基板表面から極性流体を超臨界流体を使って除去する方法について述べる。洗浄できる基板としては、マイクロ電子工学装置（集積回路、マイクロ電子機械装置、および光学電子装置など）が含まれる。こういった装置の表面には、誘電体材料として使用されるような発泡ポリマーを含めることができる。極性流体を除去する上で有用な超臨界流体としては、一般に、超臨界状態にある酸素含有有機化合物、が含まれる。超臨界流体を用いた極性流体の除去をする際に、超臨界流体を用いた他の洗浄方法を補って、基板表面から微粒子を除去するようにしてもよい。 （もっと読む）

【解決手段】 本出願は、ワイヤーボンディングされるように構成されたワイヤー（１２０）を洗浄するためのワイヤー洗浄システム（３００、４００、５００、６００、７００）について説明する。前記ワイヤー洗浄装置（３００、４００、５００、６００、７００）は、チャンバーを含み、ワイヤーボンディングされるように設定されたワイヤー（１２０）はワイヤーボンディングされる前に当該ワイヤーを通過して延出する。また、前記ワイヤー洗浄システム（３００、４００、５００、６００、７００）は、前記ワイヤー（１２０）がワイヤーボンディングされる前に前記チャンバー内で前記ワイヤー(１２０)から不純物を除去するエネルギー源も含む。 （もっと読む）

プラズマ加工システムで利用する半導体基板加工法が開示されている。プラズマ加工システムはプラズマ加工チャンバと、バイアス補償回路に結合された静電チャックとを含んでいる。加工法はプラズマ点火ステップでのプラズマ点火を含んでいる。プラズマ点火ステップは、バイアス補償回路によって静電チャックに提供される第１バイアス補償電圧が実質ゼロであり、プラズマ加工チャンバ内の第１チャンバ圧が約９０ｍトル以下であるときに実施される。加工法はプラズマ点火後の基板加工ステップでの基板加工をさらに含む。基板加工ステップは、バイアス補償回路で提供される第１補償電圧よりも高い第２バイアス補償電圧と、第１チャンバ圧と実質同圧の第２チャンバ圧とを利用する。
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【課題】均一なΔＣＤ分布を示すプラズマソースコイルと、それを用いたプラズマチェンバーを提供すること。
【解決手段】プラズマソースコイル３２０は、中央部に配置されるブッシング３３０と、このブッシング３３０を中心に、ブッシング３３０の周りで同心円状に配置される複数個の単位コイル３２１〜３２４とを含む。これら各単位コイル及びブッシングの一側は、電源端子３１６に共通に接続され、これら各単位コイル及びブッシングの他側は、接地端子に共通に接続されるように配置される。 （もっと読む）

エッチングチャンバ、レジスト剥離チャンバ等の、半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面のウェット洗浄方法は、石英表面を、少なくとも一つの有機溶媒、塩基溶液及び複数の異なる酸溶液と接触させて、石英表面から有機汚染物質及び金属汚染物質を除去する工程を含む。石英表面は、好ましくは、少なくとも２回酸溶液の一つと接触させられる。 （もっと読む）

本発明は、自然酸化膜、化学的酸化膜、及び損傷層をシリコン基板表面から除去し、金属表面から汚染物質を除去するためのプラズマを用いた表面洗浄装置及び方法を提供すること。プラズマ発生装置と基板との間で接地されたグリッド及びバッフルを用いてポテンシャルを吸収することにより、ラジカルのみが基板に通過し、フッ素酸（ＨＦ）ガスは第２工程ガスとして用いられる。これによって、自然酸化膜、化学的酸化膜、またはエッチングの時にシリコン基板上に形成された損傷層はＨフローとともに熱処理段階で除去される。チャンバの環境は各ウェーハ工程完了の後、コンディショニングガスを流入することによって一定に保持される。したがって、工程再現性は改善する。
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【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 （もっと読む）

処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法である。この方法は、処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する段階、前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上で基板を処理する段階、を含む。前記処理する段階は、前記セラミック基板ヒータ上で処理される基板を提供する段階と、前記基板を処理ガスで露光することによって前記基板上で処理を行う段階と、前記処理された基板を前記処理チャンバから取り外す段階と、を含む。
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本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路の内面のフルオロカーボンリッチプラズマ前処理を伴う。
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