【課題】被洗浄物の均一な洗浄が行え、かつダメージを低減できる超音波洗浄装置を実現すること。
【解決手段】超音波洗浄装置は、被洗浄物８を洗浄液７で浸した洗浄槽２と、前記洗浄槽２の底面に配置され、前記洗浄液７を振動させる複数の超音波振動素子３０２と、前記素子毎の共振周波数を記憶するメモリ部４０９と、発振周波数を切り替え可能な発振部４０２と、前記素子３０２をランダムに切り替えて、前記メモリ部４０９に記憶された素子毎の共振周波数に基づいて前記発振部４０２を制御し、前記素子に高周波電力を供給する制御部４０１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステム。洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ生成空間及び吹出路に通して吹出し、被処理物を表面処理する際、吹出路からの電界の漏洩を防止する。
【解決手段】プラズマ生成部１０の一対の電極１１，１２を対向方向に対向させ、これらの間にプラズマ生成空間１９を形成する。ノズル部２０を電気的に接地された金属製の角材２１，２２にて構成し、これをプラズマ生成部１０の処理位置Ｐを向く面に配置する。連結部材３１，３２にてノズル部２０をプラズマ生成部１０に連結して支持する。吹出路２９の吹出方向の長さをノズル部２０の吹出路２９を画成する面から上記対向方向の外側面までの寸法より大きくか略等しくする。 （もっと読む）

【課題】高い効率でレジストを除去することのできるレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供すること。
【解決手段】レジスト除去装置は、レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低圧放電灯点灯装置において、ランプ点灯開始後の立ち上がり期間中の無用な保護動作を回避する。
【解決手段】交流電力を低圧放電灯に投入する電力供給回路、低圧放電灯のランプ電圧を検出する電圧検出回路、及び電圧検出回路の検出ランプ電圧に基づいて電力供給回路を制御する制御回路を備えた低圧放電灯点灯装置において、制御回路が、検出ランプ電圧が所定の閾値以下となった場合に電力供給回路の保護動作を行うように構成され、所定の閾値として、放電灯点灯開始後から所定期間内は第１の閾値を適用し、所定期間経過後は第２の閾値を適用するように構成され、第１の閾値が該第２の閾値よりも低くなるようにした。 （もっと読む）

【課題】異種金属が露出した基板表面の洗浄において卑金属の溶解を防止する。。
【解決手段】基板保持台２６に保持された基板２４表面の周縁部の上方にノズル２１を配置し、カーボン電極２３Ａを通じて電圧発生装置２９により電圧を印加された薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の周縁部に供給する。次に、薬液２１３をノズル２１から供給しながら、基板２４表面の中央部の上方にノズル２１を移動させた後、薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の中央部に供給する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

本発明は、切り換え可能な疑中性ビームシステムを用いてリアルタイムで基板を処理して、フォトレジスト層のエッチング耐性を改善する装置及び方法を供してよい。それに加えて、前記の改善されたフォトレジスト層は、エッチング処理において、ゲート及び/又はスペーサの限界寸法(CD)のより正確な制御、ゲート及び/又はスペーサのCD均一性の正確な制御、並びに、ライン端部粗さ(LER)及びライン幅粗さ(LWR)の除去に用いられてよい。
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【課題】高密度プラズマを発生させるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】円筒形電極１を有する円筒チャンバー部と、前記円筒チャンバー部を、ガス導入口１０を有する第１チャンバー室２と、ガス排出口１１を有する第２チャンバー室３とに仕切るように、前記円筒チャンバー部に配置されたオリフィス４と、前記第２チャンバー室内において前記円筒形電極の中心軸に設置されている棒状電極と、前記第１チャンバー室において設置された、前記円筒形電極とは異なる電位を印加できるサブ電極６とを具備したプラズマ発生装置において、前記円筒形電極と棒前記状電極の間に電界を印加しプラズマを発生させ、さらに、前記円筒形電極と前記サブ電極間に電界を印加してプラズマを発生させ、前記第１チャンバー室と前記第２チャンバー室のプラズマ領域が前記オリフィスの穴を通して接続している。 （もっと読む）

