【解決手段】装置のキャップされていない多層ミラー上の沈着を除去する方法である。この方法は、その装置の少なくとも一部に、Ｈ_２、Ｄ_２およびＨＤのうちのひとつ以上ならびに複数の炭化水素化合物および／または複数のシラン化合物から選択されたひとつ以上の追加的な化合物を含むガスを提供することと、そのガスから、水素および／または重水素ラジカルならびにひとつ以上の追加的な化合物のラジカルを生成することと、沈着を伴うキャップされていない多層ミラーを、水素および／または重水素ラジカルならびにひとつ以上の追加的な化合物のラジカルと少なくとも部分的に接触させ、沈着の少なくとも一部を除去することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の状態を適正に監視して、異常放電の予兆を検出することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室内のプラズマ放電の変化に応じて放電検出センサ２３に誘発され、信号記録部２０に記録された電位変化の信号を信号解析部３０によって検出して行われる放電状態監視のための解析処理において、電極部と処理対象物との間で発生する異常放電（第一アーク放電）の信号を第一検出部３３によって検出したカウンタ値Ｎ３と、処理室内の異物堆積により発生する微小アーク放電（第二アーク放電）の信号を第二検出部３５によって検出したカウンタ値Ｎ４に基づき、異常放電判定部３９によって差（Ｎ３−Ｎ４）を求めて判定用のしきい値ａ２と比較して、処理室内における異常放電の発生の可能性の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理システムの処理チャンバ内の安定化プラズマを特定するための方法が提供される。方法は、処理チャンバ内においてストライクステップを実行してプラズマを発生させることを含む。ストライクステップは、処理チャンバ内において十分に高いガス圧を印加すること及び処理チャンバ内において低い高周波（ＲＦ）電力を維持することを含む。方法は、また、ストライクステップ中に、基板表面にごく接近している処理チャンバの表面上にあるプローブヘッドを利用して特性パラメータ測定結果の集合を収集することを含む。方法は、更に、特性パラメータ測定結果の集合を所定の範囲と照らして比較することを含む。もし特性パラメータ測定結果の集合が所定の範囲内である場合は、安定化プラズマが存在する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に形成されたＴｉあるいはＴａあるいはＲｕを含む導体膜１０３を有し、該導電膜上に形成したレジスト１０７を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト１０７を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 （もっと読む）

【課題】載置台とフォーカスリングとの間の隙間をなくし、プラズマの回り込みによる載置台側壁の損傷、及び被処理基板へのパーティクルの付着を回避することができるフォーカスリングを提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容してプラズマ処理を施す収容室１１と、収容室１１内に設けられ、ウエハＷを載置する静電チャック２７とを有するプラズマ処理装置１０の静電チャック２７の上面外周縁部に設けられた環状のフォーカスリング２９であって、環状の周方向に沿って２分割されたフォーカスリング片の組合せ体からなり、フォーカスリング片を、それぞれフォーカスリング２９の中心に向かって付勢するＯリング２９ｄを設けたフォーカスリング。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの電子やＵＶ光によるガスの解離を抑制でき、予定通りの分子構造を有する良質な膜を形成することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】中性粒子ビーム生成手段１１は、希ガスを励起してプラズマを発生させ、このプラズマ中の荷電粒子に電界を与えて所定のエネルギーを付与するとともに、荷電粒子を中性化して中性粒子ビームＮＢを生成する。反応室１０は、原料ガスが導入され、中性粒子生成手段により生成されたエネルギーが制御された中性粒子ビームにより原料ガスの一部が解離、重合されて基板１４上に膜を堆積される。 （もっと読む）

