紫外光モニタリングシステム
【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】チャンバ51内のステージ58上に載置されたウェハ57に対してエッチング処理を行う際に、プラズマ56から発生する紫外光UVのモニタを行う場合、電圧源87により、負のバイアス電圧(例えば、−30V)をセンサ70へ印加する。すると、プラズマ56から発生した紫外光UVが、センサ70にて誘起電流として測定され、この誘導電流が電流計88にてリアルタイムに計測される。これにより、誘導電流を紫外光UVによるセンサ70へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。センサ70は、RFバイアス電圧の印加されないチャンバ51の上部に設置されているので、このセンサ70がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。
【解決手段】チャンバ51内のステージ58上に載置されたウェハ57に対してエッチング処理を行う際に、プラズマ56から発生する紫外光UVのモニタを行う場合、電圧源87により、負のバイアス電圧(例えば、−30V)をセンサ70へ印加する。すると、プラズマ56から発生した紫外光UVが、センサ70にて誘起電流として測定され、この誘導電流が電流計88にてリアルタイムに計測される。これにより、誘導電流を紫外光UVによるセンサ70へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。センサ70は、RFバイアス電圧の印加されないチャンバ51の上部に設置されているので、このセンサ70がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体製造工程(プロセス)等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムでモニタリングする紫外光モニタリングシステムに関するものである。
【背景技術】
【0002】
例えば、半導体装置では、素子構造の微細化、薄膜化、3次元化の促進により、層間絶縁膜・配線形成工程等で用いられるプラズマから紫外光が放射され、半導体素子の界面まで到達する紫外光照射ダメージが大きな問題となってくる。
【0003】
この対策として、紫外光照射ダメージをウェハ上の実際のパターンにてリアルタイムでモニタリングする紫外光モニタリングシステム(例えば、プラズマモニタリングシステム)の技術が開発されており、その手法や評価結果が例えば下記の文献に詳細に紹介されている。
【0004】
【特許文献1】特開2003−282546号公報
【特許文献2】特開2005−236199号公報
【非特許文献1】J.Vac.Sci.Technol.A,Vol.23,No.6,Nov/Dec 2005,American Vacuum Society.p.1509−1512
【非特許文献2】J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.23,No.1,Jan/Feb 2005,American Vacuum Society.p.173−177
【非特許文献3】J.Vac.Sci. Technol.B,Vol.22,No.6, Nov/Dec 2004,American Vacuum Society.p.2818−2822
【0005】
図10は、例えば、特許文献2の図6、及び非特許文献2における第174頁の図2(a)に記載された従来のプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【0006】
このプラズマモニタリングシステムは、プラズマ処理装置10を備えている。プラズマ処理装置10は、高周波(以下「RF」という。)バイアス電圧の印加により、真空状態にしたプラズマ処理用マチャンバ11内にプラズマ12を発生させ、半導体ウェハ等のウェハを搭載するためのステージ13上に載置した紫外光モニタリング用センサ20等に対するエッチングや成膜を行う装置である。センサ20には配線14が接続され、この配線14がマチャンバ11の外部に引き出されている。外部に引き出された配線14には、センサ20に対して負バイアス電圧(例えば、−30V)を印加するための電圧源15と、センサ20に流れる誘導電流を測定するための電流計16とが、直列に接続されている。
【0007】
センサ20は、ウェハ(例えば、シリコン(Si)基板)21上に、二酸化シリコン膜(SiO2膜)で絶縁された電極(例えば、平面がほぼ長方形の膜からなるポリSi電極)22が形成され、更に、このポリSi電極22上に、実際の半導体装置で用いる膜(例えば、SiO2膜)23が形成された構造をしている。SiO2膜23の一部が開口されてポリSi電極22の一部が露出し、この露出箇所に、配線接続部24を介して配線14が接続されている。
【0008】
紫外光UVのモニタを行う場合、RFバイアス電圧の印加により、センサ20に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ12から発生した紫外光UVにより、ポリSi電極22上のSiO2膜23に、正孔(Hole)hと電子(Electron)eのペアが発生する。電圧源15により、ポリSi電極22に負バイアス電圧を印加することで、正孔hを誘導電流として電流計16によりリアルタイムで計測する。この誘導電流を紫外光UVによるSiO2膜23へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。
【0009】
又、非特許文献2における第174頁の図2(b)に記載されているように、プラズマ12からのイオンiや電子eの影響をできるだけ排除するために、開口部を含めたSiO2膜23の表面をアルミニュウム(Al)系の金属膜で覆う構造が採用される場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
図11は、従来の他のプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
このプラズマモニタリングシステムは、図10のプラズマ処理装置10に対応するプラズマエッチング装置30を備えている。プラズマエッチング装置30は、例えば、誘導結合プラズマ型反応性イオンエッチング装置(Inductive Coupling Plasma Model reactive ion etch Equipment)、以下「IPC型RIE装置」という。)であり、プラズマ処理用チャンバ31を有し、このチャンバ31内が真空ポンプ32により減圧される。チャンバ31の上部開口部には、円板形の上部石英板33が設けられ、この上部石英板33上に円形渦巻き状のRFコイル34が装着されている。RFコイル34は、外周の端部34aがRF電源35を介して接地されると共に、内周の中心付近の端部34bが接地されており、そのRF電源35から供給されるRF電流(例えば、13.56MHz)により、上部石英板33を介してチャンバ31内にプラズマ36を発生させる機能を有している。
【0011】
チャンバ31内の下部には、ウェハ等を搭載するための電極用のステージ37が設けられ、このステージ37に対し、直流遮断用のキャパシタ38を介してRFバイアス電源(例えば、13.56MHz)39が接続されている。RFバイアス電源39からステージ37へRFバイアス電圧を印加し、照射するイオンエネルギーを、プラズマ36と独立して制御可能な構造になっている。ステージ37に載置されるウェハ40上には、例えば、図10の紫外光モニタリング用センサ20と同様のチップ状の紫外光モニタリング用センサ41や、このセンサ41を制御するためのバッテリ、回路等を有する制御回路42等が搭載されている。
【0012】
紫外光UVのモニタを行う場合、センサ41付きのウェハ40をステージ37上に載置し、反応ガスを注入したチャンバ31内にプラズマ36を発生させ、そのウェハ40の表面に対してエッチングを行う。センサ41に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ36から発生した紫外光UVにより、センサ41に誘導電流が流れ、これが制御回路42内等に設けた電流計によりリアルタイムに計測され、紫外光UVによるウェハ40へのダメージの定量的指標としてモニタリングされる。
【0013】
しかしながら、図11のような従来のプラズマモニタリングシステムにおいて、センサ41をウェハ40上に搭載した場合、このウェハ40はセンサ面がプラズマ表面側になるようチャンバ31内のステージ37上に搬送されて載置される。通常、プラズマエッチング装置30の場合、RFバイアス電源39によってステージ37側にRFバイアス電圧を印加するので、ウェハ40に搭載されたセンサ41はプラズマ36の影響を受けやすくなる。そのため、プラズマ36の経時変化によって、センサ41も経時的に変化し、安定した誘導電流の測定ができなくなるという課題があった。又、ステージ37が高温(例えば、アッシング装置で250℃が一般的)の場合、ウェハ40に搭載した制御回路42(例えば、バッテリ等)が劣化し、測定に支障をきたすという課題もあった。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明の紫外光モニタリングシステムは、外部の雰囲気とは異なる雰囲気下において、被処理物に対して紫外光の発生を伴う処理を行うためのチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、RFバイアス電圧が印加される導電性の被処理物載置用ステージと、紫外光モニタリグ用センサと、電圧源と、電流計とを備えている。
【0015】
ここで、前記センサは、表面に前記紫外光が照射されると正孔と電子を発生し、前記紫外光の照射によるダメージの評価対象となる評価対象膜と、前記評価対象膜により被覆され、前記評価対象膜に発生した前記正孔を引き込む電極とを有し、前記チャンバに取り付けられている。前記電圧源は、前記チャンバの外部に設けられ、前記センサの前記電極に対して負バイアス電圧を印加する電源である。更に、前記電流計は、前記チャンバの外部において前記電圧源に接続され、前記電極に引き込まれた前記正孔を誘導電流として計測する計器である。
【0016】
そして、前記センサは、前記チャンバ内における前記ステージ上以外の場所であって、前記評価対象膜の表面側は前記チャンバ内と同じ雰囲気であり、且つ、前記チャンバの外部の雰囲気とは遮断された状態で、前記チャンバに取り付けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、チャンバ内のステージ上以外の場所にセンサを設置したので、このセンサがエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。よって、センサの測定精度とライフタイムの向上が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
