【課題】 本発明は、気相成長装置内の汚染不純物の種類によってモニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、高感度で正確に清浄度を評価することのできる気相成長装置の清浄度評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、
前記気相成長装置を用いて、シリコンウエーハ上に導電型がＰ型のエピタキシャル層とＮ型のエピタキシャル層を順不同で連続して成長させたモニタウエーハを製造して、該モニタウエーハのライフタイム値を測定し、
前記モニタウエーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＶ法により気相成長装置の清浄度を簡易に評価できる気相成長装置の清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】Ｂがドーピングされたｐ型シリコンウェーハ５ａ上に、ドーパントを含まないシリコンエピタキシャル層９を、気相成長装置１内でエピタキシャル成長させ、ＳＰＶ法によりシリコンエピタキシャル層９より下層のｐ型シリコンウェーハ５ａで少数キャリアを発生させて少数キャリアの拡散長を測定することにより、ｐ型シリコンウェーハ５ａ中のＦｅの不純物濃度を算出し、不純物濃度から気相成長装置１の清浄度を評価する。よって、Ｆｅの不純物濃度の指標で気相成長装置１の清浄度を把握できる。 （もっと読む）

【課題】光アクセス窓のエッチングおよび堆積を低減させ、診断終点において所望のＳＮＲを維持できるガス注入器を提供する。
【解決手段】注入器は、プロセスチャンバの外側の診断終点Ｓ−ＯＵＴから光アクセス窓７０を通ってプロセスチャンバ内Ｓ−ＩＮへと、軸路に沿った光アクセスを提供する。中空のケースボディ９０は、第１および第２のプロセスガスを受け取り、軸路を取り囲む。ボディ内のスリーブ９２は、粒子の生成を最小限に抑えるために、ケースボディに対して促され、プロセスチャンバ内に第１のプロセスガスを注入する第１のガス穴１０６を画定する。スリーブの第２のガス穴１２４は、プロセスチャンバ内に第２のプロセスガスを注入するために、軸路を取り囲み、光信号が終点において所望の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を有することを可能にする。第２の穴内にセプタム１２６を提供することによって、第２の穴を、アパーチャ１３６に分割する。 （もっと読む）

【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの有無と、ウエハのプロセス進捗状況とを対応させて表示し、装置が停止した場合にも、操作者にウエハの処理状況を正確に知らせて、良品を廃棄するのを防ぎ、歩留りを向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ毎に搬送レシピを指定した搬送テーブル２９と、搬送レシピ毎にウエハの位置情報を格納する位置管理テーブル２２ａ〜２２ｃと、ウエハＮｏ．毎に位置情報とプロセス状況を格納する状況テーブル２５´を設け、位置情報監視手段２１´が、個々のウエハについて位置及びプロセス状況を監視し、ウエハ毎に異なる搬送レシピを設定した場合にも、ウエハ毎のプロセス進捗状況を表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセス装置において反応生成物の堆積による光学窓の曇りを防ぎ、装置内の観察継続の為に必要なメンテナンス作業の頻度を抑制する。
【解決手段】反応チャンバ１と、反応チャンバ１からの光の一部が投影される光学窓８を有するビューポート９とを備えたプラズマプロセス装置において、ビューポート９内に設けられ、シャッター１１及び光透過性を有する複数の保護窓１２を備えるプレート１３と、保護窓１２及びシャッター１１のうちの一つが反応チャンバ１から光学窓８への光路上に位置するようにプレート１３の位置を切り換える切換手段１５とを有するプラズマプロセス装置を提供する。これにより、観察時、非観察時のいずれにおいても反応生成物が光学窓８に堆積しなくなる。プレート１３のメンテナンス作業は必要となるが、その頻度は従来のメンテナンス作業と比べて大幅に抑制される。 （もっと読む）

