３】デバイス製造装置における搬送ユニットの構成を示す概略図である。
【図４】プリアライメントユニットの構成を示す概略図である。
【図５】残留液体除去ユニットの構成を示す概略図である。
【図６】液体検知処理部と液体除去制御部の関係を示すブロック図である。
【図７】プリアライメントユニットにより得られるデータの一例である。
【図８】残留液体除去方法の処理の流れを示すフローチャートである。
【図９】残留液体除去ユニットの作用の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４７】
２ 照明光学系
３ レチクル
４ レチクルステージ系
６ 投影光学系
７ ウエハ
８ 基板ステージ系
１５ 露光装置
１９ 第１搬送ユニット
４１ プリアライメントユニット
４２ 残留液体除去ユニット
Ｓ９０１ 第１の液体除去工程
Ｓ９０５ 残留液体検知工程
Ｓ９１１ 第２の液体除去工程
【技術分野】
【０００１】
本発明は、残留液体除去方法、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの集積密度の向上に伴い、回路パターンの更なる微細化が要求されている。そこで、半導体製造工程におけるリソグラフィ工程に用いられる露光装置としては、解像力を向上させる液浸法を採用した露光装置が提案されている。この液浸露光装置は、投影光学系の端面の少なくとも一部の領域と、基板ステージ上の基板との間の空間に液体を満たした状態で基板を露光する装置である。
【０００３】
しかしながら、従来の液浸露光装置では、液体が処理後の基板（ウエハ）に付着したままであると、搬送系に不具合を発生させたり、基板を塗布現像装置に搬送後、加熱処理を行う際に温度ムラが発生し、ＣＤ均一性を悪化させたりするという問題がある。更には、液体が残留した基板が再度基板ステージに送りこまれた場合、プリアライメント実行時に、基板外周に付着した液体が異物と判断され、アライメントが実行できない場合がある。そこで、この問題を解決するために、例えば、特許文献１は、従来の投影光学系の周囲に配置された回収ノズルを通して液体を回収する方法に加え、基板の搬送経路の途中に残液を回収する液滴除去ユニットを配置する露光装置を開示している。
【特許文献１】特開２００７−１０９７４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１に示す露光装置のように、高圧ガスを吹き付けることによって基板に付着した液体を除去する方法では、通常、液体は不活性ガスにより基板端面に移動し、落下して大部分が除去される。しかしながら、撥水性の劣化等に起因し、吹き飛ばしたはずの液体を基板上から完全に除去することができない場合がある。その場合、結果的に、露光装置は、上記のような不具合を発生させ、最終的には、基板搬送を一旦停止させて、オペレータが液体の残留した基板を取り除かねばならず、装置全体にダウンタイムを発生させるという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、液浸法を採用する露光装置において、露光処理後に基板上に残留した液体を好適に除去する残留液体除去方法、及び、装置全体のダウンタイムを低減させる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、液浸法により露光処理が施された基板に残留した液体を除去する残留液体除去方法であって、基板に露光処理を施すに際し、基板の位置合わせを行うアライメント装置と、露光処理が施された後、基板に残留した液体を除去する液体除去装置とを備え、液体除去装置が、露光処理直後の基板に残留した液体を除去する第１の液体除去工程と、アライメント装置が、第１の液体除去工程の後の基板の画像情報を取得し、該画像情報に基づいて、基板に残留液体を検知する残留液体検知工程と、該残留液体検知工程において基板に残留液体が検知された場合、液体除去装置が、基板に残留した液体を除去する第２の液体除去工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、第１の液体除去工程において、万一、基板上に液体が残留した場合でも、残留液体検知工程にて残留液体を検知し、第２の液体除去工程にて好適に残留液体を除去することができる。したがって、オペレータが介在することなく、装置自体が自動で基板上に液体が残留しないように処理するので、装置全体のダウンタイムを低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面等を参照して説明する。
