【課題】スループットが向上された基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、インデクサＩＤおよび処理部ＰＲを有する。インデクサＩＤと処理部ＰＲとの間に隔壁Ｄが形成されている。インデクサＩＤと処理部ＰＲとの間で基板Ｗの受け渡しを行う受け渡し部３は、処理部ＰＲ内に設けられている。インデクサＩＤでは、インデクサロボットＩＲがキャリア１と受け渡し部３との間でハンドにより基板Ｗを搬送する。インデクサロボットＩＲは、第１の軸Ｓａに沿った移動動作および回転動作を行う。ハンドは前進動作および後退動作を行う。受け渡し部３の一端部（第１の受け渡し位置）３５１は隔壁Ｄの中央部からインデクサＩＤ内に突出している。第１の受け渡し位置３５１の両側方には、通路スペースＳＰが形成されている。通路スペースＳＰは、インデクサロボットＩＲのハンドが前進した状態で通過できるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の底部と上部との雰囲気を遮蔽することにより、処理中に生じたパーティクルによって基板が汚染されることを防止して、基板を清浄に処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置において基板Ｗに対する処理が行われるが、処理槽１の外側壁７５とチャンバ２７の内側壁との間にある空間には、遮蔽部材７９が設けられているので、処理槽１から溢れ、チャンバ２７の底部に処理液が落下することで飛散したパーティクルは、チャンバ２７底部から上部へ向かうことなくチャンバ２７底部に抑え込まれる。したがって、処理中に生じたパーティクルによって基板Ｗが汚染されることを防止することができ、基板Ｗを清浄に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】電力負荷を軽減することができ、キャリアガスを用いることなく圧力差で溶剤蒸気を供給させることにより溶剤濃度を高くすることができるとともに、処理液の置換・乾燥に溶剤蒸気を効率的に寄与させて乾燥効率を高めることができる。
【解決手段】制御部６７は、チャンバ２７内を減圧し、圧力計５５によって検出された圧力が、溶剤の温度に対応する溶剤の蒸気圧曲線以下となった場合に、真空時排気ポンプ１９及び排気ポンプ５２による減圧を停止させるとともに、リフタ３１を処理位置から乾燥位置に上昇させる。蒸気圧曲線以下になるまで減圧され、溶剤が気体になりやすい状態とされるので、ヒータ４１の容量が小さくても充分に溶剤蒸気を発生させることができ、電力負荷を軽減できる。また、圧力差によって溶剤蒸気をチャンバ２７内に導入させるので、キャリアガスが不要となって溶剤濃度を高くできる。 （もっと読む）

【課題】純水洗浄の省略が許容される被洗浄物を洗浄する装置において、洗浄時間が長くなるのを防止しつつ洗浄液の長寿命化を図る。
【解決手段】外側容器１４と、外側容器１４内に配設され、洗浄液が貯溜されるとともに被洗浄物Ｗを出し入れ可能な開口部が設けられた内側容器３８と、被洗浄物Ｗに付着した洗浄液が蒸発する程度に外側容器１４の内部を減圧させるための減圧手段２０と、洗浄液を浄化するためのフィルタ５８と、内側容器３８の開口部を気密状に塞ぐための蓋５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈを備えた洗浄ライン２Ａ，２Ｂを下層及び上層の２段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽２ａ〜２ｈに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段６と、下層及び上層の各洗浄ライン２Ａ，２Ｂにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段１６と、上層の洗浄ライン２Ｂにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン２Ａにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を上下駆動する際にダウンフローの乱れによって基板が汚染されることがないようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】清浄空気が上方から下方に向かって流がされるとともに、基板を上下方向に駆動する上下駆動装置２７が設けられたチャンバ５ａを有する基板の処理装置であって、
上下駆動装置は、基板を水平に支持する上下可動体１８と、上下可動体を上下方向に駆動する上下駆動機構２８と、上下可動体の幅方向両端部に設けられ上下可動体が上下駆動機構によって上下方向に駆動されたときにチャンバの上方から下方に向かって流れる清浄空気を上下可動体の幅方向両端部において幅方向外方に向かってガイドする傾斜面２６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア排出ダクト６３は、吸気装置６５０に接続されている。吸気装置６５０は、ドライエア排出ダクト６３を通して処理槽４上の雰囲気を吸引し、吸引した雰囲気を外部へ排出する。ドライエア排出ダクト６３は、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅからなる。基板の処理前には、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅに対応する処理槽４上の複数の測定点Ｐ１〜Ｐ５でドライエアＤＦの流速が測定される。基板の乾燥処理時には、処理槽４に貯留された処理液から基板が引き上げられる。そして、引き上げられる基板にドライエアＤＦが供給される。このとき、予め得られた流速分布の測定結果に基づいて、排出ダクト６３ａ〜６３ｅの内部に取り付けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度が個別に調整される。 （もっと読む）