【課題】異常放電を検出するセンサを、改造を行うことなく容易に取り付けることが可能なプラズマ処理装置と、それを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１のチャンバー２の側壁部８には、チャンバー２を接地電位に固定するアース線９が取り付けられている。アース線９が接続されている側壁部８の部分の近傍には、チャンバー２内に生成されるプラズマから接地電位へ向かって流れるリターン電流を測定する電流センサ１０が取り付けられている。電流センサ１０には異常放電検知部１４が電気的に接続されて、測定されたリターン電流に基づいて異常放電が発生したか否かが判定される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置に備わる真空室と装置外部との間のリークを早期に検知することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】真空室において、高真空領域の圧力判定値と低真空領域の圧力判定値との間の圧力領域に任意の圧力値（例えば１Ｐａ）を設定し、ウエハ搬送室の圧力が低真空側から高真空側へ通過する任意の圧力値を第１トリガポイントＰ１と設定し、次にウエハ搬送室の圧力が低真空側から高真空側へ通過する任意の圧力値を第２トリガポイントＰ２と設定する。第１トリガポイントＰ１と第２トリガポイントＰ２との間で、低真空側の最大圧力が低真空領域の圧力判定値に到達しているか否かの判定と高真空側の最小圧力が高真空領域の圧力判定値に到達しているか否かの判定を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ以上として冷却する冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスにおけるガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ光の強度の実際の値と測定値とのずれを較正することができ、またプラズマの発生領域に対し、複数の位置のプラズマ光の強度を精度よく測定できるプラズマ測定装置を提供する。
【解決手段】前記プラズマ測定装置は、プラズマが発光する光の強度を測定する受光手段と、前記受光手段で測定された前記プラズマが発光する光の強度を較正するための較正用光源と、一端側がプラズマ発光領域に向けて並べて配置され、他端側が前記受光手段に接続された測定用の光ファイバーと、他端側が前記較正用光源に接続された較正用の光ファイバーとを備えた光ファイバーユニットと、を有し、前記プラズマが発光する光は、前記測定用の光ファイバーを介し前記受光手段に入射し、前記較正用光源が発光する光は、前記較正用の光ファイバー及び前記測定用の光ファイバーを介し前記受光手段に入射することを特徴とする。 （もっと読む）

高周波電圧によって駆動される第１の電極と、定電圧であるグラウンド電圧を有する第２の電極との間に形成される体積Ｖの電気的に陽性なプラズマ内に浮遊しているサンプル内の、ナノ粉末の粒子の平均表面半径ｒ_Ｄ及び／又は密度ｎ_Ｄを求める方法であって、Ｖ_ＲＦは、プラズマ内に粉末が存在する場合の、第１の電極を駆動する高周波電圧ＲＦの測定時間ｔにおける振幅であり、Ｖ_{ＲＦ（０）}は、プラズマ内に粉末が存在しない場合の、第１の電極を駆動する上記高周波電圧の振幅であり、Ｖ_ＤＣは、プラズマ内に粉末が存在する場合の、時間ｔにおける第１の電極の自己バイアス電圧であり、Ｖ_{ＤＣ（０）}はプラズマ内に粉末が存在しない場合の第１の電極の自己バイアス電圧であり、ΔＡ_Ｂは、粉末が存在しない状況に対する、粉末が存在する場合の時間ｔにおける第２の電極の表面積の変動であり、ｎ及びＫの値は、実験データから、ｒ_ＤがΔＡ_Ｂ及びＶ_ＲＦの関数である曲線をトレースすることによって、較正によって求められ、その実験データは、Ｖ_ＲＦ、Ｖ_{ＲＦ（０）}、Ｖ_ＤＣ及びＶ_{ＤＣ（０）}を測定することによって、かつその曲線に回帰法を適用することによって、既知の粒径を有する粉末から得られる。
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【課題】 装置の大型化やそれに伴うコストの増加を招くこと無く、カーボン保護膜作成時間の短縮化および生産性に優れたインライン真空処理技術を提供すること。
【解決手段】 第１の成膜室と第２の成膜室とを有するインライン真空処理装置は、第１ロットに含まれる複数枚の基板を１つのまとまりとして、同一の成膜室で成膜処理を行うために、第１の成膜室および第２の成膜室のうち、いずれか一の成膜室に成膜処理を実行させる成膜部と、一の成膜室が成膜処理を実行している間に、成膜処理を行っていない他の成膜室において、成膜処理を行うための処理を実行させる処理実行部と、一の成膜室で処理された基板の枚数を計測し、第１ロットに含まれる基板が全て成膜処理されたか否かを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、他の成膜室に成膜処理を実行させ、一の成膜室に成膜処理を行うための処理を実行させるように、第１の成膜室及び第２の成膜室で行う処理の切替えを行う制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理に際し、被処理物上の異物等を確実に、かつ被処理物等を損傷することなく検知する。
【解決手段】表面処理装置１の処理部３を被処理物９と対向させ、被処理物９に対し平面ＰＬと平行な移動方向に相対移動させる。処理部３に表面状態検知手段１０の回転体１２を設ける。表面状態検知手段１０の回転体１２は、好ましくは円筒体であり、その回転軸１２ａが、平面ＰＬと平行で上記移動方向と交差している。支持部１３によって、回転体１２を回転軸１２ａのまわりに回転可能に支持し、かつ回転軸１２ａを平面ＰＬと交差する方向に変位可能にする。回転体１２の回転を回転センサ２１で検知する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】チャンバ５１内のステージ５８上に載置されたウェハ５７に対してエッチング処理を行う際に、プラズマ５６から発生する紫外光ＵＶのモニタを行う場合、電圧源８７により、負のバイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）をセンサ７０へ印加する。すると、プラズマ５６から発生した紫外光ＵＶが、センサ７０にて誘起電流として測定され、この誘導電流が電流計８８にてリアルタイムに計測される。これにより、誘導電流を紫外光ＵＶによるセンサ７０へのダメージの定量的指標としてモニタリングできる。センサ７０は、ＲＦバイアス電圧の印加されないチャンバ５１の上部に設置されているので、このセンサ７０がエッチングされたり、あるいは堆積膜で覆われ難くなる。 （もっと読む）