【０００９】
（露光装置）
図１は、本発明の実施形態に係る露光装置の本体部分（以下、「露光ユニット」と表記する）を示す概略図である。露光ユニット１は、液浸法によりレチクルのパターンをウエハに露光する装置である。なお、ウエハ上に液体を供給する供給ノズル、及び露光処理後に液体を排出する排出ノズル等の図示は省略する。また、図１において、露光ユニット１を構成する投影光学系の光軸に平行にＺ軸を取り、該Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクル（原版）及びウエハ（基板）の走査方向にＹ軸を取り、該Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取って説明する。
【００１０】
露光ユニット１は、照明光学系２と、パターンが形成されたレチクル３を保持するレチクルステージ系４と、レチクル位置計測ユニット５と、投影光学系６と、感光剤が塗布されたウエハ７を位置決めする基板ステージ系８とを備える。
【００１１】
照明光学系２は、内蔵光源（超高圧水銀ランプ等の放電灯）、若しくは露光ユニット１とは別に設置された光源装置（光源部）から、ビームラインを経て照明光を導入し、各種レンズや絞りによってスリット光を生成して、レチクル３を上方から照明する。レチクルステージ系４は、ＸＹ方向に移動可能なステージである。レチクル位置計測ユニット５は、レチクル３の位置を計測する装置である。投影光学系６は、レチクル３のパターンをウエハ７に所定の倍率（例えば４：１）で縮小投影する。また、基板ステージ系８は、ウエハ７をＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ９と、ウエハ７をＺ方向に移動可能なＺステージ１０とを含む。更に、露光ユニット１は、ＸＹステージ９のＸＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計１１と、ウエハ７のＺ方向の位置を計測するフォーカスユニット１２とを備える。
【００１２】
（デバイス製造装置）
図２は、本発明の実施形態に係るデバイス製造装置を示す概略図（平面図）である。デバイス製造装置１３は、図１に示す露光ユニット１を有する露光装置１５と、塗布現像装置１６とから構成される。
【００１３】
露光装置１５は、露光ユニット１を含む露光処理部１７と、処理対象物であるウエハを保持するハンド１８を備えた第１搬送ユニット１９と、露光装置１５を制御する制御部２０と、ユーザーインターフェースである入出力装置２１とを有する。更に、露光装置１５は、主電源２２と、副電源２３と、第１搬送ユニット１９を制御する第１搬送制御部２４とを有する。これらの構成部は、露光チャンバ２５内にそれぞれ配置されている。
【００１４】
ここで、主電源２２は、少なくとも、露光処理部１７、制御部２０、及び入出力装置２１にそれぞれ電力を供給する。一方、副電源２３は、第１搬送制御部２４に電力を供給する。なお、副電源２３は、主電源２２による電力供給対象に対する電力供給が遮断された場合、代替して電力供給が継続されるように構成されている。具体的には、副電源２３は、例えば２次電池を含んで構成されうる。この場合、副電源２３は、主電源２２が正常である場合には、主電源２２から提供される電力によって２次電池を充電し、一方、主電源２２の異常や停電等によって主電源２２による電力供給が遮断された場合には、２次電池によって電力供給対象に電力を供給する。
【００１５】
塗布現像装置１６は、ウエハへの感光剤の塗布及び露光済みウエハの現像を行う機能を有する塗布現像ユニットを含む塗布現像部２６と、ウエハを保持するハンド２７を備えた第２搬送ユニット２８と、塗布現像装置１６を制御する制御部２９とを有する。更に、塗布現像装置１６は、主電源３０と、副電源３１と、第２搬送ユニット２８を制御する第２搬送制御部３２を有する。これらの構成部は、塗布現像チャンバ３３内にそれぞれ配置されている。なお、主電源３０及び副電源３１の作用は、上記露光装置１５に備えられた主電源２２及び副電源２３の作用と同一である。