本発明を実施するための最良の形態は、以下の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、明らかになるであろう。但し、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の範囲を限定するものではない。
【実施例1】
【0019】
(実施例1のプラズマモニタリングシステムの構成)
図1は、本発明の実施例1におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【0020】
このプラズマモニタリングシステムは、プラズマ処理装置(例えば、プラズマエッチング装置)50を備えている。プラズマエッチング装置50は、例えば、IPC型RIE装置により構成され、エッチングガス等が注入されるプラズマ処理用チャンバ51を有し、このチャンバ51内が真空ポンプ52により減圧されるようになっている。チャンバ51は、図示しないが、所定箇所で接地されている。
【0021】
チャンバ51の上部開口部には、誘電体板(例えば、厚さ20mm程度の円板形の上部石英板)53が気密状態で固定され、この上部石英板53上に円形渦巻き状のRFコイル54が装着されている。RFコイル54は、外周の端部54aがRF電源55を介して接地されると共に、内周の中心付近の端部54bが接地されており、そのRF電源55から供給されるRF電流(例えば、13.56MHz)により、上部石英板53を介してチャンバ51内にプラズマ56を発生させる機能を有している。
【0022】
チャンバ51内の下部には、ウェハ57等を搭載するための導電性の電極用ステージ58が設けられ、このステージ58が、直流遮断用キャパシタ59、及びRFバイアス電源(例えば、13.56MHz)60を介して接地されている。RFバイアス電源60は、ステージ58へRFバイアス電圧を印加し、照射するイオンエネルギーを、プラズマ56と独立して制御可能な構造になっている。
【0023】
チャンバ51には、このチャンバ内におけるステージ58上以外の場所(例えば、上部石英板箇所)に紫外光モニタリング用センサ70が取り付けられている。即ち、センサ70は、上部石英板53の一部に形成された貫通孔80内において、センサ表面がプラズマ56側となるように装着され、更に、このセンサ70がチャンバ51内と同じ圧力となるように、貫通孔80が真空シール81で封止されている。
【0024】
センサ70の裏面には、2本の絶縁被覆されたリード線79−1,79−2が接続されてチャンバ51の外部に引き出され、入力端子台85に接続されている。入力端子台85に接続された2本のリード線79−1,79−2のうち、一方のリード線79−1には、交流遮断用チョークコイル(例えば、100μH)86と、センサ70に負バイアス電圧(例えば、−30V)を印加する電圧源87と、センサ70にて測定された誘導電流値を計測する電流計88の入力端子とが直列に接続され、この電流計88のグランド端子が接地されている。他方のリード線79−2は、接地されている。
【0025】
電流計88は、入力端子及びグランド端子の他に、計測した誘導電流値を出力する出力端子を有し、この出力端子に、ケーブル89を介して、制御手段(例えば、表示画面を有する制御装置)90や保存手段(例えば、データサーバ)91が接続されている。制御装置90は、例えば、パーソナルコンピュータ(以下「パソコン」という。)等で構成され、プラズマエッチング装置50を制御するソフトウェア(例えば、レシピの管理・編集、チャンバ開閉、搬送用アームマニュアル動作等のコマンドの操作等)を実行する機能を有する他に、電流計88で計測された誘導電流値を表示画面に表示する等してモニタリングする機能や、誘導電流値又はこの誘導電流値のデータに基づき、装置、処理プロセル、又は製品不良等の異常判定トリガを設定する機能等を有し、装置、処理プロセス等の異常検知や統計的プロセスコントロール(Statistical Process Control、以下「SPC」という。)、進歩的プロセスコントロール(Advanced Process Control、以下「APC」という。)等に利用することができるようになっている。データサーバ91は、制御装置90でアクセスされ、電流計88で計測された誘導電流値をデータの形で保存する装置である。
【0026】
(センサの構造・製造方法)
図2は、図1中のセンサ70を示す模式的な断面図である。
このセンサ70は、基板(例えば、Si基板)71を有し、このSi基板71の表面に絶縁膜(例えば、膜厚約600nmの熱酸化膜)72が形成されている。熱酸化膜72の表面には、所定の間隔を有する2つの電極(例えば、平面がほぼ方形で、リンがドープされた膜厚約300nmの膜状のポリSi電極)73−1,73−2が形成されている。ポリSi電極73−1,73−2表面の全面は、紫外光UVによるダメージの評価対象となる絶縁膜(例えば、SiO2膜)74で覆われている。ポリSi電極73−1,73−2の表面からSiO2膜74の表面(即ち、プラズマ暴露面)までの膜厚は、約150nmである。2つのポリSi電極73−1,73−2の裏面側には、Si基板71及び熱酸化膜72を貫通して2本のリード線79−1,79−2が接続されている。
【0027】
図3(A)〜(E)は、図2のセンサの製造方法例を示す模式的な断面工程図である。
センサ70を製造する場合、先ず、図3(A)の熱酸化膜形成工程において、Si基板71上に熱酸化膜72を約600nm形成する。図3(B)のリンドープポリSi形成工程において、熱酸化膜72上に、気相成長法(以下「CVD法という。)により、6E20atm/cm3のリン濃度のポリSi膜73を形成する。図3(C)の電極ホトリソグラフィ工程において、ホトリソグラフィ技術により、例えば間隔300nmのスリットを有するレジスト膜からなるスリットパターン75を形成する。
【0028】
図3(D)の電極ドライエッチング・レジスト灰化工程において、ドライエッチング技術(例えば、プラズマエッチング)により、スリットパターン75をマスクにしてポリSi膜73を加工し(即ち、ポリSi膜73のエッチングとスリットパターン75の灰化を行い)、スリット73aにより分離された2つのポリSi電極73−1,73−2を形成する。図3(E)の酸化シリコン膜形成工程において、減圧CVD法(以下「LP−CVD法」という。)により、紫外光UVによるダメージの評価対象となるSiO2膜74を約150nm形成する。
【0029】
次に、図示しないが、ホトリソグラフィ技術、及びエッチング技術により、2つに分離したポリSi電極73−1,73−2の裏面側におけるSi基板71及び熱酸化膜72の一部を開口し、ポリSi電極73−1,73−2の裏面側の一部を露出させる。一部が露出したポリSi電極73−1,73−2の裏面側における配線接続部に、絶縁被覆されたリード線79−1,79−2の端末を導電性ペーストで接着する。最後に、導電性ペースト部分をモールド樹脂で封止すれば、センサ70の製造が終了する。
【0030】
(実施例1のモニタリング方法)
図1のプラズマエッチング装置50により、例えば、ステージ58上に載置したウェハ57に対してエッチング処理を行う場合、真空ポンプ52によってチャンバ51内を真空にすると共に、このチャンバ51内にエッチングガスを注入する。RFバイアス電源60によってRFバイアス電圧(例えば、13.56MHz)をステージ58に印加し、更に、RF電源55によってRF電流(例えば、13.56MHz)をRFコイル54へ供給すると、上部石英板53を介してチャンバ51内にプラズマ56が発生する。これにより、ステージ58上に載置されたウェハ57に対して所定のエッチング処理が行われる。
【0031】
このエッチング処理により、プラズマ56から発生する真空紫外光UVのモニタを行う場合、電圧源87により、負のバイアス電圧(例えば、−30V)をチョークコイル86、入力端子台85及びリード線79−1,79−2を介して、図2のセンサ70中のポリSi電極73−1,73−2へ印加する。すると、プラズマ56から発生した真空紫外光UVにより、センサ70におけるSiO2膜74中に正孔及び電子eのペアが発生する。
【0032】
この時、センサ70における2つのポリSi電極73−1,73−2に負のバイアス電圧(−30V)が印加されているので、SiO2膜74中の正孔hが2つのポリSi電極73−1,73−2間でトラップされて誘起電流として測定され、この誘導電流がリード線79−1,89−2、入力端子台85及びチョークコイル86を介して、電流計88にてリアルタイムに計測される。電流計88で計測された誘起電流値は、ケーブル89を介して、制御装置90やデータサーバ91へ送信され、これらの制御装置90にて表示画面に表示され、データサーバ91にて保存される。これにより、誘導電流を紫外光UVによるセンサ70のSi02膜74へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。
【0033】
(実施例1の効果)
本実施例1によれば、次の(a)、(b)のような効果がある。
(a) RFバイアス電圧の印加されないチャンバ51の上部の上部石英板53箇所に、紫外光モニタリング用センサ70を設置したので、このセンサ70がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。よって、センサ70の測定精度とライフタイムの向上が期待できる。
(b) 電流計88で計測された誘起電流値は、ケーブル89を介して制御装置90やデータサーバ91へ送信される。そのため、制御装置90の表示画面で誘起電流値をモニタリングしたり、データサーバ91にて誘導電流値のデータを保存することができる。又、例えば、制御装置90において、その誘導電流値にトリガ設定をして装置、処理プロセス等の異常検知やSPC、APC等に利用することができ、エッチング処理等の効率や信頼性を向上できる。
【0034】
(実施例1の変形例)
図2に示すセンサ70は、種々の構造に変形できる。
図4は、図1中のセンサの他の構成例を示す模式的な断面図である。
このセンサ70Aでは、図2のセンサ70におけるSi02膜74の表面が、膜厚約50nmのシリコン窒化膜76により被覆されている。そのため、Si02膜74がシリコン窒化膜76により保護されてプラズマ56の影響を受け難くなり、安定した誘導電流の測定が可能になる。
【実施例2】
【0035】
(実施例2のプラズマモニタリングシステムの構成)
