基板処理装置及び基板処理方法
【課題】本発明は、基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、さらに詳細には、処理槽と乾燥槽が上下に配置された基板処理装置及びこれを利用した基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造において、半導体ウエハやＬＣＤ有機基板のような被処理体（以下、基板）の表面についた有機汚染物、金属不純物などのパーティクルを除去するために洗浄装置が用いられている。その中で、ウェット洗浄装置は、パーティクルを比較的効果的に除去することができ、処理能力が良好であるから、幅広く普及している。従来のウェット洗浄装置は、薬液処理、水洗処理及び乾燥処理が行なわれるように構成されるのが一般的である。ところが、処理槽及び乾燥槽を各々別に設置することは、装置の大型化を引き起こし、ウエハを搬送するときにウエハが大気に露出してパーティクルが付着する可能性が高い。
【０００３】
これにより、装置の大型化を避け、基板に対する処理を效率的に行うことができる基板処理装置に対する改善の必要性が従来から求められている。基板処理装置の改善された例としては、下記の特許文献１に開示されたように、処理槽と乾燥槽を上下に一体化して、下部の処理槽で薬液処理された後、ウエハを上部の乾燥槽に移動させて乾燥処理が行なわれるようにしたものがある。
【０００４】
前記改善した基板処理装置では、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を乾燥用流体として採択して使用するのが通常である。ところが、ＩＰＡが乾燥槽に投入される前にフィルタで凝固され、ＩＰＡが凝固された状態で噴射される場合があり得る。この場合、凝固された状態で乾燥槽に噴射されたＩＰＡが基板に吸着されて、パーティクルとして作用するという問題点があった。
【特許文献１】韓国公開特許第１９９８−２５０６８号の明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、乾燥用流体の凝固によるパーティクルの発生を抑制して、安定した基板処理が可能な基板処理装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成すべく、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、乾燥用流体を乾燥槽に供給する噴射ノズルの前端にヒーターを配置して、乾燥用流体の凝固を防止することを特徴とする。
【０００７】
前記特徴を具現することができる本発明の実施の形態に係る基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とを含み、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に供給される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを含むことを特徴とする。
【０００８】
本実施の形態の装置において、前記第１ヒーターは、前記フィルタを取り囲むジャケット型ヒーターを含む。前記ジャケット型ヒーターは、前記フィルタの表面と接触され、熱線が含まれたヒーターマットと、前記ヒーターマットを取り囲み、伸縮性断熱材で構成されたジャケットとを含む。
【０００９】
本実施の形態の装置において、前記流体が前記フィルタに提供される前に前記流体を気化させる気化器と、前記気化させた流体を加熱する第２ヒーターとをさらに含む。前記流体は、前記基板を１次に乾燥させる有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスと、前記基板を２次に乾燥させる不活性ガスとを含む。
【００１０】
本実施の形態の装置において、前記処理液は、前記基板を対象に薬液処理する第１処理液と、前記薬液処理された基板を対象にリンスする第２処理液とを含む。
【００１１】
前記特徴を具現することができる本発明の変更実施形態に係る基板処理装置は、処理液が供給され、前記処理液で基板をウェット処理する処理槽と、前記処理槽の内側に配置され、前記処理液を前記処理槽に噴射する処理液噴射ノズルと、前記処理槽の外側の上部に配置され、開口された上下部を有し、前記開口された下部には、前記処理槽との間で前記基板を移送するために開閉されるスライドドアが配置され、前記開口された上部には、前記基板を外部から提供されるために開閉される蓋が配置された乾燥槽と、前記基板を支持し、前記処理槽と前記乾燥槽との間で前記基板を移送させる基板支持台と、前記乾燥槽の内側に配置され、前記基板を乾燥させるガスを前記乾燥槽に噴射するガス噴射ノズルと、前記乾燥槽の外側に配置され、前記ガスをフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを取り囲むように配置されて前記フィルタを加熱するヒータージャケットとを含むことを特徴とする。
【００１２】
本変更実施形態に係る装置において、前記ガスは、前記基板を１次に乾燥させる有機溶剤及び不活性ガスとの混合ガスと、前記基板を２次に乾燥させる不活性ガスとを含む。前記処理液は、前記処理槽に順次提供される薬液と脱イオン水とを含む。
【００１３】
本変更実施形態の装置は、前記処理槽の外側に配置されて、前記処理槽に提供されてあふれる処理液を回収する回収槽と、前記回収槽で回収された処理液を前記処理槽に再供給する処理液回収手段とをさらに含む。
【００１４】
前記特徴を具現することができる本発明の実施の形態に係る基板処理方法は、乾燥槽に基板を投入させる基板投入ステップと、前記乾燥槽に投入された基板を処理槽に移送させる第１基板移送ステップと、前記処理槽に処理液を提供して前記基板を処理するウェット処理ステップと、前記ウェット処理された基板を前記乾燥槽に移送させる第２基板移送ステップと、前記乾燥槽に流体を提供して前記基板を乾燥させるものの、前記流体が前記乾燥槽に提供される前に前記流体に熱を伝達して、前記流体の凝固を防止する乾燥処理ステップと、前記乾燥処理された基板を排出させる基板排出ステップとからなることを特徴とする。
【００１５】
本実施の形態の方法において、前記ウェット処理ステップは、前記処理槽に薬液を供給して前記基板を薬液処理する第１ウェット処理ステップと、前記処理槽に脱イオン水を供給して、前記薬液処理された基板を水洗処理する第２ウェット処理ステップとを含む。
【００１６】
本実施の形態の方法において、前記乾燥槽に前記流体を供給して前記乾燥槽の雰囲気を前記流体の雰囲気に形成する雰囲気組成ステップをさらに含む。
【００１７】
本実施の形態の方法において、前記乾燥処理ステップは、前記乾燥槽に有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスを供給して、前記基板を乾燥させる第１乾燥処理ステップと、前記乾燥槽に不活性ガスを供給して、前記基板を乾燥させる第２乾燥処理ステップとを含む。