【００１６】
また、デバイス製造装置１３は、露光装置１５と塗布現像装置１６との間でウエハを受け渡す受渡ステーション３４を備える。まず、第２搬送ユニット２８は、感光剤が塗布されたウエハを受渡ステーション３４内の搬入部３５へ搬送する。第１搬送ユニット１９は、搬送された搬入部３５内のウエハを受け取り、露光処理部１７へ搬送する。露光処理の終了後、第１搬送ユニット１９は、ウエハを露光処理部１７から受渡ステーション３４内の搬出部３６へ搬送する。そして、第２搬送ユニット２８は、搬送された搬出部３６内のウエハを受け取り、塗布現像部２６へ搬送し、現像処理を行う。
【００１７】
（搬送ユニット）
図３は、本発明の実施形態に係る露光装置１５内の第１搬送ユニット１９の構成を示す概略図（平面図）である。図３において、図２と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。
【００１８】
第１搬送ユニット１９は、基板搬送ロボット４０と、プリアライメントユニット（アライメント装置）４１と、残留液体除去ユニット（液体除去装置）４２と、供給ロボット４３と、回収ロボット４４と、回収ステーション４５とを備える。
【００１９】
基板搬送ロボット４０は、受渡ステーション３４内の搬入出部、及び各ユニット部等へのウエハの搬送を行うためのロボットである。
【００２０】
プリアライメントユニット４１は、露光処理部１７で露光処理を行うに際し、供給ロボット４３上に載置するウエハの位置合わせを行うための装置である。図４は、プリアライメントユニットの構成を示す概略図（側面図）である。プリアライメントユニット４１は、ウエハ７を保持する基板保持機構５０と、ウエハ７を回転させる基板回転機構５１と、ＸＹ方向で基板保持機構５０の位置を調整する２次元駆動機構５２と、ウエハ７の外周部を計測する計測装置５３とを備える。更に、計測装置５３は、計測光源５４と、イメージセンサ５５とで構成される。まず、計測装置５３は、基板回転機構５１が基板保持機構４３で保持されたウエハ７を回転中に、ウエハ７の外周部のデータを取得する。次に、該取得したデータに基づいて、不図示の画像処理部及び演算部は、ウエハの位置を算出し、基板保持機構５０及び基板回転機構５１は、ウエハ７を特定の位置に合わせる。
【００２１】
残留液体除去ユニット４２は、露光処理部１７にて一旦液体を排出したものの、表面に残留した液体をウエハ７から除去するための装置である。図５は、残留液体除去ユニットの構成を示す概略図（側面図）である。残留液体除去ユニット４２は、ウエハ７を保持する基板保持機構６０と、ウエハ７を回転させる基板回転機構６１と、ウエハ７上に高圧ガスを吹き付けるエアナイフ６２と、該エアナイフ６２により吹き飛ばされた液体の飛散を防止するための防護壁６３とを備える。なお、エアナイフ６２は、吹き付ける高圧ガス（不活性ガス）が均一化するように駆動させる不図示の駆動機構を備える。まず、基板回転機構６１は、基板保持機構６０で保持されたウエハ７を回転させる。その後、エアナイフ６２は、ウエハ７の回転中に高圧ガスを吐出し、ウエハ７の表面の残留液体を吹き飛ばすことにより除去する。なお、吹き飛ばされ、ユニット内に残った液体は、不図示のポンプ等により外部に排出される。
【００２２】
供給ロボット４３は、プリアライメントユニット４１にて位置合わせされたウエハ７を露光処理部１７内の基板ステージ系８へ搬送するためのロボットである。また、回収ロボット４４は、基板ステージ系８からウエハ７を回収し、露光処理後のウエハ７を一旦保持するための回収ステーション４５へ搬送するためのロボットである。
【００２３】
次に、第１搬送ユニット１９におけるウエハの搬送について説明する。まず、基板搬送ロボット４０は、受渡ステーション３４内の搬入部３５に載置されたウエハを、プリアライメントユニット４１に搬入する。次に、プリアライメントユニット４１は、ウエハの位置合わせ動作を実行し、その後、供給ロボット３８は、位置合わせされたウエハを、プリアライメントユニット４１から露光処理部１７内の基板ステージ系８へ搬入する。次に、ウエハは、基板ステージ系８に保持された状態で投影光学系６の真下の露光位置に設置される。その後、ウエハ上に不図示の液体供給ノズルから液体が供給され、液浸露光処理が実施される。
