【課題】超音波を用いた枚葉式の洗浄装置において、洗浄速度に優れ、かつ、被洗浄物（ウエハ）の全面を均一に洗浄できる洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１０に、超音波振動子２１から伝搬する超音波を照射する照射面２０ａを両側に備え、かつ、それら２つの照射面２０ａ内に洗浄液を噴出する噴出口２０ｂをそれぞれ備えた振動体２０と、照射面２０ａのそれぞれと対向するウエハ５０を平行に並べて保持するガイドローラ１１ｃとを設ける。照射面２０ａ内に配置された噴出孔２０ｂから洗浄液を噴出させつつ、超音波を照射面２０ａからウエハ５０に照射して洗浄を行うことで２つの被洗浄面を同時に洗浄できる。 （もっと読む）

本明細書で説明される実施形態は、半導体デバイス製造に関し、より詳細には、複数の基板を同時に洗浄するための垂直に配置されたデュアルメガソニックモジュールに関する。一実施形態では、複数の基板を洗浄するための装置が提供される。本装置は、少なくとも１つの側壁および底を含む、越流処理流体を収集するための外部タンクを備える。処理流体を含むように適合された第１の内部モジュールは、外部タンクの中に部分的に位置付けされている。第１の内部モジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持する１つまたは複数のローラ組立品を備える。処理流体を含むように適合された第２の内部モジュールは、外部タンクの中に部分的に位置付けされている。第２の内部モジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持するように適合された１つまたは複数のローラ組立品を備える。各内部モジュールは、処理流体を通して基板の方へ振動エネルギーを送るように適合されたトランスデューサを含む。
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【課題】レジスト膜のアッシング条件に依存せず、かつコロージョンの発生を抑制する洗浄方法が望まれている。
【解決手段】 半導体基板上に、アルミニウムを含む導電膜(45)を形成する。導電膜の上に、レジストパターン(48)を形成する。レジストパターンをマスクとして、ハロゲンを含むガスを用いて導電膜をエッチングすることにより、配線(45a,45b)を形成する。配線の形成後、レジストパターンを除去する。レジストパターンの除去後、配線が形成されている表面を薬液(62)で処理することにより、レジストパターン除去後の残渣物を除去する。薬液による処理後、４０℃以上の温水(63)を用いて、基板表面を水洗する。 （もっと読む）

【課題】洗浄効果および洗浄幅を安定させることができ、基板の表面、周端面および裏面を同時に洗浄することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを回転させるためのスピンチャックと、ウエハＷの周縁部を洗浄するための表面洗浄ブラシ２８、周端面洗浄ブラシ２９および裏面洗浄ブラシ３０とを備えている。表面洗浄ブラシ２８、周端面洗浄ブラシ２９および裏面洗浄ブラシ３０は、ウエハＷが回転された状態で、それぞれ、ウエハＷの表面の周縁領域７、周端面９および裏面の周縁領域８に対して一定の押し付け圧で垂直に同時に押し付けられる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を洗浄する場合に、被処理基板の一方の面と他方の面とで除去する対象物が異なる場合であっても各対象物を確実に除去することができ、また、当該被処理基板を浸食することなく、被処理基板に付着したポリマーを確実に除去すること。
【解決手段】洗浄装置は、被処理基板Ｗの周縁部を洗浄する。洗浄装置は、被処理基板Ｗの表面Ｗａの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第一洗浄部１１と、被処理基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第二洗浄部１２と、を備えている。第二洗浄部１２から被処理基板Ｗの裏面Ｗｂに加わる摩擦力は、第一洗浄部１１から被処理基板Ｗの表面Ｗａに加わる摩擦力よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハをレジスト剥離液中で回転させて、半導体ウエハの一面に設けられたレジスト膜を剥離するとき、半導体ウエハに反りがあっても、半導体ウエハを安定良く回転させるようにする。
【解決手段】 開口部を有するウエハカセット１１内に複数枚の半導体ウエハ１８を間隔をおいて並列に収容する。次に、ウエハカセット１１を一対のウエハカセット挟持部４１で挟持し、このままレジスト剥離液３中に位置させる。次に、モータ４９の回転により、プーリ４０をウエハカセット挟持部４１およびウエハカセット１１と共に回転させる。この場合、半導体ウエハ１８はウエハカセット１１と共に回転されるため、半導体ウエハ１８に反りがあっても、半導体ウエハ１８を安定良く回転させることができる。 （もっと読む）

【課題】被除塵体に付着した塵埃を確実に除去することのできる除塵装置及び除塵方法を提供すること。
【解決手段】外周面が接着力を有するピックアップローラ１２と、このピックアップローラ１２に接着した塵埃を除去する転着ローラ１３と、当該転着ローラ１３を介してピックアップローラ１２を回転させる駆動手段１５と、ピックアップローラ１２の両側に配置された第１及び第２の除電手段１６、１７とを備えて防塵装置１０が構成されている。被除塵体となるテーブルＴは第１の除電手段１６により除電された後にピックアップローラ１２により塵埃が除去され、その後に、第２の除電手段１７により更に除電される。 （もっと読む）