【課題】下部電極のセルフバイアス電圧を上げることなく，基板載置台の付着物の除去レートを上げる。
【解決手段】処理室１０２内を所定の処理条件に基づいてクリーニングする際に，Ｏ_２ガスと不活性ガスからなる処理ガスを下部電極１１１のセルフバイアス電圧に応じてその絶対値が小さいほど，Ｏ_２ガスの流量比が減少しＡｒガスの流量比が増大するように設定した流量比で処理室内に供給し，下部電極１１１と上部電極１２０の電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極又は上部電極にプラズマ生成用の第１の周波数の高周波電力を印加するための第１の高周波電源と、下部電極に第１の周波数より周波数の低いイオン引き込み用の第２の周波数の高周波電力を印加するための第２の高周波電源と、下部電極と絶縁された状態で、当該下部電極上の少なくとも周縁部に設けられたバイアス分布制御用電極と、バイアス分布制御用電極に、第２の周波数より周波数の低い第３の周波数の交流又は矩形波の電圧を印加するためのバイアス分布制御用電源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

本発明は、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、プラズマ処理、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、内部領域にガス状のフッ素化合物を５ｍｂａｒより大の分圧で作用させることを特徴とする。プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする別の方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、温度調整手段により、フッ素ガスを熱活性化し、クリーニングしたい部材が＜３５０℃の温度を有するようにした。
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【課題】洗浄液に振動音響力を与えて半導体基板の表面を洗浄する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板３０表面が圧電変換器３２から所定の距離になるように基板を配置する工程、基板と変換器との間に洗浄液５を供給する工程、変換器に交流の電流と電圧を供給することにより洗浄液に振動音響力を与える工程、基板と変換器を相対的に移動させる工程、表面と変換器との間の距離を測定する工程、または変換器に供給される電流と電圧との間の位相シフトを測定する工程、測定された距離を所望の距離と比較する工程、または測定された位相シフトを所望の位相シフトの値と比較する工程、表面と変換器との間の距離を調整して、この距離を所望の距離に実質的に等しくなるように維持する工程、または位相シフトを所望の位相シフトの値に等しくなるように維持する工程よりなる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極５に第１の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第１の高周波電力より周波数の低い第２の高周波電力をウエハＷの下部電極４に印加するプラズマ処理装置１を用いて、下部電極４上に載置されたウエハＷの端部に付着した堆積物Ｄを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を４００〜８００ｍＴｏｒｒに設定し、下部電極４からウエハＷを離した状態で上部電極５によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする （もっと読む）

【課題】移動電極及び筒状容器の一方の端壁の間の空間におけるプラズマの発生を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容する筒状のチャンバ１１と、該チャンバ１１内においてチャンバ１１の中心軸に沿って移動自在なシャワーヘッド２３と、チャンバ１１内においてシャワーヘッド２３に対向するサセプタ１２と、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４を接続する伸縮自在なベローズ３１とを備え、シャワーヘッド２３及びサセプタ１２の間に存在する処理空間ＰＳに高周波電力が印加されるとともに処理ガスが導入され、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の側壁１３は非接触であり、シャワーヘッド２３及び蓋１４の間に存在する上部空間ＵＳに第１のキャパシタ層３２及び第２のキャパシタ層３３が配設される。 （もっと読む）

【課題】透過窓とチャンバとの間で気密保持するＯリングの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波透過窓２０の下面２０ａの外周部であって円柱体１５の上面１５ａと連結する部分に位置する領域に、環状の導電性膜２５を形成し、マイクロ波透過窓２０の外周部分を透過するマイクロ波を該導電性膜２５にてシールドしてトッププレート側に透過させないようにした。そして、間隔保持板２３によってＯリング２１の内側に生じるマイクロ波透過窓２０の下面２０ａと円柱体１５の上面１５ａとの隙間Ｄにマイクロ波が導入されないようにした。 （もっと読む）

【課題】電極を処理対象物の上方に位置させてプラズマ処理を施す構成をとりつつメンテナンス性の向上を図ることができるようにしたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ベース部４の上面に処理対象物Ｂを保持する保持部１４を備え、ベース部４の上方には、ベース部４の上面に上方から当接してベース部４の上面との間に保持部１４を覆う密閉空間ＳＰを形成する蓋部材５を移動自在に設ける。電極３１は、蓋部材５のベース部４と対向する面に電気絶縁部材３０を介して取り付けられ、密閉空間ＳＰ内で保持部１４の上方に位置する。ベース部４には、蓋部材５がベース部４の上面に当接したときに密閉空間ＳＰ内に露出した上端が電極３１と接触する導電部４０を設け、高周波電源部５２からベース部４の下方に設けた整合器５１及び導電部４０を通じて電極３１に高周波電圧を印加する。 （もっと読む）