【００１８】
本実施の形態の方法において、前記乾燥処理ステップは、前記流体が前記乾燥槽に供給される前に前記流体を気化器に提供して気化させ、前記気化させた流体をフィルタでフィルタリングし、前記フィルタを加熱して前記気化された流体の凝固を防止するステップを含む。
【００１９】
前記特徴を具現することができる本発明の変更実施形態に係る基板処理方法は、乾燥槽に基板を提供する基板提供ステップと、第１流体をフィルタでフィルタリングした後に前記乾燥槽に供給して、前記基板を乾燥処理する１次乾燥処理ステップと、第２流体を前記フィルタでフィルタリングした後に前記乾燥槽に供給して、前記基板を乾燥処理する２次乾燥処理ステップと、前記フィルタを加熱して、前記フィルタでの前記第１流体と前記第２流体の中で少なくとも何れか一つの凝固を防止するフィルタ加熱ステップとを含むことを特徴とする。
【００２０】
本変形実施の形態の方法において、前記フィルタ加熱ステップは、前記１次乾燥処理ステップの前に行われるか、前記１次乾燥処理ステップの後に行われるか、又は前記２次乾燥処理の前に行われるか、又は前記１次及び２次乾燥処理の間に行われる。
【００２１】
本発明によれば、乾燥用流体を乾燥槽に供給する噴射ノズルの前端に設置されたフィルタにヒーターを配置することによって、乾燥用流体のフィルタによる凝固を防止し、残存する微量の水分が消えるようにする。これにより、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に供給されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、乾燥用流体を乾燥槽に供給する噴射ノズルの前端に設置されたフィルタにヒーターを配置することによって、乾燥用流体のフィルタによる凝固を防止し、残存する微量の水分が消えるようにする。これにより、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る基板処理装置及び方法を、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
従来の技術と比較した本発明の利点は、添付した図面を参照した詳細な説明と特許請求の範囲を通して明らかになるはずである。特に、本発明は、特許請求の範囲でよく記載され明白に請求される。しかしながら、本発明は、添付された図面と関連して以下の詳細な説明を参照することによって、最もよく理解することができる。図面において、同じ参照符号は、複数の図面において同じ構成要素を示す。
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す断面図である。図１に示すように、本発明の実施の形態の基板処理装置１００は、処理液で基板１３１をウェット処理する処理部１４０と、処理部１４０の上部に配置され、ウェット処理された基板１３１を乾燥用流体で乾燥処理する乾燥部１１０とを備える。基板１３１は、半導体ウエハ、ＬＣＤ基板、ガラス基板などがあり、その種類は限定されない。
【００２５】
処理部１４０は、基板支持部１３０に起立状態で配列支持された複数枚の基板１３１を収容する処理槽１４１を有する。処理槽１４１の下部の両側には、処理槽１４１の内部に処理液を提供するノズル１４４が配置される。ノズル１４４には、複数のバルブ１４６、１４７の選択により、薬液、例えばＨＦ、ＨＣｌ又はＮＨ４などを含む混合液が提供されるか、又は脱イオン水（ＤＩＷ）が提供される。
【００２６】
処理槽１４１の外側には、処理槽１４１から流れ溢れる処理液を回収するための回収槽１４２が配置される。回収槽１４２に回収される処理液は、バルブ１４５、１４７、ポンプ１４８、フィルタ１４９を介して循環されてノズル１４４に再供給される。バルブ１４５により回収槽１４２に回収された処理液は、選択的に上記のように循環されるか、又は循環されずに排出される。処理槽１４１の最下部には、排出口１４３が配置されていて、処理槽１４１に提供された処理液がバルブ１４３Ａの開放作動により処理槽１４１の外部に排出される。薬液によっては、処理槽１４１が有毒ガスや蒸気で充填されるか、又は乾燥槽１１１から乾燥用流体が処理槽１４１に充填され得る。したがって、バルブ１５１とダンパー１５２とを媒介として、処理槽１４１内の有毒ガスや蒸気又は乾燥用流体を排気させることができる。
【００２７】
乾燥部１１０は、基板支持台１３０に支持された複数枚の基板１３１を収容する乾燥槽１１１を有する。基板支持台１３０は、処理槽１４１と乾燥槽１１１との間で昇降して、基板１３１を乾燥槽１１１又は処理槽１４１に運搬する。
【００２８】
乾燥槽１１１の上部には蓋１１３が配置され、乾燥槽１１１の下部にはスライドドア１１９が配置される。蓋１１３が開放されることによって、乾燥槽１１１の内部に基板１３１が投入され、スライドドア１１９が開放されることによって、基板１３１が乾燥槽１１１から処理槽１４１に又はその逆に移送される。乾燥槽１１１内のガスは、バルブ１５３、１５４の開放によりスライドドア１１９を介して外部に排出される。
【００２９】
乾燥槽１１１には、乾燥用流体、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と窒素（Ｎ２）を乾燥槽１１１の内部にダウンフロー方式により供給するノズル１１２が配置される。乾燥用流体は、水溶性であり、かつ基板１３１についた脱イオン水の表面張力を低下させる作用を有する有機溶剤、たとえば上述のＩＰＡの他にアルコール類、ジエチルケトンのようなケトン類、メチルエーテルやエチルエーテルのようなエーテル類を採択して使用することができる。ヘリウムやアルゴンのような不活性ガスで窒素を代替することができる。
【００３０】
液相のＩＰＡは、気相の窒素とともに気化器１１４に提供されて気化された後、ヒーター１１６を経て加熱された状態でノズル１１２に提供される。窒素は、加熱された状態で気化器１１４に提供されることができる。バルブ１１７は、乾燥用流体（ＩＰＡ＋Ｎ２の混合流体）のノズル１１２への供給可否を制御する。乾燥用流体は、ノズル１１２に提供される前にフィルタ１１８を経ながら不純物がろ過される。
【００３１】
乾燥用流体がノズル１１２に提供される前にフィルタ１１８で凝固される現象があり得る。ＩＰＡの気化器１１４への供給を増大させる場合、例えばＩＰＡを４０ｍｌ／分以上に供給量を拡大させる場合に、ＩＰＡが完全に気化されない状態でノズル１１２に提供されることができるが、このような場合、フィルタ１１２でＩＰＡが凝固される現象があり得る。乾燥槽１１１の内部に凝固された状態で提供されるＩＰＡは、基板１３１についてパーティクルとして作用する。これにより、本実施の形態では、フィルタ１１８でのＩＰＡの凝固現象を抑制するために、フィルタ１１８に熱を伝達するヒーター１２０が配置される。ヒーター１２０は、後述のように、フィルタ１１８を取り囲むいわゆるジャケット型ヒーターであって、電気的パワーが印加されて熱を発生させ、その熱をフィルタ１１８に伝達する。