図5は、本発明の実施例2におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0036】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例1とは異なる構造のプラズマ処理装置(例えば、プラズマエッチング装置)50Aを備えている。プラズマエッチング装置50Aは、実施例1と同様に、例えば、IPC型RIE装置により構成され、エッチングガス等が注入されるプラズマ処理用チャンバ51を有している。チャンバ51の上部開口部には、実施例1と同様に、円板状の誘電体板(例えば、上部石英板)53が気密状態で固定され、この上部石英板53上に円形渦巻き状のRFコイル54が装着されている。
【0037】
本実施例2では、実施例1とは異なり、上部石英板53の複数箇所(例えば、所定間隔離れた2箇所)に紫外光モニタリング用の第1、第2のセンサ70−1,70−2が配置され、第1のセンサ70−1から引き出された2本1組のリード線79−11,79−12と、第2のセンサ70−2から引き出された2本1組のリード線89−21,89−22とが、入力端子台85Aに接続されている。第1、第2のセンサ70−1,70−2としては、同一の構造のもの(例えば、図2のセンサ70又は図4のセンサ70A)、あるいは異なる構造のもの(例えば、図2のセンサ70と図4のセンサ70A)が使用される。
【0038】
入力端子台85Aに接続された2組のリード線79−11,79−12,79−21,79−22のうち、各組の一方のリード線79−11,79−21には、交流遮断用チョークコイル86−1,86−2と、センサ70−1,70−2にそれぞれ負バイアス電圧(例えば、−30V)を印加する電圧源87−1,87−2と、センサ70−1,70−2にてそれぞれ測定された誘導電流を計測する電流計88−1,88−2の入力端子とがそれぞれ直列に接続され、各電流計88−1,88−2のグランド端子がそれぞれ接地されている。各組の他方のリード線79−12,79−22は、それぞれ接地されている。
【0039】
各電流計88−1,88−2は、入力端子及びグランド端子の他に、計測した誘導電流値を出力する出力端子を有し、この各出力端子が、ケーブル89−1,89−2を介して、実施例1と同様の制御手段(例えば、表示画面を有する制御装置)90や保存手段(例えば、データサーバ)91に接続されている。その他の構成は、実施例1と同様である。
【0040】
(実施例2のモニタリング方法)
プラズマエッチング装置50Aを用いたエッチング処理により、プラズマ56から発生する真空紫外光UVのモニタを行う場合、電圧源87−1,87−2により、負のバイアス電圧(例えば、−30V)をチョークコイル86−1,86−2、入力端子台85A及びリード線79−11,79−12,79−21,79−22を介して、センサ70−1,70−2へそれぞれ印加する。すると、チャンバ51内のプラズマ56から発生した真空紫外光UVにより、各センサ70−1,70−2中に正孔及び電子eのペアがそれぞれ発生する。この時、各センサ70−1,70−2に負のバイアス電圧(−30V)が印加されているので、各センサ70−1,70−2中の正孔hがポリSi電極間でトラップされて誘起電流として測定され、この誘導電流がリード線79−11,79−12,79−21,79−22、入力端子台85A及びチョークコイル86−1,86−2を介して、各電流計88−1,86−2にてリアルタイムに計測される。
【0041】
各電流計88−1,88−2で計測された誘起電流値は、各ケーブル89−1,89−2を介して、制御装置90やデータサーバ91へ送信され、これらの制御装置90にて表示画面に表示され、データサーバ91にて保存される。これにより、誘導電流を紫外光UVによる各センサ70−1,70−2へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。
【0042】
(実施例2の効果)
本実施例2によれば、複数(例えば、2つ)のセンサ70−1,70−2を異なる場所に配置することにより、チャンバ51内の紫外光UVによる誘起電流の場所依存性の情報を得ることができる。更に、2つのセンサ70−1,70−2として、膜種類、膜質、膜種類等の異なるセンサ70,70Aを用いると、各センサ構造によってセンシングできる波長やセンシングの感度を変えることが可能である。これにより様々なプラズマ条件下における精度の高いセンシングが期待できる。
【0043】
(実施例2の変形例)
本実施例2では、2つのセンサ70−1,70−2を使用しているが、チャンバ51の大きさ等に応じて3つ以上のセンサを設けても良い。これにより、より多くのプラズマ条件下におけるより精度の高いセンシングが期待できる。
【0044】
又、一組の共通のチョークコイル86−1、電圧源87−1、及び電流計88−1を設け、そのチョークコイル86−1を切り替え手段(例えば、制御装置90の制御等により、入力端子台85Aにおける結線状態を切り替える切り替え器)を介して、複数のセンサ70−1,70−2へ切り替え接続する構成にすれば、他のチョークコイル86−2、電圧源87−2、及び電流計88−2を削減でき、回路構成を簡略化できる。
【実施例3】
【0045】
(実施例3の構成)
図6は、本発明の実施例3におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例2を示す図5中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0046】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例2とは異なる構造のプラズマ処理装置(例えば、プラズマエッチング装置)50Bを備えている。プラズマエッチング装置50Bは、実施例2と同様に、例えば、IPC型RIE装置により構成され、エッチングガス等が注入されるプラズマ処理用チャンバ51を有している。チャンバ51の上部開口部には、実施例2と同様に、円板状の誘電体板(例えば、上部石英板)53が気密状態で固定され、この上部石英板53上に円形渦巻き状のRFコイル54が装着されている。
【0047】
本実施例3では、実施例2とは異なり、上部石英板53の同一箇所に紫外光モニタリング用の第1、第2のセンサ70−1,70−2が配置され、第1のセンサ70−1から引き出された2本1組のリード線79−11,79−12と、第2のセンサ70−2から引き出された2本1組のリード線79−21,79−22とが、入力端子台85Bに接続されている。第1、第2のセンサ70−1,70−2としては、実施例2と同様に、同一の構造のもの(例えば、図2のセンサ70又は図4のセンサ70A)、あるいは異なる構造のもの(例えば、図2のセンサ70と図4のセンサ70A)が使用される。
【0048】
入力端子台85Bに接続された2組のリード線79−11,79−12,79−21,79−22のうち、各組の一方のリード線79−11,79−21には、実施例2と同様に、交流遮断用チョークコイル86−1,86−2と、センサ70−1,70−2にそれぞれ負バイアス電圧(例えば、−30V)を印加する電圧源87−1,87−2と、センサ70−1,70−2にてそれぞれ測定された誘導電流値を計測する電流計88−1,88−2の入力端子とがそれぞれ直列に接続され、各電流計88−1,88−2のグランド端子がそれぞれ接地されている。各組の他方のリード線79−12,79−22は、実施例2と同様に、それぞれ接地されている。その他の構成は、実施例2と同様である。
【0049】
(実施例3の作用効果)
本実施例2によれば、複数(例えば、2つ)のセンサ70−1,70−2を同一場所に配置することにより、一方のセンサ(例えば、70−1)の故障等を他方のセンサ(例えば、70−2)にて補填でき、プラズマモニタリングシステムの安定性や信頼性を向上できる。更に、実施例2と同様に、2つのセンサ70−1,70−2として、膜種類、膜質、膜種類等の異なるセンサ70,70Aを用いることにより、各センサ構造によってセンシングできる波長やセンシングの感度を変えることが可能となり、様々なプラズマ条件下における精度の高いセンシングが期待できる。
【0050】
(実施例3の変形例)
実施例2と同様に、チャンバ51の大きさ等に応じて3つ以上のセンサを設けることにより、より多くのプラズマ条件下におけるより精度の高いセンシングが期待できる。又、一組の共通のチョークコイル86−1、電圧源87−1、及び電流計88−1を設け、そのチョークコイル86−1を切り替え手段を介して、複数のセンサ70−1,70−2へ切り替え接続する構成にすれば、回路構成を簡略化できる。
【実施例4】
【0051】
(実施例4の構成)
図7は、本発明の実施例4におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0052】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例1とは異なる構造のプラズマ処理装置(例えば、プラズマエッチング装置)50Cを備えている。プラズマエッチング装置50Cは、実施例2と同様に、例えば、IPC型RIE装置により構成され、プラズマ処理用チャンバ51、上部石英板53、及びRFコイル54を有している。
【0053】
本実施例4では、実施例1と同様に、上部石英板53の1箇所に紫外光モニタリン用センサ70が設けられているが、実施例1とは異なり、このセンサ70のプラズマ側の表面が直接、チャンバ51内の雰囲気に曝されないように、誘電体の窓部材82により覆われている。窓部材82は、例えば、フッ化マグネシウムを含む材質等により形成されている。その他の構成は、実施例1と同様である。
【0054】
(実施例4の作用効果)
本実施例4では、実施例1と同様に、センサ70を用いて紫外光UVに対するモニタリングが行える。
【0055】
本実施例4によれば、センサ70の表面を窓部材82で覆っているので、センサ表面が完全にチャンバ51内部の雰囲気の影響を受けなくなる。又、窓部材82の材質として、フッ化マグネシウムを用いた場合、真空紫外波長帯がこの窓部材82に吸収されることはない。よって、センサ70の測定精度とライフタイムの大幅な向上が期待できる。
【0056】
なお、窓部材82を実施例2や実施例3の複数のセンサ70−1,70−2の表面側に設けても良く、これにより、前記と同様の効果が期待できる。
【実施例5】
【0057】
(実施例5の構成)
図8は、本発明の実施例5におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例4を示す図7中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0058】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例4におけるセンサ70の周辺に、例えば、電熱線を埋め込んだセラミックブロック83を設け、このセラミックブロック83に、電熱ケーブル92を介して温度制御手段(例えば、温調器)93を接続し、この温調器93を用いて窓部材82の温度を制御する構成になっている。その他の構成は、実施例4と同様である。