【課題】万が一シャワープレートが割れても、毒性ガスが装置外部に放出するのを防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１とスペーサ１ｂとアッパープレート１ａとから構成される処理容器の上部開口を閉鎖するようにシャワープレート７を配置し、シャワープレート７の開口部９からチャンバー１内にプラズマ励起用ガスを放射する。シャワープレート７の外側に配置されたスロットアンテナ１２にマイクロ波を供給してプラズマを発生し、スペーサ１ｂの内壁と、シャワープレート７の外周面との間の第１の隙間１６、スロットアンテナ１２の放射面と誘電体カバープレート６との間の第２の隙間１９の大気をガス排気口１８，２２からガス吸引装置２８により吸引し、ガス除害装置２９により毒性ガスを除害することにより、シャワープレート７が割れても有毒な毒性ガスがプラズマ処理装置５０の周辺に放出されることがない。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】チャンバ５１内のステージ５８上に載置されたウェハ５７に対してエッチング処理を行う際に、プラズマ５６から発生する紫外光ＵＶのモニタを行う場合、電圧源８７により、負のバイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）をセンサ７０へ印加する。すると、プラズマ５６から発生した紫外光ＵＶが、センサ７０にて誘起電流として測定され、この誘導電流が電流計８８にてリアルタイムに計測される。これにより、誘導電流を紫外光ＵＶによるセンサ７０へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。センサ７０は、ＲＦバイアス電圧の印加されないチャンバ５１の上部に設置されているので、このセンサ７０がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ壁と基板支持体との間の高周波電流に短い電流リターンパスを与えるための装置を提供する。
【解決手段】高周波接地され、基板移送ポートの上方に置かれた高周波接地装置２８０が、堆積などの基板処理中のみ、基板支持体２２４と電気的接触を確立し、高周波電流に電流リターンパスを与える。高周波接地装置２８０の一実施形態は、処理中、基板支持体２２４は上向きに移動し、接地されたチャンバ壁２０６に固定された１つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンを備える被ピックアップブロック２８２と接触させる。 （もっと読む）

【課題】基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。
【解決手段】前記トレイ１６は、下部電極１２の上面とほぼ同じ直径寸法を有する円板状の部材で、その上面には円形状の凹部２０が設けられている。前記凹部２０の数及び直径寸法は載置される基板の直径寸法に応じた適宜の値に設定されている。トレイ１６には、前記凹部２０の底面に温度制御面が接するようにペルチェ素子２２が配設されている。下部電極１２には、前記ペルチェ素子２２に直流の電流を供給する電流供給機構２５が設けられている。トレイ１６を下部電極１２に載置することによりペルチェ素子２２と電流供給機構２５が電気的に接続されてペルチェ素子２２に電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置において、処理空間の圧力に関わらず、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じるのを防止する。
【解決手段】筒状の隔壁２１の先端部に放電生成部３０を設け、基端側空間２１ａと処理空間１０ａを隔壁２１で仕切る。第１電極３１を収容する筒状の誘電部材３３の基端部３３ｂの外周に環状閉塞部３６を一体に接合する。第２電極３２の基端部に設けた環状の連結部３５を隔壁２１の取り付け穴２４ａの周辺に連結する。環状閉塞部３６と環状連結部３５の間に第１シール部材９１を挟み、これら環状閉塞部３６及び環状連結部３５を第１ボルト８１で連結する。 （もっと読む）

【課題】安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の基板の洗浄には、少なくとも５工程からなる洗浄を行う必要があった。
【解決手段】オゾンを含有する超純水によって洗浄する第１工程、界面活性剤を含む超純水によって洗浄する第２工程、及び、超純水と２−プロパノールを含む洗浄液によって界面活性剤由来の有機物を除去する第３工程とを含む洗浄方法が得られる。第３工程後、クリプトン等の希ガスのプラズマを照射して、界面活性剤由来の有機物を更に除去する。 （もっと読む）