【００３２】
図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置において、一部を拡大して示した斜視図であり、図３は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置において、フィルタを取り囲むヒーターを示す斜視図である。
【００３３】
図２及び図３に示すように、ヒーター１２０は、フィルタ１１８を取り囲むいわゆるジャケット型ヒーター又はヒータージャケットが採択されることができる。ヒーター１２０は、ジャケット１２３とヒーターマット１２１を含んで構成される。ヒーターマット１２１は、フィルタ１１８の外部表面１１８Ａと接触する。ヒーターマット１２１には、ニッケル又はニッケルクロムのような伝導体で構成された熱線１２２が備えられ、熱線１２２に電気的パワーが印加されると、熱が発生する。熱線１２２により発生した熱は、主に伝導によりフィルタ１１８に直接伝達される。ジャケット１２３は、ヒーターマット１２１から放射状に外側に延びており、ヒーターマット１２１を取り囲んでいる。ジャケット１２３は、ヒーターマット１２１から発生した熱がフィルタ１１８に向かって放射状に内側に主に流れるように、比較的低い熱伝導率を有する伸縮性断熱材（例；シリカ繊維）で構成される。このような構造により、ヒーターマット１２１からフィルタ１１８への熱伝逹効率が向上し、熱が外周表面１２８で遮断されるので、熱が損失しない。
【００３４】
ヒーター１２０は、ヒーター１２０の長さ方向に延びているスリット１２４を有する。スリット１２４を形成するエッジ面１２５、１２６は、ヒーター１２０の装着又は脱着のために、フィルタ１１８の表面１１８Ａの上で互いに接触したり離される。ヒーター１２０をフィルタ１１８に締結するために、ヒーター１２０の外周表面１２８には、伸縮性のあるストラップ１２７が配置される。ストラップ１２７は、ヒーター１２０の外周表面１２８に形成されたファスナー１２９に固着され、これにより、エッジ面１２５、１２６が広げられるのが防止され、ヒーター１２０がフィルタ１１８から分離されない。ストラップ１２７とファスナー１２９との固着は、接着剤方式、ベルクロ（ＶＥＬＣＲＯ）方式及びその他の周知の方法により具現されることができる。
【００３５】
上記のように構成された基板処理装置は、次のとおりに動作する。
【００３６】
スライドドア１１９が閉められた状態で蓋１１３を開いて乾燥槽１１１の上部を開放させて、乾燥槽１１１に基板１３１を投入させる（Ｓ１００）。基板１３１が乾燥槽１１１に投入されると、蓋１１３を閉じ、スライドドア１１９を開いて基板１３１を処理槽１４１に下降させる（Ｓ１１０）。基板１３１の下降は、基板支持台１３０の下降により具現される。基板１３１が処理槽１４１に下降すると、スライドドア１１９を閉じる。
【００３７】
基板１３１が処理槽１４１に投入されると、ノズル１４４を介して薬液を処理槽１４１に提供し、基板１３１を薬液処理する（Ｓ１２０）。薬液は、基板１３１が処理槽１４１に投入される前に処理槽１４１に予め供給しても良い。薬液処理後に薬液を排出させ、脱イオン水をノズル１４４を介して処理槽１４１に供給して、基板１３１を水洗処理する（Ｓ１３０）。これとは異なり、薬液処理後に薬液を排出させない状態で脱イオン水を処理槽１４１に供給し、薬液の濃度を次第に薄くして水洗処理を行うこともできる。処理槽１４１において薬液と脱イオン水を使用して基板１３１を処理する間、乾燥槽１１１に乾燥用流体、たとえばＩＰＡを提供するか、又はＩＰＡとＮ２混合ガスとを提供して、乾燥槽１１１内の雰囲気を乾燥用流体雰囲気とすることができる（Ｓ１４０）。
【００３８】
処理液処理が完了すると、スライドドア１１９を開いて基板１３１を乾燥槽１１１に上昇させる（Ｓ１５０）。このとき、基板１３１が移送される間、乾燥槽１１１にＩＰＡ又はＩＰＡとＮ２混合ガスとを供給することができる。基板１３１が乾燥槽１１１に移送されると、スライドドア１１９を閉じて乾燥槽１１１を密閉させる。このとき、バルブ１５１を開いて処理槽１４１に提供されたＩＰＡ又はＩＰＡとＮ２混合ガス、薬液により発生した有毒ガスや蒸気などを排気させることができる（Ｓ１６０）。
【００３９】
ノズル１１２を介して乾燥用流体であるＩＰＡとＮ２混合ガスとを乾燥槽１１１にダウンフローさせて、基板１３１を１次に乾燥処理する（Ｓ１７０）。１次乾燥処理後に加熱されたＮ２ガスをノズル１１２を介して乾燥槽１１１にダウンフローさせて、基板１３１を２次乾燥処理する（Ｓ１９０）。
【００４０】
乾燥処理において、１次乾燥処理としてＩＰＡとＮ２混合ガスとを乾燥槽１１１に供給する場合、ＩＰＡとＮ２混合ガスとがフィルタ１１８を通過するとき、ＩＰＡがフィルタ１１８で凝固され得る。このような場合、２次乾燥処理として加熱されたＮ２ガスを乾燥槽１１１に提供する場合、フィルタ１１８で凝固されたＩＰＡが加熱されたＮ２とともに乾燥槽１１１に供給され、凝固された状態で供給されたＩＰＡが基板１３１についてパーティクルとして作用することがある。しかしながら、フィルタ１１８を取り囲んでいるヒーター１２０を作動させてフィルタ１１８を加熱（Ｓ１８０）することによって、フィルタ１１８でのＩＰＡ凝固が防止される。その上、ヒーター１２０によりフィルタ１１８が加熱されるので、フィルタ１１８に残存する微量の水分も共に除去される。ヒーター１２０によるフィルタ１１８の加熱は、１次乾燥処理の前又は後、２次乾燥処理の前、１次及び２次乾燥処理の間等、任意的に行われることができる。
【００４１】
乾燥処理が完了すると、バルブ１５３、１５４を開いて乾燥槽１１１内に提供されたＩＰＡとＮ２ガスとを排気させる（Ｓ２００）。以後、蓋１１３を開いて、基板１３１を外部に搬出する（Ｓ２１０）。
【００４２】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一部を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一部を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４４】
１００ 基板処理装置
１１０ 乾燥部
１１１ 乾燥槽
１１２ 乾燥用流体噴射ノズル
１１３ 蓋
１１４ 気化器
１１６ ヒーター
１１８ 乾燥用流体フィルタ
１１９ スライドドア
１２０ ジャケット型ヒーター
１２１ ヒーターマット
１２２ 熱線
１２３ ジャケット
１２４ スリット
１２５、１２６ エッジ面
１２７ ストラップ
１２８ 外周表面
１２９ ファスナー
１３０ 基板支持台
１３１ 基板
１４０ 処理部