【００２４】
露光処理後、液体を回収する不図示の液体排出ノズルによりウエハ上の液体を回収し、ウエハは、基板ステージ系８に保持された状態で、露光処理部１７内の基板回収位置に移動される。次に、回収ロボット４４は、ウエハを基板回収位置から回収ステーション４５に搬送し、その後、搬送ロボット４０は、ウエハを回収ステーション４５から残留液体除去ユニット４２に搬入する。次に、残留液体除去ユニット４２は、ウエハ上に残留した液体を除去する処理を実行し、その後、搬送ロボット４０は、ウエハを残留液体除去ユニット４２から受渡ステーション３４内の搬出部３６へ搬送する。ここで、一旦露光処理部１７内で液浸露光処理を施されたウエハを回収し、再度露光処理部１７に搬入する場合は、搬送ロボット４０は、液体の除去処理を行ったウエハを残留液体除去ユニット４２からプリアライメントユニット４１へ搬送する。なお、ウエハを、受渡ステーション３４（塗布現像装置１６）からではなく、ＦＯＵＰ等の基板キャリアユニット４６から供給し、露光処理後、ウエハを再度基板キャリアユニット４６へ収納する搬送方法を用いても良い。
【００２５】
（残留液体除去方法）
次に、本発明の特徴である残留液体除去方法について説明する。まず、本実施形態における、ウエハ７上の残留液体の位置及び大きさを判定する液体検知処理部と、残留液体の除去動作を制御する液体除去制御部との関係について説明する。なお、液体検知処理部及び液体除去制御部は、露光装置１５内の制御部２０、若しくは、不図示であるが、別途設置されたシーケンサ又はコンピュータ等の制御装置に備えられる。
【００２６】
図６は、液体検知処理部７０と液体除去制御部８０との関係を示すブロック図である。まず、液体検知処理部７０は、基板外周検出部７１と、記憶部７２と、ＣＰＵ（中央演算装置）７３と、画像処理部７４と、液体位置検出部７５とで構成される。また、液体除去制御部８０は、ＣＰＵ８１と、回転駆動制御部８２と、エアナイフ制御部８３とで構成される。
【００２７】
まず、プリアライメントユニット４１の計測装置５３により取り込まれたウエハ７の画像は、基板外周検出部７１に送られ、画像データ（画像情報）として記憶部７２に保存される。次に、該画像データは、画像処理部７４において外周部データに変換され、液体位置検出部７５は、該外周部データと予め記憶部７２に記憶された外周部データモデルとを比較し、位置データを抽出する。該抽出された位置データは、ＣＰＵ７３に送信される。次に、該ＣＰＵ７３は、データ通信機構８４を介して、位置データを液体除去制御部８０のＣＰＵ８１へ送信する。該ＣＰＵ８１は、位置データを回転駆動制御部８２に送信し、残留液体除去ユニット４２の基板回転機構６１は、受信した位置データに基づいて、ウエハ７を位置変化させる。同時に、ＣＰＵ８１は、位置データをエアナイフ制御部８３に送信し、残留液体除去ユニット４２のエアナイフ６２は、高圧ガスの吐出を実行し、ウエハ７に残留した目標となる液体の除去を行う。
【００２８】
ここで、上記外周部データの一例を示す。図７は、外周部データの一例であり、図７（Ａ）は、ウエハ７の外周部に液体の付着が無い場合のデータであり、図７（Ｂ）は、ウエハ７の外周部に液体が付着している場合のデータである。なお、図７において、横軸θは、ウエハの回転角度を示し、縦軸Ｌは、イメージセンサ５５の出力に基づいて得られる、ウエハの回転中心から外周端部までの距離を示す。
【００２９】
図７において、グラフ上の急峻な変化点６５は、ウエハ７のノッチ（切り欠き）部を示している。図７（Ａ）に示すように、外周部に液体の付着が無い場合、変化点は１箇所のみであり、ノッチ部の位置を判断することが可能である。一方、外周部に液体が付着している場合は、図７（Ｂ）に示すように、ノッチ部と同じような変化点６６が生じる。したがって、ノッチ部の位置に加え、液体が付着している位置も判断することが可能となる。
【００３０】
なお、ノッチ部と液体付着部との位置の区別は、上述のとおり、予め基準となるノッチデータを取得し、比較することで可能であるが、取得したデータの急峻な変化点に閾値を設け、該閾値を超えた場合には、ノッチ部と判断する方法を用いてもよい。また、液体付着部の変化点データが、ノッチ部の変化点データと類似しているため、ノッチ部の位置を正確に判断することができない場合でも、急峻な変化点が少なくとも２箇所以上ある場合は、ウエハ７上に液体が付着していると判断してよい。