【0059】
(実施例5の作用効果)
温調器93を用い、窓部材82を例えば100℃に設定することにより、チャンバ51内のプラズ雰囲気からの汚染(コンタミネーション)が、窓部材82に付着することを防ぐことができる。このように、温調器93によって窓部材82の温度を調節できるようにしたことにより、窓表面のコンタミネーションが減少し、プラズマ56からの紫外光UVが安定して透過するため、センサ70における測定精度の向上が期待できる。
【0060】
なお、窓部材82を実施例2や実施例3の複数のセンサ70−1,70−2の表面側に設けている場合、これらの複数の窓部材82に対して温調器93により温度制御すれば、前記と同様の効果が期待できる。
【実施例6】
【0061】
(実施例6の構成)
図9は、本発明の実施例6におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例5を示す図8中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0062】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例5の温調器93が、電熱ケーブル94を介してステージ58に接続されている。温調器93は、セラミックブロック83を介してセンサ70の温度を制御すると共に、ステージ58をそのセンサ70の温度と同一の温度に制御する機能を有している。その他の構成は、実施例5と同様である。
【0063】
(実施例6の作用効果)
温調器93により、センサ70とステージ58とを同一の温度に制御できるようにしたので、センサ70により、ステージ58上に載置されるウェハ57に近い環境での誘起電流値が得られる。よって、紫外光UVの影響のモニタリング精度が向上し、有効なSPC、APC等が可能となる。
【0064】
なお、実施例2や実施例3のように複数のセンサ70−1,70−2を設けている場合、温調器93により、複数のセンサ70−1,70−2とステージ58とが同一温度になるように制御すれば、前記と同様の効果が期待できる。
【0065】
(その他の変形例)
本発明は、上記実施例に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の(i)〜(iv)のようなものがある。
(i) 本発明は、プラズマ処理装置50,50A,50B,50Cの構造を、図示以外のものに変更しても良い。又、プラズマ処理装置50,50A,50B,50Cは、実施例のIPC型RIE装置に代えて、容量結合型プラズマ(CCP)、電子サイクロトン共鳴プラズマ(ECR)、ヘリコン波励起プラズマ(HWP)、マイクロ波励起表面波プラズマ(SWP)等で構成しても良い。
(ii) 図2のセンサ70では、ポリSi電極73−1,73−2上の評価対象膜をSiO2膜74とし、図4のセンサ70Aでは、その評価対象膜をSiO2膜74及びシリコン窒化膜76の積層膜としたが、他の材質を用いた単層膜や積層膜、あるいは有機系低誘電率膜等へも適用可能である。又、ポリSi電極73−1,73−2に代えて、他の導電膜からなる電極を用いても良い。
(iii) センサ70,70−1,70−2は、接地されたチャンバ51の側壁等に取り付けても良い。
(iv) 実施例1〜3では、半導体製造のプラズマ処理工程における紫外光UVによる製品へのダメージを想定して説明したが、本発明は、半導体製造以外の平面パネル製造等といった他の全てのプラズマ工程やプラズマ以外からの紫外光UVのモニタリングに対しても応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0066】
【図1】本発明の実施例1におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図2】図1中のセンサ70を示す模式的な断面図である。
【図3】図2のセンサの製造方法例を示す模式的な断面工程図である。
【図4】図1中のセンサの他の構成例を示す模式的な断面図である。
【図5】本発明の実施例2におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図6】本発明の実施例3におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図7】本発明の実施例4におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図8】本発明の実施例5におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図9】本発明の実施例6におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図10】従来のプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図11】従来の他のプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【符号の説明】
【0067】
50,50A,50B,50C プラズマエッチング装置
51 チャンバ
53 上部石英板
54 RFコイル
55 RF電源
58 ステージ
60 RFバイアス電源
70,70A,70−1,70−2 センサ
82 窓部材
87,87−1,87−2 電圧源
88,88−2,88−2 電流計
90 制御装置
91 サーバ
93 温調器
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体製造工程(プロセス)等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムでモニタリングする紫外光モニタリングシステムに関するものである。
【背景技術】
【0002】
例えば、半導体装置では、素子構造の微細化、薄膜化、3次元化の促進により、層間絶縁膜・配線形成工程等で用いられるプラズマから紫外光が放射され、半導体素子の界面まで到達する紫外光照射ダメージが大きな問題となってくる。
【0003】
この対策として、紫外光照射ダメージをウェハ上の実際のパターンにてリアルタイムでモニタリングする紫外光モニタリングシステム(例えば、プラズマモニタリングシステム)の技術が開発されており、その手法や評価結果が例えば下記の文献に詳細に紹介されている。
【0004】
【特許文献1】特開2003−282546号公報
【特許文献2】特開2005−236199号公報
【非特許文献1】J.Vac.Sci.Technol.A,Vol.23,No.6,Nov/Dec 2005,American Vacuum Society.p.1509−1512
【非特許文献2】J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.23,No.1,Jan/Feb 2005,American Vacuum Society.p.173−177
【非特許文献3】J.Vac.Sci. Technol.B,Vol.22,No.6, Nov/Dec 2004,American Vacuum Society.p.2818−2822
【0005】
図10は、例えば、特許文献2の図6、及び非特許文献2における第174頁の図2(a)に記載された従来のプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【0006】
このプラズマモニタリングシステムは、プラズマ処理装置10を備えている。プラズマ処理装置10は、高周波(以下「RF」という。)バイアス電圧の印加により、真空状態にしたプラズマ処理用マチャンバ11内にプラズマ12を発生させ、半導体ウェハ等のウェハを搭載するためのステージ13上に載置した紫外光モニタリング用センサ20等に対するエッチングや成膜を行う装置である。センサ20には配線14が接続され、この配線14がマチャンバ11の外部に引き出されている。外部に引き出された配線14には、センサ20に対して負バイアス電圧(例えば、−30V)を印加するための電圧源15と、センサ20に流れる誘導電流を測定するための電流計16とが、直列に接続されている。
【0007】
センサ20は、ウェハ(例えば、シリコン(Si)基板)21上に、二酸化シリコン膜(SiO2膜)で絶縁された電極(例えば、平面がほぼ長方形の膜からなるポリSi電極)22が形成され、更に、このポリSi電極22上に、実際の半導体装置で用いる膜(例えば、SiO2膜)23が形成された構造をしている。SiO2膜23の一部が開口されてポリSi電極22の一部が露出し、この露出箇所に、配線接続部24を介して配線14が接続されている。
【0008】
紫外光UVのモニタを行う場合、RFバイアス電圧の印加により、センサ20に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ12から発生した紫外光UVにより、ポリSi電極22上のSiO2膜23に、正孔(Hole)hと電子(Electron)eのペアが発生する。電圧源15により、ポリSi電極22に負バイアス電圧を印加することで、正孔hを誘導電流として電流計16によりリアルタイムで計測する。この誘導電流を紫外光UVによるSiO2膜23へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。
【0009】
又、非特許文献2における第174頁の図2(b)に記載されているように、プラズマ12からのイオンiや電子eの影響をできるだけ排除するために、開口部を含めたSiO2膜23の表面をアルミニュウム(Al)系の金属膜で覆う構造が採用される場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
図11は、従来の他のプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
このプラズマモニタリングシステムは、図10のプラズマ処理装置10に対応するプラズマエッチング装置30を備えている。プラズマエッチング装置30は、例えば、誘導結合プラズマ型反応性イオンエッチング装置(Inductive Coupling Plasma Model reactive ion etch Equipment)、以下「IPC型RIE装置」という。)であり、プラズマ処理用チャンバ31を有し、このチャンバ31内が真空ポンプ32により減圧される。チャンバ31の上部開口部には、円板形の上部石英板33が設けられ、この上部石英板33上に円形渦巻き状のRFコイル34が装着されている。RFコイル34は、外周の端部34aがRF電源35を介して接地されると共に、内周の中心付近の端部34bが接地されており、そのRF電源35から供給されるRF電流(例えば、13.56MHz)により、上部石英板33を介してチャンバ31内にプラズマ36を発生させる機能を有している。
