【課題】減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。
【解決手段】減圧処理内の部材に付着した微粒子を飛散させて部材を清浄化するために、（１）微粒子を帯電させてクーロン力を利用して飛散させる手段、（２）減圧処理室にガスを導入し、微粒子の付着した部材にガス衝撃波を到達させ、微粒子を飛散させる手段、（３）部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる手段、又は（４）部材に機械的振動を与えて微粒子を飛散させる手段を用いる。さらに、飛散させた微粒子を比較的高圧雰囲気でガス流に乗せて除去する。 （もっと読む）

【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法により絶縁膜に埋め込まれた配線を形成する半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜にビアホールや配線トレンチ等の開口部を形成する際のエッチング処理を安定化しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と、有機膜と、第１の開口部を有するレジスト膜とを有する複数の半導体基板について、レジスト膜をマスクとして、第１の開口部内の有機膜をエッチングする工程と、第１の開口部内の絶縁膜をエッチングし、絶縁膜に、配線層を露出する第２の開口部を形成する工程と、第２の開口部内に露出した配線層の表面を水素プラズマ処理する工程とを、同じエッチング装置の処理室で連続して処理する際に、一の半導体基板について水素プラズマ処理を行う工程を行った後、一の半導体基板の次に処理する他の半導体基板について有機膜をエッチングする工程を行う前に、処理室内に付着したＣｕ堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理条件の変更にかかわらずマイクロ波の分布を最適化して、広い範囲で均一なプラズマ処理を得る。
【解決手段】真空処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段を備え、前記マイクロ波供給手段の前記処理室へのマイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換する円偏波発生器を備え、該円偏波発生器は、最低次のモードで動作する方形の入力側導波管３０１と、最低次のモードで動作する正多角形または円形の出力側導波管３０６と、偏波面の異なる複数の直線偏波が同時に伝播可能な正多角形または円形の位相調整用導波管３０３を備え、該位相調整用導波管は、偏波面の異なる直線偏波の一方の位相または振幅を調整する調整手段３０４，３０５を備えた。 （もっと読む）

【課題】ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。
【解決手段】ロール電極１の円筒部２０の端壁部３０Ｌを構成する複数の部材３１Ｌ，３３Ｌどうしの接合面５４Ｌが、冷却液路６０に達して内側接合線５５Ｌを形成し、かつ端壁部３０Ｌの外面に達して外側接合線５６Ｌを形成している。端壁部３０Ｌの外面における、放電面２１ａとの境界１ｂと外側接合線５６Ｌとの間に、端壁部３０Ｌの周方向に沿って延びる溝４１Ｌを形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置のロール電極を電源電極とし、かつ該ロール電極の軸部には電圧が印加されないようにし、ロール電極と回転駆動部との接続構造及びロール電極の支持構造を簡素化する。
【解決手段】ロール電極１の金属製の軸部１０を電気的に接地し、金属製の外筒部２０に電源３を接続する。絶縁材料からなる環状の絶縁連結部３０にて、軸部１０と外筒部２０を絶縁しつつ連結する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを具備し、対向面に形成された排気のための複数の排気孔と、載置台の周縁部に沿って設けられ上下動可能とされた環状部材であって、上昇位置において載置台とシャワーヘッドと当該環状部材とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材と、環状部材の内壁部分に開口し、処理空間内にガスを供給するための複数の環状部材側ガス吐出孔と、環状部材の内壁部分に開口し、処理空間内を排気するための複数の環状部材側排気孔とを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

本発明は、表面が酸化ケイ素の層で覆われているシリコン基板の表面の洗浄方法を提供する。この方法は、上記表面をフッ素化ガスから発生させた高周波プラズマに60秒〜900秒からなる時間暴露させ、上記プラズマによって発生させた出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、上記フッ素化ガスの圧力が1.333Pa〜26.664Pa (10ミリトール〜200ミリトール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップa)；および、上記表面を水素高周波プラズマに5秒〜120秒からなる時間暴露させ、出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、水素圧が1.333Pa〜133.322Pa (10ミリトール〜1トール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップb)を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。この透過型電極体は、放電形成用電磁波にとっては誘電体（電気的絶縁体）のように振る舞い、RFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞う特性を有している。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極又は上部電極にプラズマ生成用の第１の周波数の高周波電力を印加するための第１の高周波電源と、下部電極に第１の周波数より周波数の低いイオン引き込み用の第２の周波数の高周波電力を印加するための第２の高周波電源と、下部電極と絶縁された状態で、当該下部電極上の少なくとも周縁部に設けられたバイアス分布制御用電極と、バイアス分布制御用電極に、第２の周波数より周波数の低い第３の周波数の交流又は矩形波の電圧を印加するためのバイアス分布制御用電源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れを生じさせることなく基板に付着した異物を除去する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法では、基板が載置台に載置され（ステップＳ１）、載置台に載置された基板に所定の金属に対して化学結合性を有する有機物質、例えばフタロシアニンが蒸気の状態で供給され（ステップＳ２）、基板に付着した金属を含む異物と有機物質との結合物質の生成を促進するエネルギが基板に供給され（ステップＳ３）、載置台に載置された基板が所定温度に加熱されることにより基板から結合物質が揮発させられる（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