【００３１】
次に、本発明の残留液体除去方法に基づく処理の流れについて説明する。図８は、本実施形態における残留液体の検知処理及び除去処理を示すフローチャートである。
【００３２】
まず、露光処理終了後、残留液体除去ユニット４２は、露光処理直後のウエハ７上に残留する液体の除去処理を実行する（第１の液体除去工程：ステップＳ９０１）。次に、搬送ロボット４０は、残留液体除去ユニット４２から液体除去処理を施したウエハ７を搬出し（ステップＳ９０２）、プリアライメントユニット４１へ搬入する（ステップＳ９０３）。
【００３３】
次に、プリアライメントユニット４１は、搬入された露光処理済のウエハ７のアライメントを実行し（アライメント工程：ステップＳ９０４）、ウエハ７の画像を取得する。次に、液体検知処理部７０は、得られた画像に基づいて上述のデータ処理を実行する（残留液体検知工程：ステップＳ９０５）。
【００３４】
ここで、液体検知処理部７０が、ウエハ７上に残留液体が検知されない、若しくは、検知されたがアライメントには影響がないと判断した場合には（ステップＳ９０６）、露光装置１５は、ウエハ７のプリアライメント処理を継続する（ステップＳ９１６）。その後、アライメントを終了させ（ステップＳ９１７）、供給ロボット４３は、ウエハ７をプリアライメントユニット４１から搬出する（ステップＳ９１８）。
【００３５】
一方、液体検知処理部７０が、ウエハ７上に残留液体を検知し、アライメント不可と判断した場合には、残留液体除去ユニット４２における液体除去処理が、予め定めた制限回数（Ｎ回）に到達しているかを確認する（ステップＳ９０７）。なお、制限回数は、装置スループット、並びに露光後の後工程までに許容される時間等を考慮して決定する。ここで、液体除去処理の回数が、制限回数に達していない場合は、液体検知処理部７０は、ステップＳ９０５におけるデータ処理で得られた情報に基づいて、液体の付着位置情報を液体除去制御部８０へ通知する（ステップＳ９０８）。その後、搬送ロボット４０は、プリアライメントユニット４１からウエハ７を搬出し（ステップＳ９０９）、ウエハ７を残留液体除去ユニット４２に搬入する（ステップＳ９１０）。なお、上記付着位置情報の通知（ステップＳ９０８）及びウエハ７の搬送（ステップＳ９０９、Ｓ９１０）は、同時に実行してもよい。
【００３６】
次に、残留液体除去ユニット４２は、プリアライメントユニット４１より通知された液体の付着位置情報に基づいて、ウエハ７を所望の位置に駆動し、残留位置を重点的に除去する（第２の液体除去工程：ステップＳ９１１）。次に、除去処理終了後、露光装置１５は、上記除去ステップ（ステップＳ９０２〜Ｓ９１１）の回数を＋１追加し（ステップＳ９１２）、再度、搬送ロボット４０は、残留液体除去ユニット４２よりウエハ７を搬出し、プリアライメントユニット４１へ搬入する。
【００３７】
次に、ステップＳ９０７において、露光装置１５が上記除去ステップを繰り返し、残留液体の除去を実行するステップ回数が制限回数に到達した場合には、残留液体除去ユニット４２は、ウエハ７の付着物を完全に除去することは不可能である。この場合、露光装置１５は、ウエハ７の付着物を異物と判断し（ステップＳ９１３）、エラーとしてアライメント処理を終了する（ステップＳ９１４）。ここで、露光装置１５は、エラー通知としてウエハ７上の異物付着位置を装置コンソール等に表示し、オペレータ等に通知する。その後、搬送ロボット４０は、ウエハ７を回収し、装置搬出部、若しくは、基板キャリアユニット４６に搬送する（ステップＳ９１５）。
【００３８】
次に、ステップＳ９１１において、残留液体除去ユニット４２が、ウエハ７上の残留液体を重点的に除去する方法について説明する。図９は、残留液体除去ユニット４２の液体除去過程の一例を示す概略図である。
【００３９】
まず、基板回転機構６１は、残留液体の付着位置情報に基づいて、ウエハ７に付着している残留液体９０に対して最も高圧ガスが吹きかかるように、ウエハ７を回転させて液体付着位置を位置決めする。次に、エアナイフ６２は、高圧ガス９１を吐出し、同時に、基板回転機構６１は、高圧ガス９１に対してウエハ７上の液体付着部分を往復させる駆動を行い、重点的に残留液体の除去を行う。ここで、基板回転機構６１がウエハ７を逆方向に回転させ、再度、高圧ガス９１が最も吹きかかる位置に液体付着部分を戻す場合には、残留液体が飛び散ってしまうことを考慮し、エアナイフ６２は、高圧ガス９１の供給を停止する。