【0011】
チャンバ31内の下部には、ウェハ等を搭載するための電極用のステージ37が設けられ、このステージ37に対し、直流遮断用のキャパシタ38を介してRFバイアス電源(例えば、13.56MHz)39が接続されている。RFバイアス電源39からステージ37へRFバイアス電圧を印加し、照射するイオンエネルギーを、プラズマ36と独立して制御可能な構造になっている。ステージ37に載置されるウェハ40上には、例えば、図10の紫外光モニタリング用センサ20と同様のチップ状の紫外光モニタリング用センサ41や、このセンサ41を制御するためのバッテリ、回路等を有する制御回路42等が搭載されている。
【0012】
紫外光UVのモニタを行う場合、センサ41付きのウェハ40をステージ37上に載置し、反応ガスを注入したチャンバ31内にプラズマ36を発生させ、そのウェハ40の表面に対してエッチングを行う。センサ41に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ36から発生した紫外光UVにより、センサ41に誘導電流が流れ、これが制御回路42内等に設けた電流計によりリアルタイムに計測され、紫外光UVによるウェハ40へのダメージの定量的指標としてモニタリングされる。
【0013】
しかしながら、図11のような従来のプラズマモニタリングシステムにおいて、センサ41をウェハ40上に搭載した場合、このウェハ40はセンサ面がプラズマ表面側になるようチャンバ31内のステージ37上に搬送されて載置される。通常、プラズマエッチング装置30の場合、RFバイアス電源39によってステージ37側にRFバイアス電圧を印加するので、ウェハ40に搭載されたセンサ41はプラズマ36の影響を受けやすくなる。そのため、プラズマ36の経時変化によって、センサ41も経時的に変化し、安定した誘導電流の測定ができなくなるという課題があった。又、ステージ37が高温(例えば、アッシング装置で250℃が一般的)の場合、ウェハ40に搭載した制御回路42(例えば、バッテリ等)が劣化し、測定に支障をきたすという課題もあった。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明の紫外光モニタリングシステムは、外部の雰囲気とは異なる雰囲気下において、被処理物に対して紫外光の発生を伴う処理を行うためのチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、RFバイアス電圧が印加される導電性の被処理物載置用ステージと、紫外光モニタリグ用センサと、電圧源と、電流計とを備えている。
【0015】
ここで、前記センサは、表面に前記紫外光が照射されると正孔と電子を発生し、前記紫外光の照射によるダメージの評価対象となる評価対象膜と、前記評価対象膜により被覆され、前記評価対象膜に発生した前記正孔を引き込む電極とを有し、前記チャンバに取り付けられている。前記電圧源は、前記チャンバの外部に設けられ、前記センサの前記電極に対して負バイアス電圧を印加する電源である。更に、前記電流計は、前記チャンバの外部において前記電圧源に接続され、前記電極に引き込まれた前記正孔を誘導電流として計測する計器である。
【0016】
そして、前記センサは、前記チャンバ内における前記ステージ上以外の場所であって、前記評価対象膜の表面側は前記チャンバ内と同じ雰囲気であり、且つ、前記チャンバの外部の雰囲気とは遮断された状態で、前記チャンバに取り付けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、チャンバ内のステージ上以外の場所にセンサを設置したので、このセンサがエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。よって、センサの測定精度とライフタイムの向上が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
本発明を実施するための最良の形態は、以下の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、明らかになるであろう。但し、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の範囲を限定するものではない。
【実施例1】
【0019】
(実施例1のプラズマモニタリングシステムの構成)
図1は、本発明の実施例1におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【0020】
このプラズマモニタリングシステムは、プラズマ処理装置(例えば、プラズマエッチング装置)50を備えている。プラズマエッチング装置50は、例えば、IPC型RIE装置により構成され、エッチングガス等が注入されるプラズマ処理用チャンバ51を有し、このチャンバ51内が真空ポンプ52により減圧されるようになっている。チャンバ51は、図示しないが、所定箇所で接地されている。
【0021】
チャンバ51の上部開口部には、誘電体板(例えば、厚さ20mm程度の円板形の上部石英板)53が気密状態で固定され、この上部石英板53上に円形渦巻き状のRFコイル54が装着されている。RFコイル54は、外周の端部54aがRF電源55を介して接地されると共に、内周の中心付近の端部54bが接地されており、そのRF電源55から供給されるRF電流(例えば、13.56MHz)により、上部石英板53を介してチャンバ51内にプラズマ56を発生させる機能を有している。
【0022】
チャンバ51内の下部には、ウェハ57等を搭載するための導電性の電極用ステージ58が設けられ、このステージ58が、直流遮断用キャパシタ59、及びRFバイアス電源(例えば、13.56MHz)60を介して接地されている。RFバイアス電源60は、ステージ58へRFバイアス電圧を印加し、照射するイオンエネルギーを、プラズマ56と独立して制御可能な構造になっている。
【0023】
チャンバ51には、このチャンバ内におけるステージ58上以外の場所(例えば、上部石英板箇所)に紫外光モニタリング用センサ70が取り付けられている。即ち、センサ70は、上部石英板53の一部に形成された貫通孔80内において、センサ表面がプラズマ56側となるように装着され、更に、このセンサ70がチャンバ51内と同じ圧力となるように、貫通孔80が真空シール81で封止されている。
【0024】
センサ70の裏面には、2本の絶縁被覆されたリード線79−1,79−2が接続されてチャンバ51の外部に引き出され、入力端子台85に接続されている。入力端子台85に接続された2本のリード線79−1,79−2のうち、一方のリード線79−1には、交流遮断用チョークコイル(例えば、100μH)86と、センサ70に負バイアス電圧(例えば、−30V)を印加する電圧源87と、センサ70にて測定された誘導電流値を計測する電流計88の入力端子とが直列に接続され、この電流計88のグランド端子が接地されている。他方のリード線79−2は、接地されている。
【0025】
電流計88は、入力端子及びグランド端子の他に、計測した誘導電流値を出力する出力端子を有し、この出力端子に、ケーブル89を介して、制御手段(例えば、表示画面を有する制御装置)90や保存手段(例えば、データサーバ)91が接続されている。制御装置90は、例えば、パーソナルコンピュータ(以下「パソコン」という。)等で構成され、プラズマエッチング装置50を制御するソフトウェア(例えば、レシピの管理・編集、チャンバ開閉、搬送用アームマニュアル動作等のコマンドの操作等)を実行する機能を有する他に、電流計88で計測された誘導電流値を表示画面に表示する等してモニタリングする機能や、誘導電流値又はこの誘導電流値のデータに基づき、装置、処理プロセル、又は製品不良等の異常判定トリガを設定する機能等を有し、装置、処理プロセス等の異常検知や統計的プロセスコントロール(Statistical Process Control、以下「SPC」という。)、進歩的プロセスコントロール(Advanced Process Control、以下「APC」という。)等に利用することができるようになっている。データサーバ91は、制御装置90でアクセスされ、電流計88で計測された誘導電流値をデータの形で保存する装置である。
【0026】
(センサの構造・製造方法)
図2は、図1中のセンサ70を示す模式的な断面図である。
このセンサ70は、基板(例えば、Si基板)71を有し、このSi基板71の表面に絶縁膜(例えば、膜厚約600nmの熱酸化膜)72が形成されている。熱酸化膜72の表面には、所定の間隔を有する2つの電極(例えば、平面がほぼ方形で、リンがドープされた膜厚約300nmの膜状のポリSi電極)73−1,73−2が形成されている。ポリSi電極73−1,73−2表面の全面は、紫外光UVによるダメージの評価対象となる絶縁膜(例えば、SiO2膜)74で覆われている。ポリSi電極73−1,73−2の表面からSiO2膜74の表面(即ち、プラズマ暴露面)までの膜厚は、約150nmである。2つのポリSi電極73−1,73−2の裏面側には、Si基板71及び熱酸化膜72を貫通して2本のリード線79−1,79−2が接続されている。
【0027】
図3(A)〜(E)は、図2のセンサの製造方法例を示す模式的な断面工程図である。
センサ70を製造する場合、先ず、図3(A)の熱酸化膜形成工程において、Si基板71上に熱酸化膜72を約600nm形成する。図3(B)のリンドープポリSi形成工程において、熱酸化膜72上に、気相成長法(以下「CVD法という。)により、6E20atm/cm3のリン濃度のポリSi膜73を形成する。図3(C)の電極ホトリソグラフィ工程において、ホトリソグラフィ技術により、例えば間隔300nmのスリットを有するレジスト膜からなるスリットパターン75を形成する。
【0028】
図3(D)の電極ドライエッチング・レジスト灰化工程において、ドライエッチング技術(例えば、プラズマエッチング)により、スリットパターン75をマスクにしてポリSi膜73を加工し(即ち、ポリSi膜73のエッチングとスリットパターン75の灰化を行い)、スリット73aにより分離された2つのポリSi電極73−1,73−2を形成する。図3(E)の酸化シリコン膜形成工程において、減圧CVD法(以下「LP−CVD法」という。)により、紫外光UVによるダメージの評価対象となるSiO2膜74を約150nm形成する。
【0029】
次に、図示しないが、ホトリソグラフィ技術、及びエッチング技術により、2つに分離したポリSi電極73−1,73−2の裏面側におけるSi基板71及び熱酸化膜72の一部を開口し、ポリSi電極73−1,73−2の裏面側の一部を露出させる。一部が露出したポリSi電極73−1,73−2の裏面側における配線接続部に、絶縁被覆されたリード線79−1,79−2の端末を導電性ペーストで接着する。最後に、導電性ペースト部分をモールド樹脂で封止すれば、センサ70の製造が終了する。