１４１ 処理槽
１４２ 回収槽
１４３ 排出口
１４４ 処理液噴射ノズル
１４８ ポンプ
１４９ 処理液フィルタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、さらに詳細には、処理槽と乾燥槽が上下に配置された基板処理装置及びこれを利用した基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造において、半導体ウエハやＬＣＤ有機基板のような被処理体（以下、基板）の表面についた有機汚染物、金属不純物などのパーティクルを除去するために洗浄装置が用いられている。その中で、ウェット洗浄装置は、パーティクルを比較的効果的に除去することができ、処理能力が良好であるから、幅広く普及している。従来のウェット洗浄装置は、薬液処理、水洗処理及び乾燥処理が行なわれるように構成されるのが一般的である。ところが、処理槽及び乾燥槽を各々別に設置することは、装置の大型化を引き起こし、ウエハを搬送するときにウエハが大気に露出してパーティクルが付着する可能性が高い。
【０００３】
これにより、装置の大型化を避け、基板に対する処理を效率的に行うことができる基板処理装置に対する改善の必要性が従来から求められている。基板処理装置の改善された例としては、下記の特許文献１に開示されたように、処理槽と乾燥槽を上下に一体化して、下部の処理槽で薬液処理された後、ウエハを上部の乾燥槽に移動させて乾燥処理が行なわれるようにしたものがある。
【０００４】
前記改善した基板処理装置では、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を乾燥用流体として採択して使用するのが通常である。ところが、ＩＰＡが乾燥槽に投入される前にフィルタで凝固され、ＩＰＡが凝固された状態で噴射される場合があり得る。この場合、凝固された状態で乾燥槽に噴射されたＩＰＡが基板に吸着されて、パーティクルとして作用するという問題点があった。
【特許文献１】韓国公開特許第１９９８−２５０６８号の明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、乾燥用流体の凝固によるパーティクルの発生を抑制して、安定した基板処理が可能な基板処理装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成すべく、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、乾燥用流体を乾燥槽に供給する噴射ノズルの前端にヒーターを配置して、乾燥用流体の凝固を防止することを特徴とする。
【０００７】
前記特徴を具現することができる本発明の実施の形態に係る基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とを含み、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に供給される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを含むことを特徴とする。
【０００８】
本実施の形態の装置において、前記第１ヒーターは、前記フィルタを取り囲むジャケット型ヒーターを含む。前記ジャケット型ヒーターは、前記フィルタの表面と接触され、熱線が含まれたヒーターマットと、前記ヒーターマットを取り囲み、伸縮性断熱材で構成されたジャケットとを含む。
【０００９】
本実施の形態の装置において、前記流体が前記フィルタに提供される前に前記流体を気化させる気化器と、前記気化させた流体を加熱する第２ヒーターとをさらに含む。前記流体は、前記基板を１次に乾燥させる有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスと、前記基板を２次に乾燥させる不活性ガスとを含む。
【００１０】
本実施の形態の装置において、前記処理液は、前記基板を対象に薬液処理する第１処理液と、前記薬液処理された基板を対象にリンスする第２処理液とを含む。
【００１１】
前記特徴を具現することができる本発明の変更実施形態に係る基板処理装置は、処理液が供給され、前記処理液で基板をウェット処理する処理槽と、前記処理槽の内側に配置され、前記処理液を前記処理槽に噴射する処理液噴射ノズルと、前記処理槽の外側の上部に配置され、開口された上下部を有し、前記開口された下部には、前記処理槽との間で前記基板を移送するために開閉されるスライドドアが配置され、前記開口された上部には、前記基板を外部から提供されるために開閉される蓋が配置された乾燥槽と、前記基板を支持し、前記処理槽と前記乾燥槽との間で前記基板を移送させる基板支持台と、前記乾燥槽の内側に配置され、前記基板を乾燥させるガスを前記乾燥槽に噴射するガス噴射ノズルと、前記乾燥槽の外側に配置され、前記ガスをフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを取り囲むように配置されて前記フィルタを加熱するヒータージャケットとを含むことを特徴とする。
【００１２】
本変更実施形態に係る装置において、前記ガスは、前記基板を１次に乾燥させる有機溶剤及び不活性ガスとの混合ガスと、前記基板を２次に乾燥させる不活性ガスとを含む。前記処理液は、前記処理槽に順次提供される薬液と脱イオン水とを含む。
【００１３】
本変更実施形態の装置は、前記処理槽の外側に配置されて、前記処理槽に提供されてあふれる処理液を回収する回収槽と、前記回収槽で回収された処理液を前記処理槽に再供給する処理液回収手段とをさらに含む。
【００１４】
前記特徴を具現することができる本発明の実施の形態に係る基板処理方法は、乾燥槽に基板を投入させる基板投入ステップと、前記乾燥槽に投入された基板を処理槽に移送させる第１基板移送ステップと、前記処理槽に処理液を提供して前記基板を処理するウェット処理ステップと、前記ウェット処理された基板を前記乾燥槽に移送させる第２基板移送ステップと、前記乾燥槽に流体を提供して前記基板を乾燥させるものの、前記流体が前記乾燥槽に提供される前に前記流体に熱を伝達して、前記流体の凝固を防止する乾燥処理ステップと、前記乾燥処理された基板を排出させる基板排出ステップとからなることを特徴とする。
【００１５】
本実施の形態の方法において、前記ウェット処理ステップは、前記処理槽に薬液を供給して前記基板を薬液処理する第１ウェット処理ステップと、前記処理槽に脱イオン水を供給して、前記薬液処理された基板を水洗処理する第２ウェット処理ステップとを含む。
【００１６】
本実施の形態の方法において、前記乾燥槽に前記流体を供給して前記乾燥槽の雰囲気を前記流体の雰囲気に形成する雰囲気組成ステップをさらに含む。
【００１７】
