【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物がたとえ複雑形状を有する場合であっても、被洗浄物表面上の汚染物質を十分に除去できる洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水にオゾンを溶解させたオゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得るための紫外線照射処理槽６、紫外線照射処理槽６内で得られた洗浄液を供給する管路１５および洗浄液を被洗浄物に接触させるための手段７を備え、オゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得た直後に、当該洗浄液を被洗浄物に接触させる。 （もっと読む）

【課題】 安全にかつ短時間で基板の残留有機物を除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】 冷却された純水またはオゾン水にオゾンガスを混合してオゾンを溶解し、高濃度となった低温高濃度のオゾン水を加熱手段３によって加熱して、その高温高濃度のオゾン水を密閉された基板処理槽２５へ供給して大気圧よりも高い高圧状態とし、加熱によってオゾン水中から出る飽和溶解度以上の無駄となるオゾンガスを減少させ、高温高濃度のオゾン水のオゾンによる反応を促進する。基板処理槽２５内では、ポンプＰ２によって高温高濃度オゾン水を流動化し、槽内のオゾン濃度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】 帯状物体やベルトに固定した物体、或いは線状物体の表面を液体により処理するに際して、効率的な処理を行いまた装置全体を小型化する。
【解決手段】 帯状物体、またはベルトに固定した物体、或いは線状物体等の被処理物体を処理室の片側端面の入口開口から導入し、他側の端面の出口開口から導出するとき、前記片側端面側に設けた液体導入口から導入した液体を処理室内を移動する被処理物体との接触により前記出口開口側に流動させる。その際、前記出口開口側に流動する液体に対して前記被処理物体の移動方向と直角方向に対して傾斜する攪拌部により処理室内の液体流を攪拌する。また、被処理物体を処理室内において処理室中心から偏在して配置し、処理効果を促進する。 （もっと読む）

【課題】精密研磨した直後のＳｉＣ単結晶基板を用いて洗浄し、洗浄後のＳｉＣ単結晶基板表面の重金属の残留を極めて少なく出来るＳｉＣ単結晶基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】研磨剤２、および軟質な研磨パッド３を用いてＳｉＣ単結晶基板１の表面研磨を行う研磨工程（ａ）と、前記ＳｉＣ単結晶基板を複数枚集めて一つのトレイ４にセットし洗浄ロットを用意する洗浄準備工程（ｂ）と、前記洗浄ロットを薬液６へ浸漬させ、超音波洗浄する第一の超音波洗浄工程（ｃ）と、前記洗浄ロッドを酸と酸化剤と水からなる洗浄液８を用いて所定の温度にて洗浄を行う主洗浄工程（ｄ）と、ＳｉＣ単結晶基板１の表面に付着している洗浄液８をリンス液１１に置換するリンス工程（ｅ）と、前記洗浄ロットを超音波洗浄用の薬液１１へ浸漬させ超音波洗浄する第二の超音波洗浄工程（ｆ）と、前記洗浄ロットを乾燥する乾燥工程（ｇ）と、から成るＳｉＣ単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Cu低K誘電性半導体装置からエッチング及びアッシング後の残渣を除去するのに有用な水溶性及び半水溶性配合物を提供する。
【解決手段】多塩基酸緩衝系、フッ化物系、水、該水溶性組成物用の水混和性有機溶媒を含み、随意に、キレート剤、金属腐食防止剤及び界面活性剤を含んでいてもよいCu低K誘電性半導体装置からエッチング及びアッシング後の残渣を除去するのに有用な水溶性及び半水溶性配合物。 （もっと読む）

【課題】剥離性に優れたレジスト剥離液を提供すること。また、レジストの剥離性に優れ、回路構造を損傷しないレジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】一次粒子径が５〜１，０００ｎｍである粒子と、アミン化合物及びアルキレングリコール類よりなる群から選ばれた少なくとも一つの化合物を含有する剥離性に優れたレジスト剥離液及び灰化処理の工程を含まず、剥離性に優れ、回路構造を損傷しない、前記レジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法。 （もっと読む）

本発明は、薄いウェハ（６）を洗浄する装置で、ウェハ（６）が各々の一辺で担持装置（２）に固定されており、２つの隣接する基板間に空隙（７）が形成されている。本装置は、流体を各空隙（７）内に注入するシャワー装置（１５）と、流体を満たすことができ且つ担持装置（２）を収容できる寸法を有する槽（１４）とから実質上構成される。本発明によれば、任意選択的に、シャワー装置（１５）が移動不能な担持装置（２）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）が移動不能なシャワー装置（１５）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）とシャワー装置（１５）が相対的に移動可能である。本発明による方法は、好ましい洗浄処理において、担持装置（２）を槽内で移動しながらまず温流体でシャワー洗浄を行った後、冷流体で超音波洗浄を行い、さらに温流体でシャワー洗浄を再度行うことを特徴とする。
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【課題】開口を有する円板形の基板の効率的な乾燥方法及び装置を提供する。
【解決手段】開口を有するワークピースを乾燥するための方法であって、前記ワークピースを液体中に提供する段階と、前記ワークピースと前記液体の液面との間の相対的な動きを引き起こして、前記ワークピースが前記液体と接触しない状態まで取り出す段階と、前記ワークピースを乾燥する段階と、を備え、この乾燥段階の少なくとも一部は、前記相対的な動きを引き起こす動作の間に起こり、前記相対的な動きは、前記開口の上部が前記液面を通過する間第１速度であり、前記相対的な動きは、前記開口の上部が前記液面を通過した後、前記ワークピースの一部が前記液体と接触したままである期間第２速度であり、前記第１速度は前記第２速度より遅い。 （もっと読む）

残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】回路機構間の微細寸法で汚染された物品と水および酸化材料を含む反応性クリーニング流体を接触させて汚染材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】反応性クリーニング流体の臨界温度または臨界温度超の温度で、且つ反応性クリーニング流体の臨界圧力または臨界圧力超の圧力で、汚染された物品と水１９および酸化材料５１を含む反応性クリーニング流体とを接触させる工程を含む汚染された物品からの汚染材料の除去、汚染材料の少なくとも一部分を酸化して、クリーニングされた物品並びに未反応の反応性クリーニング流体および除去された汚染材料を含む生成混合物を生成する酸化、およびクリーニングされた物品と生成混合物との分離を含む汚染された物品から汚染材料を除去するための方法。 （もっと読む）

特に、銅とlow-k誘電材料を含む基板からレジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び酸化銅の1又は2以上を除去するのに適用できる種々の組成物を開示する。基板の表面を組成物と、典型的には30秒〜30分の時間、かつ25℃〜45℃の温度で接触させることによって、レジスト、残渣、及び酸化銅を除去する。組成物は、フッ化物供給成分；少なくとも1質量%の水混和性有機溶媒；有機酸；及び少なくとも81質量%の水を含む。典型的に、組成物は約0.4%までの1又は2以上のキレーターをさらに含む。 （もっと読む）