【0030】
(実施例1のモニタリング方法)
図1のプラズマエッチング装置50により、例えば、ステージ58上に載置したウェハ57に対してエッチング処理を行う場合、真空ポンプ52によってチャンバ51内を真空にすると共に、このチャンバ51内にエッチングガスを注入する。RFバイアス電源60によってRFバイアス電圧(例えば、13.56MHz)をステージ58に印加し、更に、RF電源55によってRF電流(例えば、13.56MHz)をRFコイル54へ供給すると、上部石英板53を介してチャンバ51内にプラズマ56が発生する。これにより、ステージ58上に載置されたウェハ57に対して所定のエッチング処理が行われる。
【0031】
このエッチング処理により、プラズマ56から発生する真空紫外光UVのモニタを行う場合、電圧源87により、負のバイアス電圧(例えば、−30V)をチョークコイル86、入力端子台85及びリード線79−1,79−2を介して、図2のセンサ70中のポリSi電極73−1,73−2へ印加する。すると、プラズマ56から発生した真空紫外光UVにより、センサ70におけるSiO2膜74中に正孔及び電子eのペアが発生する。
【0032】
この時、センサ70における2つのポリSi電極73−1,73−2に負のバイアス電圧(−30V)が印加されているので、SiO2膜74中の正孔hが2つのポリSi電極73−1,73−2間でトラップされて誘起電流として測定され、この誘導電流がリード線79−1,89−2、入力端子台85及びチョークコイル86を介して、電流計88にてリアルタイムに計測される。電流計88で計測された誘起電流値は、ケーブル89を介して、制御装置90やデータサーバ91へ送信され、これらの制御装置90にて表示画面に表示され、データサーバ91にて保存される。これにより、誘導電流を紫外光UVによるセンサ70のSi02膜74へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。
【0033】
(実施例1の効果)
本実施例1によれば、次の(a)、(b)のような効果がある。
(a) RFバイアス電圧の印加されないチャンバ51の上部の上部石英板53箇所に、紫外光モニタリング用センサ70を設置したので、このセンサ70がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。よって、センサ70の測定精度とライフタイムの向上が期待できる。
(b) 電流計88で計測された誘起電流値は、ケーブル89を介して制御装置90やデータサーバ91へ送信される。そのため、制御装置90の表示画面で誘起電流値をモニタリングしたり、データサーバ91にて誘導電流値のデータを保存することができる。又、例えば、制御装置90において、その誘導電流値にトリガ設定をして装置、処理プロセス等の異常検知やSPC、APC等に利用することができ、エッチング処理等の効率や信頼性を向上できる。
【0034】
(実施例1の変形例)
図2に示すセンサ70は、種々の構造に変形できる。
図4は、図1中のセンサの他の構成例を示す模式的な断面図である。
このセンサ70Aでは、図2のセンサ70におけるSi02膜74の表面が、膜厚約50nmのシリコン窒化膜76により被覆されている。そのため、Si02膜74がシリコン窒化膜76により保護されてプラズマ56の影響を受け難くなり、安定した誘導電流の測定が可能になる。
【実施例2】
【0035】
(実施例2のプラズマモニタリングシステムの構成)
図5は、本発明の実施例2におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0036】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例1とは異なる構造のプラズマ処理装置(例えば、プラズマエッチング装置)50Aを備えている。プラズマエッチング装置50Aは、実施例1と同様に、例えば、IPC型RIE装置により構成され、エッチングガス等が注入されるプラズマ処理用チャンバ51を有している。チャンバ51の上部開口部には、実施例1と同様に、円板状の誘電体板(例えば、上部石英板)53が気密状態で固定され、この上部石英板53上に円形渦巻き状のRFコイル54が装着されている。
【0037】
本実施例2では、実施例1とは異なり、上部石英板53の複数箇所(例えば、所定間隔離れた2箇所)に紫外光モニタリング用の第1、第2のセンサ70−1,70−2が配置され、第1のセンサ70−1から引き出された2本1組のリード線79−11,79−12と、第2のセンサ70−2から引き出された2本1組のリード線89−21,89−22とが、入力端子台85Aに接続されている。第1、第2のセンサ70−1,70−2としては、同一の構造のもの(例えば、図2のセンサ70又は図4のセンサ70A)、あるいは異なる構造のもの(例えば、図2のセンサ70と図4のセンサ70A)が使用される。
【0038】
入力端子台85Aに接続された2組のリード線79−11,79−12,79−21,79−22のうち、各組の一方のリード線79−11,79−21には、交流遮断用チョークコイル86−1,86−2と、センサ70−1,70−2にそれぞれ負バイアス電圧(例えば、−30V)を印加する電圧源87−1,87−2と、センサ70−1,70−2にてそれぞれ測定された誘導電流を計測する電流計88−1,88−2の入力端子とがそれぞれ直列に接続され、各電流計88−1,88−2のグランド端子がそれぞれ接地されている。各組の他方のリード線79−12,79−22は、それぞれ接地されている。
【0039】
各電流計88−1,88−2は、入力端子及びグランド端子の他に、計測した誘導電流値を出力する出力端子を有し、この各出力端子が、ケーブル89−1,89−2を介して、実施例1と同様の制御手段(例えば、表示画面を有する制御装置)90や保存手段(例えば、データサーバ)91に接続されている。その他の構成は、実施例1と同様である。
【0040】
(実施例2のモニタリング方法)
プラズマエッチング装置50Aを用いたエッチング処理により、プラズマ56から発生する真空紫外光UVのモニタを行う場合、電圧源87−1,87−2により、負のバイアス電圧(例えば、−30V)をチョークコイル86−1,86−2、入力端子台85A及びリード線79−11,79−12,79−21,79−22を介して、センサ70−1,70−2へそれぞれ印加する。すると、チャンバ51内のプラズマ56から発生した真空紫外光UVにより、各センサ70−1,70−2中に正孔及び電子eのペアがそれぞれ発生する。この時、各センサ70−1,70−2に負のバイアス電圧(−30V)が印加されているので、各センサ70−1,70−2中の正孔hがポリSi電極間でトラップされて誘起電流として測定され、この誘導電流がリード線79−11,79−12,79−21,79−22、入力端子台85A及びチョークコイル86−1,86−2を介して、各電流計88−1,86−2にてリアルタイムに計測される。
【0041】
各電流計88−1,88−2で計測された誘起電流値は、各ケーブル89−1,89−2を介して、制御装置90やデータサーバ91へ送信され、これらの制御装置90にて表示画面に表示され、データサーバ91にて保存される。これにより、誘導電流を紫外光UVによる各センサ70−1,70−2へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。
【0042】
(実施例2の効果)
本実施例2によれば、複数(例えば、2つ)のセンサ70−1,70−2を異なる場所に配置することにより、チャンバ51内の紫外光UVによる誘起電流の場所依存性の情報を得ることができる。更に、2つのセンサ70−1,70−2として、膜種類、膜質、膜種類等の異なるセンサ70,70Aを用いると、各センサ構造によってセンシングできる波長やセンシングの感度を変えることが可能である。これにより様々なプラズマ条件下における精度の高いセンシングが期待できる。
【0043】
(実施例2の変形例)
本実施例2では、2つのセンサ70−1,70−2を使用しているが、チャンバ51の大きさ等に応じて3つ以上のセンサを設けても良い。これにより、より多くのプラズマ条件下におけるより精度の高いセンシングが期待できる。
【0044】
又、一組の共通のチョークコイル86−1、電圧源87−1、及び電流計88−1を設け、そのチョークコイル86−1を切り替え手段(例えば、制御装置90の制御等により、入力端子台85Aにおける結線状態を切り替える切り替え器)を介して、複数のセンサ70−1,70−2へ切り替え接続する構成にすれば、他のチョークコイル86−2、電圧源87−2、及び電流計88−2を削減でき、回路構成を簡略化できる。
【実施例3】
【0045】
(実施例3の構成)
図6は、本発明の実施例3におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例2を示す図5中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0046】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例2とは異なる構造のプラズマ処理装置(例えば、プラズマエッチング装置)50Bを備えている。プラズマエッチング装置50Bは、実施例2と同様に、例えば、IPC型RIE装置により構成され、エッチングガス等が注入されるプラズマ処理用チャンバ51を有している。チャンバ51の上部開口部には、実施例2と同様に、円板状の誘電体板(例えば、上部石英板)53が気密状態で固定され、この上部石英板53上に円形渦巻き状のRFコイル54が装着されている。
【0047】
本実施例3では、実施例2とは異なり、上部石英板53の同一箇所に紫外光モニタリング用の第1、第2のセンサ70−1,70−2が配置され、第1のセンサ70−1から引き出された2本1組のリード線79−11,79−12と、第2のセンサ70−2から引き出された2本1組のリード線79−21,79−22とが、入力端子台85Bに接続されている。第1、第2のセンサ70−1,70−2としては、実施例2と同様に、同一の構造のもの(例えば、図2のセンサ70又は図4のセンサ70A)、あるいは異なる構造のもの(例えば、図2のセンサ70と図4のセンサ70A)が使用される。
【0048】
入力端子台85Bに接続された2組のリード線79−11,79−12,79−21,79−22のうち、各組の一方のリード線79−11,79−21には、実施例2と同様に、交流遮断用チョークコイル86−1,86−2と、センサ70−1,70−2にそれぞれ負バイアス電圧(例えば、−30V)を印加する電圧源87−1,87−2と、センサ70−1,70−2にてそれぞれ測定された誘導電流値を計測する電流計88−1,88−2の入力端子とがそれぞれ直列に接続され、各電流計88−1,88−2のグランド端子がそれぞれ接地されている。各組の他方のリード線79−12,79−22は、実施例2と同様に、それぞれ接地されている。その他の構成は、実施例2と同様である。