本発明は、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、プラズマ処理、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、内部領域にガス状のフッ素化合物を５ｍｂａｒより大の分圧で作用させることを特徴とする。プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする別の方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、温度調整手段により、フッ素ガスを熱活性化し、クリーニングしたい部材が＜３５０℃の温度を有するようにした。
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【課題】 高い洗浄処理能力を得ることができ、しかも、結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても確実に除去することができる照射装置を提供する。
【解決手段】 放電容器および一対の電極を有するエキシマランプと、エキシマランプにおける一方の電極に誘電体を介して対向するよう配置されたプラズマ放電用電極とを備え、エキシマランプにおける一方の電極およびプラズマ放電用電極を介してプラズマ発生回路が形成されてなり、エキシマランプにおける一対の電極間に印加される高周波電界によって放電容器内にエキシマ放電が発生されると共に、エキシマランプとプラズマ放電用電極との間にプラズマ発生用反応性ガスが流過された状態で、エキシマランプにおける一方の電極とプラズマ放電用電極との間に印加された高周波電界によってプラズマ放電が発生されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面にウォーターマークが生成されるのを抑制しつつ、疎水性を示す基板表面を洗浄後にリンスし乾燥させることができるようにする。
【解決手段】少なくとも一部が疎水性である基板Ｗの表面をリンスし乾燥させる基板処理装置であって、水平に配置された基板Ｗの外周部を囲繞する位置に堰１８を配置し、基板Ｗの表面にリンス水を供給して基板Ｗの全表面に堰１８によって流れを堰き止めたリンス水の連続した液膜２６を形成し、基板Ｗを回転させ基板Ｗの表面の中心部にある液膜２６を基板Ｗの表面の外周部に移動させて基板表面の中心部を露出させ、しかる後、基板Ｗの表面の液膜２６を完全に除去して基板Ｗの表面を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートガス孔内で生じる異常放電を抑制し、異常放電に伴うプラズマの不安定性や異物の発生を防止する。
【解決手段】プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、上部電極は、第一のガス孔が施されたシャワープレートと、シャワープレート背面に配置され第二のガス孔が施された導体板と、導体板の中心部に配置され第三のガス孔が施された絶縁板と、導体板の背面に配置され温度制御機能及びガス分散部を有するアンテナ基材部からなり、シャワープレートと絶縁板との界面には径方向に第一の微小隙間を有し、絶縁板と導体板との界面には径方向に第二の微小隙間を有し、第一のガス孔と第三のガス孔の中心が周方向または径方向にずれている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の被処理領域が均一に処理されるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００２は、被処理領域１９０８の平面形状と同一の平面形状を有する第１の対向面１０２０を持つ第１の電極１０１２を備える第１の電極構造体１００４に支持されたワーク１９０２を線状の第２の対向面１０５０を持つ第２の電極１０４６を備える第２の電極構造体１０３６で走査する。また、プラズマ処理装置１００２は、第２の電極構造体１０３６でワーク１９０２を走査しながら第１の電極１０１２と第２の電極１０４６との間に電圧を印加し、第１の電極構造体１００４と第２の電極構造体１０３６との間隙１０３８にプラズマを発生させることにより、ワーク１９０２の上面１９０４にプラズマを作用させる。 （もっと読む）

【課題】移動電極及び筒状容器の一方の端壁の間の空間におけるプラズマの発生を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容する筒状のチャンバ１１と、該チャンバ１１内においてチャンバ１１の中心軸に沿って移動自在なシャワーヘッド２３と、チャンバ１１内においてシャワーヘッド２３に対向するサセプタ１２と、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４を接続する伸縮自在なベローズ３１とを備え、シャワーヘッド２３及びサセプタ１２の間に存在する処理空間ＰＳに高周波電力が印加されるとともに処理ガスが導入され、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の側壁１３は非接触であり、シャワーヘッド２３及び蓋１４の間に存在する上部空間ＵＳに第１のキャパシタ層３２及び第２のキャパシタ層３３が配設される。 （もっと読む）