本実施の形態の方法において、前記乾燥処理ステップは、前記乾燥槽に有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスを供給して、前記基板を乾燥させる第１乾燥処理ステップと、前記乾燥槽に不活性ガスを供給して、前記基板を乾燥させる第２乾燥処理ステップとを含む。
【００１８】
本実施の形態の方法において、前記乾燥処理ステップは、前記流体が前記乾燥槽に供給される前に前記流体を気化器に提供して気化させ、前記気化させた流体をフィルタでフィルタリングし、前記フィルタを加熱して前記気化された流体の凝固を防止するステップを含む。
【００１９】
前記特徴を具現することができる本発明の変更実施形態に係る基板処理方法は、乾燥槽に基板を提供する基板提供ステップと、第１流体をフィルタでフィルタリングした後に前記乾燥槽に供給して、前記基板を乾燥処理する１次乾燥処理ステップと、第２流体を前記フィルタでフィルタリングした後に前記乾燥槽に供給して、前記基板を乾燥処理する２次乾燥処理ステップと、前記フィルタを加熱して、前記フィルタでの前記第１流体と前記第２流体の中で少なくとも何れか一つの凝固を防止するフィルタ加熱ステップとを含むことを特徴とする。
【００２０】
本変形実施の形態の方法において、前記フィルタ加熱ステップは、前記１次乾燥処理ステップの前に行われるか、前記１次乾燥処理ステップの後に行われるか、又は前記２次乾燥処理の前に行われるか、又は前記１次及び２次乾燥処理の間に行われる。
【００２１】
本発明によれば、乾燥用流体を乾燥槽に供給する噴射ノズルの前端に設置されたフィルタにヒーターを配置することによって、乾燥用流体のフィルタによる凝固を防止し、残存する微量の水分が消えるようにする。これにより、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に供給されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、乾燥用流体を乾燥槽に供給する噴射ノズルの前端に設置されたフィルタにヒーターを配置することによって、乾燥用流体のフィルタによる凝固を防止し、残存する微量の水分が消えるようにする。これにより、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る基板処理装置及び方法を、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
従来の技術と比較した本発明の利点は、添付した図面を参照した詳細な説明と特許請求の範囲を通して明らかになるはずである。特に、本発明は、特許請求の範囲でよく記載され明白に請求される。しかしながら、本発明は、添付された図面と関連して以下の詳細な説明を参照することによって、最もよく理解することができる。図面において、同じ参照符号は、複数の図面において同じ構成要素を示す。
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す断面図である。図１に示すように、本発明の実施の形態の基板処理装置１００は、処理液で基板１３１をウェット処理する処理部１４０と、処理部１４０の上部に配置され、ウェット処理された基板１３１を乾燥用流体で乾燥処理する乾燥部１１０とを備える。基板１３１は、半導体ウエハ、ＬＣＤ基板、ガラス基板などがあり、その種類は限定されない。
【００２５】
処理部１４０は、基板支持部１３０に起立状態で配列支持された複数枚の基板１３１を収容する処理槽１４１を有する。処理槽１４１の下部の両側には、処理槽１４１の内部に処理液を提供するノズル１４４が配置される。ノズル１４４には、複数のバルブ１４６、１４７の選択により、薬液、例えばＨＦ、ＨＣｌ又はＮＨ４などを含む混合液が提供されるか、又は脱イオン水（ＤＩＷ）が提供される。
【００２６】
処理槽１４１の外側には、処理槽１４１から流れ溢れる処理液を回収するための回収槽１４２が配置される。回収槽１４２に回収される処理液は、バルブ１４５、１４７、ポンプ１４８、フィルタ１４９を介して循環されてノズル１４４に再供給される。バルブ１４５により回収槽１４２に回収された処理液は、選択的に上記のように循環されるか、又は循環されずに排出される。処理槽１４１の最下部には、排出口１４３が配置されていて、処理槽１４１に提供された処理液がバルブ１４３Ａの開放作動により処理槽１４１の外部に排出される。薬液によっては、処理槽１４１が有毒ガスや蒸気で充填されるか、又は乾燥槽１１１から乾燥用流体が処理槽１４１に充填され得る。したがって、バルブ１５１とダンパー１５２とを媒介として、処理槽１４１内の有毒ガスや蒸気又は乾燥用流体を排気させることができる。
【００２７】
乾燥部１１０は、基板支持台１３０に支持された複数枚の基板１３１を収容する乾燥槽１１１を有する。基板支持台１３０は、処理槽１４１と乾燥槽１１１との間で昇降して、基板１３１を乾燥槽１１１又は処理槽１４１に運搬する。
【００２８】
乾燥槽１１１の上部には蓋１１３が配置され、乾燥槽１１１の下部にはスライドドア１１９が配置される。蓋１１３が開放されることによって、乾燥槽１１１の内部に基板１３１が投入され、スライドドア１１９が開放されることによって、基板１３１が乾燥槽１１１から処理槽１４１に又はその逆に移送される。乾燥槽１１１内のガスは、バルブ１５３、１５４の開放によりスライドドア１１９を介して外部に排出される。
【００２９】
乾燥槽１１１には、乾燥用流体、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と窒素（Ｎ２）を乾燥槽１１１の内部にダウンフロー方式により供給するノズル１１２が配置される。乾燥用流体は、水溶性であり、かつ基板１３１についた脱イオン水の表面張力を低下させる作用を有する有機溶剤、たとえば上述のＩＰＡの他にアルコール類、ジエチルケトンのようなケトン類、メチルエーテルやエチルエーテルのようなエーテル類を採択して使用することができる。ヘリウムやアルゴンのような不活性ガスで窒素を代替することができる。
【００３０】
液相のＩＰＡは、気相の窒素とともに気化器１１４に提供されて気化された後、ヒーター１１６を経て加熱された状態でノズル１１２に提供される。窒素は、加熱された状態で気化器１１４に提供されることができる。バルブ１１７は、乾燥用流体（ＩＰＡ＋Ｎ２の混合流体）のノズル１１２への供給可否を制御する。乾燥用流体は、ノズル１１２に提供される前にフィルタ１１８を経ながら不純物がろ過される。
【００３１】
乾燥用流体がノズル１１２に提供される前にフィルタ１１８で凝固される現象があり得る。ＩＰＡの気化器１１４への供給を増大させる場合、例えばＩＰＡを４０ｍｌ／分以上に供給量を拡大させる場合に、ＩＰＡが完全に気化されない状態でノズル１１２に提供されることができるが、このような場合、フィルタ１１２でＩＰＡが凝固される現象があり得る。乾燥槽１１１の内部に凝固された状態で提供されるＩＰＡは、基板１３１についてパーティクルとして作用する。これにより、本実施の形態では、フィルタ１１８でのＩＰＡの凝固現象を抑制するために、フィルタ１１８に熱を伝達するヒーター１２０が配置される。ヒーター１２０は、後述のように、フィルタ１１８を取り囲むいわゆるジャケット型ヒーターであって、電気的パワーが印加されて熱を発生させ、その熱をフィルタ１１８に伝達する。