【0049】
(実施例3の作用効果)
本実施例2によれば、複数(例えば、2つ)のセンサ70−1,70−2を同一場所に配置することにより、一方のセンサ(例えば、70−1)の故障等を他方のセンサ(例えば、70−2)にて補填でき、プラズマモニタリングシステムの安定性や信頼性を向上できる。更に、実施例2と同様に、2つのセンサ70−1,70−2として、膜種類、膜質、膜種類等の異なるセンサ70,70Aを用いることにより、各センサ構造によってセンシングできる波長やセンシングの感度を変えることが可能となり、様々なプラズマ条件下における精度の高いセンシングが期待できる。
【0050】
(実施例3の変形例)
実施例2と同様に、チャンバ51の大きさ等に応じて3つ以上のセンサを設けることにより、より多くのプラズマ条件下におけるより精度の高いセンシングが期待できる。又、一組の共通のチョークコイル86−1、電圧源87−1、及び電流計88−1を設け、そのチョークコイル86−1を切り替え手段を介して、複数のセンサ70−1,70−2へ切り替え接続する構成にすれば、回路構成を簡略化できる。
【実施例4】
【0051】
(実施例4の構成)
図7は、本発明の実施例4におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0052】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例1とは異なる構造のプラズマ処理装置(例えば、プラズマエッチング装置)50Cを備えている。プラズマエッチング装置50Cは、実施例2と同様に、例えば、IPC型RIE装置により構成され、プラズマ処理用チャンバ51、上部石英板53、及びRFコイル54を有している。
【0053】
本実施例4では、実施例1と同様に、上部石英板53の1箇所に紫外光モニタリン用センサ70が設けられているが、実施例1とは異なり、このセンサ70のプラズマ側の表面が直接、チャンバ51内の雰囲気に曝されないように、誘電体の窓部材82により覆われている。窓部材82は、例えば、フッ化マグネシウムを含む材質等により形成されている。その他の構成は、実施例1と同様である。
【0054】
(実施例4の作用効果)
本実施例4では、実施例1と同様に、センサ70を用いて紫外光UVに対するモニタリングが行える。
【0055】
本実施例4によれば、センサ70の表面を窓部材82で覆っているので、センサ表面が完全にチャンバ51内部の雰囲気の影響を受けなくなる。又、窓部材82の材質として、フッ化マグネシウムを用いた場合、真空紫外波長帯がこの窓部材82に吸収されることはない。よって、センサ70の測定精度とライフタイムの大幅な向上が期待できる。
【0056】
なお、窓部材82を実施例2や実施例3の複数のセンサ70−1,70−2の表面側に設けても良く、これにより、前記と同様の効果が期待できる。
【実施例5】
【0057】
(実施例5の構成)
図8は、本発明の実施例5におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例4を示す図7中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0058】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例4におけるセンサ70の周辺に、例えば、電熱線を埋め込んだセラミックブロック83を設け、このセラミックブロック83に、電熱ケーブル92を介して温度制御手段(例えば、温調器)93を接続し、この温調器93を用いて窓部材82の温度を制御する構成になっている。その他の構成は、実施例4と同様である。
【0059】
(実施例5の作用効果)
温調器93を用い、窓部材82を例えば100℃に設定することにより、チャンバ51内のプラズ雰囲気からの汚染(コンタミネーション)が、窓部材82に付着することを防ぐことができる。このように、温調器93によって窓部材82の温度を調節できるようにしたことにより、窓表面のコンタミネーションが減少し、プラズマ56からの紫外光UVが安定して透過するため、センサ70における測定精度の向上が期待できる。
【0060】
なお、窓部材82を実施例2や実施例3の複数のセンサ70−1,70−2の表面側に設けている場合、これらの複数の窓部材82に対して温調器93により温度制御すれば、前記と同様の効果が期待できる。
【実施例6】
【0061】
(実施例6の構成)
図9は、本発明の実施例6におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図であり、実施例5を示す図8中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0062】
このプラズマモニタリングシステムでは、実施例5の温調器93が、電熱ケーブル94を介してステージ58に接続されている。温調器93は、セラミックブロック83を介してセンサ70の温度を制御すると共に、ステージ58をそのセンサ70の温度と同一の温度に制御する機能を有している。その他の構成は、実施例5と同様である。
【0063】
(実施例6の作用効果)
温調器93により、センサ70とステージ58とを同一の温度に制御できるようにしたので、センサ70により、ステージ58上に載置されるウェハ57に近い環境での誘起電流値が得られる。よって、紫外光UVの影響のモニタリング精度が向上し、有効なSPC、APC等が可能となる。
【0064】
なお、実施例2や実施例3のように複数のセンサ70−1,70−2を設けている場合、温調器93により、複数のセンサ70−1,70−2とステージ58とが同一温度になるように制御すれば、前記と同様の効果が期待できる。
【0065】
(その他の変形例)
本発明は、上記実施例に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の(i)〜(iv)のようなものがある。
(i) 本発明は、プラズマ処理装置50,50A,50B,50Cの構造を、図示以外のものに変更しても良い。又、プラズマ処理装置50,50A,50B,50Cは、実施例のIPC型RIE装置に代えて、容量結合型プラズマ(CCP)、電子サイクロトン共鳴プラズマ(ECR)、ヘリコン波励起プラズマ(HWP)、マイクロ波励起表面波プラズマ(SWP)等で構成しても良い。
(ii) 図2のセンサ70では、ポリSi電極73−1,73−2上の評価対象膜をSiO2膜74とし、図4のセンサ70Aでは、その評価対象膜をSiO2膜74及びシリコン窒化膜76の積層膜としたが、他の材質を用いた単層膜や積層膜、あるいは有機系低誘電率膜等へも適用可能である。又、ポリSi電極73−1,73−2に代えて、他の導電膜からなる電極を用いても良い。
(iii) センサ70,70−1,70−2は、接地されたチャンバ51の側壁等に取り付けても良い。
(iv) 実施例1〜3では、半導体製造のプラズマ処理工程における紫外光UVによる製品へのダメージを想定して説明したが、本発明は、半導体製造以外の平面パネル製造等といった他の全てのプラズマ工程やプラズマ以外からの紫外光UVのモニタリングに対しても応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0066】
【図1】本発明の実施例1におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図2】図1中のセンサ70を示す模式的な断面図である。
【図3】図2のセンサの製造方法例を示す模式的な断面工程図である。
【図4】図1中のセンサの他の構成例を示す模式的な断面図である。
【図5】本発明の実施例2におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図6】本発明の実施例3におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図7】本発明の実施例4におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図8】本発明の実施例5におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図9】本発明の実施例6におけるプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図10】従来のプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【図11】従来の他のプラズマモニタリングシステムを示す模式的な構成図である。
【符号の説明】
【0067】
50,50A,50B,50C プラズマエッチング装置
51 チャンバ
53 上部石英板
54 RFコイル
55 RF電源
58 ステージ
60 RFバイアス電源
70,70A,70−1,70−2 センサ
82 窓部材
87,87−1,87−2 電圧源
88,88−2,88−2 電流計
90 制御装置
91 サーバ
93 温調器
【特許請求の範囲】
【請求項1】
外部の雰囲気とは異なる雰囲気下において、被処理物に対して紫外光の発生を伴う処理を行うためのチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、高周波バイアス電圧が印加される導電性の被処理物載置用ステージと、
表面に前記紫外光が照射されると正孔と電子を発生し、前記紫外光の照射によるダメージの評価対象となる評価対象膜と、前記評価対象膜により被覆され、前記評価対象膜に発生した前記正孔を引き込む電極とを有し、前記チャンバに取り付けられた紫外光モニタリグ用センサと、
前記チャンバの外部に設けられ、前記センサの前記電極に対して負バイアス電圧を印加する電圧源と、
前記チャンバの外部において前記電圧源に接続され、前記電極に引き込まれた前記正孔を誘導電流として計測する電流計と、
を備えた紫外光モニタリングシステムであって、
前記センサは、
前記チャンバ内における前記ステージ上以外の場所であって、前記評価対象膜の表面側は前記チャンバ内と同じ雰囲気であり、且つ、前記チャンバの外部の雰囲気とは遮断された状態で、前記チャンバに取り付けられていることを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項2】
請求項1記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記チャンバの外部において前記電極と前記電圧源との間に接続された交流遮断用チョークコイルを有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項3】