【００４０】
以上のように、本発明によれば、露光処理直後の液体除去工程において、基板上に液体が残留した場合でも、残留液体検知工程にて残留液体を自動で検知し、再度、液体除去工程を実行することにより好適に残留液体を除去することができる。このように、露光装置は、オペレータを介在させることなく、自動で基板上に液体が残留しないように処理するので、結果的に、装置全体のダウンタイムを低減することが可能となる。
【００４１】
（デバイスの製造方法）
次に、上記の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
【００４２】
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド等のデバイスは、レジスト（感光剤）が塗布された基板（ウエハ、ガラスプレート等）を、上記の露光装置を用いて露光する工程を経る。続いて、露光された前記基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を行うことによってデバイスが製造される。該周知の工程は、例えば、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、及びパッケージング等の少なくとも１つの工程を含む。
【００４３】
（その他の実施形態）
本発明は、上記実施形態に限定するものでなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成が代替的に置換されても良い。
【００４４】
上記実施形態では、基板上に残留液体の付着位置が１箇所存在する場合について説明した。ここで、例えば、基板上の２箇所以上で残留液体の付着が検出された場合には、基板回転機構６１が各液体付着位置まで基板を逐一回転させ、上記同様の除去処理を行うことで対応可能である。
【００４５】
また、上記実施形態では、基板を回転させることにより残留液体を除去する残留液体除去ユニットを採用したが、残留液体除去ユニットの構造は、これに限定されるものではなく、エアノズルを移動させる方法でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態に係る露光装置の本体部分の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係るデバイス製造装置の構成を示す概略図である。
【図３】デバイス製造装置における搬送ユニットの構成を示す概略図である。
【図４】プリアライメントユニットの構成を示す概略図である。
【図５】残留液体除去ユニットの構成を示す概略図である。
【図６】液体検知処理部と液体除去制御部の関係を示すブロック図である。
【図７】プリアライメントユニットにより得られるデータの一例である。
【図８】残留液体除去方法の処理の流れを示すフローチャートである。
【図９】残留液体除去ユニットの作用の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４７】
２ 照明光学系
３ レチクル
４ レチクルステージ系
６ 投影光学系
７ ウエハ
８ 基板ステージ系
１５ 露光装置
１９ 第１搬送ユニット
４１ プリアライメントユニット
４２ 残留液体除去ユニット
Ｓ９０１ 第１の液体除去工程
Ｓ９０５ 残留液体検知工程
Ｓ９１１ 第２の液体除去工程
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸法により露光処理が施された基板に残留した液体を除去する残留液体除去方法であって、
前記基板に露光処理を施すに際し、前記基板の位置合わせを行うアライメント装置と、
露光処理が施された後、前記基板に残留した液体を除去する液体除去装置と、を備え、
前記液体除去装置が、露光処理直後の前記基板に残留した液体を除去する第１の液体除去工程と、