【課題】電力使用系に対する電圧及び電流を正確に測定して精度の高い抵抗値を求め、断線の予測を精度良く行うことができる電力使用系の断線予測装置を提供する。
【解決手段】電力使用系４２Ａ〜４２Ｅに対して個別に各給電ライン４６Ａ〜４６Ｅを介して供給される電力を制御するようにした電力供給回路系２４に設けた断線予測装置２６において、各給電ライン毎に設けられ、異なる周波数のパルス波をオフ期間に対応させて発生するパルス波発生手段５２Ａ〜５２Ｅと、自己のパルス波発生手段にて発生したパルス波を混合させるパルス波混合手段５４Ａ〜５４Ｅと、伝送される自己のパルス波を検出するパルス波検出手段５６Ａ〜５６Ｅと、パルス波検出手段にて検出されたパルス波に基づいて電力使用系の断線予測を判断する判断手段５８とを備える。 （もっと読む）

【課題】前駆体用化学薬品の高純度を維持することが可能で、かつ、装置中での前駆体用化学薬品の使用量を増大させることも可能で、それに応じて化学薬品の無駄を低減する、清浄化が容易な二点部品からなる気相または液相試薬送出装置を提供する。
【解決手段】複数ポートのうちの１つと、対応する弁との間にガスケットと管から成るアダプタを挿入することによって、管付きではない標準２ポート容器が、管（すなわち、ガス供給用気泡管または液体供給用浸漬管）を必要とする用途に使用できる容器に転用できる。 （もっと読む）

【課題】 ２重にシール部材を配備した真空装置のリーク判定を、Ｈｅガスを用いることなく簡易に行う。
【解決手段】 真空装置のリーク判定方法は、連通溝内の圧力Ｐ１を大気圧よりも高く設定し、処理容器内の圧力Ｐ２を真空に設定した状態で、圧力Ｐ１，Ｐ２に共に変化がない場合に内側シール部材および外側シール部材のいずれもリークは無いと判定し、圧力Ｐ１が下降し、かつ圧力Ｐ２に変化がない場合に外側シール部材からのリークが有る、と判定し、圧力１が下降し、かつ圧力Ｐ２が上昇した場合に、少なくとも内側シール部材からのリークが有る、と判定する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止すること。
【解決手段】減圧した反応管３内で気相成長法により基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜製造方法であって、水分供給手段によって水分を供給しつつ、上記成膜を行うことを特徴とする。このポリシリコン膜製造方法によれば、水分供給手段によって水分を供給しているので、成膜されるポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止することができる。 （もっと読む）