【課題】 基板に乾燥欠陥が生じることを十分に防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内槽４０内で洗浄された基板Ｗが、基板移動機構３０により内槽４０の上方へ引き上げる。そこで、処理槽４上では、引き上げられた基板ＷにドライエアＤＦが供給される。これにより、基板Ｗに付着した純水がドライエアＤＦにより置換され、基板Ｗの表面が乾燥される。ここで、基板Ｗが内槽４０から引き上げられる直前において、処理液ミキシング装置５０は、一時的に内槽４０へ供給する処理液の量を増加させる。これにより、内槽４０の上端から外槽４３に流れ出る純水の量が増加する。このとき外槽４３に流れ込む純水の一部は、処理液排出管４４から排出される。さらに、外槽４３に流れ込む純水のうち処理液排出管４４から排出しきれない純水は、外槽４３のドライエア排気ダクト６３側の上端からさらに補助槽４５に流れ出る。 （もっと読む）

【課題】基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。これらのブロック９〜１６は上記の順で並設される。インターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。洗浄／乾燥処理ブロック１５は、洗浄／乾燥処理部８０を有する。洗浄／乾燥処理部８０には、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄／乾燥ユニットが設けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面に金属不純物やパーティクルあるいは純水中の不純物が付着するのを抑制し、清浄な洗浄を行うことで、半導体装置の特性や歩留りを向上できる洗浄乾燥装置を得る。
【解決手段】本発明に係る洗浄乾燥装置は、洗浄液で被洗浄物表面を酸化する処理を行う第１の処理槽と、該第１の処理槽で酸化された被洗浄物表面を希釈塩酸水溶液で洗浄する処理を行う第２の処理槽と、該第２の処理槽で洗浄された被洗浄物表面を乾燥する処理を行う乾燥処理部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】処理効率が高く、高品質の半導体装置が製造できる処理装置を提供する。
【解決手段】内部を所定の気圧に維持し得る移載室の周囲に配設され、被処理基体を処理する、窒化チタン層形成ユニット、窒化タンタル層形成ユニット、および窒化タングステン層形成ユニットからなる群から選択される一の処理ユニットと、チタン層形成ユニットと、タングステン層形成ユニットとを各二基以上と、前記移載室の周囲に配設され、前記所定の気圧下で前記被処理基体を処理する一または二以上の予備洗浄処理ユニットと、前記移載室内に配設され、被処理基体を移載する移載アームとを具備し、前記ユニットの少なくとも一つが他の前記ユニットに対して上下方向に配設されている。 （もっと読む）

【課題】高い処理能力を得ることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納し，内部で基板を処理する処理容器２と，処理容器２内に収納された基板Ｗを加熱するヒータ２０と，処理容器２内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段５と，処理容器２内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段７と，処理容器２内にＮ_２ガスを供給するＮ_２ガス供給手段９と，処理容器２内を排気する排気管２３と，この排気管２３に設けられた流量コントローラ７１と，処理容器２内を加圧するように流量コントローラ７１を制御する制御部２１と，を備えていることを特徴とする，基板処理装置１である。 （もっと読む）