前記アライメント装置が、前記第１の液体除去工程の後の前記基板の画像情報を取得し、該画像情報に基づいて、前記基板に残留液体を検知する残留液体検知工程と、
前記残留液体検知工程において前記基板に残留液体が検知された場合、前記液体除去装置が、前記基板に残留した液体を除去する第２の液体除去工程と、
を有することを特徴とする残留液体除去方法。
【請求項２】
前記残留液体除去工程は、前記画像情報を前記基板の外周部データに変換し、該外周部データと、予め記憶された前記基板の外周部データモデルとを比較して位置データを抽出し、前記液体除去装置は、前記位置データに基づいて、前記基板上の残留液体が検知された位置を重点的に除去することを特徴とする請求項１に記載の残留液体除去方法。
【請求項３】
前記残留液体除去工程及び前記第２の液体除去工程は、前記残留液体除去工程において、前記基板に残留液体が検出されない、若しくは、予め定めた制限回数に到達するまで、繰り返し実行することを特徴とする請求項１及び２に記載の残留液体除去方法。
【請求項４】
光源部からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルを載置して移動可能なレチクルステージ系と、前記レチクルからの光を基板に導く投影光学系と、前記基板を載置して移動可能な基板ステージ系と、該基板ステージ系へ前記基板を搬送する搬送ユニットとを有する露光装置であって、
前記搬送ユニットは、請求項１〜３のいずれか１項に記載の残留液体除去方法を採用することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１】
液浸法により露光処理が施された基板に残留した液体を除去する残留液体除去方法であって、
前記基板に露光処理を施すに際し、前記基板の位置合わせを行うアライメント装置と、
露光処理が施された後、前記基板に残留した液体を除去する液体除去装置と、を備え、
前記液体除去装置が、露光処理直後の前記基板に残留した液体を除去する第１の液体除去工程と、
前記アライメント装置が、前記第１の液体除去工程の後の前記基板の画像情報を取得し、該画像情報に基づいて、前記基板に残留液体を検知する残留液体検知工程と、
前記残留液体検知工程において前記基板に残留液体が検知された場合、前記液体除去装置が、前記基板に残留した液体を除去する第２の液体除去工程と、
を有することを特徴とする残留液体除去方法。
【請求項２】
前記残留液体除去工程は、前記画像情報を前記基板の外周部データに変換し、該外周部データと、予め記憶された前記基板の外周部データモデルとを比較して位置データを抽出し、前記液体除去装置は、前記位置データに基づいて、前記基板上の残留液体が検知された位置を重点的に除去することを特徴とする請求項１に記載の残留液体除去方法。
【請求項３】
前記残留液体除去工程及び前記第２の液体除去工程は、前記残留液体除去工程において、前記基板に残留液体が検出されない、若しくは、予め定めた制限回数に到達するまで、繰り返し実行することを特徴とする請求項１及び２に記載の残留液体除去方法。
【請求項４】
光源部からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルを載置して移動可能なレチクルステージ系と、前記レチクルからの光を基板に導く投影光学系と、前記基板を載置して移動可能な基板ステージ系と、該基板ステージ系へ前記基板を搬送する搬送ユニットとを有する露光装置であって、
前記搬送ユニットは、請求項１〜３のいずれか１項に記載の残留液体除去方法を採用することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１０−１４７３３５（Ｐ２０１０−１４７３３５Ａ）
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２４５３６（Ｐ２００８−３２４５３６）
【出願日】平成２０年１２月１９日（２００８．１２．１９）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１９日（２００８．１２．１９）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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