【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、撥水性保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂ（Ｘ）_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａ及び酸、または、一般式Ｒ^７_ｇＳｉ（Ｈ）_ｈ（ＣＨ_３）_ｗ（Ｚ）_{４−ｇ−ｈ−ｗ}で表されるケイ素化合物Ｃ及び水の含有量が３５質量％以下の塩基を含み、前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し５０００質量ｐｐｍ以下である、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された金属層をプラズマエッチングする工程を経て積層構造中に金属層を有するパターンを形成した後、金属層を構成する金属を含みパターンの側壁部に堆積した堆積物を除去するプラズマ処理方法であって、金属層の側壁部に当該金属の酸化物又は塩化物を形成する保護層形成工程と、フッ素原子を含むガスのプラズマを作用させて堆積物を除去する堆積物除去工程と、保護層形成工程及び堆積物除去工程の後、水素を含むプラズマを作用させて金属の酸化物又は塩化物を還元する還元工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンの倒れを防止することに奏功するウェハの洗浄方法に関し、経済的かつ効率的にウェハを洗浄することが可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有し、該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの表面に前処理用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面を改質する、前処理工程、および、
改質された凹凸パターンの表面に保護膜形成用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面に撥水性の保護膜を形成する、保護膜形成工程
を少なくとも含むウェハの洗浄方法であって、
前記前処理工程では、酸をモル濃度で０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ含み、ｐＨが３以下である前処理用薬液を用いて、４０℃以上、前処理用薬液の沸点未満の温度で凹凸パターンの表面を改質することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】表面特性が良好になるようにＳｉＣ半導体を洗浄するＳｉＣ半導体の洗浄方法およびＳｉＣ半導体の洗浄装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程（ステップＳ２）と、酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）とを備え、酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマによって、酸化膜を除去する。酸化膜を除去する工程（ステップＳ３）では、ハロゲンプラズマとしてフッ素プラズマを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ半導体の第１の表面に第１の酸化膜を形成する工程（ステップＳ４）と、第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）と、ＳｉＣ半導体において第１の酸化膜が除去されることにより露出した第２の表面に、ＳｉＣ半導体装置を構成する第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）とを備える。第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ４）と、第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）との間において、ＳｉＣ半導体は大気が遮断された雰囲気内に配置される。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む、真空プラズマプロセッサ室においてワークピースを加工する方法を提供する。
【解決手段】十分な電力を有するＡＣ電気エネルギーを電極の少なくとも１つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも１つを介してガスに供給されたＡＣ電気エネルギーにより（ａ）供給されたＡＣ電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起ＡＣ電場を第１電極アセンブリと第２電極アセンブリとの間に存在させ（ｂ）ＤＣバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも１つに発生させ、ＤＣバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起ＡＣ電場を制御する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）

【課題】円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。
【解決手段】基材１の内表面から外表面に通ずるように荷電粒子を取り込むための孔４と、該孔からプラズマ中の荷電粒子が入射するプローブ５と、該孔より取り込んだプラズマ２中の荷電粒子が入射する前記プローブ５に電圧を印加する直流電源６を設け、該プローブ５に電圧を印加したときに該プローブ５に流れる電流を電流計７で計測し、前記プローブ５に印加する電圧と前記プローブに流れる電流との関係から、荷電粒子による電流量および荷電粒子のプローブへの入射角θを計測することを特徴とするプラズマ状態計測方法。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスの使用効率の高い洗浄装置、洗浄方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】トレイクリーニング装置１は、トレイ２０を少なくとも１つ収容できる密閉可能な密閉容器２と、密閉容器２内にエッチングガスを供給できるガス供給口１０と、密閉容器２内のガスを排気できるガス排気口１１と、密閉容器２に収容されたトレイ２０の開口部を貫通可能に配設された軸部材３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】供給管からの反応ガスを吹出方向と交差する方向に均一に分布させて吹き出す表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】ノズル本体１０の耐反応ガス材料製の部材１２内に導入流路２０を形成し、その両端に反応ガスの供給管３をそれぞれ連ねる。複数の分岐流路２１を導入通路２０から吹出方向の先端側に延ばし拡散室２２に連ねる。拡散室２２内に整流板３０を設け、拡散室２２を整流板３０より基端側の室部２３と先端側の室部２５とに仕切る。整流板３０の両側の連通路２４にて室部２３，２５を連通する。好ましくは、支持部材４０にて整流板３０を支持し、室部２３内にスペーサ５０を設ける。 （もっと読む）

本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、切り換え可能な疑中性ビームシステムを用いてリアルタイムで基板を処理して、フォトレジスト層のエッチング耐性を改善する装置及び方法を供してよい。それに加えて、前記の改善されたフォトレジスト層は、エッチング処理において、ゲート及び/又はスペーサの限界寸法(CD)のより正確な制御、ゲート及び/又はスペーサのCD均一性の正確な制御、並びに、ライン端部粗さ(LER)及びライン幅粗さ(LWR)の除去に用いられてよい。
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【課題】シリコン層の露出部を含むパターンをプラズマエッチングによって形成する際に、副生成物の除去と残留フッ素の除去とをパターンに損傷を与えることなく行うことのできる基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】基板上のパターンをプラズマエッチングにより形成した後に、基板の表面をクリーニングする基板のクリーニング方法であって、基板をＨＦガス雰囲気に晒して副生成物を除去する副生成物除去工程と、水素ガスと、炭素と水素を構成元素として含む化合物のガスとを含むクリーニングガスをプラズマ化して基板に作用させ、当該基板に残留したフッ素を除去する残留フッ素除去工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 （もっと読む）

【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】高密度プラズマを発生させるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】円筒形電極１を有する円筒チャンバー部と、前記円筒チャンバー部を、ガス導入口１０を有する第１チャンバー室２と、ガス排出口１１を有する第２チャンバー室３とに仕切るように、前記円筒チャンバー部に配置されたオリフィス４と、前記第２チャンバー室内において前記円筒形電極の中心軸に設置されている棒状電極と、前記第１チャンバー室において設置された、前記円筒形電極とは異なる電位を印加できるサブ電極６とを具備したプラズマ発生装置において、前記円筒形電極と棒前記状電極の間に電界を印加しプラズマを発生させ、さらに、前記円筒形電極と前記サブ電極間に電界を印加してプラズマを発生させ、前記第１チャンバー室と前記第２チャンバー室のプラズマ領域が前記オリフィスの穴を通して接続している。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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