【００３２】
図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置において、一部を拡大して示した斜視図であり、図３は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置において、フィルタを取り囲むヒーターを示す斜視図である。
【００３３】
図２及び図３に示すように、ヒーター１２０は、フィルタ１１８を取り囲むいわゆるジャケット型ヒーター又はヒータージャケットが採択されることができる。ヒーター１２０は、ジャケット１２３とヒーターマット１２１を含んで構成される。ヒーターマット１２１は、フィルタ１１８の外部表面１１８Ａと接触する。ヒーターマット１２１には、ニッケル又はニッケルクロムのような伝導体で構成された熱線１２２が備えられ、熱線１２２に電気的パワーが印加されると、熱が発生する。熱線１２２により発生した熱は、主に伝導によりフィルタ１１８に直接伝達される。ジャケット１２３は、ヒーターマット１２１から放射状に外側に延びており、ヒーターマット１２１を取り囲んでいる。ジャケット１２３は、ヒーターマット１２１から発生した熱がフィルタ１１８に向かって放射状に内側に主に流れるように、比較的低い熱伝導率を有する伸縮性断熱材（例；シリカ繊維）で構成される。このような構造により、ヒーターマット１２１からフィルタ１１８への熱伝逹効率が向上し、熱が外周表面１２８で遮断されるので、熱が損失しない。
【００３４】
ヒーター１２０は、ヒーター１２０の長さ方向に延びているスリット１２４を有する。スリット１２４を形成するエッジ面１２５、１２６は、ヒーター１２０の装着又は脱着のために、フィルタ１１８の表面１１８Ａの上で互いに接触したり離される。ヒーター１２０をフィルタ１１８に締結するために、ヒーター１２０の外周表面１２８には、伸縮性のあるストラップ１２７が配置される。ストラップ１２７は、ヒーター１２０の外周表面１２８に形成されたファスナー１２９に固着され、これにより、エッジ面１２５、１２６が広げられるのが防止され、ヒーター１２０がフィルタ１１８から分離されない。ストラップ１２７とファスナー１２９との固着は、接着剤方式、ベルクロ（ＶＥＬＣＲＯ）方式及びその他の周知の方法により具現されることができる。
【００３５】
上記のように構成された基板処理装置は、次のとおりに動作する。
【００３６】
スライドドア１１９が閉められた状態で蓋１１３を開いて乾燥槽１１１の上部を開放させて、乾燥槽１１１に基板１３１を投入させる（Ｓ１００）。基板１３１が乾燥槽１１１に投入されると、蓋１１３を閉じ、スライドドア１１９を開いて基板１３１を処理槽１４１に下降させる（Ｓ１１０）。基板１３１の下降は、基板支持台１３０の下降により具現される。基板１３１が処理槽１４１に下降すると、スライドドア１１９を閉じる。
【００３７】
基板１３１が処理槽１４１に投入されると、ノズル１４４を介して薬液を処理槽１４１に提供し、基板１３１を薬液処理する（Ｓ１２０）。薬液は、基板１３１が処理槽１４１に投入される前に処理槽１４１に予め供給しても良い。薬液処理後に薬液を排出させ、脱イオン水をノズル１４４を介して処理槽１４１に供給して、基板１３１を水洗処理する（Ｓ１３０）。これとは異なり、薬液処理後に薬液を排出させない状態で脱イオン水を処理槽１４１に供給し、薬液の濃度を次第に薄くして水洗処理を行うこともできる。処理槽１４１において薬液と脱イオン水を使用して基板１３１を処理する間、乾燥槽１１１に乾燥用流体、たとえばＩＰＡを提供するか、又はＩＰＡとＮ２混合ガスとを提供して、乾燥槽１１１内の雰囲気を乾燥用流体雰囲気とすることができる（Ｓ１４０）。
【００３８】
処理液処理が完了すると、スライドドア１１９を開いて基板１３１を乾燥槽１１１に上昇させる（Ｓ１５０）。このとき、基板１３１が移送される間、乾燥槽１１１にＩＰＡ又はＩＰＡとＮ２混合ガスとを供給することができる。基板１３１が乾燥槽１１１に移送されると、スライドドア１１９を閉じて乾燥槽１１１を密閉させる。このとき、バルブ１５１を開いて処理槽１４１に提供されたＩＰＡ又はＩＰＡとＮ２混合ガス、薬液により発生した有毒ガスや蒸気などを排気させることができる（Ｓ１６０）。
【００３９】
ノズル１１２を介して乾燥用流体であるＩＰＡとＮ２混合ガスとを乾燥槽１１１にダウンフローさせて、基板１３１を１次に乾燥処理する（Ｓ１７０）。１次乾燥処理後に加熱されたＮ２ガスをノズル１１２を介して乾燥槽１１１にダウンフローさせて、基板１３１を２次乾燥処理する（Ｓ１９０）。
【００４０】
乾燥処理において、１次乾燥処理としてＩＰＡとＮ２混合ガスとを乾燥槽１１１に供給する場合、ＩＰＡとＮ２混合ガスとがフィルタ１１８を通過するとき、ＩＰＡがフィルタ１１８で凝固され得る。このような場合、２次乾燥処理として加熱されたＮ２ガスを乾燥槽１１１に提供する場合、フィルタ１１８で凝固されたＩＰＡが加熱されたＮ２とともに乾燥槽１１１に供給され、凝固された状態で供給されたＩＰＡが基板１３１についてパーティクルとして作用することがある。しかしながら、フィルタ１１８を取り囲んでいるヒーター１２０を作動させてフィルタ１１８を加熱（Ｓ１８０）することによって、フィルタ１１８でのＩＰＡ凝固が防止される。その上、ヒーター１２０によりフィルタ１１８が加熱されるので、フィルタ１１８に残存する微量の水分も共に除去される。ヒーター１２０によるフィルタ１１８の加熱は、１次乾燥処理の前又は後、２次乾燥処理の前、１次及び２次乾燥処理の間等、任意的に行われることができる。
【００４１】
乾燥処理が完了すると、バルブ１５３、１５４を開いて乾燥槽１１１内に提供されたＩＰＡとＮ２ガスとを排気させる（Ｓ２００）。以後、蓋１１３を開いて、基板１３１を外部に搬出する（Ｓ２１０）。
【００４２】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一部を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一部を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４４】
１００ 基板処理装置
１１０ 乾燥部
１１１ 乾燥槽
１１２ 乾燥用流体噴射ノズル
１１３ 蓋
１１４ 気化器
１１６ ヒーター
１１８ 乾燥用流体フィルタ
１１９ スライドドア
１２０ ジャケット型ヒーター
１２１ ヒーターマット
１２２ 熱線
１２３ ジャケット
１２４ スリット
１２５、１２６ エッジ面
１２７ ストラップ
１２８ 外周表面