請求項1記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記センサは、前記チャンバの複数箇所に取り付けられ、
前記電圧源及び前記電流計は、前記各センサに対してそれぞれ設けられていることを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項4】
請求項1記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記センサは、前記チャンバの複数箇所に取り付けられ、切り替え手段によって電気的に切り替えられて前記電圧源及び前記電流計に接続されることを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項5】
請求項3記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記チャンバの外部において前記電極と前記各電圧源との間にそれぞれ接続された複数の交流遮断用チョークコイルを有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項6】
請求項4記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記チャンバの外部において前記電圧源の入力側に接続された交流遮断用チョークコイルを有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項7】
請求項1〜6のいずれか1項に記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記センサは、前記評価対象膜の表面側が直接前記チャンバ内の雰囲気に曝されないように誘電体の窓部材により覆われていることを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項8】
請求項7記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記窓部材の材質として、フッ化マグネシウムを含むことを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項9】
請求項1〜8のいずれか1項に記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記電流計で計測された誘導電流値をデータの形で受信してモニタリングする機能を有する制御手段を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項10】
請求項9記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記制御手段によりアクセスされ、前記誘導電流値をデータの形で受信して保存する保存手段を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項11】
請求項9又は10記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記制御手段は、前記電流計で計測された誘導電流値又は前記誘導電流値のデータに基づき、装置、処理プロセス、又は製品不良の異常判定トリガを設定する機能を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項12】
請求項7〜11のいずれか1項に記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記窓部材の温度を制御する温度制御手段を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項13】
請求項12記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記温度制御手段は、前記センサと前記ステージとを同一温度に制御する機能を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項1】
外部の雰囲気とは異なる雰囲気下において、被処理物に対して紫外光の発生を伴う処理を行うためのチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、高周波バイアス電圧が印加される導電性の被処理物載置用ステージと、
表面に前記紫外光が照射されると正孔と電子を発生し、前記紫外光の照射によるダメージの評価対象となる評価対象膜と、前記評価対象膜により被覆され、前記評価対象膜に発生した前記正孔を引き込む電極とを有し、前記チャンバに取り付けられた紫外光モニタリグ用センサと、
前記チャンバの外部に設けられ、前記センサの前記電極に対して負バイアス電圧を印加する電圧源と、
前記チャンバの外部において前記電圧源に接続され、前記電極に引き込まれた前記正孔を誘導電流として計測する電流計と、
を備えた紫外光モニタリングシステムであって、
前記センサは、
前記チャンバ内における前記ステージ上以外の場所であって、前記評価対象膜の表面側は前記チャンバ内と同じ雰囲気であり、且つ、前記チャンバの外部の雰囲気とは遮断された状態で、前記チャンバに取り付けられていることを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項2】
請求項1記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記チャンバの外部において前記電極と前記電圧源との間に接続された交流遮断用チョークコイルを有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項3】
請求項1記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記センサは、前記チャンバの複数箇所に取り付けられ、
前記電圧源及び前記電流計は、前記各センサに対してそれぞれ設けられていることを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項4】
請求項1記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記センサは、前記チャンバの複数箇所に取り付けられ、切り替え手段によって電気的に切り替えられて前記電圧源及び前記電流計に接続されることを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項5】
請求項3記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記チャンバの外部において前記電極と前記各電圧源との間にそれぞれ接続された複数の交流遮断用チョークコイルを有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項6】
請求項4記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記チャンバの外部において前記電圧源の入力側に接続された交流遮断用チョークコイルを有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項7】
請求項1〜6のいずれか1項に記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記センサは、前記評価対象膜の表面側が直接前記チャンバ内の雰囲気に曝されないように誘電体の窓部材により覆われていることを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項8】
請求項7記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記窓部材の材質として、フッ化マグネシウムを含むことを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項9】
請求項1〜8のいずれか1項に記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記電流計で計測された誘導電流値をデータの形で受信してモニタリングする機能を有する制御手段を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項10】
請求項9記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記制御手段によりアクセスされ、前記誘導電流値をデータの形で受信して保存する保存手段を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項11】
請求項9又は10記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記制御手段は、前記電流計で計測された誘導電流値又は前記誘導電流値のデータに基づき、装置、処理プロセス、又は製品不良の異常判定トリガを設定する機能を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項12】
請求項7〜11のいずれか1項に記載の紫外光モニタリングシステムは、更に、
前記窓部材の温度を制御する温度制御手段を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項13】
請求項12記載の紫外光モニタリングシステムにおいて、
前記温度制御手段は、前記センサと前記ステージとを同一温度に制御する機能を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2009−283838(P2009−283838A)
【公開日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−136663(P2008−136663)
【出願日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【出願人】(308033711)OKIセミコンダクタ株式会社 (898)
【出願人】(591048162)OKIセミコンダクタ宮城株式会社 (130)
【出願人】(504157024)国立大学法人東北大学 (2,297)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【出願人】(308033711)OKIセミコンダクタ株式会社 (898)
【出願人】(591048162)OKIセミコンダクタ宮城株式会社 (130)
【出願人】(504157024)国立大学法人東北大学 (2,297)
【Fターム(参考)】
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