【課題】清浄な状態で対象物に成膜処理を行い、且つ、装置稼働率と成膜処理効率とを向上させた成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】金属基板が収容されたチャンバ内を所定の圧力に減圧する減圧工程（ステップＳ１２）と、チャンバ内に収容された金属基板にシリコン系薄膜を成膜する成膜工程（ステップＳ１５）との間に、金属基板が収容された状態で、チャンバ内をクリーニングするクリーニング工程（ステップＳ１３）を設けた。クリーニング工程（ステップＳ１３）では、チャンバに付着している成膜処理による残膜を除去する残膜除去処理と、残膜除去処理による生成物の残渣を除去する残渣除去処理とが実行される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輸送管内部の金属付着物の状況を知ることができるプラズマ処理装置の検査方法、検査装置、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のクリーニング方法、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】放電管とマイクロ波導入手段とを有し、前記放電管内に導入されたガスにマイクロ波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ処理室と、前記プラズマ発生室と前記プラズマ処理室とを接続する輸送管と、を有するプラズマ処理装置の検査方法であって、前記放電管内に検査ガスを導入し、前記放電管内にマイクロ波を導入して前記検査ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ処理室における光の強度を測定すること、を特徴とするプラズマ処理装置の検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼働率の低下を防止することができるクリーニング基板及びクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プロセスモジュール１１のチャンバ１７内に、円板状のシリコン基材４３と、該シリコン基材４３上に設けられた不織布４４とを有するクリーニング基板４５を搬入し、チャンバ１７内を排気する排気システムによりチャンバ１７内を真空引きすると共に、チャンバ１７の壁面や構成部品の表面に付着しているパーティクルを剥離させて、チャンバ１７内のパーティクルをクリーニング基板４５の不織布４４に入射させ、その後、不織布４４内にパーティクルを捕捉したクリーニング基板４５をチャンバ１７内から搬出する。 （もっと読む）

【課題】本発明はプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内の上部に設けられた上部電極と、前記チャンバ内の下部に前記上部電極と対向配置されて前記基板のベベルエッチング工程で前記基板のベベルが露出するように支持する下部電極と、前記上部電極と下部電極との間に設けられて前記基板の裏面エッチング工程で前記基板裏面の中央領域を露出するように支持する基板支持部と、前記基板の裏面エッチング工程で前記基板支持部を移動させて前記基板を前記基板支持部から分離させる移動部材と、を含む。 （もっと読む）

単色空間電荷で中性化された中性ビームで活性化される化学プロセスによって基板を処理する化学プロセスシステム及び当該化学プロセスシステムの使用方法が記載されている。当該化学プロセスシステムは、第1プラズマポテンシャルで第1プラズマを生成する第1プラズマチャンバ、及び、前記第1プラズマポテンシャルよりも大きい第2プラズマポテンシャルで第2プラズマを生成する第2プラズマチャンバを有する。前記第2プラズマは前記第1プラズマからの電子束を用いて生成される。さらに当該化学プロセスシステムは、前記第2プラズマチャンバ内に基板を設置するように備えられた基板ホルダを有する。
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【課題】この発明は、ＣＦ_４以外の最適なフッ素系ガスを使用すると共にプラズマ処理能力を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】この発明は、処理ワークが配される処理空間と、該処理空間内にガスを導入するガス導入手段と、前記処理空間内に放電プラズマを形成するプラズマ生成手段とによって少なくとも構成されるプラズマ処理装置において、前記処理空間に導入されるガスは、フッ化カルボニル（ＣＯＦ_２）又はトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）を含むガスであり、このガス圧力は、０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】被処理物の種々のサイズに対応可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍは、長手方向に連なる複数の電極ユニット１０，１０を備えている。各電極ユニット１０は、互いに対応する長さの第１、第２電極部材１１，１２と、第１誘電部材１３と、一対のサイドフレーム１６を有している。複数の電極ユニット１０，１０における第１電極部材１１，１１どうし、第１誘電部材１３，１３どうし、及び幅方向の同側のサイドフレーム１６，１６どうしが、それぞれ互いに同一規格に形成されるとともに長手方向に連ねられている。 （もっと読む）