１２９ ファスナー
１３０ 基板支持台
１３１ 基板
１４０ 処理部
１４１ 処理槽
１４２ 回収槽
１４３ 排出口
１４４ 処理液噴射ノズル
１４８ ポンプ
１４９ 処理液フィルタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液が提供されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、
流体が提供されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、
前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１ヒーターは、前記フィルタを取り囲むジャケット型ヒーターで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ジャケット型ヒーターは、前記フィルタの表面と接触され、熱線が含まれたヒーターマットと、前記ヒーターマットを取り囲み、伸縮性断熱材で構成されたジャケットとで構成されたことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記流体が前記フィルタへ供給される前に前記流体を気化させる気化器と、前記気化させた流体を加熱する第２ヒーターとをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
処理液が供給されて前記処理液で基板をウェット処理する処理槽と、
前記処理槽の内側に配置され、前記処理液を前記処理槽に噴射する処理液噴射ノズルと、
前記処理槽の外側の上部に配置され、開口された上下部を有し、前記開口された下部には、前記処理槽との間で前記基板を移送するために開閉されるスライドドアが配置され、前記開口された上部には、前記基板を外部から提供されるために開閉される蓋が配置された乾燥槽と、
前記基板を支持し、前記処理槽と前記乾燥槽との間で前記基板を移送させる基板支持台と、
前記乾燥槽の内側に配置され、前記基板を乾燥させるガスを前記乾燥槽に噴射するガス噴射ノズルと、
前記乾燥槽の外側に配置され、前記ガスをフィルタリングするフィルタと前記フィルタを取り囲むように配置されて前記フィルタを加熱するヒータージャケットとで構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記ガスは、前記基板を１次に乾燥させる有機溶剤及び不活性ガスとの混合ガスと、前記基板を２次に乾燥させる不活性ガスとを含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液は、前記基板を対象に薬液処理する第１処理液と、前記薬液処理された基板を対象にリンスする第２処理液とを含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理槽の外側に配置されて、前記処理槽に供給されて溢れる処理液を回収する回収槽と、前記回収槽で回収された処理液を前記処理槽に再供給する処理液回収手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項９】
乾燥槽に基板を投入させる基板投入ステップと、
前記乾燥槽に投入された基板を処理槽に移送させる第１基板移送ステップと、
前記処理槽に処理液を供給して前記基板を処理するウェット処理ステップと、
前記ウェット処理された基板を前記乾燥槽に移送させる第２基板移送ステップと、
前記乾燥槽に流体を供給して前記基板を乾燥させるものの、前記流体が前記乾燥槽に提供される前に前記流体に熱を伝達して、前記流体の凝固を防止する乾燥処理ステップと、
前記乾燥処理された基板を排出させる基板排出ステップとからなることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記ウェット処理ステップは、前記処理槽に薬液を供給して前記基板を薬液処理する第１ウェット処理ステップと、
前記処理槽に脱イオン水を提供して、前記薬液処理された基板を水洗処理する第２ウェット処理ステップとからなることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記乾燥槽に前記流体を供給する時に、前記乾燥槽へ前記流体を供給して前記乾燥槽に前記流体の雰囲気を形成する雰囲気組成ステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記乾燥処理ステップは、前記乾燥槽に有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスを供給して、前記基板を乾燥させる第１乾燥処理ステップと、
前記乾燥槽に不活性ガスを供給して、前記基板を乾燥させる第２乾燥処理ステップと、を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記乾燥処理ステップは、前記流体が前記乾燥槽に供給される前に前記流体を気化器に供給して気化させ、前記気化させた流体をフィルタでフィルタリングし、前記フィルタを加熱して前記気化された流体の凝固を防止するステップを含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
乾燥槽に基板を提供する基板提供ステップと、
第１流体をフィルタでフィルタリングした後に前記乾燥槽に供給して、前記基板を乾燥処理する１次乾燥処理ステップと、
第２流体を前記フィルタでフィルタリングした後に前記乾燥槽に供給して、前記基板を乾燥処理する２次乾燥処理ステップと、
前記フィルタを加熱して、前記フィルタでの前記第１流体と前記第２流体の中で少なくとも何れか一つの凝固を防止するフィルタ加熱ステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
前記第１流体は、有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスであり、前記第２流体は、不活性ガスであることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記フィルタ加熱ステップは、前記１次乾燥処理ステップの前に行われるか、前記１次乾燥処理ステップの後に行われるか、又は前記２次乾燥処理の前に行われるか、又は前記１次及び２次乾燥処理の間に行われることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１】
処理液が提供されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、
流体が提供されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、
