【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アウターチャンバ１１とインナーチャンバ１２からなるチャンバ４を備える。インナーチャンバ１２は薄肉円筒状の放熱部１２ａと、この放熱部１２ａの上端側に一体に形成された温調部１２ｂを備える。温調部１２ｂにはシーズヒータ３１が取り付けられている。アウターチャンバ１１の排気口１１ｃと対向して、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａに排気貫通孔１２ｃが設けられている。インナーチャンバ１２の温調部１２ｂには排気貫通孔１２ｃの上方に相当する部位に熱電対３５が取り付けられている。この熱電対３５の検出する温度に基づいて、シーズヒータ３１の発熱量が制御される。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。
【解決手段】エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。また、真空処理室の内壁表面温度と相関のある処理ガスの発光強度を測定して間欠的なプラズマ生成４０２を制御する。 （もっと読む）

【課題】複数膜種のエッチング終点の検出を容易な構成で確実に実施できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 （もっと読む）

誘導プラズマアプリケータは、強磁性誘導結合供給源（３，４）と、プラズマ供給源の中心に位置するホールパターンを有する電極（６）とを備える。そのようなプラズマアプリケータは、プラズマに十分なエネルギを供給する。上記プラズマアプリケータは、電気回路の製造技術を用いて製造されることが望ましい。強磁性誘導結合プラズマ供給源の電極（６）およびコイル（３）は、絶縁基板に形成された金属トラック部である。例えば、上記プラズマアプリケータは、プリント回路基板技術を用いて製造される。
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【課題】ＶＬＳＩ技術及びＵＬＳＩ技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 （もっと読む）

【課題】第１電極への直流電圧を印加する方式を採用しながら、対向電極を実質的に必要としないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、半導体ウエハＷが収容され、内部が真空排気可能なチャンバ１０と、チャンバ１０内に互いに対向して配置される、上部電極３４および半導体ウエハＷを載置する下部電極１６と、チャンバ１０内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニット６６と、下部電極１６にプラズマ生成用の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８およびバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０と、上部電極３４に正負交互に変化する直流電圧を印加する直流電圧印加ユニット５０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器６と、前記処理容器内を減圧する減圧手段３と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段２と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段４と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段３０と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第１の温度制御手段５１と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置１。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。
【解決手段】 アースに接続された筐体２と筐体２内に配置された高周波電圧を印加する平板電極１３と平板電極１３上に配置される複数の基板４を覆蓋するプレート部材５とを具備する反応性イオンエッチング装置において、プレート部材５がアースに接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制して信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室と連通して水平方向に接続されこの処理室内のガスが通る排気用の空間と、この空間に連通し前記排気されるガスが排出される排気口と、この排気口と連通して配置され前記ガスを排気するためのポンプと、前記排気用の空間の内部で前記処理室との接続部と前記排気口との間に配置されこれらの間を結ぶ方向に沿って延びる板部材であって、前記試料台の上面からの見込み角外に配置された板部材とを備えた。 （もっと読む）

【課題】真空容器パージ作業時の圧力差による部品の破損を防ぐと共に、真空容器内の処理ガスの残留を抑えることができるプラズマ処理装置およびそのパージ方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の減圧された処理室（Ｖ１）２２６内に側壁の不活性ガス導入用開口２３３から不活性ガスを導入して、処理室処理室（Ｖ１）２２６内を不活性ガスにより所定の圧力にしたのち、処理用ガスを導入する複数の貫通孔２２４に連通する処理用ガスの導入経路２１３、２１６（Ｖ２）に不活性ガスを供給して、複数の貫通孔２２４から処理室（Ｖ１）２２６内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

【課題】処理ガスや反応生成物が基板の外周側縁部の上側に滞留するのを防止したり、基台にバイアス電位を均一にかけることができるプラズマ処理装置などを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に配設され、基板Ｋが載置される基台と、処理ガスを供給するガス供給装置と、供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置４０と、基台の電極１７に高周波電圧を印加する高周波電源４５と、環状且つ板状に形成され、基台上に載置された基板Ｋの外周側縁部上面を内周側縁部により覆う保護部材２５と、基台を駆動して、基台上の基板Ｋが保護部材２５により覆われる保護位置と覆われない退避位置との間で昇降させる駆動装置２３とを備えており、保護部材２５は、基台が保護位置に移動したときに、基板Ｋの上面から保護部材２５の上面までの高さが１ｍｍ以上５ｍｍ以下となる板厚に形成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置において、処理ガスを確実にプラズマ化し処理効率を確保する。
【解決手段】電極３１と磁石４１を交互に並べる。磁石４１と電極３１との間に吹出し路６５を形成する。支持部２１によって被処理物９を支持する。吹出し路６５に導入部１１，１３の導入孔６３を連ねる。処理ガスを導入孔６３から吹出し路６５へ導入する。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を伝送する伝送線路上に発生するプラズマからの高調波による定在波を低減し、プロセスの再現性および信頼性を確保する。
【解決手段】処理ガス供給装置を備えた処理容器３７と、該処理容器内に配置され、処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナ３８と、前記処理容器内に配置された基板電極１を備え、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施す処理装置において、ケーブル９ａ，９ｂ，９ｃの長さを切り換えるケーブル長切換手段１５ａ，１５ｂと、基板電極側からの反射波を検出する反射波検出手段１３と、前記ケーブル長切換手段を制御する切換制御手段１４を備え、プロセス処理に先立って前記ケーブル長をプロセス条件毎に予め設定した長さに切換えて前記反射波の高調波レベルを抑制する。 （もっと読む）