【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室１２と、スパッタリング室
１２内に収納されウエハ１を保持するウエハチャック２０と、ウエハ１を保持したウエハ
チャック２０を回転させる回転機構２１と、ウエハ１に向けてイオンビーム３６を照射す
るミリング用イオン源３０とを備えており、ミリング用イオン源３０のミリング用電極３
２を短辺側がウエハの外径より小さい矩形形状に形成し、このミリング用電極３２の開口部３３の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】
現像処理した後ウエハ周辺部を、現像液やイソプロピルアルコールのようなアルコール類の溶剤でリンスしても、ウエハ周辺部に異物が付着している。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、被加工層を有する半導体ウエハの表面上方に、周辺部を除いて、レジスト膜を塗布し、塗布したレジスト膜にパターンを露光し、潜像を形成し、潜像を形成したレジスト膜を現像し、現像後の半導体ウエハの周辺部にシンナを供給し、クリーニングした後、現像したレジスト膜を用いて半導体ウエハの被加工層に加工処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】
ディスク洗浄のためのブラシの洗浄をブラシクリーナ円板により洗浄することでブラシによるディスクの洗浄効率を向上させることができるディスク洗浄機構およびディスク洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、回転ブラシユニットから洗浄液を排出するための洗浄液の流路が回転ブラシユニットに形成されている。この洗浄液の流路は、回転軸の中空部に供給された洗浄液が芯ローラの外周に設けられた軸方向に沿った横溝を経てブラシクリーナ円板の開口へと流れる通路として形成される。洗浄ノズルからディスクに供給された洗浄液は、ディスクを洗浄したときの汚れを含んで前記の洗浄液の流路に引き込まれて汚れが回転ブラシユニットから排出される。 （もっと読む）

【課題】真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。
【解決手段】基板表面の全面または一部に不活性ガスを供給して酸素遮断ゾーン１０６を形成する不活性ガス供給部１２と、基板表面を所定温度に維持する加熱部１６と、酸素遮断ゾーン３０に清浄化ガスを供給して基板表面を清浄化する清浄化ガス供給部１４を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造にもかかわらず洗浄能力が高いスクラブ洗浄装置及びそれに用いられるロールスポンジを提供する。
【解決手段】スクラブ洗浄装置用ロールスポンジアセンブリは、ロールスポンジを保持する支持体部及びこの支持体部の両側に回転軸が一体に形成される支持体、ロールスポンジの中空孔内にこの支持体の前記支持体部が嵌め込まれることで支持体に保持されるロールスポンジを備えている。このロールスポンジアセンブリの支持体の支持体部は、その外径が長手方向に漸次拡大するように連続的に変化するように形成され、他方支持体に保持されるロールスポンジは、その外径及びその中空孔の内径が前記支持体部の外径の変化に合わせて連続的に変化するように形成される。また、スクラブ洗浄装置は、洗浄対象物を回転している前記一対のロールスポンジアセンブリの間で長手方向に移動させることにより、洗浄対象物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる複数種類の処理液を基板に順次供給することによって基板に対して所定の湿式処理を施す際に、複数種類の処理液を良好に分離して回収することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを配置する間隙空間Ｓ１に互いに異なる複数種類の処理液が順次供給され、各処理液ごとに基板Ｗに対して湿式処理が施される。また、湿式処理の実行ごとに湿式処理後の処理液が連通部１２４から順次放出されるが、処理ユニット１と液回収ユニット２とが相対的に移動することで連通部１２４から放出される処理液の種類に対応した回収位置に液回収槽２１〜２４が選択的に配置される。ここで、液回収ユニット２が処理ユニット１と分離して処理ユニット１の下方側に配置されるとともに、処理ユニット１の連通部１２４から間隙空間Ｓ１の下方側に鉛直方向下向きに処理液が放出される。 （もっと読む）

【課題】 薬剤を効率的に基板表面に供給することでその消費量を抑制することができる洗浄処理方法および装置、ならびに基板の表面に発生する洗浄痕（ウォーターマーク）を低減することが可能な洗浄処理方法を提供すること。
【解決手段】 外側チャンバと内側チャンバからなる処理チャンバ内に保持された半導体ウエハＷの洗浄処理における薬剤を用いた乾燥処理を、半導体ウエハＷを停止または低速回転させた状態において、薬剤を吐出するノズルに薬剤を供給する薬剤供給管７７に薬剤（ＩＰＡ）を滞留させた後に薬剤供給管７７に高温のガスを供給することにより、薬剤を蒸気状として蒸気状の薬剤を基板に供給する工程と、薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造においてウエハ上のウォーターマークの発生を著しく減少させたウエハの乾燥方法及びこの方法を実施する乾燥装置を提供する。
【解決手段】 ウエハの乾燥装置及び乾燥方法に関するものであり、洗浄処理されたウエハ１が乾燥機のチャンバー内に搬入され、乾燥開始前から乾燥終了に至る間、冷却装置８によって冷却を受け続ける。冷却方法としては、チャンバー内に導入される窒素などのパージガス９を供給する個所に冷却装置を付帯させ、パージ窒素を冷却した状態でチャンバー中に導入する。チャンバーに搬入されたウエハに冷却窒素ブローが施されることによりウエハが冷却され、ウエハ上に洗浄工程から残留している水滴も同様に冷却される。そして、乾燥後に出現することのある水ガラスは、残留水滴温度が低いほど水ガラス反応速度は遅くなるため水ガラス出現が抑制されることになって歩留まり低下が防がれる。 （もっと読む）

フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びバランス脱イオン水を含む酸溶液を使用して、シリコン表面を変色させること無しにシリコン表面から汚染物質を効率よく除去することによって電極アセンブリのシリコン表面を洗浄する方法。 （もっと読む）