前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１ヒーターは、前記フィルタを取り囲むジャケット型ヒーターで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ジャケット型ヒーターは、前記フィルタの表面と接触され、熱線が含まれたヒーターマットと、前記ヒーターマットを取り囲み、伸縮性断熱材で構成されたジャケットとで構成されたことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記流体が前記フィルタへ供給される前に前記流体を気化させる気化器と、前記気化させた流体を加熱する第２ヒーターとをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
処理液が供給されて前記処理液で基板をウェット処理する処理槽と、
前記処理槽の内側に配置され、前記処理液を前記処理槽に噴射する処理液噴射ノズルと、
前記処理槽の外側の上部に配置され、開口された上下部を有し、前記開口された下部には、前記処理槽との間で前記基板を移送するために開閉されるスライドドアが配置され、前記開口された上部には、前記基板を外部から提供されるために開閉される蓋が配置された乾燥槽と、
前記基板を支持し、前記処理槽と前記乾燥槽との間で前記基板を移送させる基板支持台と、
前記乾燥槽の内側に配置され、前記基板を乾燥させるガスを前記乾燥槽に噴射するガス噴射ノズルと、
前記乾燥槽の外側に配置され、前記ガスをフィルタリングするフィルタと前記フィルタを取り囲むように配置されて前記フィルタを加熱するヒータージャケットとで構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記ガスは、前記基板を１次に乾燥させる有機溶剤及び不活性ガスとの混合ガスと、前記基板を２次に乾燥させる不活性ガスとを含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液は、前記基板を対象に薬液処理する第１処理液と、前記薬液処理された基板を対象にリンスする第２処理液とを含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理槽の外側に配置されて、前記処理槽に供給されて溢れる処理液を回収する回収槽と、前記回収槽で回収された処理液を前記処理槽に再供給する処理液回収手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項９】
乾燥槽に基板を投入させる基板投入ステップと、
前記乾燥槽に投入された基板を処理槽に移送させる第１基板移送ステップと、
前記処理槽に処理液を供給して前記基板を処理するウェット処理ステップと、
前記ウェット処理された基板を前記乾燥槽に移送させる第２基板移送ステップと、
前記乾燥槽に流体を供給して前記基板を乾燥させるものの、前記流体が前記乾燥槽に提供される前に前記流体に熱を伝達して、前記流体の凝固を防止する乾燥処理ステップと、
前記乾燥処理された基板を排出させる基板排出ステップとからなることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記ウェット処理ステップは、前記処理槽に薬液を供給して前記基板を薬液処理する第１ウェット処理ステップと、
前記処理槽に脱イオン水を提供して、前記薬液処理された基板を水洗処理する第２ウェット処理ステップとからなることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記乾燥槽に前記流体を供給する時に、前記乾燥槽へ前記流体を供給して前記乾燥槽に前記流体の雰囲気を形成する雰囲気組成ステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記乾燥処理ステップは、前記乾燥槽に有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスを供給して、前記基板を乾燥させる第１乾燥処理ステップと、
前記乾燥槽に不活性ガスを供給して、前記基板を乾燥させる第２乾燥処理ステップと、を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記乾燥処理ステップは、前記流体が前記乾燥槽に供給される前に前記流体を気化器に供給して気化させ、前記気化させた流体をフィルタでフィルタリングし、前記フィルタを加熱して前記気化された流体の凝固を防止するステップを含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
乾燥槽に基板を提供する基板提供ステップと、
第１流体をフィルタでフィルタリングした後に前記乾燥槽に供給して、前記基板を乾燥処理する１次乾燥処理ステップと、
第２流体を前記フィルタでフィルタリングした後に前記乾燥槽に供給して、前記基板を乾燥処理する２次乾燥処理ステップと、
前記フィルタを加熱して、前記フィルタでの前記第１流体と前記第２流体の中で少なくとも何れか一つの凝固を防止するフィルタ加熱ステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
前記第１流体は、有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスであり、前記第２流体は、不活性ガスであることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記フィルタ加熱ステップは、前記１次乾燥処理ステップの前に行われるか、前記１次乾燥処理ステップの後に行われるか、又は前記２次乾燥処理の前に行われるか、又は前記１次及び２次乾燥処理の間に行われることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００８−７２１１６（Ｐ２００８−７２１１６Ａ）
【公開日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２３５３３９（Ｐ２００７−２３５３３９）
【出願日】平成１９年９月１１日（２００７．９．１１）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＶＥＬＣＲＯ
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１１日（２００７．９．１１）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＶＥＬＣＲＯ
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【Ｆターム（参考）】
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